JP2005227618A5 - - Google Patents
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- 発光素子と、
前記発光素子が有する電極の一方とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した駆動用TFTと、
前記駆動用TFTのソースまたはドレインの他方が電気的に接続した電源供給線と、
前記電源供給線とソースまたはドレインの一方が電気的に接続したスイッチング用TFT及び消去用TFTと、
前記スイッチング用TFTのソースまたはドレインの他方が接続したソース信号線と、
前記スイッチング用TFTのゲートが電気的に接続した第1のゲート信号線と、
前記消去用TFTのゲートが電気的に接続した第2のゲート信号線と、を有し、
前記駆動用TFTのゲートは前記スイッチング用TFTのソースまたはドレインの一方及び前記消去用TFTのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲート、前記電源供給線、前記ソース信号線、前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は液滴吐出法を用いてZnOまたはTiO 2 上に設けられ、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は、前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、
前記発光素子が有する電極の一方とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した駆動用TFTと、
前記駆動用TFTのソースまたはドレインの他方が電気的に接続した電源供給線と、
前記電源供給線と一方の電極が電気的に接続した容量素子と、
前記容量素子の他方の電極とソースまたはドレインの一方が接続したスイッチング用TFTと、
前記スイッチング用TFTのソースまたはドレインの他方が接続したソース信号線と、
前記スイッチング用TFTのゲートが電気的に接続した第1のゲート信号線と、
前記電源供給線とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した消去用TFTと、
前記消去用TFTのゲートが電気的に接続した第2のゲート信号線と、を有し、
前記駆動用TFTのゲートは前記スイッチング用TFTのソースまたはドレインの一方及び前記消去用TFTのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲート、前記電源供給線、前記ソース信号線、前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は液滴吐出法を用いてZnOまたはTiO 2 上に設けられ、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は、前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2において、前記スイッチング用TFTはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記駆動用TFTはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記消去用TFTはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された電界発光層とを有し、
前記第1の電極、前記第2の電極または前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴とする発光装置。 - 基板表面にZnOまたはTiO 2 を形成し、
前記ZnOまたはTiO 2 上に、駆動用TFTのゲートと、スイッチング用TFTのゲートと、消去用TFTのゲートと、ソース信号線と、第1のゲート信号線と、第2のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲートと、前記ソース信号線と、前記第1の信号線と、前記第2のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲート上に第1の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第2の半導体膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第2の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTとを形成し、
前記駆動用TFTが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用TFTと接続する第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に電界発光層と第2の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は、前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 基板表面にZnOまたはTiO 2 を形成し、
前記ZnOまたはTiO 2 上に、駆動用TFTのゲートと、スイッチング用TFTのゲートと、消去用TFTのゲートと、ソース信号線と、第1のゲート信号線と、第2のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲートと、前記ソース信号線と、前記第1の信号線と、前記第2のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲート上に第1の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第2の半導体膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第2の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTとを形成し、
前記駆動用TFTが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用TFTと接続する第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に電界発光層と第2の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は、前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートよりも太い配線であり、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線を液滴吐出法で形成した後に前記前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 基板表面にZnOまたはTiO 2 を形成し、
前記ZnOまたはTiO 2 上に、駆動用TFTのゲートと、スイッチング用TFTのゲートと、消去用TFTのゲートと、ソース信号線と、第1のゲート信号線と、第2のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲートと、前記ソース信号線と、前記第1の信号線と、前記第2のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用TFTのゲートと、前記スイッチング用TFTのゲートと、前記消去用TFTのゲート上に第1の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第2の半導体膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第2の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTとを形成し、
前記駆動用TFTが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用TFTと、スイッチング用TFTと、消去用TFTを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用TFTと接続する第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に電界発光層と第2の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線は、前記駆動用TFTのゲート、前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートよりも太い配線であり、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線を液滴吐出法で形成した後に紫外線を照射し、
前記第1のゲート信号線及び前記第2のゲート信号線と接続するように前記スイッチング用TFTのゲート、前記消去用TFTのゲートを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項8または請求項9において、前記第1の電極、前記第2の電極または前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
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