JP4684625B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Thin Film Transistor (AREA)
Description
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法により形成されたゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極上に液滴吐出法により形成された柱状の導電膜と、
前記柱状の導電膜に接続された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置である。
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の導電膜を形成し、
前記柱状の導電膜及び前記薄膜トランジスタを覆うように、第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上において、前記柱状の導電膜と接続するように画素電極を形成し、
液晶またはシール材を液滴吐出法により形成し、
減圧下で対向基板と貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の有機膜を形成し、
前記柱状の有機膜及び前記薄膜トランジスタを覆うように、第2の絶縁膜を形成し、
前記柱状の有機膜を除去し、
前記第2の絶縁膜上において、前記ソース電極又はドレイン電極と接続するように画素電極を形成し、
液晶またはシール材を液滴吐出法により形成し、
減圧下で対向基板と貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
ここでは逆スタガ型TFTをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を示す。なお、図1は作製工程の断面を示している。
ここでは実施の形態1とは接続方法が異なる例を示す。図2に逆スタガ型TFTをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程の断面を示す。
ここでは実施の形態1とは接続方法が異なる例を示す。図3に逆スタガ型TFTをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程の断面を示す。
11 下地膜
12 金属配線
13 ゲート絶縁膜
14a 半導体膜
14b 半導体層
15 マスク
16 絶縁体層
17 n型の半導体膜
18a ソース配線またはドレイン配線
18b ソース配線またはドレイン配線
19a ソース領域またはドレイン領域
19b ソース領域またはドレイン領域
20 凸状部
21 層間絶縁膜
22 層間絶縁膜
23 画素電極
24a 配向膜
24b 配向膜
25 対向基板
26a 着色層
26b 遮光層
27 オーバーコート層
28 対向電極
29 液晶
30 TFT
31 容量配線
40 配線
41 接続配線
42 導電物
43 凸状部
44 端子電極
45 異方性導電体層
46 FPC
110 大面積基板
111 画素部
112 シール材
113 ノズル操作方向
114 液晶材料
115 滴下面
116 液滴吐出装置
118 ノズル
119 点線で囲まれた部分
120 逆スタガ型TFT
121 画素電極
210 基板
211 下地膜
213 ゲート絶縁膜
214a 半導体膜
214b 半導体層
215 マスク
216 絶縁体層
217 n型の半導体膜
218a ソース配線またはドレイン配線
218b ソース配線またはドレイン配線
219a ソース領域またはドレイン領域
219b ソース領域またはドレイン領域
221 層間絶縁膜
224a 配向膜
224b 配向膜
225 対向基板
226a 着色層
226b 遮光層
227 オーバーコート層
228 対向電極
229 液晶
230 TFT
240 配線
241 接続配線
242 導電物
244 端子電極
245 異方性導電体層
246 FPC
310 基板
314 半導体層
316 絶縁体層
318a ソース配線またはドレイン配線
318b ソース配線またはドレイン配線
319a ソース領域またはドレイン領域
319b ソース領域またはドレイン領域
320 凸状部
322 層間絶縁膜
323 画素電極
324a 配向膜
324b 配向膜
325 対向基板
326a 着色層
326b 遮光層
327 オーバーコート層
328 対向電極
329 液晶
330 TFT
340 配線
341 接続配線
342 導電物
343 凸状部
344 端子電極
345 異方性導電体層
346 FPC
410 基板
411 下地膜
412 金属配線
413 ゲート絶縁膜
414a 半導体膜
414b 半導体層
415 マスク
416 絶縁材料または導電材料からなる層
417 n型の半導体膜
418a ソース配線またはドレイン配線
418b ソース配線またはドレイン配線
419a n型の半導体膜
419b n型の半導体膜
420 凸状部
421 層間絶縁膜
422 層間絶縁膜
423 画素電極
424a 配向膜
424b 配向膜
425 対向基板
426a 着色層
426b 遮光層
427 オーバーコート層
428 対向電極
429 液晶
430 TFT
440 配線
441 接続配線
442 導電物
443 凸状部
444 端子電極
445 異方性導電体層
446 FPC
510 基板
521 層間絶縁膜
524a 配向膜
524b 配向膜
525 対向基板
526a 着色層
526b 遮光層
527 オーバーコート層
528 対向電極
529 液晶
530 TFT
544 端子電極
545 異方性導電体層
546 FPC
610 基板
622 層間絶縁膜
623 画素電極
624a 配向膜
624b 配向膜
625 対向基板
626a 着色層
626b 遮光層
627 オーバーコート層
628 対向電極
629 液晶
630 TFT
641 接続配線
644 端子電極
645 異方性導電体層
646 FPC
706 対向基板
710 基板
711 下地膜
712 ゲート配線
713 ゲート絶縁層
714 半導体層
718a ソース配線層及びドレイン配線層
718b ソース配線層及びドレイン配線層
719a n型の半導体層
719b n型の半導体層
720 凸状部
722 層間絶縁膜
723 画素電極
724a 配向膜
724b 配向膜
725 対向基板
726a 着色層
726b 遮光層
727 オーバーコート層
728 対向電極
729 液晶
730 TFT
740 端子電極
743 凸状部
744 端子電極
745 異方性導電体層
746 FPC
824a 配向膜
824b 配向膜
825 対向基板
826a 着色層
826b 遮光層
827 オーバーコート層
828 対向電極
829 液晶
830 TFT
840 接続配線
844 端子電極
845 異方性導電体層
846 FPC
924a 配向膜
924b 配向膜
925 対向基板
926a 着色層
926b 遮光層
927 オーバーコート層
928 対向電極
929 液晶
930 TFT
940 接続配線
944 端子電極
945 異方性導電体層
946 FPC
1031 第2基板
1032 シール材
1033 液晶
1034 画素部
1035 第1基板
1041 第1基板支持台
1042 第2基板支持台
1044 窓
1048 下側定盤
1049 光源
1101 基板
1104 画素部
1105 FPC
1107 シール材
1111 基板
1112 ソース信号線駆動回路
1113 ゲート信号線駆動回路
1114 画素部
1115 FPC
1116 対向基板
1117 第1シール材
1118 第2シール材
1200 基板
1201 画素電極
1202 スペーサ
1203 偏光板
1204 バックライト
1205 導光板
1206 カバー
1207 シール材
1219 保護膜
1220 CF
1221 対向電極
1222 配向膜
1223 配向膜
1224 液晶層
1300 基板
1302 導電膜
1303 ゲート電極
1380 導電膜
1381 ヘッド
1382 ヘッド
1383 ヘッド
1384 ステージ
1385 ステージ
1400 基板
1403 液滴吐出手段
1404 撮像手段
1405a ヘッド
1405b ヘッド
1407 制御手段
1408 記憶媒体
1409 画像処理手段
1410 コンピュータ
1411 マーカー
1500 大型基板
1503 領域
1504 撮像手段
1505a ヘッド
1505b ヘッド
1505c ヘッド
1507 ステージ
1511 マーカー
1601 基板
1603 ヘッド部
1604 組成物
1605 溶媒の入った容器
1606 組成物
1607 試運転台
1701 銅
1702 銀
1711 銅
1712 銀
1713 バッファ層
2001 筐体
2002 支持台
2003 表示部
2005 ビデオ入力端子
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2401 本体
2402 筐体
2403 表示部A
2404 表示部B
2405 記録媒体読込部
2406 操作キー
2407 スピーカー部
Claims (7)
- 薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に、導電性材料でなる前記凸状部を形成し、
前記薄膜トランジスタ及び前記凸状部上に平坦な層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、前記凸状部上の前記層間絶縁膜を除去して前記凸状部を露出し、
前記層間絶縁膜及び前記凸状部上に前記露出した凸状部と接する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有する材料でなる前記凸状部を形成し、
前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に前記凸状部を形成し、
前記凸状部にプラズマ処理を行い、前記凸状部が、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有するようにし、
前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記導電性材料は、Ag、Au、Cu、W、またはAlの金属の粒子を主成分とした組成物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記凸状部は、液滴吐出法による組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型薄膜トランジスタまたは順スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記半導体装置は液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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