JP2005165309A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に、液滴吐出法による組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって、柱状の凸状部を形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に平坦な層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に、導電性材料でなる柱状の凸状部を形成し、
   前記薄膜トランジスタ及び前記凸状部上に平坦な層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、前記凸状部上の前記層間絶縁膜を除去して前記凸状部を露出し、
   前記層間絶縁膜及び前記凸状部上に前記露出した凸状部と接する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有する材料でなる柱状の凸状部を形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
   前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
   前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に柱状の凸状部を形成し、
   前記凸状部にプラズマ処理を行い、前記凸状部が、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有するようにし、
   前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
   前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
   前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２において、前記導電性材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、またはＡｌの金属の粒子を主成分とした組成物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２乃至請求項５のいずれか一において、前記凸状部は、液滴吐出法による組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型薄膜トランジスタまたは順スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記半導体装置は液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。