JP2008085313A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
   前記第１の導電膜上で、前記マスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
   前記マスクを除去し、前記絶縁膜に開口を形成し、
   前記開口に第２の導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極上でマスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
   前記マスクを除去し、絶縁膜に開口を形成し、
   前記開口に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極上でマスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
   前記マスクを除去し、絶縁膜に開口を形成し、
   前記開口に第１の電極を形成し、
   前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
   前記電界発光層上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   蒸着法、スパッタリング法、又は化学的気相成長法によって前記絶縁膜を成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記マスクの凸部は針状であることを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記マスクの除去をエッチングによって行うことを特徴とする表示装置の作製方法。