JP2005159143A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記第２の導電膜材料が混入された組成物を噴出することにより、第２の導電膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
2. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記第２の導電膜材料が混入された組成物を噴出することにより、第２の導電膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記凹凸形状により第１の導電膜の密着性が向上し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   ドライエッチング法、フロスト加工法、又はサンドブラスト法により、前記凹凸形状を有する領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   インクジェット法により、前記第１の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   インクジェット法により、前記第２の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
6. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタを覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に第１の電極を形成し、
   前記第１の電極の端部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜間に電界発光層を形成し、
   前記電界発光層を覆うように第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタを覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に第１の電極を形成し、
   前記第１の電極の端部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜間に電界発光層を形成し、
   前記電界発光層を覆うように第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記凹凸形状により前記第１の導電膜の密着性が向上し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする表示装置の作製方法。
8. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
   前記第２の導電膜と接続するように第１の電極を形成し、
   前記第１の電極と対向するように第２の電極を配置し、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間に液晶層を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする表示装置の作製方法。
9. 凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
   前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
   前記第２の導電膜と接続するように第１の電極を形成し、
   前記第１の電極と対向するように第２の電極を配置し、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間に液晶層を形成する表示装置の作製方法であって、
   前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
   前記凹凸形状により前記第１の導電膜の密着性が向上し、
   前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により、前記第２の導電膜の密着性が向上する
   ことを特徴とする表示装置の作製方法。
10. 請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
    ドライエッチング法、フロスト加工法、又はサンドブラスト法により、前記凹凸形状を有する領域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
11. 請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
    インクジェット法により、前記第１の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする表示装置の作製方法。
12. 請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、
    インクジェット法により、前記第２の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする表示装置の作製方法。