JP2008172266A5 - - Google Patents
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- 第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にＭｇＯ層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第１の強磁性層を形成する工程、ＭｇＯ層を形成する工程及び第２の強磁性層を形成する工程を有し、
前記ＭｇＯ層を形成する工程は、基板がフローティング電位にある状態で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 基板と、第１の強磁性層と、第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層及び前記第２の強磁性層の間に形成されるＭｇＯ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
前記基板上に第１の強磁性層を形成する工程、ＭｇＯ層を形成する工程及び第２の強磁性層を形成する工程を有し、
前記ＭｇＯ層を形成する工程は、前記基板に接する部分が絶縁物である基板載置台に、前記基板を載置させて行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記基板は、絶縁物が溶射された基板載置台に載置することを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記基板は、絶縁物からなる基板載置台に載置することを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記ＭｇＯ層を形成する工程は、前記基板の周辺部に、前記基板と離間してマスクが配置された状態で行われることを特徴とする請求項２乃至請求項４のうち、いずれか１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にＭｇＯ層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第１の強磁性層を形成する工程、ＭｇＯ層を形成する工程及び第２の強磁性層を形成する工程を有し、
前記ＭｇＯ層を形成する工程は、基板と該基板を保持する基板保持部とを電気的に絶縁した状態で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記ＭｇＯ層を形成する工程は、前記基板の周辺部に、前記基板と電気的に絶縁されたマスクが配置された状態で行われることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にＭｇＯ層を有する磁気抵抗効果素子の製造装置において、
ＭｇＯ層を成膜する成膜室には、基板をフローティング電位にある状態とするための手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - 第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にＭｇＯ層を有する磁気抵抗効果素子の製造装置において、
ＭｇＯ層を成膜する成膜室には、基板と該基板を保持する基板保持部とを電気的に絶縁するための手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。
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