JP2010219515A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁表面に設けられた半導体層と、
   前記半導体層の少なくとも一部に設けられた炭化物半導体を含む領域と、
   前記炭化物半導体を含む領域上に設けられたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
   第１の電極と、
   第２の電極と、
   を有し、
   前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、
   前記第２の領域は、前記第１の領域の内側であって前記ゲート電極の略外側に設けられ、
   前記第３の領域は、少なくとも前記第１の領域の下に設けられ、
   前記第３の領域は、一導電型を有し、
   前記第１の領域は、前記一導電型とは逆の導電型を有し、
   前記第２の領域は、前記一導電型と同じ導電型を有し、
   前記第１の電極は、前記第１の領域及び前記第２の領域と接して設けられ、
   前記第２の電極は、前記半導体層と接して設けられ、
   前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられ、
   前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体基板と、
   前記半導体基板の一方の面の少なくとも一部に設けられた炭化物半導体を含む領域と、
   前記炭化物半導体を含む領域上に設けられたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
   第１の電極と、
   第２の電極と、
   を有し、
   前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、
   前記第２の領域は、前記第１の領域の内側であって前記ゲート電極の略外側に設けられ、
   前記第３の領域は、少なくとも前記第１の領域の下に設けられ、
   前記第３の領域は、一導電型を有し、
   前記第１の領域は、前記一導電型とは逆の導電型を有し、
   前記第２の領域は、前記一導電型と同じ導電型を有し、
   前記第１の電極は、前記第１の領域及び前記第２の領域と接して設けられ、
   前記第２の電極は、前記半導体基板の一方の面とは反対側の面に設けられ、
   前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられ、
   前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能することができる領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 一導電型を有する半導体層を、炭化物気体を含む雰囲気中で加熱して、該半導体層の少なくとも表層部に炭化物半導体を含む領域を形成し、
   前記半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を有する第１の領域を形成し、
   前記第１の領域の内側に前記一導電型と同じ導電型を有する第２の領域を形成し、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、
   前記第２の領域の一部及び前記第１の領域の一部と接する第１の電極を形成し、
   前記半導体層と接する第２の電極を形成し、
   前記ゲート電極は、前記第１の領域と少なくとも一部が重なるように形成し、
   前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成し、
   前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 一導電型を有する半導体基板を、炭化物気体を含む雰囲気中で加熱して、該半導体基板の一面の表層部に炭化物半導体を含む領域を形成し、
   前記半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を有する第１の領域を形成し、
   前記第１の領域の内側に前記一導電型と同じ導電型を有する第２の領域を形成し、
   前記半導体基板上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、
   前記第２の領域の一部及び前記第１の領域の一部と接する第１の電極を形成し、
   前記半導体基板の一面とは反対側の面と接する第２の電極を形成し、
   前記ゲート電極は、前記第１の領域と少なくとも一部が重なるように形成し、
   前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成し、
   前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。