JP2005210083A5 - - Google Patents
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- 開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記第1の絶縁膜及び導電膜の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記導電膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記開口部の深さと、前記導電膜の高さは揃っていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記第1の絶縁膜及び導電膜の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記導電膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記半導体膜を同時にパターニングし、
前記開口部の深さと、前記導電膜の高さは揃っていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記第1の絶縁膜及び導電膜の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記導電膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記半導体膜を同時にパターニングし、
前記開口部の深さと、前記導電膜の高さは揃い、前記第2の絶縁膜の端部は、前記半導体膜の端部を越えないように設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
絶縁膜材料が混入された組成物と、導電膜材料が混入された組成物とを同時に噴出することによって、前記開口部に導電膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
絶縁膜材料が混入された組成物を噴出し、開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
前記開口部に導電膜材料が混入された組成物を噴出することによって、前記開口部に導電膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
絶縁膜材料が混入された組成物を噴出し、開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜を加熱し、
前記開口部に導電膜材料が混入された組成物を噴出することによって、前記開口部に導電膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記組成物を噴出する手段は、インクジェット法であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記絶縁膜、並びに第1及び第2のゲート電極の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記第1及び第2のゲート電極を形成し、
前記絶縁膜、前記第1及び第2のゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第1及び第2の半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記第1及び第2の半導体膜を同時にパターニングし、
前記第1及び第2の半導体膜上にそれぞれソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第1の半導体膜上に形成されたソース電極又はドレイン電極と、前記第2のゲート電極とを電気的に接続させる薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記開口部の深さと、前記ゲート電極の高さは揃っていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記絶縁膜、並びに第1及び第2のゲート電極の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記第1及び第2のゲート電極を形成し、
前記絶縁膜、前記第1及び第2のゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第1及び第2の半導体膜を形成し、
前記第1及び第2の半導体膜をパターニングし、
前記第1及び第2の半導体膜上に、それぞれソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極を用いて前記ゲート絶縁膜をエッチングし、
エッチングされた前記ゲート絶縁膜の開口部に導電膜を形成することにより、前記第1の半導体膜上に形成されたソース電極又はドレイン電極と、前記第2のゲート電極とを電気的に接続させる薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記開口部の深さと、前記ゲート電極の高さは揃っていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する第1の絶縁膜を形成し、
導電膜材料を有する組成物を噴出し、前記第1の絶縁膜並びにソース電極及びドレイン電極の表面が同一平面となるように、前記開口部に前記ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第1の絶縁膜、前記ソース電極及びドレイン電極を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第1の絶縁膜の開口部の深さと、前記ソース電極及びドレイン電極の高さは揃っていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項10において、
前記ソース電極及びドレイン電極が形成される開口部の幅が10μm〜40μmであって、前記開口部の深さが1.5μm〜2.5μmとなるように前記絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項8乃至11のいずれか一において、
前記ゲート電極が形成される開口部の幅が5μm〜20μmであって、
前記開口部の深さが1.5μm〜2.5μmとなるように前記絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至12のいずれか一において、
導電膜材料を有する組成物を噴出する量は、0.1pl〜40plであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部に設けられたゲート電極と、
前記絶縁膜及び前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、
前記ゲート電極の高さは、前記開口部の深さと揃い、前記絶縁膜及び前記ゲート電極の表面は同一平面であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部に設けられたゲート電極と、
前記絶縁膜及び前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、
前記ゲート電極の高さは、前記開口部の深さと揃い、前記絶縁膜及び前記ゲート電極の表面は同一平面であり、
前記ゲート絶縁膜の端部は、前記半導体膜の端部を越えないように設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項14又は15において、
前記ゲート電極が形成される開口部の幅は5μm〜20μmであって、
前記開口部の深さは1.5μm〜2.5μmであることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 開口部を有する第1の絶縁膜と、
前記開口部に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第1の絶縁膜及び前記ソース電極及びドレイン電極を覆って設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、
前記ソース電極及びドレイン電極の高さは、前記開口部の深さと揃い、前記第1の絶縁膜及び前記ソース電極及びドレイン電極の表面は同一平面であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項17において、
前記ソース電極及びドレイン電極が形成される記開口部の幅は10μm〜40μmであって、前記開口部の深さは1.5μm〜2.5μmであることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項14乃至18のいずれか一において、
前記半導体膜は、水素またはハロゲンが添加されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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