JP2004241770A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極上に、絶縁層を形成し、
   前記絶縁層に、前記半導体層を露出させるような開孔を形成し、
   前記開孔を充填するように、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極を平坦化し、
   前記ゲート電極上に、絶縁層を形成し、
   前記絶縁層に、前記半導体層を露出させるような開孔を形成し、
   前記開孔を充填するように、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ソース及びドレイン配線を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極上に、絶縁層を形成し、
   前記絶縁層に、前記半導体層を露出させるような開孔を形成し、
   前記開孔を充填するように、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ソース及びドレイン配線に接続された第１の電極を形成し、
   前記第１の電極に接するように、減圧下で、第３の導電性材料を含む第３の組成物を吐出して電界発光層を形成し、
   前記電界発光層上に、減圧下で、第４の導電性材料を含む第４の組成物を吐出して第２の電極を形成し、
   前記第２の電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極を平坦化し、
   前記ゲート電極上に、絶縁層を形成し、
   前記絶縁層に、前記半導体層を露出させるような開孔を形成し、
   前記開孔を充填するように、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ソース及びドレイン配線を平坦化し、
   前記ソース及びドレイン配線に接続された第１の電極を形成し、
   前記第１の電極に接するように、減圧下で、第３の導電性材料を含む第３の組成物を吐出して電界発光層を形成し、
   前記電界発光層上に、減圧下で、第４の導電性材料を含む第４の組成物を吐出して第２の電極を形成し、
   前記第２の電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 絶縁表面を有する基板上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、チャネル保護層を形成し、
   前記チャネル保護層上に、一導電型が付与された半導体層を形成し、
   前記一導電型が付与された半導体層上に、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 絶縁表面を有する基板上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極を平坦化し、
   前記ゲート電極上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、チャネル保護層を形成し、
   前記チャネル保護層上に、一導電型が付与された半導体層を形成し、
   前記一導電型が付与された半導体層上に、減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ソース及びドレイン配線を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 絶縁表面を有する基板上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、チャネル保護層を形成し、
   前記チャネル保護層上に、一導電型が付与された半導体層を形成し、
   減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出して画素電極を形成し、
   前記画素電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記一導電型が付与された半導体層上に、減圧下で、第３の導電性材料を含む第３の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 絶縁表面を有する基板上に、減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出してゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ゲート電極を平坦化し、
   前記ゲート電極上に、半導体層を形成し、
   前記半導体層上に、チャネル保護層を形成し、
   前記チャネル保護層上に、一導電型が付与された半導体層を形成し、
   減圧下で、第２の導電性材料を含む第２の組成物を吐出して画素電極を形成し、
   前記画素電極に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記画素電極を平坦化し、
   前記一導電型が付与された半導体層上に、減圧下で、第３の導電性材料を含む第３の組成物を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
   前記ソース及びドレイン配線に、ランプまたはレーザー光により加熱処理を施し、
   前記ソース及びドレイン配線を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項３または請求項４において、
   前記第１の電極は、減圧下で、第５の導電性材料を含む第５の組成物を吐出することにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１、請求項２、請求項５または請求項６のいずれか一項において、
    第１のインクヘッドを用いて、前記第１の組成物を吐出し、
    第２のインクヘッドを用いて、前記第２の組成物を吐出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項３または請求項４において、
    第１のインクヘッドを用いて、前記第１の組成物を吐出し、
    第２のインクヘッドを用いて、前記第２の組成物を吐出し、
    第３のインクヘッドを用いて、前記第３の組成物を吐出し、
    第４のインクヘッドを用いて、前記第４の組成物を吐出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項７または請求項８において、
    第１のインクヘッドを用いて、前記第１の組成物を吐出し、
    第２のインクヘッドを用いて、前記第２の組成物を吐出し、
    第３のインクヘッドを用いて、前記第３の組成物を吐出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１、請求項２、請求項５または請求項６のいずれか一項において、
    前記第１の導電性材料と前記第２の導電性材料は、それぞれ、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１、請求項２、請求項５または請求項６のいずれか一項において、
    前記第１の導電性材料と前記第２の導電性材料は、それぞれ、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１、請求項２、請求項５または請求項６のいずれか一項において、
    前記第１の導電性材料と前記第２の導電性材料は、それぞれ、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項３または請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第４の導電性材料は、それぞれ、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項３または請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第４の導電性材料は、それぞれ、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項３または請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第４の導電性材料は、それぞれ、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
19. 請求項７または請求項８において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
20. 請求項７または請求項８において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
21. 請求項７または請求項８において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。