JP2004241770A - 導電層の作製方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、絶縁表面を有する基板上に、導電性材料を吐出して導電層を形成するステップを有し、前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする。また、前記導電層は、減圧下で形成することを特徴とする。本発明は、絶縁表面を有する基板上のトランジスタのソース又はドレイン配線に接するように、導電性材料を吐出して導電層を形成し、前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態について、図1〜4を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。尚、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いることとする。ここでは、本発明を用いて、Nチャネル型TFT(スイッチ用)と2つのPチャネル型TFT(駆動用)を同一基板上に形成する作製工程について説明する。
(実施の形態2)
(実施の形態3)
Claims (7)
- 絶縁表面を有する基板上に、導電性材料を吐出して導電層を形成し、
前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする導電層の作製方法。 - 請求項1において、前記導電層は、減圧下で形成することを特徴とする導電層の作製方法。
- 絶縁表面を有する基板上のトランジスタのソース又はドレイン配線に接するように、導電性材料を吐出して導電層を形成し、
前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする導電層の作製方法。 - 請求項3において、前記導電層は、減圧下で形成することを特徴とする導電層の作製方法。
- 絶縁表面を有する基板上に、半導体層とゲート絶縁層を積層形成し、
前記ゲート絶縁層上に、導電性材料を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に前記半導体を露出させる開孔を形成し、
前記開孔を充填するように、前記導電性材料を吐出してソース及びドレイン配線を形成し、
前記ゲート電極並びに前記ソース及びドレイン配線に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に、導電性材料を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、半導体層、チャネル保護層及び一導電型が付与された半導体層を積層形成し、
前記一導電型が付与された半導体層上に、導電性材料を吐出して、ソース及びドレイン配線を形成し、
前記ゲート電極並びに前記ソース及びドレイン配線に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5又は請求項6において、前記ゲート電極並びに前記ソース及びドレイン配線は、減圧下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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