JP2006128650A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。
【選択図】図2
Description
また、ゲート電極に接続するゲート配線を形成した後、ドレイン電極に接する第1の電極を形成してもよい。
本実施形態においては、結晶性半導体膜を有する逆スタガ型TFTを発光素子を駆動する素子として有するアクティブマトリクス基板の作製工程を、図1〜図3、図16、及び図31を用いて説明する。本実施形態では、発光素子を駆動する素子として、スイッチング用TFTと駆動用TFTとを有する発光素子を代表例として示す。図3は、発光素子を駆動する素子を有する発光素子の上面図であり、図1及び図2は、スイッチング用TFTのゲート電極と走査線の接続部、駆動用TFT、及び発光素子を示す断面図である。
。第4の絶縁膜174としては、第3の絶縁膜172と同様の材料を適宜用いることが可
能である。
本実施形態では、実施形態1で示したアクティブマトリクス基板の電源線、信号線、ソース電極又はドレイン電極、走査線、及び画素電極の積層の構造について、図3を用いて説明する。以下の実施形態では、発光素子を形成する前の図2(C)に対応する縦断面図及び上面図面を示す。
本実施形態では、実施形態2と比較して走査線と信号線の積層構造の異なるアクティブマトリクス基板について図4を用いて説明する。
本実施形態では、実施形態2と比較して走査線の構造が異なるアクティブマトリクス基板について図5を用いて説明する。
本実施形態では、実施形態3と比較して走査線と信号線の積層構造の異なるアクティブマトリクス基板について図6を用いて説明する。
本実施形態では、実施形態2乃至実施形態5と比較して、走査線と信号線の積層構造の異なるアクティブマトリクス基板について図7を用いて説明する。
本実施形態では、実施形態6と比較して走査線と信号線の積層構造の異なるアクティブマトリクス基板について図8を用いて説明する。
本実施形態では、走査線とソース配線の積層構造の異なるアクティブマトリクス基板に
ついて図34を用いて説明する。
(実施形態9)
本実施形態においては、実施形態1における結晶化及びゲッタリング工程の変形例について、図20を用いて説明する。
する。次ぎに、プラズマを発生させずにシランガスのみをチャンバー内に流す。このことにより、チャンバー内の酸素濃度を低減することが可能である。この後、シランガスを原料としてCVD法により第1の半導体膜を形成することで、酸素濃度の低い第1の半導体膜を形成することが可能となる。
(実施形態10)
本実施形態では、実施形態1と同様のゲッタリング工程を経て、チャネル保護型TFTを形成する工程について図38を用いて説明する。
本実施形態では実施形態9と同様のゲッタリング工程に従いチャネル保護型TFTを作成する方法について図39を用いて説明する。
本実施形態では、ドナー型元素を有する半導体膜の代わりに、希ガス元素を有する半導体膜を用いて触媒元素をゲッタリングしてTFTを形成する工程について、図9を用いて説明する。
できる。
本実施形態では、nチャネルTFTとpチャネルTFTとを同一基板に形成する工程を図10を用いて形成する。
本実施形態では、実施形態13と異なるゲッタリング工程により形成された結晶性半導体膜を有するnチャネル型TFT及びpチャネル型の作製工程について、図11を用いて説明する。
本実施形態においては、実施形態12を用いてゲッタリング工程を行った結晶性半導体膜を用いてnチャネルTFTとpチャネルTFTとを同一基板に形成する工程を図12を用いて形成する。
本実施形態では実施形態13の変形例であり、nチャネルTFTとpチャネルTFTとを同一基板に形成する工程を、図13を用いて形成する。
本実施形態では、上記実施形態において、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との端部の位置関係、即ちゲート電極の幅とチャネル長の大きさの関係について、図14及び図15を用いて説明する。
上記実施形態において、チャネル形成領域表面に対して垂直な端部を有するソース電極及びドレイン電極を示したが、この構造に限定されない。図18に示すように、チャネル形成領域表面に対して90度より大きく、180度未満、好ましくは135〜145度を有する端部であってもよい。また、ソース電極とチャネル形成領域表面との角度をθ1、ドレイン電極とチャネル形成領域表面との角度をθ2とすると、θ1とθ2が等しくてもよい。また、異なっていてもよい。このような形状のソース電極及びドレイン電極は、ドライエッチング法により形成することが可能である。
本実施形態では、上記実施形態に適応可能な半導体膜の結晶化工程について図21を用いて説明する。
Claims (28)
- 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体
領域を形成し、前記第1の半導体領域上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成し
た後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第1の導電層を液滴吐出法により
形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部をエッチングして、ソース電
極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜及
び前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁
膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続
するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記ソー
ス電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接続す
る第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成す
ることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体
領域を形成し、前記第1の半導体領域上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成し
た後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第1の導電層を液滴吐出法により
形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部をエッチングして、ソース電
極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ソース電極又は
ドレイン電極の一部を覆う絶縁膜を液滴吐出法により形成し、
前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記前
記ソース電極又はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲー
ト電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記前記ソース電極又はドレイ
ン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び
第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する
層を形成し、前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成し
た後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第1の導電層を液滴吐出法により
形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部をエッチングして、ソース電
極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜及
び前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁
膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続
するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記ソー
ス電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接続す
る第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成す
ることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する
層を形成し、前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成し
た後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第1の導電層を液滴吐出法により
形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部をエッチングして、ソース電
極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ソース電極又は
ドレイン電極の一部を覆う絶縁膜を液滴吐出法により形成し、
前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記前
記ソース電極又はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲー
ト電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記前記ソース電極又はドレイ
ン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び
第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体
領域を形成し、前記ゲート電極、前記触媒元素を有する層、及び前記第1の半導体領域が
重畳する領域上に保護層を形成し、前記第1の半導体領域及び前記保護層上に不純物元素
を有する第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接す
る第1の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域
の一部をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン
領域を形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成
し、前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を
露出した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記絶縁
膜の一部をエッチングして前記ソース電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソ
ース電極又はドレイン電極に接続する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質
を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体
領域を形成し、前記ゲート電極、前記触媒元素を有する層、及び前記第1の半導体領域が
重畳する領域上に保護層を形成し、前記半導体領域及び前記保護層上に不純物元素を有す
る第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第1
の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部
をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域を
形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の一部を覆う絶縁膜を液滴吐出法により形成し
、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記
前記ソース電極又はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲ
ート電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、
前記前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電
極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方
法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する
層を形成し、前記ゲート電極、前記第1の半導体領域及び前記触媒元素を有する層が重畳
する領域に保護層を形成し、前記保護層及び前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有
する第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第
1の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一
部をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出
した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、前記絶縁膜の
一部をエッチングして前記ソース電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース
電極又はドレイン電極に接続する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含
む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲ
ート絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する
層を形成し、前記ゲート電極、前記第1の半導体領域及び前記触媒元素を有する層が重畳
する領域に保護層を形成し、前記保護層及び前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有
する第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域に接する第
1の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一
部をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、並びにソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜を液滴吐出法により形成
し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前
記ソース電極又はドレイン電極の一部を覆う絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲー
ト電極に接続するゲート配線を液滴吐出法により形成し、
前記前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電
極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方
法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体領域
を形成し、前記第1の半導体領域上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成した後
加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングしてソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した
後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース領域及びドレイン領域に接する
ソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し、前記ゲート絶縁膜、ゲート配
線、前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の一部をエッチン
グして、前記ゲート配線の一部を露出した後、前記ゲート配線に接続する導電層を液滴吐
出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記ソース電極又はドレイン電極
の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接する第1の電極を形成し、前
記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装
置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体領域
を形成し、前記第1の半導体領域上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成した後
加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングしてソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した
後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース領域及びドレイン領域に接する
ソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し、前記ソース電極又はドレイン
電極の一方を覆う絶縁膜を形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の一部を覆う絶縁膜
及び前記ゲート電極上に、前記ゲート配線に接続する導電層を液滴吐出法により形成し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電極上
に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する層を
形成し、前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成した後
加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングしてソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した
後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース領域及びドレイン領域に接する
ソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し、前記ゲート絶縁膜、ゲート配
線、前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の一部をエッチン
グして、前記ゲート配線の一部を露出した後、前記ゲート配線に接続する導電層を液滴吐
出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記ソース電極又はドレイン電極
の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接する第1の電極を形成し、前
記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装
置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する層を
形成し、前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成した後
加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングしてソース領域及びドレイン領域
を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した
後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース領域及びドレイン領域に接する
ソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し、前記ソース電極又はドレイン
電極の一方を覆う絶縁膜を形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の一部を覆う絶縁膜
及び前記ゲート電極上に、前記ゲート配線に接続する導電層を液滴吐出法により形成し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1の電極を形成し、前記第1の電極上
に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体領域
を形成し、前記ゲート電極、前記触媒元素を有する層、及び前記第1の半導体領域が重畳
する領域上に保護層を形成し、前記第1の半導体領域及び前記保護層上に不純物元素を有
する第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチン
グしてソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして
、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソ
ース領域及びドレイン領域に接するソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形
成し、
前記ゲート絶縁膜、ゲート配線、前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し
、
前記絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート配線の一部を露出した後、前記ゲート配
線に接続する導電層を液滴吐出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記
ソース電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接
する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成
することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体領域
を形成し、前記ゲート電極、前記触媒元素を有する層、及び前記第1の半導体領域が重畳
する領域上に保護層を形成し、前記第1の半導体領域及び前記保護層上に不純物元素を有
する第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチン
グしてソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして
、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソ
ース領域及びドレイン領域に接するソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形
成し、前記ソース電極又はドレイン電極の一部を覆う絶縁膜を形成し、前記ソース電極又
はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜及び前記ゲート電極上に、前記ゲート配線に接続する
導電層を液滴吐出法により形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1
の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成すること
を特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する層を
形成し、
前記ゲート電極、前記第1の半導体領域及び前記触媒元素を有する層が重畳する領域に保
護層を形成し、前記保護層及び前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する第2の半
導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングしてソース
領域及びドレイン領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記
ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース領域及びドレイン領域に接するソース電
極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し、
前記ゲート絶縁膜、ゲート配線、前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し
、前記絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート配線の一部を露出した後、前記ゲート
配線に接続する導電層を液滴吐出法により形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前
記ソース電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に
接する第1の電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形
成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート
絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域上に触媒元素を有する層を
形成し、前記ゲート電極、前記第1の半導体領域及び前記触媒元素を有する層が重畳する
領域に保護層を形成し、前記保護層及び前記触媒元素を有する層上に不純物元素を有する
第2の半導体領域を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体領域をエッチングし
てソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前
記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース
領域及びドレイン領域に接するソース電極及びドレイン電極とを液滴吐出法により形成し
、 前記ソース電極又はドレイン電極の一方を覆う絶縁膜を形成し、前記ソース電極又は
ドレイン電極の一部を覆う絶縁膜及び前記ゲート電極上に、前記ゲート配線に接続する導
電層を液滴吐出法により形成し、前記ソース電極又はドレイン電極の他方に接する第1の
電極を形成し、前記第1の電極上に発光物質を含む層、及び第2の電極を形成することを
特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一項において、前記ソース電極又はドレイン電極に
接する第1の電極を形成した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線を形成することを
特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一項において、前記ゲート電極に接続するゲート配
線を形成した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接する第1の電極を形成することを
特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一項において、前記ゲート配線は、3つ以上の前記
ゲート電極に接続されていることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項19のいずれか一項において、前記ゲート配線は、2つの前記ゲー
ト電極に接続されていることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項20のいずれか一項において、前記ゲート電極は、前記絶縁表面上
に導電膜を形成し、前記導電膜上に感光性樹脂を吐出又は塗布し、前記感光性樹脂の一部
にレーザ光を照射してマスクを形成した後、前記マスクを用いて前記導電膜をエッチング
して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項21のいずれか一項において、前記ゲート電極は、耐熱性を有する
導電層で形成されていることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項22いずれか一項において、前記ゲート電極は、タングステン、モ
リブデン、ジルコニア、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、
ニッケル、白金、リンを含有する結晶性珪素膜、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、又は酸化珪素を含む酸化インジウムスズで
形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項23のいずれか一項において、前記不純物元素はリン、ヒ素、アン
チモン、ビスマスから選ばれた元素であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項24のいずれか一項において、前記触媒元素は、タングステン、モ
リブデン、ジルコニア、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、
チタン、銅、ニッケル、及び白金から選ばれる一つ又は複数であることを特徴とする表示
装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項25のいずれか一項において、前記第1の電極は、画素電極であるこ
とを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項26のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜として窒化珪素膜を
有する層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項27のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜として窒化珪素膜を
成膜した後、前記窒化珪素膜に接するように前記触媒元素を有する層又は第1の半導体領
域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006106118A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2008176095A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法及び薄膜トランジスタの作製方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353666A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜およびその製造方法 |
JP2002016068A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | 配線の製造方法、配線及び電気光学装置 |
JP2002124683A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-04-26 | Hannstar Display Corp | 多結晶フィルムトランジスタ液晶表示パネルの製造方法 |
JP2002324808A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003318193A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
JP2004241770A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電層の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-09-26 JP JP2005278118A patent/JP4781066B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353666A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜およびその製造方法 |
JP2002016068A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | 配線の製造方法、配線及び電気光学装置 |
JP2002124683A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-04-26 | Hannstar Display Corp | 多結晶フィルムトランジスタ液晶表示パネルの製造方法 |
JP2002324808A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003318193A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
JP2004241770A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電層の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006106118A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
JP4698998B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2008176095A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法及び薄膜トランジスタの作製方法 |
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