JP4700317B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
成した場合、15族元素を有する半導体膜をソース領域及びドレ
イン領域として用いて、nチャネル型薄膜トランジスタを形成する。また、n型を付与する不純物元素として15族元素を有する半導体膜にp
型を付与する不純物元素として13族元素を添加して、pチャネ
ル型薄膜トランジスタを形成する。さらには、希ガス元素を有する半導体膜を形成した場合、加熱の後に希ガス元素を有する半導体膜を除去し、ソース領域及びドレイン領域を形成して、nチャネル型薄膜トランジスタ又はpチャネル型薄膜トランジスタを形成する。
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態について、図9を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1において、金属膜の形成箇所が異なる例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態について、図10を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1において、チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する表示装置の例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態について、図11を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態2において、チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する表示装置の例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態について、図12を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1において、結晶性半導体膜のゲッタリング工程が異なる例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態として、図13を用いて説明する。本実施の形態は、nチャネル型薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタの2種類の薄膜トランジスタを作製する例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態として、図14を用いて説明する。本実施の形態は、nチャネル型薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタの2種類の薄膜トランジスタを作製する例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態として、図15を用いて説明する。本実施の形態は、nチャネル型薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタの2種類の薄膜トランジスタを作製する例であり、ゲッタリングの工程が異なる例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態を、図16乃至図21を用いて説明する。本実施の形態は、画素領域を実施の形態1で作製した画素領域で、周辺駆動回路領域も本発明を用いた薄膜トランジスタにより作製され、実施の形態6で作製されるnチャネル型薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタからなるCMOSを適用している。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
実施の形態1では、ゲート電極層と、ソース電極層又はドレイン電極層(ソース配線層も含む)及び容量配線層とがゲート絶縁層を介して積層し、ソース電極層又はドレイン電極層(ソース配線層も含む)とゲート配線層とが層間絶縁層を介して積層している多層構造を用いている。本実施の形態では、これらの積層構造が異なる例を図30乃至図35、及び図40を用いて説明する。図30(A)乃至図35(A)は、表示装置の上面図であり、図30(B)乃至図32(B)は、図30(A)乃至図32(A)において線X1−V1による断面図である。図30(A)乃至図32(A)は、表示装置の上面図であり、図30(B)乃至図35(B)は、図30(A)乃至図35(A)において線X1−V1による断面図である。
次に、実施の形態1乃至10によって作製される表示パネルに駆動用のドライバ回路を実装する態様について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態において、ゲート電極層とソース電極層及びドレイン電極層との端部の位置関係、即ちゲート電極層の幅とチャネル長の大きさの関係について、図26を用いて説明する。
上記実施の形態において、チャネル形成領域表面に対して垂直な端部を有するソース電極層及びドレイン電極層を示したが、この構造に限定されない。本実施の形態では、一導電型を有する半導体層の形状が異なる例を図25を用いて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に適応可能な半導体膜の結晶化工程を図24を用いて説明する。図24(B)は、図24(A)の上面図である。また、図24(D)は、図24(C)の上面図である。
本発明の半導体装置に具備される保護回路の一例について説明する。
本発明を適用して薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを用いて表示装置を形成することができるが、発光素子を用いて、なおかつ、該発光素子を駆動するトランジスタとしてN型トランジスタを用いた場合、該発光素子から発せられる光は、下面放射、上面放射、両面放射のいずれかを行う。ここでは、いずれの場合に応じた発光素子の積層構造について、図45を用いて説明する。
(実施の形態18)
本実施の形態で示す表示パネルの画素の構成について、図46に示す等価回路図を参照して説明する。
図22は、本発明を適用して作製されるTFT基板2800を用いてEL表示モジュールを構成する一例を示している。図22において、TFT基板2800上には、画素により構成された画素部が形成されている。
上記実施の形態により作製されるEL表示パネルによって、ELテレビジョン装置を完成させることができる。EL表示パネルには、図28(A)で示すような構成として画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、図29(B)のようなTAB方式により実装される場合と、図29(A)のようなCOG方式により実装される場合と、図28(B)に示すようにSASでTFTを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバICとして実装する場合、また図28(C)のように画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。
本発明により無線チップ(無線プロセッサ、無線メモリ、無線タグともよぶ)として機能する半導体装置を形成することができる。無線チップの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図47(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図47(C)参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図47(B)参照)、乗物類(自転車等、図47(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札(図47(E)、図47(F)参照)等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置(単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ)及び携帯電話等を指す。
Claims (8)
- 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び第1の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱することにより、前記半導体層を結晶化するとともに前記金属元素を前記一導電型を有する半導体層に移動させ、
前記一導電型を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第1の絶縁層を形成し、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第1の開口部を前記第1の絶縁層に形成するとともに、前記第1の電極層に達する第2の開口部を前記第1の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第1の電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び第1の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層に金属元素を添加し、
前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱することにより、前記半導体層を結晶化するとともに前記金属元素を前記一導電型を有する半導体層に移動させ、
前記一導電型を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第1の絶縁層を形成し、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第1の開口部を前記第1の絶縁層に形成するとともに、前記第1の電極層に達する第2の開口部を前記第1の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第1の電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び第1の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に金属元素を含む金属膜を形成し、
前記金属膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱することにより、前記半導体層を結晶化するとともに前記金属元素を前記一導電型を有する半導体層に移動させ、
前記一導電型を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第1の絶縁層を形成し、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第1の開口部を前記第1の絶縁層に形成するとともに、前記第1の電極層に達する第2の開口部を前記第1の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第1の電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び第1の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的にチャネル保護層を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に金属元素を添加し、
前記半導体層及び前記チャネル保護層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記半導体層、前記チャネル保護層、及び前記一導電型を有する半導体層を加熱することにより、前記半導体層を結晶化するとともに前記金属元素を前記一導電型を有する半導体層に移動させ、
前記一導電型を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第1の絶縁層を形成し、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第1の開口部を前記第1の絶縁層に形成するとともに、前記第1の電極層に達する第2の開口部を前記第1の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に形成し、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第1の電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第2の絶縁層を形成し、
前記第1の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第2の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスニウム、イリジウム、白金、チタン、銅及び金から選ばれた一つ又は複数を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層として、前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上に第1のゲート絶縁層を形成し、
前記第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層を形成し、
前記第2のゲート絶縁層上に膜厚0.1nm以上10nm以下の第3のゲート絶縁層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第1のゲート絶縁層として窒化酸化珪素膜を形成し、
前記第2のゲート絶縁層として酸化窒化珪素膜を形成し、
前記第3のゲート絶縁層として窒化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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