JP4741192B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態について、図1〜4を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。尚、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いることとする。ここでは、本発明を用いて、Nチャネル型TFT(スイッチ用)と2つのPチャネル型TFT(駆動用)を同一基板上に形成する作製工程について説明する。
(実施の形態2)
(実施の形態3)
Claims (7)
- 減圧下の雰囲気で、複数のノズルから導電性材料を含む組成物を吐出して、第1の配線と、第2の配線と、を形成する工程を有し、
前記第1の配線は主配線であり、
前記第2の配線は副配線であり、
前記第1の配線は、前記複数のノズルのうち少なくとも第1のノズルから、前記組成物を連続的に吐出して形成され、
前記第2の配線は、前記複数のノズルのうち少なくとも第2のノズルから、前記組成物を選択的に吐出して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に、減圧下の雰囲気で、複数のノズルから導電性材料を含む組成物を吐出して、第1の配線と、第2の配線と、を形成する工程と、を有し、
前記第1の配線はゲート配線であり、
前記第2の配線は容量配線であり、
前記第1の配線は、前記複数のノズルのうち少なくとも第1のノズルから、前記組成物を連続的に吐出して形成され、
前記第2の配線は、前記複数のノズルのうち少なくとも第2のノズルから、前記組成物を選択的に吐出して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記複数のノズルは第1の方向に並んでおり、
前記複数のノズルの走査方向は前記第1の方向と直交する第2の方向であり、
前記第1の配線は、前記第1の方向に並ぶ複数の画素に共通に形成されており、
前記第2の配線は、前記複数の画素毎に複数個形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の配線及び前記第2の配線に第1の加熱処理又はUV処理を施して、前記第1の配線及び前記第2の配線を第1の粘度とする工程と、
前記第1の粘度の前記第1の配線及び前記第1の粘度の前記第2の配線にプレス処理を行う工程と、
前記プレス処理が行われた前記第1の配線及び前記プレス処理が行われた前記第2の配線に第2の加熱処理を施して、前記第1の配線及び前記第2の配線を第2の粘度とする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記第2の粘度の前記第1の配線上及び前記第2の粘度の前記第2の配線上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記絶縁層上に複数の配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4又は請求項5において、
前記プレス処理は、ポリテトラフルオロエチレンに被覆された基板を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記減圧下の雰囲気は、窒素ガス又は希ガスで充填された雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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