JP2005311341A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
   前記複数の第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
   前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
   前記複数の第１の導電層の側部を覆う第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
   前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
   前記複数の第１の導電層の間に絶縁材料を塗布又は吐出して第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
   前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の導電層はゲート電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
   前記複数の第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に半導体領域を形成し、
   前記半導体領域の上方に第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、前記第１の導電層はソース電極及びドレイン電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はゲート電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 絶縁表面の上方に複数の第１の導電層と、
   前記絶縁表面の上方であり且つ前記複数の第１の導電層の間に位置する第１の絶縁層と、
   前記複数の第１の導電層及び前記第１の絶縁層の表面に接して形成される第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上方に半導体領域と、
   前記半導体領域の上方に第２の導電層と、を有し、
   前記半導体領域は前記第１の導電層、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層に重畳する第１の領域と、前記第１の導電層及び第２の絶縁層に重畳する第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項７において、前記第１の絶縁層の厚さより前記第１の導電層の厚さが厚く、前記第１の絶縁層の厚さｂと、前記第１の導電層の厚さａとの比ｂ／ａ（ｂ＜ａ）は、０．７以上１以下であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項７において、前記第１の絶縁層の厚さより前記第１の導電層の厚さが薄いことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項７において、前記第１の導電層に接する前記第１の絶縁層の領域は、前記第１の導電層に接しない前記第１の絶縁層の領域より盛り上がっていることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項７において、前記第１の絶縁層は、前記絶縁表面に対して凹状であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項７において、前記第１の導電層に接する前記第１の絶縁層の領域は、前記第１の導電層に接しない前記第１の絶縁層の領域より窪んでいることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項７において、前記第１の絶縁層は、前記絶縁表面に対して凸状であることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項７乃至請求項１３のいずれか一項において、前記半導体領域と前記第２の導電層の間にソース領域及びドレイン領域が形成されることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記第１の導電層はゲート電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置。
16. 請求項７乃至請求項１５のいずれか一項に記載される半導体装置を有する液晶テレビジョン又はＥＬテレビジョン。