JP2006344943A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定するトレンチ分離領域と、
   前記活性領域内でチャンネル領域をはさんで互いに離隔されているソース領域及びドレイン領域と、
   前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャンネル領域上を横切って形成されるゲート電極と、
   前記ゲート電極と前記チャンネル領域との間に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記トレンチ分離領域と前記活性領域との境界付近で前記ゲート電極下部に位置し、前記ゲート絶縁膜に比べて厚く形成されたエッジ絶縁膜と、を備えるトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
2. 前記エッジ絶縁膜は、複数層に形成されたことを特徴とする請求項１に記載トレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
3. 前記エッジ絶縁膜の最上層及び前記ゲート絶縁膜は、同じ物質から形成されたことを特徴とする請求項２に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
4. 前記エッジ絶縁膜は、下部酸化膜、中間絶縁膜、上部酸化膜を備えることを特徴とする請求項２に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
5. 前記中間絶縁膜は、窒化膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜からなる群から選択された一つ以上の膜から形成されたことを特徴とする請求項４に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
6. 前記エッジ絶縁膜は、前記トレンチ分離領域と前記活性領域との境界で前記ゲート電極の幅より大きく形成されたことを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
7. 前記トレンチ分離領域は、窒化物ライナが含まれたことを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
8. 前記ゲート絶縁膜の厚さは、１５０乃至２０００Åであり、前記エッジ絶縁膜の厚さは、２００乃至１００００Åであることを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。