JP2005165300A - 液晶表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。選択的にパターンを形成可能な方法として、被形成面に下地処理をし、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出して所定のパターンを形成することが可能な、液滴吐出法を用いる。
【選択図】 図7
Description
導電性を有する被形成面に対して下地処理をすることを特徴とする。
第1の電極を形成する第1の工程と、
第1の電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
第1の絶縁膜上に第1の半導体層を形成する第3の工程と、
第1の半導体層上であって第1の電極と重なるように第2の絶縁膜を形成する第4の工程と、
第2の絶縁膜を覆うようにn型の第2の半導体層を形成する第5の工程と、
第1及び第2の半導体層を島状にパターニングする第6の工程と、
第2の半導体層上に第2及び第3の電極を形成する第7の工程と、
第2及び第3の電極をマスクに第2の半導体層をエッチングし分離する第8の工程と、
第3の電極に接するように第4の電極を形成する第9の工程と、
を有し、
電極のいずれか一を形成する工程において、電極を液滴吐出法により形成する。
第1の電極を形成する第1の工程と、
第1の電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
第1の絶縁膜上に第2の電極を形成する第3の工程と、
第1の絶縁膜及び第2の電極上に第1の半導体層を形成する第4の工程と、
第1の半導体層上であって第1の電極と重なるように第2絶縁膜を形成する第5の工程と、
第2の絶縁膜を覆うようにn型の第2の半導体層を形成する第6の工程と、
第1及び第2の半導体層を島状にパターニングする第7の工程と、
第2の半導体層上に第3及び第4の電極を形成する第8の工程と、
第3及び第4の電極をマスクに第2の半導体層をエッチングし分離する第9の工程と、
を有し、
電極のいずれか一を形成する工程において、電極を液滴吐出法により形成する
第1及び第2の電極を形成する第1の工程と、
第2の電極と一部が重なるように第3の電極を形成する第2の工程と、
第1の電極、第2の電極及び第3の電極上にn型の第1の半導体層を形成する第3の工程と、
第1の半導体層を第1の電極と接する半導体層と、第2の電極に接する半導体層とに分離する第4の工程と、
第1の半導体層上に第2の半導体層を形成する第5の工程と、
第2の半導体層上に絶縁膜を形成する第6の工程と、
絶縁膜上であって第1の半導体層が分離された領域上に第4の電極を形成する第7の工程と、
第2の半導体層及び絶縁膜を島状にパターニングする第8の工程と、
を有し、
電極のいずれか一を形成する工程において、電極を液滴吐出法により形成する。
第1の電極を形成する第1の工程と、
第2の電極及び第1の電極と一部が重なる第3の電極を形成する第2の工程と、
第1の電極、第2の電極及び第3の電極上にn型の第1の半導体層を形成する第3の工程と、
第1の半導体層を第2の電極と接する半導体層と、第3の電極に接する半導体層とに分離する第4の工程と、
第1の半導体層上に第2の半導体層を形成する第5の工程と、
第2の半導体層上に絶縁膜を形成する第6の工程と、
絶縁膜上であって第1の半導体層が分離された領域上に第4の電極を形成する第7の工程と、
第2の半導体層及び絶縁膜を島状にパターニングする第8の工程と、
を有し、
電極のいずれか一を形成する工程において、電極を液滴吐出法により形成する。
第1の実施の形態として、チャネル保護型の薄膜トランジスタの作製方法について説明する。
第1の実施の形態では、画素電極層224とソース及びドレイン配線層220とが直接コンタクトを形成する構成について示したが、他の形態として、この両者の間に絶縁層を介在させても良い。
第3の実施の形態として、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製方法について説明する。
第4の実施の形態では実施の形態1及び2とは異なり画素電極上にドレイン配線が重なる構成のチャネル保護型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法について図29及び図30を用いて説明する。
第5の実施の形態ではn型半導体層が直接及びドレイン配線を介して画素電極と導通している薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法を説明する。
第6の実施の形態として、順スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法を説明する。
第7の実施の形態として、第6の実施の形態として、ドレイン配線が画素電極に被さった構造の順スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法を説明する。
第6の実施の形態及び第7の実施の形態において説明した作製方法においてn型半導体を設けずに作製した液晶表示装置用のTFT基板の断面図を図36(A)、(B)に示す。
101 画素部
102 画素
103 走査線側入力端子
104 信号線入力側入力端子
107 走査線側駆動回路
201 信号配線
202 ゲート配線層
203 ゲート電極層
204 容量配線層
205 TiO2層
206 TiO2層
207 TiO2層
208 絶縁体層
209 絶縁体層
210 絶縁体層
211 半導体層
212 絶縁体層
213 マスク
214 絶縁体層
216 マスク
217 半導体層
218 半導体層
219 ソース及びドレイン配線層
220 ソース及びドレイン配線層
221 信号配線
222 半導体層
223 半導体層
224 画素電極層
225 絶縁体層
226 シール材
227 絶縁体層
228 導電体層
229 対向基板
230 液晶層
231 領域
232 配線基板
233 スイッチング用TFT
234 容量素子
235 接続配線層
240 絶縁体層
241 開口部
242 開口部
250 ゲート電極層
251 半導体層
252 絶縁層
253 配線層
254 共通電位線
255 共通電位線
256 フレキシブル配線基板
257 回路基板
258 冷陰極管
259 導光板
260 TFT
261 保護ダイオード
262 保護ダイオード
270 着色層
271 偏光板
272 偏光板
273 フレキシブル配線基板
274 回路基板
275 冷陰極管
301 半導体層
302 マスク
303 半導体層
304 半導体層
305 ソース及びドレイン配線層
306 ソース及びドレイン配線層
307 半導体層
308 半導体層
309 半導体層
310 画素電極層
311 絶縁体層
312 シール材
313 配向膜
314 対向電極
315 基板
316 液晶層
317 接続端子
401 画素部
402 信号線側駆動回路
403 走査線側駆動回路
404 チューナ
405 映像信号増幅回路
406 映像信号処理回路
407 コントロール回路
408 信号分割回路
409 音声信号増幅回路
410 音声信号処理回路
411 制御回路
412 入力部
413 スピーカ
500 パルス出力回路
501 バッファ回路
502 画素
601 TFT
602 TFT
603 TFT
604 TFT
605 TFT
606 TFT
607 TFT
608 TFT
609 TFT
610 TFT
611 TFT
612 TFT
613 TFT
620 TFT
621 TFT
622 TFT
623 TFT
624 TFT
625 TFT
626 TFT
627 TFT
628 TFT
629 TFT
630 TFT
631 TFT
632 TFT
633 TFT
634 TFT
635 TFT
811 樹脂
812 FPC
813 配線
814 導電性粒子
815 樹脂
816 接着材
817 ワイヤ
818 封止樹脂
1001 基板
1002 画素部
1003 駆動回路
1004 駆動回路
1005 基板
1006 テープ
1007 ドライバIC
1008 基板
1009 テープ
1010 ドライバIC
1100 Ti膜
1101 活性化領域
1201 接続配線層
1202 接続配線層
1203 接続配線層
1400 基板
1401 液滴吐出手段
1402 撮像手段
1403 ヘッド
1404 制御手段
1405 記憶媒体
1406 画像処理手段
1407 コンピュータ
1408 マーカー
2301 モジュール筐体
2302 スピーカ
2303 表示画面
2304 スピーカ
2305 操作スイッチ
9001 画素電極
9002 半導体層
9003 半導体層
9004 ソース及びドレイン配線層
9005 ソース及びドレイン配線層
9101 半導体層
9102 半導体層
9103 ソース及びドレイン配線
9104 ソース及びドレイン配線
9201 ソース及びドレイン配線層
9202 ソース及びドレイン配線層
9203 画素電極
9204 半導体層
9205 マスク
9206 半導体層
9207 ゲート絶縁膜
9208 ゲート絶縁膜
9209 画素電極
9210 マスク
9301 画素電極
9302 ソース及びドレイン配線層
9303 ソース及びドレイン配線層
9304 半導体層
9305 マスク
9306 半導体層
9307 ゲート絶縁膜
9308 ゲート絶縁膜
Claims (8)
- 基板上に第1の電極を形成する第1の工程と、
前記第1の電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の半導体層を形成する第3の工程と、
前記第1の半導体層上であって前記第1の電極と重なるように第2の絶縁膜を形成する第4の工程と、
前記第2の絶縁膜を覆うようにn型の第2の半導体層を形成する第5の工程と、
前記第1及び第2の半導体層を島状にパターニングする第6の工程と、
前記第2の半導体層上に第2及び第3の電極を形成する第7の工程と、
前記第2及び第3の電極をマスクに前記第2の半導体層をエッチングし分離する第8の工程と、
前記第3の電極に接するように第4の電極を形成する第9の工程と、
を有し、
前記電極のいずれか一を形成する工程において、前記電極を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に
第1の電極を形成する第1の工程と、
前記第1の電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の電極を形成する第3の工程と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の電極上に第1の半導体層を形成する第4の工程と、
前記第1の半導体層上であって前記第1の電極と重なるように第2絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記第2の絶縁膜を覆うようにn型の第2の半導体層を形成する第6の工程と、
前記第1及び第2の半導体層を島状にパターニングする第7の工程と、
前記第2の半導体層上に第3及び第4の電極を形成する第8の工程と、
前記第3及び第4の電極をマスクに前記第2の半導体層をエッチングし分離する第9の工程と、
を有し、
前記電極のいずれか一を形成する工程において、前記電極を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に
第1及び第2の電極を形成する第1の工程と、
前記第2の電極と一部が重なるように第3の電極を形成する第2の工程と、
前記第1の電極、前記第2の電極及び前記第3の電極上にn型の第1の半導体層を形成する第3の工程と、
前記第1の半導体層を前記第1の電極と接する半導体層と、前記第2の電極に接する半導体層とに分離する第4の工程と、
前記第1の半導体層上に第2の半導体層を形成する第5の工程と、
前記第2の半導体層上に絶縁膜を形成する第6の工程と、
前記絶縁膜上であって前記第1の半導体層が分離された領域上に第4の電極を形成する第7の工程と、
前記第2の半導体層及び前記絶縁膜を島状にパターニングする第8の工程と、
を有し、
前記電極のいずれか一を形成する工程において、前記電極を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に
第1の電極を形成する第1の工程と、
第2の電極及び前記第1の電極と一部が重なる第3の電極を形成する第2の工程と、
前記第1の電極、前記第2の電極及び前記第3の電極上にn型の第1の半導体層を形成する第3の工程と、
前記第1の半導体層を前記第2の電極と接する半導体層と、前記第3の電極に接する半導体層とに分離する第4の工程と、
前記第1の半導体層上に第2の半導体層を形成する第5の工程と、
前記第2の半導体層上に絶縁膜を形成する第6の工程と、
前記絶縁膜上であって前記第1の半導体層が分離された領域上に第4の電極を形成する第7の工程と、
前記第2の半導体層及び前記絶縁膜を島状にパターニングする第8の工程と、
を有し、
前記電極のいずれか一を形成する工程において、前記電極を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
電極を液滴吐出法により形成する前に被形成面に対して下地処理をすることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
電極に接する膜を液滴吐出法により形成する前に前記電極に対して下地処理をすることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項5又は6において、前記下地処理は被形成面に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して被形成面を親水性とすることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項5又は6において、前記下地処理は被形成面にプラズマ処理を行って被形成面を撥液性とすることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004327383A JP4671665B2 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003385999 | 2003-11-14 | ||
JP2004327383A JP4671665B2 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 表示装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005165300A true JP2005165300A (ja) | 2005-06-23 |
JP2005165300A5 JP2005165300A5 (ja) | 2007-11-29 |
JP4671665B2 JP4671665B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=34741814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004327383A Expired - Fee Related JP4671665B2 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4671665B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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