TWI594413B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年11月15日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0129665號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本發明是有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
一般而言，有機發光顯示裝置具有其中有機層位於被像素定義層部分曝露的陽極電極上，且陰極電極位於有機層上的結構。電洞及電子分別從陽極電極及銦極電極注入有機層。在有機層中，被注入的電子與電洞重新結合以產生激子。當這些激子從激發態落至基態時會以光的型態釋放能量。
已經實行許多研究去印刷全彩運作有機發光顯示裝置之有機層。然而，透過印刷形成有機層可能使得其邊緣區域比其中心區域更厚。因此，在每個像素中，邊緣區域及中心區域的發光特性可能是彼此不同的，也因此可能發出不均勻的光。因此，可能會降低有機發光顯示裝置的顯示品質。
本發明的實施例提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
根據本發明的一個態樣，有機發光顯示裝置可以包含：位於基底基板之上並包含半導體層、閘極電極、源極電極及汲極電極之薄膜電晶體；以及包含連接至汲極電極之第一電極、位於第一電極之上之有機層、以及位於有機層之上之第二電極之有機發光二極體。在此，汲極電極具有比第一電極大的面積。
對應至第一電極接觸汲極電極的區域之有機層的第一部分的厚度可以比對應至第一電極未接觸汲極電極的區域之有機層的第二部分的厚度小。
第一電極可以包含透明導電氧化物，且第一電極的表面電阻可以是從大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
汲極電極可以被設置以反射光線。
根據本發明的一個態樣，有機發光顯示裝置包含：位於基底基板之上並包含源極區域及汲極區域之半導體層；位於半導體層之上並絕緣於半導體層之閘極電極；連接至源極區域之源極電極及連接至汲極區域之汲極電極；具有暴露汲極電極之第一開口之鈍化層；連接至汲極電極，並設置於第一開口且位於鈍化層之上之第一電極；具有暴露第一電極的一部分之第二開口之像素定義層；位於第一電極之上之有機層；以及位於有機層之上之第二電極。在此，藉由第二開口曝露的區域大於藉由第一開口暴露的區域。
在有機層中，對應至第一開口之第一區域的厚度可以小於對應至第一開口外部的第二開口之第二區域的厚度。
第一電極可以包含透明導電氧化物，且第一電極的表面電阻可以是大約從10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
汲極電極可以被設置以反射光線。
根據本發明的一個實施例，像素定義層的表面具有排斥液體的特性。
汲極電極可以具有比第一電極更大的面積。
根據本發明的一個態樣，一種製造有機發光顯示裝置的方法包含：形成包含半導體層、閘極電極、源極電極及汲極電極之薄膜電晶體於基底基板之上；形成覆蓋薄膜電晶體且具有暴露汲極電極之開口之鈍化層；以及形成包含連接至汲極電極之第一電極、位於第一電極之上之有機層及位於有機層之上第二電極之有機發光二極體。在此，汲極電極具有比第一電極更大的面積。
對應至第一電極接觸汲極電極的區域之有機層的第一部分的厚度可以比對應至第一電極未接觸汲極電極的區域之有機層的第二部分的厚度更小。
第一電極可以包含透明導電氧化物，且第一電極的表面電阻可以是大約從10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
汲極電極可以被設置以反射光線。
根據本發明的一個態樣，一種製造有機發光顯示裝置的方法包含：形成半導體層於基底基板之上；形成絕緣於半導體層之閘極電 極；形成分別連接至半導體層之源極區域與汲極區域之源極電極與汲極電極；形成具有暴露汲極電極的至少一部分之第一開口之鈍化層；形成位於汲極電極及鈍化層之上之第一電極；形成具有暴露第一電極的至少一部分之第二開口之像素定義層；形成位於第一電極之上之有機層；以及形成位於有機層之上之第二電極。在此，藉由第二開口暴露的區域比藉由第一開口暴露的區域更大。
此方法可以更包含處理像素定義層的表面以具有排斥液體的特性。
在有機層中，對應至第一開口之第一區域的厚度可以比對應至第一開口外部的第二開口之第二區域的厚度更小。
第一電極可以包含透明導電氧化物，且第一電極的表面電阻可以是大約從10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
汲極電極可以具有比第一電極大的面積。
汲極電極可以被設置以反射光線。
10‧‧‧顯示單元
20‧‧‧掃瞄驅動器
30‧‧‧資料驅動器
100‧‧‧基底基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧介電質
150‧‧‧鈍化層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧有機層
180‧‧‧第二電極
C‧‧‧電容
C1‧‧‧第一電容電極
C2‧‧‧第二電容電極
DE‧‧‧汲極電極
DS‧‧‧顯示基板
DL1~DLm‧‧‧資料線
GE‧‧‧閘極電極
I-I'‧‧‧線段
OLED‧‧‧有機發光二極體
OP1‧‧‧第一開口
OP2‧‧‧第二開口
PX‧‧‧像素
PDL‧‧‧像素定義層
SA‧‧‧半導體層
SE‧‧‧源極電極
SL1~SLn‧‧‧掃瞄線
TRd‧‧‧驅動薄膜電晶體
TRs‧‧‧開關薄膜電晶體
VL‧‧‧電源供應線
參照附加的圖式及伴隨之詳細的描述，本發明之上述及其他態樣及特徵將變為更顯而易見。描述於其中的實施例以舉例之方式，而非限制之方式提供，其中相似的參考標號指向相同或相似的元件。圖式不必然按照比例繪製，其重點在於描述本發明的態樣。
第1圖為應用根據本發明的一個實施例之顯示基板之平板顯示裝置的電路示意圖。
第2圖為第1圖中之一個像素的頂面示意圖。
第3圖為沿著第2圖之線段I-I'的剖面示意圖。
第4圖至第9圖為描繪用以製造第1圖至第3圖中所描繪的有機發光顯示裝置的方法的剖面示意圖。
由參照附加的圖式而更詳細描述於下的下述示範性實施例，本發明的態樣及特徵，以及達成其之方法將會是顯而易見的。然而，應注意的是，本發明不限於下述的示範性實施例，且可以用多種型態實施。
在說明書之中，將被了解的是當一個元件被指為位於另一個元件(例如層、基板等等)之上時，其可以是直接地位於另一個元件之上，或是亦可以存在一或更多個中間元件。在圖式中，元件的厚度可為了描述上的清晰而誇示。
發明的示範性實施例將參照發明示範性的圖式描述於下。例如說，示範性的圖式可以修改以對應製造技術及/或容許誤差。因此，發明的示範性實施例不受限於顯示於圖式之中的特定配置，且可以包含基於半導體裝置的製造方法的修改。舉例來說，以直角顯示的蝕刻區域可以用圓形的形狀所形成或形成以具有預設的曲率。因此，顯示於圖式之中的區域具有示意的性質。除此之外，顯示於圖式之中區域的形狀例示性地特定元件之中區域的形狀，且並不限制本發明。儘管用詞像是第一、第二及第三被使用來描述本發明之各種的實施例之中的各種的元件，元件不受此些用詞之限制。這些用詞僅用於區別一個元件與另一個元件。於此描述及舉例的實施例包含其補充實施例。
使用於說明書中的用詞僅用於描述特定實施例之目的，且不意圖限制本發明。如同說明書中所用的，除非文中清楚的指明以外，單一型態「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」意指亦包含複數型態。將被更進一步理解的是，當用詞「包含(comprise)」及/或「包含(comprising)」被使用於說明書中時，指明被敘述的特徵、整數、步驟、操作、元件及/或部分的存在，但不排除一或更多其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部分、及/或其群組的存在或增加。
以下，本發明的實施例將參照附加的圖式被更完整地描述。
第1圖為應用根據本發明的一個實施例之顯示基板之平板顯示裝置的電路示意圖。
參考第1圖，根據本發明的一個實施例之顯示基板DS可以被用在像是液晶顯示裝置或有機電致發光顯示裝置之平板顯示裝置中。在這個實施例中，於下將描述應用顯示基板DS至有機電致發光顯示裝置的例子。
有機電致發光顯示裝置可以包含含有用以顯示影像的顯示單元10、掃瞄驅動器20以及資料驅動器30之顯示基板DS。
掃瞄驅動器20及資料驅動器30可以分別連接至訊號線以電性連接至顯示單元10。訊號線包含掃瞄線SL1至SLn、資料線DL1至DLm及電源供應線VL，且任何一條訊號線可以交錯於另外一條訊號線。
在第1圖中，掃瞄驅動器20藉由掃瞄線SL1至SLn電性連接至顯示單元10。掃瞄驅動器20可經由掃瞄線SL1至SLn傳遞掃瞄訊號至顯 示單元10。掃瞄線SL1至SLn可以於顯示基板DS上朝一方向延伸，例如第一方向。
資料驅動器30經由位於(例如設置或安排)顯示基板DS的襯墊區域(未顯示)的襯墊(未顯示)電性連接至資料線DL1至DLm。因此，訊號驅動器30可藉由資料線DL1至DLm電性連接至顯示單元10。資料驅動器30可經由資料線DL1至DLm傳遞資料訊號至顯示單元10。
資料線DL1至DLm可以朝不同於掃瞄線SL1至SLn的一方向延伸，也就是說，第二方向，以與掃瞄線SL1至SLn交錯。資料線DL1至DLm及掃瞄線SL1至SLn可以彼此交錯。
電源供應線VL可以施加電源至顯示單元10。電源供應線VL可以交錯於資料線DL1至DLm及掃瞄線SL1至SLn。
顯示單元10可以包含複數個像素PX。每一個像素PX可以電性地連接至對應之一條資料線DL1至DLm、對應之一條掃瞄線SL1至SLn、及對應之一條電源供應線VL。每一個像素PX可以包含開關薄膜電晶體TRs、驅動薄膜電晶體TRd、電容C、及有機發光二極體(OLED)。
開關薄膜電晶體TRs電性連接至對應之一條掃瞄線SL1至SLn及對應之一條資料線DL1至DLm。開關薄膜電晶體TRs及驅動薄膜電晶體TRd包含半導體層、絕緣於半導體層的閘極電極、以及連接至半導體層的源極電極及汲極電極。
有機電致發光顯示裝置的驅動現將被簡短地描述。來自掃瞄驅動器20的掃瞄訊號及來自資料驅動器30的資料訊號沿著掃瞄線SL1至SLn及資料線DL1至DLm被傳遞至每一個像素PX。接收掃瞄訊號及資 料訊號的每一個像素PX的開關薄膜電晶體TRs可以開/關驅動薄膜電晶體TRd。驅動薄膜電晶體TRd根據資料訊號提供驅動電流至有機發光二極體。接收驅動電流的有機發光二極體可以使用驅動電流產生光。
為了儲存資料訊號一段時間的電容C被耦接於開關薄膜電晶體TRs的汲極電極與驅動薄膜電晶體TRd的閘極電極之間。即使當驅動薄膜電晶體TRs被關閉的時候，儲存於電容C中的資料訊號可以施加資料訊號至驅動薄膜電晶體TRd的閘極電極。
儘管未詳細顯示，有機電致發光顯示裝置可以更包含複數個薄膜電晶體及電容，例如說，以補償驅動薄膜電晶體的臨界電壓或有機發光二極體的退化。
以下，根據本發明的一個實施例的顯示基板DS的結構將參照第2圖及第3圖詳細地描述。假設對於顯示基板DS而言，相對於顯示基板，開關薄膜電晶體TRs、驅動薄膜電晶體TRd及有機發光二極體所在的方向為「上」。
第2圖為第1圖中之一個像素的頂面示意圖，且第3圖為沿著第2圖之線段I-I'的剖面示意圖。
參考第2圖及第3圖，顯示基板DS的每一個像素PX可以電性連接至對應之一條資料線DL1至DLm、對應之一條掃瞄線SL1至SLn、及對應之一條電源供應線VL。除此之外，每一個像素PX可以包含開關薄膜電晶體TRs、驅動薄膜電晶體TRd、電性連接至開關薄膜電晶體TRs及驅動薄膜電晶體TRd之電容C以及有機發光二極體。
以下，將以連接至第一掃瞄線SL1及第一資料線DL1之像素PX為例解釋。
開關薄膜電晶體TRs連接至第一掃瞄線SL1及第一資料線DL1。開關薄膜電晶體TRs及驅動薄膜電晶體TRd包含半導體層SA、絕緣於半導體層SA之閘極電極GE、以及連接至半導體層SA之源極電極SE及汲極電極DE。
更具體地來說，開關薄膜電晶體TRs及驅動薄膜電晶體TRd包含位於由，例如光可通過的玻璃或透明塑膠材料所形成之基底基板100上之半導體層SA、絕緣於半導體層SA之閘極電極GE以及連接至半導體層SA之源極電極SE及汲極電極DE。
半導體層SA可以包含非晶矽(a-Si)、多晶矽(p-Si)及半導體氧化物的任何一種。連接至源極電極SE及汲極電極DE的區域可以分別是摻有、或是注入雜質的源極及汲極區域，且介於源極及汲極區域之間的區域可以是通道區域。半導體氧化物可以包含鋅、銦、鎵、錫及其組合的至少之一。例如說，半導體氧化物可以包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。
儘管未顯示於圖式中，當半導體層SA包含半導體氧化物時，可以設置光阻擋層於半導體層SA之上及之下以阻擋光線流入半導體層SA。
緩衝層110可以設置於半導體層SA及基底基板100之間。緩衝層110可以是矽的氧化物層及矽的氮化物層。或者，緩衝層110可以是包含矽的氧化物層及矽的氮化物層的多層結構。緩衝層110防止雜質擴散進入開關薄膜電晶體TRs、驅動薄膜電晶體TRd以及有機發光二極體， 並防止溼氣及氧氣的穿透。除此之外，緩衝層110可以使基底基板100的表面平坦化。
閘極絕緣層120係位於半導體層SA及基底基板100之上。閘極絕緣層120覆蓋半導體層SA以絕緣半導體層SA及閘極電極GE。閘極絕緣層120包含矽的氧化物(SiO2)及矽的氮化物(SiNx)的至少之一。
朝一方向延伸之第一掃瞄線SL1與第一電容電極C1位於閘極絕緣層120之上。第一掃瞄線SL1的一部分可以是覆蓋半導體層SA的通道區域之閘極電極GE。
層間介電質130可位於閘極絕緣層120及閘極電極GE之上。相似於閘極絕緣層120，層間介電質130可以包含矽的氧化物及矽的氮化物的至少之一。層間介電質130包含接觸孔洞以暴露半導體層SA的源極區域及汲極區域的一部分。
絕緣於第一掃瞄線SL1以與其交錯之第一資料線DL1、電源供應線VL、以及源極電極SE及汲極電極DE皆位於層間介電質130之上。源極電極SE、汲極電極DE、第二電容電極C2、第一資料線DL1、及電源供應線VL可以包含一材料以反射光線。例如說，源極電極SE、汲極電極DE、第二電容電極C2、第一資料線DL1及電源供應線VL可以包含鋁(Al)或鋁合金(Al-alloy)。
源極電極SE及汲極電極DE可以藉由層間介電質130絕緣於閘極電極GE。除此之外，源極電極SE及汲極電極DE分別經由接觸孔洞連接至源極區域及汲極區域。
在每一個像素PX中，驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE可以延伸至沒有設置開關薄膜電晶體TRs、電容C或驅動薄膜電晶體TRd的區域。
電容C包含第一電容電極C1及第二電容電極C2。第一電容電極C1可以是由與第一掃瞄線SL1與閘極電極GE相同的材料所製作且可以位於相同的層之上。也就是說，第一電容電極C1可以位於閘極絕緣層120之上。第二電容電極C2可以是由與第一資料線DL1、電源供應線VL、源極電極SE及汲極電極DE相同的材料所製作，且可以位於相同的層之上。
鈍化層150係位於開關薄膜電晶體TRs、驅動薄膜電晶體TRd及電容C所在之基底基板100之上。鈍化層150包含第一開口OP1以暴露汲極電極DE的一部分。
鈍化層150可以包含至少一層。例如說，鈍化層150可以包含無機鈍化層及位於無機鈍化層之上的有機鈍化層。無機鈍化層可以包含矽的氮化物及矽的氧化物的至少之一。有機鈍化層可以包含丙烯醯基(acryl)、聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚醯胺(polyamide,PA)、及苯並環丁烯(benzocyclobutene,BCB)的至少之一。也就是說，有機鈍化層可以是透明及有可彎曲的平坦化層以減少及平坦下結構的折繞。
根據本發明的一個實施例，有機發光二極體連接至藉由第一開口OP1暴露的汲極電極。有機發光二極體包含第一電極160、位於第一電極160上之有機層170以及位於有機層170上之第二電極180。第一電極160及第二電極180的其中之一可以是陽極電極，且另一可以是陰極電 極。以下，將以第一電極160為陽極電極且第二電極180為陰極電極為例描述。
第一電極160可以連接至藉由鈍化層150暴露的汲極電極DE。例如說，第一電極160的一部分可以位於藉由第一開口OP1暴露的汲極電極DE之上以連接至汲極電極DE。第一電極160的其他部分可以沿著第一開口OP1的側表面延伸以進一步位於鈍化層150之上。
第一電極160可以包含透明導電氧化物。例如說，第一電極160可以包含銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)、鋁鋅氧化物(aluminum Zinc Oxide)、鎵摻雜鋅氧化物(gallium doped zinc oxide)、鋅錫氧化物(zinc tin oxide)、鎵錫氧化物(Gallium tin oxide)及氟摻雜錫氧化物(fluorine doped tin oxide)的其中之一。
第一電極160的表面電阻可以是大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
在每一個像素PX中，第一電極160佔據的面積可以比驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE佔據的面積小。
第一電極160的一部分可以藉由像素定義層PDL的第二開口OP2暴露。像素定義層PDL的表面可以具有排斥液體的特性。
像素定義層PDL可以包含有機絕緣材料。例如說，像素定義層PDL可以包含聚苯乙烯(polystylene)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚丙烯腈(polyacrylonitrile,PAN)、聚醯胺(polyamide)、聚亞醯胺(polyimide)、聚芳醚(polyarylether)、雜 環聚合物(heterocyclic polymer)、聚對二甲苯(parylene)、氟聚合物(fluorinated polymer)、環氧樹脂(epoxy resin)、苯並環丁烯系樹脂(benzocyclobutene series resin)以及矽烷(silane)。
在每一個像素PX中，藉由第二開口OP2洞開的面積可以等於或大於藉由第一開口OP1洞開的面積。因此，第一電極160可以藉由第二開口OP2暴露形成於鈍化層150之上的區域的一部分。
有機層170可位於第一電極160之上並藉由第二開口OP2暴露。也就是說，有機層170不僅可以位於形成於汲極電極DE之上的第一電極160之區域中，亦可以位於形成於鈍化層150上之第一電極160的區域之中。位於對應至第一開口OP1的區域之內的有機層170可以具有比位於對應至第二開口OP2的區域之內的有機層170更大的厚度。也就是說，有機層170的邊緣區域可以具有比其他區域更大的厚度。這是因為像素定義層PDL的表面具有排斥液體的特性。
有機層170包含至少一發光層且可以具有多層薄膜的結構。例如說，有機層170可以包含注入電洞之電洞注入層、具有優越的電洞傳輸力並阻擋未結合之電子在發光層的遷移以增加電洞-電子再結合的機率之電洞傳輸層、藉由注入的電子與電洞的再結合發射光線之發光層、阻擋未結合電洞在發光層的遷移之電洞阻擋層、用以流暢地傳輸電子至發光層之電子傳輸層、以及注入電子之電子注入層。
第二電極180允許於有機層170產生的光穿透，且允許從驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE反射的光穿透。例如說，第二電極180可以包含具有低功函數的金屬像是銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、 銥、鉻、鋰、鈣及其合金的至少有一且包含形成於有機層170之上的金屬薄膜以具有允許光穿透之適合厚度。第二電極180可以更包含透明導電氧化物於金屬薄膜之上以防止金屬薄膜的電壓降(IR-drop)。
在有機發光顯示裝置中，包含透明導電氧化物的第一電極160之表面電阻可以是大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2且電流可能無法順利地提供至第一電極160不連接至(或接觸)驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE的區域，也就是說，位於鈍化層150之上的第一電極160。因此，本發明的一或多個實施例中，電洞不被提供至位於比其他區域更厚的區域之中的有機層170，也就是說，對應至第一開口OP1外部的第二開口OP2的區域。因為這個原因，根據本發明的一個實施例的有機發光二極體在對應至第一開口OP1外部的第二開口OP2的區域之內不產生光線，相反地，在對應至第一開口OP1的區域之內產生光線(例如，僅產生光線)。 因此，因為於有機發光顯示裝置的每一個像素中，只有於對應至第一開口OP1的區域之內產生的光線被發射，可以發射均勻的光線以改良有機發光顯示裝置的顯示品質。
根據本發明的一個實施例，第4圖至第9圖為描繪用以製造第1圖至第3圖之中所描繪的有機發光顯示裝置的方法的剖面示意圖。
參考第4圖，提供基底基板100。
基底基板100可以由透明絕緣材料所形成。例如說，基底基板100可以是由聚合物像是玻璃或透明塑膠所形成之硬型態的絕緣基板。在絕緣的基底基板100是塑膠基板的例子中，塑膠基板可以是由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、纖維強化塑膠或聚 萘二甲酸丁二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)所形成。基底基板100可以是透明可彎曲型態的絕緣基板。
緩衝層110可以形成於基底基板100之上。緩衝層110可以是矽的氧化層或矽的氮化物層。或者，緩衝層110可以是包含矽的氧化物層及矽的氮化物層的多層結構。緩衝層110防止包含於基底基板100之雜質的擴散。緩衝層110防止濕氣及氧氣從外部滲透。除此之外，緩衝層110可以使基底基板100的表面平坦化。
於緩衝層110的形成後，半導體層SA可以形成於緩衝層110之上。半導體層SA可以包含非晶矽(a-Si)、多晶矽(p-Si)、及半導體氧化物的任何一種。在半導體層SA包含多晶矽的例子中，半導體層SA可以藉由沉積非晶矽(a-Si)於緩衝層110之上並將非晶矽(a-Si)結晶及圖樣化所形成。
於半導體層SA的形成後，閘極絕緣層120可以形成於半導體層SA及緩衝層110之上。閘極絕緣層120可以包含矽的氧化物及矽的氮化物的至少之一。
於閘極絕緣層120的形成後，閘極電極GE、掃瞄線SL、以及第一電容電極C1可以形成於閘極絕緣層120之上。閘極電極GE可以重疊半導體層SA。半導體層SA重疊閘極電極GE的區域可以是通道區域，且形成於通道區域相對兩邊的區域可以是源極區域及汲極區域。
於閘極電極GE、掃瞄線SL及第一電容電極C1形成後，層間介電質130可以被形成。層間介電質130可以包含矽的氧化物或矽的氮化物。
參考第5圖，於層間介電質130的形成後，層間介電質130可以被圖樣化以暴露源極區域及汲極區域。同時，第一電容電極C1的一部分可以被暴露。
連接至源極區域之源極電極SE、連接至汲極區域之汲極電極DE、絕緣於第一電容電極C1之第二電容電極C2、資料線DL以及電源供應線VL可以被形成以形成開關薄膜電晶體TRs、電容C以及驅動薄膜電晶體TRd。
也就是說，開關薄膜電晶體TRs及驅動薄膜電晶體TRd各包含半導體層SA、閘極電極GE、源極電極SE以及汲極電極DE。電容C包含第一電容電極C1及第二電容電極C2。開關薄膜電晶體TRs的汲極電極DE可以連接至第一電容電極C1。
源極電極SE、汲極電極DE、第二電容電極C2、資料線DL以及電源供應線VL可以包含可以反射光線的材料。例如說，源極電極SE、汲極電極DE、第二電容電極C2、資料線DL、以及電源供應線VL可以包含鋁(Al)或鋁合金(Al-alloy)。
在每一個像素PX之內，驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE可以延伸至未設置開關薄膜電晶體TRs、電容C及驅動薄膜電晶體TRd的區域。
參考第6圖，鈍化層150形成於開關薄膜電晶體TRs、電容C及驅動薄膜電晶體TRd所在之基底基板100之上。鈍化層150可以包含至少一層。例如說，鈍化層150可以包含無機鈍化層及位於無機鈍化層之上的有機鈍化層。無機鈍化層可以包含矽的氧化物或矽的氮化物的至少 之一。有機鈍化層可以包含丙烯醯基(acryl)、聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚醯胺(polyamide,PA)、及苯並環丁烯(benzocyclobutene,BCB)的至少之一。也就是說，有機鈍化層可以是平坦化的、透明的、及可彎曲的層以減少及平坦下結構的折繞。
根據本發明的一個實施例，鈍化層150被圖樣化以致於形成第一開口OP1以暴露驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE的一部分。
於第一開口OP1的形成後，可以形成第一電極160以連接至驅動薄膜電晶體TRd的汲極電極DE。第一電極160的一部分可以位於藉由第一開口OP1暴露的汲極電極DE之上以連接至汲極電極DE。第一電極160的其他部分可以沿著第一開口OP1的側邊延伸以進一步位於鈍化層150之上。
第一電極160可以是透明導電氧化物層。例如說，第一電極160可以包含透明導電氧化物像是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)、鋁鋅氧化物(aluminum Zinc Oxide)、鎵摻雜鋅氧化物(gallium doped zinc oxide)、鋅錫氧化物(zinc tin oxide)、鎵錫氧化物(Gallium tin oxide)及氟摻雜錫氧化物(fluorine doped tin oxide)。第一電極160的表面電阻可以是從大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
參考第7圖，於第一電極160的形成後，可以形成具有暴露第一電極160的一部分之第二開口OP2的像素定義層PDL。
根據本發明的一個實施例，藉由第二開口OP2洞開的區域比藉由第一開口OP1洞開的區域更寬。
於像素定義層PDL的形成後，處理像素定義層PDL的表面以具有排斥液體的特性。像素定義層PDL的表面處理可以是氧電漿處理。
參考第8圖，於像素定義層PDL的表面處理後，有機層170可以形成於第一電極160之上。有機層170可以藉由噴墨的方式形成。
因為像素定義層PDL具有排斥液體的特性，有機層170的排列可以被限制於藉由第二開口OP2洞開的區域之內。例如說，有機層170不僅可以位於汲極電極DE之上所形成的區域之內，亦可以位於鈍化層150之上所形成的區域之內。
由於，例如表面張力(或能量)，位於(或接近)鄰接像素定義層PDL的邊緣區域之有機層170的一部分可以形成比有機層170的其他部分更厚。尤其，形成於鈍化層150之上的第一電極160之上的有機層170可以比形成於第一電極160的其他部分之上的有機層170更厚。
有機層170包含至少一發光層且通常可以具有多層薄膜的結構。例如說，有機層170可以包含注入電洞之電洞注入層、具有優越的電洞傳輸力並阻擋未結合電子在發光層的遷移以增加電洞-電子再結合的機率之電洞傳輸層、藉由注入的電子與電洞的再結合發射光線之發光層、阻擋未結合電洞在發光層的遷移之電洞阻擋層、用於流暢地傳輸電子至發光層之電子傳輸層以及注入電子之電子注入層。
參考第9圖，於有機層170的形成後，第二電極180形成於有機層170之上以製造有機發光二極體。第二電極180可以包含具有低功函數的金屬像是銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣及其合金的至少之一且可以包含形成於有機層170之上的金屬薄膜以具有 允許光線穿透之適合厚度。第二電極180可以更包含透明導電氧化物層於金屬薄膜之上以防止金屬薄膜的電壓降(IR-drop)。
於第二電極180的形成之後，可以藉由傳統封裝製程的方法製造有機發光顯示裝置。舉例而言，有機發光顯示裝置可藉由形成包含透明絕緣材料之封裝基板(未顯示)於第二電極180上並黏合封裝基板與有機發光二極體所在之基底基板110而製造。
除此之外，有機發光顯示裝置可以被製造藉由形成透明絕緣層(未顯示)於第二電極180之上以使有機發光二極體與外部環境隔絕。
如同以上所述，在每一個像素中可以發射均勻的光線以改善有機發光顯示裝置的顯示品質。
儘管本發明已經參照其示範性的實施例具體地顯示及描述，對於此技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，可以對其進行各種型態及細節上的改變而不偏離藉由下述專利申請範圍及其均等所定義之本發明的精神與範疇。
100‧‧‧衣架
100‧‧‧基底基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧介電質
150‧‧‧鈍化層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧有機層
180‧‧‧第二電極
C‧‧‧電容
C 1‧‧‧第一電容電極
C 2‧‧‧第二電容電極
DE‧‧‧汲極電極
GE‧‧‧閘極電極
OLED‧‧‧有機發光二極體
OP1‧‧‧第一開口
OP2‧‧‧第二開口
PDL‧‧‧像素定義層
SA‧‧‧半導體層
SE‧‧‧源極電極
TRd‧‧‧驅動薄膜電晶體
TRs‧‧‧開關薄膜電晶體

Claims (22)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體，係位於一基底基板之上並包含一半導體層、一閘極層、一源極電極、及一汲極電極；以及一有機發光二極體，係包含連接至該汲極電極之一第一電極、位於該第一電極之上之一有機層、及位於該有機層之上之一第二電極，其中該汲極電極具有比該第一電極更大的面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中對應至該第一電極接觸該汲極電極之區域之該有機層之一第一部分之厚度比對應至該第一電極未接觸該汲極電極之區域之該有機層之一第二部分之厚度更小。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含一透明導電氧化物，且該第一電極之表面電阻是大約從10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該汲極電極係設置以反射光線。
  5. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一半導體層，係位於一基底基板之上並包含一源極區域及一汲極區域；一閘極電極，係位於該半導體層之上並絕緣於該半導體層；一源極電極，連接至該源極區域及一汲極電極，連接至該汲極區域； 一鈍化層，具有暴露該汲極電極之一第一開口；一第一電極，連接至該汲極電極，並設置於該第一開口且位於該鈍化層之上，且包含一第一部分及一第二部分；一像素定義層，具有暴露該第一電極之一部分之一第二開口；一有機層，係位於該第一電極之上；以及一第二電極，係位於該有機層之上，其中該第一電極之該第一部分位於被該第一開口暴露的該汲極電極上，以與該汲極電極接觸，其中該第一電極之該第二部分沿著該第一開口之一側表面延伸，以位於該鈍化層上，以及其中該第一部分之面積大於該第二部分之面積。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中於該有機層之中，對應至該第一開口之一第一區域之厚度比對應至該第一開口外部之該第二開口之一第二區域之厚度更小。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含一透明導電氧化物且該第一電極之表面電阻是從大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該汲極電極係設置以反射光線。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層之表面具有排斥液體的特性。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該汲極 電極具有比該第一電極更大的面積。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中被該第二開口暴露的面積大於被該第一開口暴露的面積。
  12. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含：形成包含一半導體層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極之一薄膜電晶體於一基底基板之上；形成覆蓋該薄膜電晶體且具有暴露該汲極電極之一開口的一鈍化層；以及形成包含連接至該汲極電極之一第一電極、位於該第一電極之上之一有機層、及位於該有機層之上之一第二電極之一有機發光二極體，其中該汲極電極具有比該第一電極更大的面積。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中對應至該第一電極接觸該汲極電極之區域之該有機層之一第一部分之厚度比對應至該第一電極未接觸該汲極電極之區域之該有機層之一第二部分之厚度更小。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一電極包含一透明導電氧化物，且該第一電極之表面電阻是從大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該汲極電極係設置以反射光線。
  16. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含：形成一半導體層於一基底基板之上；形成絕緣於該半導體層之一閘極電極； 形成分別連接至該半導體層之一源極區域與一汲極區域之一源極電極與一汲極電極；形成具有暴露該汲極電極之至少一部分之一第一開口之一鈍化層；形成一第一電極於被該第一開口暴露的該汲極電極上以與該汲極電極接觸，並沿著該第一開口之一側表面延伸以位於該鈍化層上；形成具有暴露該第一電極之至少一部分之一第二開口之一像素定義層；形成一有機層於該第一電極之上；以及形成一第二電極位於該有機層之上，其中該第一電極之一第一部分位於該汲極電極上，其中該第一電極之一第二部分位於該鈍化層上，以及其中該第一部分之面積大於該第二部分之面積。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含：處理該像素定義層之表面以具有排斥液體的特性。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中於該有機層之中，對應至該第一開口之一第一區域之厚度比對應至該第一開口外部之該第二開口之一第二區域之厚度更小。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第一電極包含一透明導電氧化物且該第一電極之表面電阻是從大約10Ω/cm2至大約300Ω/cm2。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該汲極電極具有比該第一電極更大的面積。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該汲極電極係設置以反射光線。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中被該第二開口暴露的面積大於被該第一開口暴露的面積。
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