CN103824873A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例包括有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备可以包括位于底板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；以及包括连接至漏电极的第一电极、位于第一电极上的有机层以及位于有机层上的第二电极的有机发光二极管。漏电极可以具有比第一电极大的面积。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年11月15日递交的韩国专利申请No.10-2012-0129665的优先权和权益，该韩国专利申请的整体内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
一般而言，有机发光显示设备具有这样的结构：其中有机层位于阳极上，阳极的一部分通过像素限定层暴露，并且阴极位于有机层上。空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机层中。在有机层中，注入的电子和空穴复合以产生激子。激子以光的形式释放在从激发态落到基态时释放的能量。
已经对印刷有机发光显示设备以全色实现的有机层进行了研究。然而，通过印刷形成的有机层可能会使其边缘区域厚于其中心区域。由于这个原因，每个像素中的边缘区域的发光特性与中心区域的发光特性可能彼此不同，因此可能发出不均匀的光。结果，有机发光显示设备的显示质量可能降低。
发明内容
本发明实施例提供有机发光显示设备及其制造方法。
根据本发明的一方面，有机发光显示设备可以包括：薄膜晶体管，位于底板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及有机发光二极管，包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层以及位于所述有机层上的第二电极。这里，所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
所述有机层的与所述第一电极接触所述漏电极的区域相对应的第一部分的厚度，可以比所述有机层的与所述第一电极不接触所述漏电极的区域相对应的第二部分的厚度小。
所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
所述漏电极可以被配置为反射光。
根据本发明的一方面，有机发光显示设备包括：位于底板上且包括源区和漏区的半导体层；位于所述半导体层上且与所述半导体层绝缘的栅电极；连接至所述源区的源电极以及连接至所述漏区的漏电极；具有暴露所述漏电极的第一开口的钝化层；第一电极，连接至所述漏电极，并且布置在所述第一开口处和所述钝化层上；像素限定层，具有暴露所述第一电极的一部分的第二开口；位于所述第一电极上的有机层；以及位于所述有机层上的第二电极。这里，通过所述第二开口暴露的面积比通过所述第一开口暴露的面积大。
在所述有机层中，与所述第一开口对应的第一区域的厚度可以比与所述第二开口对应的在所述第一开口外面的第二区域的厚度小。
所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
所述漏电极可以被配置为反射光。
根据本发明实施例，所述像素限定层的表面具有拒液特性。
所述漏电极可以具有比所述第一电极大的面积。
根据本发明的一方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括：在底板上形成包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管且具有暴露所述漏电极的开口的钝化层；以及形成包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层以及位于所述有机层上的第二电极的有机发光二极管。这里，所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
所述有机层的与所述第一电极接触所述漏电极的区域相对应的第一部分的厚度，可以比所述有机层的与所述第一电极不接触所述漏电极的区域相对应的第二部分的厚度小。
所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
所述漏电极可以被配置为反射光。
根据本发明的一方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括：在底板上形成半导体层；形成与所述半导体层绝缘的栅电极；形成分别联接至所述半导体层的源区和漏区的源电极和漏电极；形成具有暴露所述漏电极的至少一部分的第一开口的钝化层；在所述漏电极和所述钝化层上形成第一电极；形成具有暴露所述第一电极的至少一部分的第二开口的像素限定层；在所述第一电极上形成有机层；以及在所述有机层上形成第二电极。这里，通过所述第二开口暴露的面积比通过所述第一开口暴露的面积大。
该方法可以进一步包括：处理所述像素限定层的表面使其具有拒液特性。
在所述有机层中，与所述第一开口对应的第一区域的厚度可以比与所述第二开口对应的在所述第一开口外面的第二区域的厚度小。
所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
所述漏电极可以具有比所述第一电极大的面积。
所述漏电极可以被配置为反射光。
附图说明
在考虑附图和伴随的具体实施方式时，本发明的上述及其它方面和特征将变得更加明显。附图中描绘的实施例以示例方式而非限制方式提供，其中相同的附图标记表示相同或类似的元素。附图不一定成比例，而是重点在于示出本发明的方面。
图1是根据本发明实施例的显示基板所应用到的平板显示设备的示意性电路图。
图2是图1中的一个像素的示意性俯视图。
图3是沿图2中的线I-I’截取的示意性剖视图。
图4至图9是示出制造图1至图3所示有机发光显示设备的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
根据在下文中参照附图更详细描述的以下示例性实施例，本发明的方面和特征以及其实现方法将是显而易见的。但应当注意，本发明不限于以下示例性实施例，而是可以以各种形式实现。
在说明书中，将理解当将一元素称为位于另一元素（例如，层、基板等）“上”时，其可以直接位于该另一元素上，也可以存在一个或多个中间元素。在附图中，元素的厚度可能为了图示清楚起见而被放大。
以下将参照本发明的示例性附图描述本发明的示例性实施例。示例性附图可以例如对应于制造技术和/或容差而修改。因此，本发明的示例性实施例不限于附图中所示的特定配置，并且可以包括基于半导体器件的制造方法进行的修改。例如，以直角示出的刻蚀区域可以以圆形（rounded）形状形成或形成为具有预定的曲率。因此，附图中所示的区域具有示意性特征。此外，附图中所示的区域的形状例示元件中的区域的特定形状，且不限制本发明。尽管在本发明的各实施例中，使用像第一、第二和第三这样的词语来描述各个元素，但这些元素不受这些词语限制。这些词语仅用于区别一个元素与另一元素。这里描述和例示的实施例包括其补充实施例。
说明书中使用的词语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图作为本发明的限制。在说明书中使用时，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地给出了相反的指示。将进一步理解，在说明书中使用时，词语“包括”及其变形指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元素和/或部件，但不排除存在或附加有一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、部件和/或其组合。
下文中，将参照附图更充分地描述本发明的实施例。
图1是根据本发明实施例的显示基板所应用到的平板显示设备的示意性电路图。
参照图1，根据本发明实施例的显示基板DS可以用在诸如液晶显示设备或有机电致发光显示设备之类的平板显示设备中。在该实施例中，现在将在下面描述将显示基板DS应用到有机电致发光显示设备的示例。
有机电致发光显示设备可以包括显示基板DS、扫描驱动器20和数据驱动器30，其中显示基板DS包括用于图像显示的显示单元10。
扫描驱动器20和数据驱动器30可连接至信号配线，以分别电连接至显示单元10。信号配线包括扫描线SL1、SL2和SLn、数据线DL1、DL2和DLm以及电力供应线VL，并且信号配线中的任意一条可以与另一信号配线交叉。
图1中，扫描驱动器20通过扫描线SL1、SL2和SLn电连接至显示单元10。扫描驱动器20可以通过扫描线SL1、SL2和SLn向显示单元10传送扫描信号。扫描线SL1、SL2和SLn可以在显示基板DS上沿一个方向，例如第一方向延伸。
数据驱动器30通过位于（例如设置或布置在）显示基板DS的焊盘区PA中的焊盘（未示出）电连接至数据线DL1、DL2和DLm。因此，数据驱动器30可以通过数据线DL1、DL2和DLm电连接至显示单元10。数据驱动器30可以通过数据线DL1、DL2和DLm向显示单元10传送数据信号。
数据线DL1、DL2和DLm可以沿与扫描线SL1、SL2和SLn不同的方向，即第二方向延伸，以与扫描线SL1、SL2、SLn交叉。数据线DL1、DL2和DLm与扫描线SL1、SL2和SLn可以彼此交叉。
电力供应线VL可以向显示单元10施加电力。电力供应线VL可以与数据线DL1、DL2和DLm以及扫描线SL1、SL2和SLn交叉。
显示单元10可以包括多个像素PX。像素PX中的每一个可以电连接至数据线DL1、DL2和DLm中的相应一条、扫描线SL1、SL2和SLn中的相应一条以及电力供应线VL中的相应一条。像素PX中的每一个可以包括开关薄膜晶体管TRs、驱动薄膜晶体管TRd、电容器C和有机发光二极管（OLED）。
开关薄膜晶体管TRs电连接至扫描线SL1、SL2和SLn中的相应一条以及数据线DL1、DL2和DLm中的相应一条。开关薄膜晶体管TRs和驱动薄膜晶体管TRd包括半导体层、与半导体层绝缘的栅电极以及连接至半导体层的源电极和漏电极。
现在将简要描述有机电致发光显示设备的驱动。来自扫描驱动器20的扫描信号和来自数据驱动器30的数据信号沿扫描线SL1、SL2和SLn以及数据线DL1、DL2和DLm传送到每个像素PX。接收扫描信号和数据信号的每个像素PX的开关薄膜晶体管TRs可以使驱动薄膜晶体管TRd导通/关断。驱动薄膜晶体管TRd基于数据信号向OLED供应驱动电流。接收驱动电流的OLED可以使用驱动电流产生光。
用于将数据信号存储一定时段的电容器C联接在开关薄膜晶体管TRs的漏电极与驱动薄膜晶体管TRd的栅电极之间。即使是在开关薄膜晶体管TRs关断时，电容器C中存储的数据信号也可以将数据信号施加到驱动薄膜晶体管TRd的栅电极。
尽管未详细示出，但有机电致发光显示设备可以进一步包括多个薄膜晶体管和电容器，例如以补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压或OLED的劣化。
下文中，将参照图2和图3详细描述根据本发明实施例的显示基板DS的结构。假定对于显示基板DS来说，开关薄膜晶体管TRs、驱动薄膜晶体管TRd和OLED相对于显示基板所处（例如，所处或所布置）的方向称为“上部”。
图2是图1中的一个像素的示意性俯视图，且图3是沿图2中的线I-I’截取的示意性剖视图。
参照图2和图3，显示基板DS的每个像素PX可以电连接至数据线DL1、DL2和DLm中的相应一条、扫描线SL1、SL2和SLn中的相应一条以及电力供应线VL中的相应一条。此外，每个像素PX可以包括开关薄膜晶体管TRs、驱动薄膜晶体管TRd、电连接至开关薄膜晶体管TRs和驱动薄膜晶体管TRd的电容器C、以及OLED。
下文中，将以连接至第一扫描线SL1和第一数据线DL1的像素PX为例进行解释。
开关薄膜晶体管TRs连接至第一扫描线SL1和第一数据线DL1。开关薄膜晶体管TRs和驱动薄膜晶体管TRd包括半导体层SA、与半导体层SA绝缘的栅电极GE以及连接至半导体层SA的源电极SE和漏电极DE。
更具体地，开关薄膜晶体管TRs和驱动薄膜晶体管TRd各自包括位于由例如玻璃或透明塑料材料制成的、光可以透过的底板100上的半导体层SA、与半导体层SA绝缘的栅电极GE以及连接至半导体层SA的源电极SE和漏电极DE。
半导体层SA可以包括非晶硅（a-Si）、多晶硅（p-Si）和半导体氧化物中的任一种。连接至源电极SE和漏电极DE的区域可以分别是掺杂或注入杂质的源区和漏区，且源区和漏区之间的区域可以是沟道区。半导体氧化物可以包括Zn、In、Ga、Sn及其组合中的至少一种。例如，半导体氧化物可以包括铟-镓-锌氧化物（IGZO）。
尽管未在附图中示出，但当半导体层SA包括半导体氧化物时，挡光层可以位于半导体氧化物有源层SA上方或下方，以阻挡光流入半导体氧化物有源层SA。
缓冲层110可以位于半导体层SA与底板100之间。缓冲层110可以是氧化硅层或氮化硅层。可替代地，缓冲层110可以是包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。缓冲层110防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TRs、驱动薄膜晶体管TRd和OLED中，并防止湿气或氧气渗入。另外，缓冲层110可以对底板100的表面进行平坦化。
栅绝缘层120位于半导体层SA和底板100上。栅绝缘层120覆盖半导体层SA以使半导体层SA与栅电极GE绝缘。栅绝缘层120包括氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiNx）中的至少一种。
沿一个方向延伸的第一扫描线SL1以及第一电容器电极C1位于栅绝缘层120上。第一扫描线SL1的一部分可以是与半导体层SA的沟道区重叠的栅电极GE。
层间电介质130可以位于栅绝缘层120和栅电极GE上。与栅绝缘层120类似，层间电介质130可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。层间电介质130包括用于暴露半导体层SA的源区和漏区的一部分的接触孔。
电力供应线VL、源电极SE和漏电极DE以及与第一扫描线SL1绝缘以与其交叉的第一数据线DL1位于层间电介质130上。源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极C2、第一数据线DL1以及电力供应线VL可以包括反射光的材料。例如，源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极C2、第一数据线DL1以及电力供应线VL可以包括铝（Al）或铝合金（Al-alloy）。
源电极SE和漏电极DE可以通过层间电介质130与栅电极GE绝缘。另外，源电极SE和漏电极DE分别通过接触孔连接至源区和漏区。
在每个像素PX中，驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE可以延伸到开关薄膜晶体管TRs、电容器C和驱动薄膜晶体管TRd所没有位于的区域。
电容器C包括第一电容器电极C1和第二电容器电极C2。第一电容器电极C1可以由与第一扫描线SL1和栅电极GE相同的材料制成，并可以与第一扫描线SL1和栅电极GE位于同一层中。亦即，第一电容器电极C1可以位于栅绝缘层120上。第二电容器电极C2可以由与第一数据线DL1、电力供应线VL、源电极SE和漏电极DE相同的材料制成，并可以与第一数据线DL1、电力供应线VL、源电极SE和漏电极DE位于同一层中。
钝化层150位于底板100上开关薄膜晶体管TRs、驱动薄膜晶体管TRd和电容器所位于之处。钝化层150包括第一开口OP1以暴露漏电极DE的一部分。
钝化层150可以包括至少一层。例如，钝化层150可以包括无机钝化层和位于无机钝化层上的有机钝化层。无机钝化层可以包括氮化硅和氧化硅至少之一。有机钝化层可以包括丙烯、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）和苯并环丁烯（BCB）中至少之一。亦即，有机钝化层可以是透明且柔性的平坦化层，以减小和平坦化下面的结构的弯曲。
根据本发明的实施例，OLED连接至通过第一开口OP1暴露的漏电极。OLED包括第一电极160、位于第一电极160上的有机层170以及位于有机层170上的第二电极180。第一电极160和第二电极180中的一个可以是阳极，另一个可以是阴极。下文中，将以第一电极160是阳极且第二电极180是阴极的实施例作为示例进行描述。
第一电极160可以连接至通过钝化层150暴露的漏电极DE。例如，第一电极160的一部分可以位于通过第一开口OP1暴露的漏电极DE上，以被连接至漏电极DE。第一电极160的其它部分可以沿第一开口OP1的侧表面延伸以甚至位于钝化层150上。
第一电极160可以包括透明导电氧化物。例如，第一电极160可以包括ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、GZO（掺镓的锌氧化物）、ZTO（锌锡氧化物）、GTO（镓锡氧化物）和FTO（掺氟的锡氧化物）中的一种。
第一电极160的表面电阻可以为约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
在每个像素PX中，第一电极160所占的面积可以小于驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE所占的面积。
第一电极160的一部分可以通过像素限定层PDL的第二开口OP2暴露。像素限定层PDL的表面可以具有拒液特性。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚丙烯腈（PAN）、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟化高聚物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷中的至少一种。
在每个像素PX中，通过第二开口OP2打开的面积可以等于或大于通过第一开口OP1打开的面积。因此，第一电极160可以通过第二开口OP2暴露于在钝化层150上形成的区域的一部分。
有机层170可以位于通过第二开口OP2暴露的第一电极160上。亦即，有机层170可以不仅位于第一电极160的在漏电极DE上形成的区域中，还位于在钝化层150上形成的区域中。位于与第一开口OP1对应的区域中的有机层170可以比位于与第二开口OP2对应的在第一开口OP1外面的区域中的有机层170具有更小的厚度。亦即，有机层170的边缘区域可以比其它区域具有更厚的厚度。这是因为像素限定层PDL的表面具有拒液特性。
有机层170至少包括发射层EML且可以具有多层薄膜结构。例如，有机层170可以包括：注入空穴的空穴注入层（HIL）；具有优良的空穴传输能力且阻挡EML处的未结合电子迁移以增大空穴-电子复合机会的空穴传输层（HTL），EML通过注入的电子和空穴的复合而发光；阻挡EML处的未结合空穴迁移的空穴阻挡层（HBL）；顺畅地将电子传输至EML的电子传输层（ETL）；以及注入电子的电子注入层（EIL）。
第二电极180允许在有机层170处产生的光穿过，并允许从驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE反射的光穿过。例如第二电极180可以包括具有低功函的金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其合金中的至少一种，并且包括在有机层170上形成为厚度适于允许光穿过的金属薄膜。第二电极180可以进一步包括金属薄膜上的透明导电氧化物，以防止金属薄膜的电压降（IR降）。
在有机发光显示设备中，包括透明导电氧化物的第一电极160的表面电阻可以是约10Ω/cm2到约300Ω/cm2，且电流可能不能顺畅地供给到第一电极160的没有连接至（或接触）驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE的区域，即位于钝化层150上的第一电极160。相应地，在本发明的一个或多个实施例中，空穴不供给位于比其它区域厚的区域中的有机层170，即与第二开口OP2对应的在第一开口OP1外面的区域中的有机层170。由于这个原因，根据本发明实施例的OLED在与第二开口OP2对应的在第一开口OP1外面的区域中不产生光，而是在与第一开口OP1对应的区域中产生光（例如，仅在与第一开口OP1对应的区域中产生光）。结果，由于在有机发光显示设备的每个像素中，仅在与第一开口OP1对应的区域中产生的光被发射，因此可以发出均匀的光，以改善有机发光显示设备的显示质量。
图4至图9是示出根据本发明实施例的制造图1至图3所示有机发光显示设备的方法的示意性剖视图。
参照图4，提供底板100。
底板100可以由透明绝缘材料形成。例如，底板100可以是由诸如玻璃或透明塑料之类的聚合物形成的刚性类型的绝缘基板。在绝缘基板100是塑料基板的情况下，其可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、纤维增强塑料或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）形成。底板100可以是透明柔性类型的绝缘基板。
可以在底板100上形成缓冲层110。缓冲层110可以是氧化硅层或氮化硅层。可替代地，缓冲层110可以是包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。缓冲层110防止底板100中包括的杂质的扩散。缓冲层110防止湿气和氧气从外面渗入。另外，缓冲层110可以将底板100的表面平坦化。
在形成缓冲层110之后，可以在缓冲层110上形成半导体层SA。半导体层SA可以包括非晶硅（a-Si）、多晶硅（p-Si）和半导体氧化物中的任一种。在半导体层SA包括多晶硅的情况下，半导体层SA可以通过在缓冲层110上沉积非晶硅（a-Si）然后对非晶硅（a-Si）结晶并图案化来形成。
在形成半导体层SA之后，可以在半导体层SA和缓冲层110上形成栅绝缘层120。栅绝缘层120可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
在形成栅绝缘层120之后，可以在栅绝缘层120上形成栅电极GE、扫描线SL以及第一电容器电极C1。栅电极GE可以与半导体层SA重叠。半导体层SA的与栅电极GE重叠的区域可以是沟道区，并且在沟道区的相对的侧形成的区域可以是源区和漏区。
在形成栅电极GE、扫描线SL和第一电容器电极C1之后，可以形成层间电介质130。层间电介质130可以包括氧化硅或氮化硅。
参照图5，在形成层间电介质130之后，可以对层间电介质130进行图案化以暴露源区和漏区。同时，可以暴露第一电容器电极C1的一部分。
可以形成连接至源区的源电极SE、连接至漏区的漏电极DE、与第一电容器电极C1绝缘的第二电容器电极C2以及数据线DL和电力供应线VL，以形成开关薄膜晶体管TRs、电容器C和驱动薄膜晶体管TRd。
亦即，开关薄膜晶体管TRs和驱动薄膜晶体管TRd各自包括半导体层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。电容器C包括第一电容器电极C1和第二电容器电极C2。开关薄膜晶体管TRs的漏电极DE可以连接至第一电容器电极C1。
源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极C2、数据线DL和电力供应线VL可以包括能够反射光的材料。例如，源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极C2、数据线DL和电力供应线VL可以包括铝（Al）或铝合金（Al-alloy）。
在每个像素PX中，驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE可以延伸到开关薄膜晶体管TRs、电容器C和驱动薄膜晶体管TRd所没有位于的区域中。
参照图6，在底板100上形成有开关薄膜晶体管TRs、电容器C和驱动薄膜晶体管TRd之处形成钝化层150。钝化层150可以包括至少一层。例如，钝化层150可以包括无机钝化层和位于无机钝化层上的有机钝化层。无机层可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。有机钝化层可以包括丙烯、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）和苯并环丁烯（BCB）中的至少一种。有机钝化层可以是透明且柔性的平坦化层，以减小和平坦化下面的结构的弯曲。
根据本发明实施例，对钝化层150进行图案化以使得第一开口OP1形成为暴露驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE的一部分。
在形成第一开口OP1之后，可以形成第一电极160以连接至驱动薄膜晶体管TRd的漏电极DE。第一电极160的一部分可以位于通过第一开口OP1暴露的漏电极DE上，以连接至漏电极DE。第一电极160的其它部分可以沿第一开口OP1的侧表面延伸以甚至位于钝化层150上。
第一电极160可以是透明导电氧化物层。例如，第一电极160可以包括ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、GZO（掺镓的锌氧化物）、ZTO（锌锡氧化物）、GTO（镓锡氧化物）和FTO（掺氟的锡氧化物）中的一种。第一电极160的表面电阻可以是约10Ω/cm2到约300Ω/cm2。
参照图7，在形成第一电极160之后，可以形成具有暴露第一电极160的一部分的第二开口OP2的像素限定层PDL。
根据本发明实施例，由第二开口OP2打开的区域比由第一开口OP1打开的区域宽。
在形成像素限定层PDL之后，对像素限定层PDL的表面进行处理以具有拒液特性。像素限定层PDL的表面处理可以是氧等离子体处理。
参照图8，在像素限定层PDL的表面处理之后，可以在第一电极160上形成有机层170。有机层170可以借助于喷墨印刷形成。
由于像素限定层PDL具有拒液特性，有机层170布置可能被限制在由第二开口OP2打开的区域中。例如，有机层170可以不仅位于在漏电极DE上形成的区域中，而且形成在钝化层150上形成的区域中。
由于例如表面张力（或能量），有机层170的处于（或邻近）与像素限定层PDL相邻的边缘区域的部分可以形成为比有机层170的其它部分厚。具体而言，在钝化层150上的第一电极160上形成的有机层170可以比在第一电极160的其它部分上形成的有机层170厚。
有机层170至少包括发射层EML，并且通常可以具有多层薄膜结构。例如，有机层170可以包括：注入空穴的空穴注入层（HIL）；具有优良的空穴传输能力且阻挡EML处的未结合电子迁移以增大空穴-电子复合机会的空穴传输层（HTL），EML通过注入的电子和空穴的复合而发光；阻挡EML处的未结合空穴迁移的空穴阻挡层（HBL）；顺畅地将电子传输至EML的电子传输层（ETL）；以及注入电子的电子注入层（EIL）。
参照图9，在形成有机层170之后，在有机层170上形成第二电极180，以制造有机发光二极管（OLED）。第二电极180可以包括具有低功函的金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其合金中的至少一种，并且包括在有机层170上形成为厚度适于允许光穿过的金属薄膜。第二电极180可以进一步包括金属薄膜上的透明导电氧化物层，以防止金属薄膜的电压降（IR降）。
在形成第二电极180之后，有机发光显示设备可以借助于传统封装工艺制造。例如，有机发光显示设备可以通过在第二电极180上形成包括透明绝缘材料的封装基板（未示出）并将封装基板粘结到OLED所位于的底板100来制造。
另外，可以通过在第二电极180上形成透明绝缘层（未示出）使得OLED与外部环境隔离来制造有机发光显示设备。
如到目前为止的描述，可以在每个像素中发出均匀的光，以改善有机发光显示设备的显示质量。
虽然已经具体示出并参照其示例性实施例描述了本发明，但对本领域普通技术人员来说显而易见的是，可以在不超出本发明的如所附权利要求及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，对示例性实施例进行各种形式和细节上的改变。
Claims (20)
1.一种有机发光显示设备，包括：
薄膜晶体管，位于底板上，并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及
有机发光二极管，包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层以及位于所述有机层上的第二电极，
其中所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有机层的与所述第一电极接触所述漏电极的区域相对应的第一部分的厚度，比所述有机层的与所述第一电极不接触所述漏电极的区域相对应的第二部分的厚度小。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻为从10Ω/cm2到300Ω/cm2。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述漏电极被配置为反射光。
5.一种有机发光显示设备，包括：
位于底板上且包括源区和漏区的半导体层；
位于所述半导体层上且与所述半导体层绝缘的栅电极；
连接至所述源区的源电极以及连接至所述漏区的漏电极；
具有暴露所述漏电极的第一开口的钝化层；
第一电极，连接至所述漏电极，并且布置在所述第一开口处和所述钝化层上；
像素限定层，具有暴露所述第一电极的一部分的第二开口；
位于所述第一电极上的有机层；以及
位于所述有机层上的第二电极，
其中通过所述第二开口暴露的面积比通过所述第一开口暴露的面积大。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示设备，其中在所述有机层中，与所述第一开口对应的第一区域的厚度比与所述第二开口对应的在所述第一开口外面的第二区域的厚度小。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻为从10Ω/cm2到300Ω/cm2。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述漏电极被配置为反射光。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述像素限定层的表面具有拒液特性。
10.根据权利要求5所述的有机发光显示设备，其中所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
11.一种制造有机发光显示设备的方法，该方法包括：
在底板上形成包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；
形成覆盖所述薄膜晶体管且具有暴露所述漏电极的开口的钝化层；以及
形成包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层和位于所述有机层上的第二电极的有机发光二极管，
其中所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述有机层的与所述第一电极接触所述漏电极的区域相对应的第一部分的厚度，比所述有机层的与所述第一电极不接触所述漏电极的区域相对应的第二部分的厚度小。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电极包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻为从10Ω/cm2到300Ω/cm2。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述漏电极被配置为反射光。
15.一种制造有机发光显示设备的方法，包括：
在底板上形成半导体层；
形成与所述半导体层绝缘的栅电极；
形成分别连接至所述半导体层的源区和漏区的源电极和漏电极；
形成具有暴露所述漏电极的至少一部分的第一开口的钝化层；
在所述漏电极和所述钝化层上形成第一电极；
形成具有暴露所述第一电极的至少一部分的第二开口的像素限定层；
在所述第一电极上形成有机层；以及
在所述有机层上形成第二电极，
其中通过所述第二开口暴露的面积比通过所述第一开口暴露的面积大。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
处理所述像素限定层的表面，以使所述像素限定层具有拒液特性。
17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述有机层中，与所述第一开口对应的第一区域的厚度比与所述第二开口对应的在所述第一开口外面的第二区域的厚度小。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻为从10Ω/cm2到300Ω/cm2。
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。
20.根据权利要求15所述的方法，其中所述漏电极被配置为反射光。
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