JP2005164880A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 発光素子、第１の電源線、第２の電源線、信号線、前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のＴＦＴ、ビデオ信号によって前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のＴＦＴ、及び前記信号線に入力された前記ビデオ信号が前記第２のＴＦＴのゲートに与えられるか否かを制御する第３のＴＦＴを有し、
   前記発光素子が有する第１の電極は、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第１の電源線に電気的に接続され、
   前記第１のＴＦＴのゲートは前記第２の電源線に電気的に接続され、
   前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記信号線、前記第１の電源線、及び前記第２の電源線が、液滴吐出法または印刷法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ _２ 上に設けられていることを特徴とする発光装置。
2. 発光素子、第１の電源線、第２の電源線、信号線、前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のＴＦＴ、ビデオ信号によって前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のＴＦＴ、前記信号線に入力された前記ビデオ信号が前記第２のＴＦＴのゲートに与えられるか否かを制御する第３のＴＦＴ、及び前記ビデオ信号に関わらず、前記第２のＴＦＴのゲートと前記第１の電源線との電気的な接続を制御する第４のＴＦＴを有し、
   前記発光素子が有する第１の電極は、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第１の電源線に電気的に接続され、
   前記第１のＴＦＴのゲートは前記第２の電源線に電気的に接続されており、
   前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記第４のＴＦＴのゲート、前記信号線、前記第１の電源線、及び前記第２の電源線が、液滴吐出法または印刷法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ _２ 上に設けられていることを特徴とする発光装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴの極性がｎ型であることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記第１のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比よりも大きいことを特徴とする発光装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記発光素子は第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極の間に設けられた電界発光層を有し、
   前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記電界発光層のいずれか一は、液滴吐出法を用いて設けられていることを特徴とする発光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   前記印刷法はオフセット印刷法またはスクリーン印刷法であることを特徴とする発光装置。
7. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
   前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
   前記第１の半導体膜上及び前記露出させた第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
   前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
8. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
   前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
   前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
   前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
9. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
   前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
   前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
   前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
   前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、及び前記第３のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
   前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
10. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
    前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
    前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
    前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、及び前記第３のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
    前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
11. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
    前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
    前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
    前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
12. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
    前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
    前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
    前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
13. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
    前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
    前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
    前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、前記第３のＴＦＴ、及び前記第４のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
    前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
14. 基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ _２ を形成し、
    前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ _２ 上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
    前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
    前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
    前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、前記第３のＴＦＴ、及び前記第４のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
    前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
15. 請求項７乃至請求項１４のいずれか１項において、
    前記一導電型の不純物はｎ型を付与する不純物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
16. 請求項７乃至請求項１５のいずれか１項において、
    前記第１のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比よりも大きくなるように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
17. 請求項７乃至請求項１６のいずれか１項において、
    前記発光素子は第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極の間に形成された電界発光層を有し、
    前記第２の電極及び前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
18. 請求項７乃至請求項１７のいずれか１項において、
    前記印刷法はオフセット印刷法またはスクリーン印刷法であることを特徴とする発光装置の作製方法。