JP2009169410A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 補助電源線と、
   前記補助電源線上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の補助電源線用補助配線及び２つの電源線と、
   前記２つの電源線の一方から電流が供給される発光素子と、
   前記２つの電源線の他方から電流が供給される発光素子と、
   を有し、
   前記２つの電源線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助電源線に電気的に接続されており、
   前記補助電源線用補助配線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助電源線に電気的に接続され、
   前記２つの電源線及び前記補助電源線用補助配線に用いられる材料の電気伝導率は、前記補助電源線に用いられる材料の電気伝導率よりも高いことを特徴とする半導体表示装置。
2. ２つのトランジスタのゲート電極に電気的に接続された走査線と、
   補助電源線と、
   前記２つのトランジスタ、前記走査線及び前記補助電源線上に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成された補助電源線用補助配線、走査線用補助配線及び２つの電源線と、
   前記２つのトランジスタの一方によって、前記２つの電源線の一方からの電流の供給が制御される発光素子と、
   前記２つのトランジスタの他方によって、前記２つの電源線の他方からの電流の供給が制御される発光素子と、
   を有し、
   前記２つの電源線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助電源線に電気的に接続されており、
   前記補助電源線用補助配線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助電源線に電気的に接続されており、
   前記走査線用補助配線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記走査線に電気的に接続され、
   前記２つの電源線、前記補助電源線用補助配線及び走査線用補助配線に用いられる材料の電気伝導率は、前記補助電源線、前記ゲート電極及び前記走査線に用いられる材料の電気伝導率よりも高いことを特徴とする半導体表示装置。
3. 請求項２において、
   前記２つの電源線、前記補助電源線用補助配線または前記走査線用補助配線の厚さが、０．８μｍ以上１．５μｍ以下であることを特徴とする半導体表示装置。
4. 第１の補助電源線及び第２の補助電源線と、
   前記第１の補助電源線及び前記第２の補助電源線上に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成された第１の補助電源線用補助配線、第２の補助電源線用補助配線、第１の電源線及び第２の電源線と、
   前記第１の電源線から電流が供給される発光素子と、
   前記第２の電源線から電流が供給される発光素子と、
   を有し、
   前記第１の電源線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の補助電源線に電気的に接続されており、
   前記第２の電源線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２の補助電源線に電気的に接続されており、
   前記第１の補助電源線用補助配線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の補助電源線に電気的に接続されており、
   前記第２の補助電源線用補助配線は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２の補助電源線に電気的に接続され、
   前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１の補助電源線用補助配線、前記第２の補助電源線用補助配線に用いられる材料の電気伝導率は、前記第１の補助電源線及び前記第２の補助電源線に用いられる材料の電気伝導率よりも高いことを特徴とする半導体表示装置。
5. 請求項４において、
   前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１の補助電源線用補助配線または前記第２の補助電源線用補助配線の厚さが、０．８μｍ以上１．５μｍ以下であることを特徴とする半導体表示装置。