JP3770368B2 - 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、いわゆる電界発光(以下「EL」(Electro-Luminescence)という。)素子を備えた表示装置に係り、特にEL素子を駆動する駆動回路の配置や製造方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子を用いた表示装置における基板配置に関する公知技術としては、本願出願人の発明に係る特開平11−24604号公報に記載されるようなものがあった。このような回路では、回路の寄生容量を下げることができていた。
【0003】
EL素子を駆動するための能動素子に関しては、論文”High Resolution Light Emitting Polymer Display Driven by Low Temperature Polysilicon Thin Film Transistor with Integrated Driver”, Asia Display 98, pp217-220,に記載されているように、ポリシリコンを利用した薄膜トランジスタが適している。これらEL素子と薄膜トランジスタとの組み合わせを用いることにより、軽量化、薄形化、低消費電力化、広い視角および高速応答が可能になっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公知技術を利用した表示装置であっても画素間における明るさの斑(ムラ)、画面全体の輝度傾斜、筋上の斑などが生じるという問題点があった。
【0005】
画素間における明るさの斑は、EL素子は電流駆動形であるため、能動素子であるTFTを介してEL薄膜に流れる電流量に差が生じ、電流量の差がそのまま輝度の差に繋がることが原因であった。
【0006】
画面全体の輝度傾斜は、駆動回路から各EL素子に対して電圧降下が生じ、駆動回路から遠いEL素子である程暗くなることが原因であった。
【0007】
筋状の斑は、給電配線ごとにその電圧降下が異なることが原因であった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この問題点に鑑み、本発明の第1の課題は、画素間の輝度斑を排除可能な回路配置を提供することにより、画素間において均一な明るさが得られる表示装置を提供することである。
【0009】
本発明の第2の課題は、給電配線における電圧降下を防止可能な回路配置を提供することにより、表示装置においては画面全体において均一な明るさが得られ、筋状の斑などが発生しない回路基板を提供することである。
【0010】
本発明の第3の課題は、画素間の輝度斑を防止するのに適する結晶化方法を提供することにより、電界発光素子においては画素間において均一な明るさが得られるような回路基板の製造方法を提供することである。
【0011】
本発明は、電流が供給されることによって発光する電界発光層を備える表示装置において、
発光層の電源となる第1電極層によって形成された第1配線と、第2電極層によって形成された第2配線と、第1配線と発光層に電流を供給するための画素電極との間に能動素子と、を備え、能動素子と該画素電極とを接続する第1のコンタクトホールが長手に形成されており、能動素子と第1配線とを接続する第2のコンタクトホールが長手に形成されており、第1のコンタクトホールは、能動素子の半導体層と画素電極とを直接電気的に接続するものであり、第2のコンタクトホールは、能動素子の半導体層と第1配線とを直接電気的に接続するものであり、さらに、第1配線と第2配線とを接続する第3のコンタクトホールが長手に形成されており、第2配線は、第3のコンタクトホールを含む所定領域に形成され、第1配線に沿って形成されており、電源からの電流が、第3のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続された該第1配線を形成する第1電極層と該第2配線を形成する該第2電極層とに共に流れるように構成されている。
【0012】
本発明の第2配線を形成する第2電極層は、能動素子のゲート電極を形成する層と同一の層である。
【0013】
本発明の能動素子は、長手に形成されたゲート電極を備えており、第2電極層は、ゲート電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする。
【0014】
本発明の第3のコンタクトホールにおける長手方向は、第1のコンタクトホールおよびゲート電極の長手方向と平行に形成されている。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施の形態を、図面を参照して説明する。
(実施形態1)
本発明の実施形態1は、画素間の輝度斑を解消可能な表示装置の回路配置に関する。
【0021】
図1に本実施形態の表示装置における画素構造の平面図、図2に図1におけるA−A切断面の断面図を示す。これらの図は一つの画素領域について拡大して示したものである。図1は、配線層上の層構造を削除して示している。
【0022】
表示装置は、図1に示すように、画素領域1ごとに、電界発光素子10、制御トランジスタ11および駆動トランジスタ12が形成されて構成される。
【0023】
制御トランジスタ11および駆動トランジスタ12は、薄膜トランジスタ(TFT)としての構造を備えている。
【0024】
制御トランジスタ11において、第1の半導体層101aのソース側はコンタクトホール301を介して信号配線204(sig)に電気的に接続されている。第1の半導体層101aのドレイン側は、電極207が設けられ、1つのコンタクトホール302を介し、当該コンタクトホール302内で駆動トランジスタ12のゲート電極202に電気的に接続されている。
【0025】
駆動トランジスタ12においては、図2に示すように、第2の半導体層101bのソース側は、コンタクトホール304を介して給電配線203(com)に電気的に接続されている。第2の半導体層101bのドレイン側は、コンタクトホール303を介して画素電極205に電気的に接続されている。
【0026】
また駆動トランジスタ12部分では、図2に示すように、基板上に第2の半導体層101bが形成され、当該半導体層101b上にゲート絶縁膜102を介してゲート電極202が形成されている。ゲート絶縁膜102上には層間絶縁膜103が形成されている。第2の半導体層101bのドレイン側には、層間絶縁膜103上で、かつ、層間絶縁膜103に貫通されたコンタクトホール303を介して画素電極205が電気的に接続して設けられ、当該画素電極の領域に対応して電界発光素子が設けられる。電界発光素子10の断面構造は、図2に示すように、画素電極205上に発光層105および共通電極206が積層された構造となっている。特にインクジェット法等により画素電極205上に選択的に発光層105を形成することができる。発光層105には、後述するような電流で発光する有機発光材料を使用する。画素電極205を陽極、共通電極206を陰極として駆動させる場合、発光層105と画素電極205間に必要に応じて正孔注入層を、発光層105と画素電極205間に電子輸送層を設けてもよい。層間絶縁膜上の画素電極の領域以外の駆動トランジスタに対応する領域に、画素を区画するバンク層107を設ける。
【0027】
上記の構造の他に、図9で後述するように、半導体層101bのドレイン側にドレイン電極を、層間絶縁膜103上に第2の層間絶縁膜(104)を、当該第2の層間絶縁膜(104)上に画素電極205を各々設け、当該第2の層間絶縁膜(104)に設けたコンタクトホール305Aを介して画素電極205とドレイン電極とを電気的に接続し、当該画素電極領域において発光層105を形成し、第2の層間絶縁膜(104)上の画素電極の領域以外の駆動トランジスタに対応する領域にバンク層(107)を設けることもできる。
【0028】
本実施形態では、特に、能動素子である駆動トランジスタ12と画素電極205とを接続する第1のコンタクトホール303が長手に形成されている点、駆動トランジスタ12と給電配線203とを接続する第2のコンタクトホール304が長手に形成されている点、および駆動トランジスタ12が長手に形成されたゲート電極を備えている点に特徴を有する。第1のコンタクトホール304における長手方向、ゲート電極202における長手方向および第2のコンタクトホール303における長手方向が、互いに実質的に平行に形成されている点にも特徴がある。
【0029】
材料に関し、透明基板100は、光透過性があり、一定の機械的強度を有するガラス、石英などが使用される。第1および第2の半導体層101a,bは、例えば実施形態3で説明するように、パターン化されたアモルファスシリコンにレーザ光を照射して重合化したポリシリコンで形成され、ソース・ドレインに不純物がドーピングされている。ゲート絶縁膜102、層間絶縁膜103、バンク層104は、酸化珪素、窒化珪素、ポリイミドなどの絶縁材料で形成されている。ゲート電極201,202、給電配線203、信号配線204、電極層207としては、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン、銅などを使用可能である。ゲート電極201・202は、ゲート絶縁膜102上で同時にパターン形成が可能である。共通電極206には、電界発光素子における陰極としてアルミニウムまたはアルミニウムと他の元素(リチウムやカルシウムなど)の合金を使用可能である。画素電極205には、電界発光素子の陽極として、ITOなど光透過性と導電性を有する材料を使用可能である。発光層105には、低分子または高分子の有機発光材料が用いられる。有機発光材料としては公知技術の種々の材料を適用可能である。
【0030】
ここで給電配線203や信号配線204は、当該回路基板上に使用する金属層のうち最も抵抗率の小さい材料(例えばアルミニウム)の層で形成することが好ましい。給電配線や信号配線は、特に電界発光素子を用いた表示装置では多くの電流が流れるため、抵抗率が小さいほど電圧降下を少なくすることができるからである。電圧降下が少なければ、配線の末端にある画素領域にも所定の電圧が供給でき、駆動回路に近い画素領域と同様の明るさで電界発光素子を発光させることが可能だからである。
【0031】
図3に画素領域1における等価回路を示す。
【0032】
上記回路基板の配置により、制御トランジスタ11のソースが信号配線204、ゲートがゲート電極201(走査配線gate)、ドレインが駆動トランジスタ12のゲート電極202に接続されている。このゲート電極202の配線は、図1に示すように給電配線203と重なる延設部を備えることにより電位を保持するための保持容量14を形成している。駆動トランジスタ12のソースは給電配線203に接続され、ドレインは電界発光素子10のアノード(陽極)に接続されている。電界発光素子10のカソード(陰極)は共通電極206となり、一定の電位に接地されている。
【0033】
図4に上記画素領域1の集合である表示装置の全体回路図を示す。
【0034】
当該表示装置は、信号配線sigに信号側駆動回路2および検出回路4が接続され、画像信号を信号配線sigに供給するようになっている。給電配線comには、一定電圧に電流を供給可能に維持されている。走査配線gateには走査側駆動回路3が接続され、走査信号を走査配線gateに供給するようになっている。信号側駆動回路2および走査側駆動回路3は、N型のトランジスタとP型のトランジスタとで相補型トランジスタ回路が形成されている。相補型トランジスタによって、駆動回路として機能させるためのシフトレジスタ、レベルシフタ、アナログスイッチ、ラッチなどの基本回路が構成されている。
【0035】
上記構成において、走査配線gateを介して走査信号が制御トランジスタ11のゲート電極201に供給されると、制御トランジスタ11がオン状態になり、信号配線sigを介して画像信号の電位がドレインに供給される。この電位は保持容量14において保持される。画像信号として画素を点灯させる電位が供給されていると、駆動トランジスタ12がオン状態になり、ソースを介して画素電極205に電源電流が供給されるようになる。発光層105では、画素電極205から輸送された正孔と共通電極206から輸送された電子とが結合して電界発光現象を生じ発光する。発光層105からの光は透明電極である画素電極205を介して透明基板100より射出される。
【0036】
このとき、駆動トランジスタ12のソースと給電電極203を直接コンタクトホールで接続したり、ドレインと画素電極205とを直接コンタクトホールで接続したりしてあるので、能動素子から配線までの引出配線が無く、給電配線203を介して最短距離で画素電極205に電流を供給できる。また第1コンタクトホール304や第2コンタクトホール303が長手に形成されているので、接触抵抗が少ない。このため電圧降下を最小限に押さえることができる。コンタクトホールはゲート電極や給電配線と長手方向が平行に形成されており、引出配線のための面積が不要なので、抵抗をさらに下げることが可能となり、面積効率がよい。すなわち画素間、さらには画素内における輝度斑を少なくし、明るい表示を可能にすることができる。
【0037】
さらに引出配線による電力消費も無くすことができ、発熱を抑制できる。これらの作用により、表示装置としての画質を向上させることができる。
(実施形態2)
本発明の実施形態2は、画素間の輝度斑をさらに低減可能な電界発光素子を用いた表示装置の回路配置に関する。
【0038】
図5に本実施形態の表示装置における画素構造の平面図、図6に図5におけるA−A切断面の断面図を示す。これらの図は一つの画素領域について拡大して示したものである。図5は、配線層の上の層構造を削除して示している。
【0039】
当該表示装置は、これらの図に示すように、ほぼ実施形態1と同様の回路配置および層構造を備えている。ただし、給電配線203と駆動トランジスタ12とのコンタクトホール部分の構成が異なる。他の構成は実施形態1と同様であるため同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0040】
駆動トランジスタ12は、図5に示すように、コンタクトホール306を介して給電配線203に電気的に接続されている。特に本実施形態では、第1の導電体層によって形成されている第1の配線パターンとは異なる第2の導電体層によって、当該第1の配線パターンに沿った第2の配線パターンが形成されており、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが少なくとも一部でコンタクトホールにより電気的に接続されている点に特徴がある。具体的には、第1の導電体層はアルミニウムで形成された給電配線203であり、第2の導電体層は例えばタンタルなどで形成された電極層208である。電極層208は、薄膜トランジスタのゲート電極層202を形成する際に、全体に形成され、パターニングされた電極層である。つまり、上層に形成される給電配線203の部分と平行して、ゲート電極層202と同一の層がパターニングされたものである。コンタクトホール305により電極層208と給電配線203とが電気的に接続され、コンタクトホール306により給電配線203と第2の半導体層101bとが電気的に接続されている。
【0041】
このような構成では、複数の導電体層が電気的に接続されることにより、結果的に配線パターンの断面積を大きくしていることになる。二つの導電体層を併せた抵抗率は両者の抵抗率の並列接続に等価なものとなり、いずれか単独で配線した場合より明らかに抵抗率が下がる。
【0042】
したがって、このような回路配置および層構造を備えることによって、当該回路基板は配線における抵抗値を下げることができる。このため電界発光素子に多量の電流を流す場合でも給電配線の下流における電圧降下を最小限に押さえることができ、画素間の輝度斑を少なくすることができる。
【0043】
また給電配線間の電圧降下の差を低減することにより、筋状の斑を抑制できる。
【0044】
このような作用効果は、その回路基板に形成されている複数の導電性層を配線のために相互に連結した回路配置を備えた回路基板で達成される。このような複数の導電体層を並行させる配線は、電流量の多いあらゆる配線に適用可能である。例え複数の導電体層を連結できる領域が断続的であっても、配線の長手方向における抵抗率を下げることができるため、効果的である。
(実施形態3)
本発明の実施形態3は、上記実施形態のような能動素子に適する回路基板の製造方法に関する。
【0045】
本実施形態は、特に線状にエネルギーを供給して半導体層を結晶化させる工程において、当該半導体層に形成するゲート電極における長手方向と略直角な方向に当該線状に供給されるエネルギーの長手方向を一致させて当該半導体層全体を結晶化させる点に特徴がある。
【0046】
以下、実施形態1に示した表示装置の製造工程においてこの特徴点について説明する。
【0047】
図7に本実施形態の回路基板の製造方法における特徴を説明する平面図を示す。
【0048】
まず、透明基板100に対してTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD法を適用し、約2000〜5000オングストロームの下地保護層(図示せず)を形成する。次いで透明基板100の温度を一定に保持し、下地保護層上にプラズマCVD法を適用し、約100〜1000オングストロームのアモルファスシリコン層101を形成する。この層は、薄膜トランジスタの半導体層を構成するものである。次いでこのアモルファスシリコン層101に線状エネルギーを供給する。例えばレーザアニール法では、例えば出力強度200mJ/cm2程度のエキシマレーザを線状に照射し、図7に示すような方向でアモルファスシリコン層上にレーザ光を照射していく。
【0049】
このとき、レーザ光の照射パターンの長手方向が配線の長手方向と直角、すなわち配線の幅方向に平行になるようにし、配線の長手方向にレーザ光を走査する点が重要である。言い換えれば、当該アモルファスシリコン層においてキャリアが流れる方向と略平行な方向に当該線状に供給されるエネルギーの長手方向を一致させて当該半導体層全体を結晶化させるのである。
【0050】
レーザの出力強度がばらつくことは避けられないため、このような走査方向を採ることで、製造段階において結晶化が不十分なレーザ光の照射部が生じたとしても、他のレーザ光の照射部で補償され、寄生抵抗が均一化され動作不具合を発生する可能性を極めて低くすることができる。その結果として、画素間において均一な明るさで電界発光素子を発光させることができる。
【0051】
なお、キャリアの流れの方向と必ずしも平行でなくとも、レーザ光の照射パターンが薄膜トランジスタにおけるキャリアの流れを完全に分断しないように走査していけばよい。線状の走査によりアモルファス状態のシリコンを結晶化させることが可能な方法であれば、レーザ光に限らず他のエネルギー供給手段を使用してもよい。
【0052】
なお、エネルギーが点状に供給されるレーザ光を用いることもできる。この場合には、レーザ光の照射点をキャリアの流れる方向に平行な方向に走査し、走査ラインを徐々に下げながら全体を走査する。そのとき上下の走査ラインが一部で重なるように走査する。すなわち、レーザの照射点におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が走査ライン間で重なるようにして走査していく。
【0053】
適正なレーザ光の照射により、アモルファス状態のシリコンが重合し、ポリシリコン層105が形成される。その後は公知技術を適用して表示素子としての層構造を形成していく。
【0054】
まず半導体層101a、bの形成後、ゲート酸化膜102を形成する。次いでアルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属をスパッタ法等で蒸着し、ゲート電極201、202を形成し、パターニングを行う。この状態でイオンを打ち込んで自己整合的に駆動トランジスタ12や制御トランジスタ11にソース・ドレイン領域を形成する。層間絶縁膜103を酸化膜や窒化膜で形成してからコンタクトホールを形成し、配線203,204、画素電極205をパターン形成する。バンク層107を形成した後、電界発光素子10を形成する画素領域のみバンク層を除去する。蒸着法、スパッタ法、スピンコートなどの塗布法、スキージ法、インクジェット法等を利用して画素領域に半導体材料を充填し発光層105を形成する。最後に共通電極206を全体的に形成して、回路配線を行えば表示装置が完成する。
(実施例)
上記実施形態を実施して電界発光素子を用いた表示装置を製造した。図8に実施例の表示装置における一部の画素配置の平面図、図9にそのAA切断面の断面図、図10にそのBB切断面の断面図、図11にCC切断面の断面図、図12にそのDD切断面の断面図を示す。実施形態1と同等な構成には、同様の符号を付してある。
【0055】
実施例の表示装置は、図8から判るように、3つの発光素子10A,10Bおよび10Cで、一つの画素を表示するように構成されている。このように複数の発光素子で一つの画素を構成する技術は、輝度の階調を上げるために採用される。
【0056】
給電配線203(com)、一組の信号配線204A(sigA)およびB(sigB)並びに走査配線201(gate)が各画素領域に配線されている。給電配線203の近傍には、駆動トランジスタ12Aと12Bとが設けられている。走査配線201は複数のゲート電極202aAや202aBがパターニングされ、制御トランジスタ11Aと11Bとが設けられている。
【0057】
制御トランジスタ11Aと駆動トランジスタ12Aとは発光素子10Aおよび10Bを駆動するものである。制御トランジスタ11Aは、第1の半導体層101aAのソースがコンタクトホール306Aを介して信号配線204Aに電気的に接続されている。ドレインが1つのコンタクトホール302A内で電極層207Aを介して駆動トランジスタ12Aのゲート電極202bAに接続されている。ゲート電極202bAは給電配線203と重なる延設部が設けられており、保持容量を形成している。駆動トランジスタ12Aは、第2の半導体層101bAのソースが給電配線203とコンタクトホール304Aで電気的に接続され、ドレインが電極層208Aとコンタクトホール303Aで電気的に接続されている。電極層208Aは、コンタクトホール305Aで発光素子10Aの画素電極205Aと、コンタクトホール305Bで発光素子10Bの画素電極205Bとそれぞれ電気的に接続されている。
【0058】
制御トランジスタ11Bと駆動トランジスタ12Bとは発光素子10Cを駆動するものである。制御トランジスタ11Bは、第1の半導体層101aBのソースがコンタクトホール306Bを介して信号配線204Bに電気的に接続されている。ドレインが1つのコンタクトホール302B内で電極層207Bを介して駆動トランジスタ12Bのゲート電極202bBに接続されている。ゲート電極202bBは給電配線203と重なる延設部が設けられており、保持容量を形成している。駆動トランジスタ12Bは、第2の半導体層101bBのソースが給電配線203とコンタクトホール304Bで電気的に接続され、ドレインが電極層208Bとコンタクトホール303Bで電気的に接続されている。電極層208Bは、コンタクトホール305Bで発光素子10Cの画素電極205Cと電気的に接続されている。
【0059】
本実施例の層構造としては、図9乃至図12に示すように、ゲート絶縁膜102上に、走査配線201やゲート電極202aや202bを形成する電極層がパターニングされて設けられている。その上には、第1の層間絶縁膜103が設けられ、第1の層間絶縁膜103上に配線203、204A、204B、208A、208B、204A、204B、電極層207A、207Bが設けられている。第2の層間絶縁膜104には、画素電極205A、205Bや画素間を区画するバンク層106,107が形成されている。画素電極205A上には発光層105Aが、画素電極205B上には発光層105Bが設けられている。なお、本実施例の表示装置は、例えば発光層105Aや105Bをスピンコートにより塗布することで、画素領域のみならずバンク上にも延設されている。
【0060】
上記構成において、発光素子10Aおよび10Bからなる組と発光素子10Cとの発光の有無を制御することで、4階調を表示可能になっている。すなわち、信号配線204AおよびBに画像信号の輝度の階調に応じた電圧を供給することにより、どの発光素子を点灯させるかを制御するようになっている。駆動トランジスタ12AおよびBのゲート電極202bA、202bB、コンタクトホール304A、303A、304B、303Bは、実施形態で説明したような回路配置を備えている。このため画素間で輝度斑の無い表示が可能になっている。
【0061】
すなわち、本実施例では、実施形態と同様の作用効果が得られる他、電界発光領域が円形に形成されている点でも特徴がある。
(その他の変形例)
本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々に変形して適用することが可能である。
【0062】
例えば、実施形態1における上記駆動トランジスタにおいて説明したような、ゲート電極、コンタクトホール、配線などの回路配置は、比較的大きな電流を消費するあらゆる回路のための能動素子に適用可能である。
【0063】
同様に、実施形態2における複数の導電体層による配線は、電界発光素子を利用した表示装置に限ること無く、比較的大きな電流を消費する回路の配線に適用可能である。
【0064】
実施形態3における回路基板の製造方法は、レーザアニールなどを行って半導体層を結晶化させるようなあらゆる製造の局面で適用可能である。すなわち半導体などにおけるキャリアの流れる方向を横切らないように、キャリアの流れに平行に線状エネルギーの長手方向を一致させて照射すれば、例え不十分なエネルギー照査の部分が生じても、素子自体が動作不良になることが少ないからである。
【0065】
【発明の効果】
第1の課題を解決する発明によれば、画素間の輝度斑を排除可能な回路配置を備えたので、画素間において均一な明るさが得られる表示装置を提供することが可能である。
【0066】
第2の課題を解決する発明によれば、給電配線における電圧降下を防止可能な回路配置を備えたので、電界発光素子を用いた表示装置においては画面全体において均一な明るさが得られ、筋状の斑が発生しない回路基板を提供することが可能である。
【0067】
第3の課題を解決する発明によれば、画素間の輝度斑を防止するのに適する結晶化方法を備えたので、電界発光素子においては画素間において均一な明るさが得られるような回路基板の製造方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の表示装置の画素構造を説明する平面図。
【図2】実施形態1の表示装置の画素構造を説明する断面図。
【図3】画素の等価回路を説明する回路図。
【図4】表示装置の全体回路を説明する回路図。
【図5】実施形態2の表示装置の画素構造を説明する平面図。
【図6】実施形態2の表示装置の画素構造を説明する断面図。
【図7】実施形態3の回路基板の製造方法を説明する平面図。
【図8】実施例の表示素子の画素構造を説明する平面図。
【図9】A−A切断面における断面図。
【図10】B−B切断面における断面図。
【図11】C−C切断面における断面図。
【図12】D−D切断面における断面図。
【符号の説明】
10 電界発光素子
11 制御トランジスタ
12 駆動トランジスタ(能動素子)
14 キャパシタ(cap)
101 ポリシリコン層(p−Si)
102 ゲート絶縁膜
103 第1層間絶縁膜
104 第2層間絶縁膜
106、107 バンク層
105 発光層(必要に応じてキャリア輸送層含む)
201 走査配線(gate、Al)
202 ゲート電極(Ta)
203 給電配線(com、Al)
204 信号配線(sig)
205 画素電極(アノード、ITO)
206 共通電極(カソード、Al:Li)
303、304 コンタクトホール
Claims (4)
- 電流が供給されることによって発光する電界発光層を備える表示装置において、
発光層の電源となる、第1電極層によって形成された第1配線と、
第2電極層によって形成された第2配線と、
該第1配線と発光層に電流を供給するための画素電極との間に能動素子と、を備え、
該能動素子と該画素電極とを接続する第1のコンタクトホールが長手に形成されており、
該能動素子と該第1配線とを接続する第2のコンタクトホールが長手に形成されており、
該第1のコンタクトホールは、該能動素子の半導体層と該画素電極とを直接電気的に接続するものであり、
該第2のコンタクトホールは、該能動素子の半導体層と該第1配線とを直接電気的に接続するものであり、
さらに、該第1配線と該第2配線とを接続する第3のコンタクトホールが長手に形成されており、
該第2配線は、該第3のコンタクトホールを含む所定領域に形成され、該第1配線に沿って形成されており、該電源からの電流が、該第3のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続された該第1配線を形成する該第1電極層と該第2配線を形成する該第2電極層とに共に流れるように構成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記第2配線を形成する前記第2電極層は、前記能動素子のゲート電極を形成する層と同一の層である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記能動素子は、長手に形成されたゲート電極を備えており、
前記第2電極層は、該ゲート電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。 - 前記第3のコンタクトホールにおける長手方向は、前記第1のコンタクトホールおよび前記ゲート電極の長手方向と平行に形成されている、請求項3に記載の表示装置。
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