JP6553114B2 - 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 331
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 110
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 description 81
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 73
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 20
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100214497 Solanum lycopersicum TFT5 gene Proteins 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
金属配線基板およびその作製方法に関する。なお、本明細書中において金属配線基板とは
、薄膜技術を用いて形成される金属配線を有するガラス等の絶縁基板、あるいは各種基板
を指す。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成し、このTFTで形成した大面積集積回路を有す
る半導体装置の開発が進んでいる。アクティブマトリクス型液晶表示装置、発光装置、お
よび密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、結晶性珪素膜(典型
的にはポリシリコン膜)を活性領域としたTFT(以下、ポリシリコンTFTと記す)は
電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能回路を形成することも可能である。
う画素回路や、CMOS回路を基本としたシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、バッ
ファ回路、サンプリング回路などの画素回路を制御するための駆動回路が一枚の基板上に
形成される。
FT(画素TFT)が配置され、その画素TFTのそれぞれには画素電極が設けられてい
る。液晶を挟んだ対向基板側には対向電極が設けられており、液晶を誘電体とした一種の
コンデンサを形成している。そして、各画素に印加する電圧をTFTのスイッチング機能
により制御して、このコンデンサへの電荷を制御することで液晶を駆動し、透過光量を制
御して画像を表示する仕組みになっている。
を印加して駆動させるものである。液晶は交流で駆動させるので、フレーム反転駆動と呼
ばれる方式が多く採用されている。この方式では消費電力を低く抑えるために、画素TF
Tに要求される特性はオフ電流値(TFTがオフ動作時に流れるドレイン電流)を十分低
くすることが重要である。
Doped Drain)構造が知られている。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元
素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加
した領域を設けたものであり、この領域をLDD領域と呼んでいる。また、ホットキャリ
アによるオン電流値の劣化を防ぐための手段として、ゲート絶縁膜を介してLDD領域を
ゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるGOLD(Gate-drain Overlapped LDD)構造
が知られている。このような構造とすることで、ドレイン近傍の高電界が緩和されてホッ
トキャリア注入を防ぎ、劣化現象の防止に有効であることが知られている。
膜を形成し、前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する。なお、図1(A)において、前記下地絶縁膜は積層構
造としているが、単層構造でも良いし、形成しなくてもよい。また、前記導電膜を単層構
造としているが、2層以上の積層構造としても良い。続いて、レジストを形成し、導電膜
の端部をテーパー形状とするためにエッチングを行う。(図1(B))このエッチング方
法としては、高密度プラズマを用いたドライエッチング法が望ましい。高密度プラズマを
得る手法にはマイクロ波や誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)を
用いたエッチング装置が適している。そして、第1のドーピング処理および第2のドーピ
ング処理により半導体膜に、ゲート電極と重なる低濃度不純物領域と、ソース領域または
ドレイン領域として機能する高濃度不純物領域を形成する。以上のような処理により、G
OLD構造が実現できる。
、圧力、エッチングガスの総流量および下部電極の温度である。また、エッチングガスに
おいて酸素を添加すると、エッチングが促進されることから、エッチングガスにおける酸
素添加率も条件の1つとする。
内で導電膜の幅がばらつく場合がある。前記導電膜をゲート電極として用いる場合、前記
導電膜は不純物元素の導入の際にマスクとなるため、前記導電膜の幅のばらつきは、チャ
ネル形成領域の長さと、前記導電膜とLDD領域との重なる領域の長さのばらつきの原因
となる。このような半導体膜を用いてTFTを作製すると、電気的特性のばらつきの要因
となり、さらには半導体装置の動作特性を低下させる要因となる。また、前記導電膜を配
線として用いる場合、前記導電膜の幅のばらつきは、配線抵抗のばらつきの要因となり、
TFTの電気的特性を低下させる。このように、導電膜の幅や長さのばらつきは基板が大
型化するなかでますます深刻な問題となっており、導電膜の幅や長さのばらつきを抑えて
均一性を高めることは非常に重要である。
金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法を提供することを
課題とする。
テン化合物を主成分とする金属化合物膜、または、タングステン合金を主成分とする金属
合金膜により形成された導電層であって、前記導電層の端部におけるテーパー角αが5°
〜85°の範囲であることを特徴としている。
Ndから選ばれた一種の元素または複数種の元素とタングステンとの合金膜であることを
特徴としている。
特徴としている。
合物を主成分とする金属化合物膜、または、アルミニウム合金を主成分とする金属合金膜
により形成された導電層であって、前記導電層の端部におけるテーパー角αが5°〜85
°の範囲であることを特徴としている。
Ndから選ばれた一種の元素または複数種の元素とアルミニウムとの合金膜であることを
特徴としている。
特徴としている。
リンドープシリコン膜、ボロンドープシリコン膜等)を最下層に設ける構成としてもよい
。
を有する金属配線基板において、前記金属配線は、タングステン膜、または、タングステ
ン化合物を主成分とする金属化合物膜、または、タングステン合金を主成分とする金属合
金膜により形成された導電層であって、前記導電層の端部におけるテーパー角αが5°〜
85°の範囲であることを特徴としている。
線基板において、前記金属配線は、アルミニウム膜、または、アルミニウム化合物を主成
分とする金属化合物膜、または、アルミニウム合金を主成分とする金属合金膜により形成
された導電層であって、前記導電層の端部におけるテーパー角αが5°〜85°の範囲で
あることを特徴としている。
なくとも一層の導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジス
トパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度に応じてテーパー角α
が制御された金属配線を形成することを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、ICP電力密度に応じてテーパー角αが制御された金属
配線を形成することを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、下部電極の温度に応じてテーパー角αが制御された金属
配線を形成することを特徴としている。
とすることを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、圧力に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成
することを特徴としている。
とを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、反応ガスの流量に応じてテーパー角αが制御された金属
配線を形成することを特徴としている。
1×103〜10.87×103sccm/m3とすることを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、反応ガスにおける酸素の割合に応じてテーパー角αが制
御された金属配線を形成することを特徴としている。
7〜50%とすることを特徴としている。
導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有
する導電膜にエッチングを行い、反応ガスにおける塩素の割合に応じてテーパー角αが制
御された金属配線を形成することを特徴としている。
膜、タングステン化合物を主成分とする金属化合物膜、タングステン合金を主成分とする
金属合金膜から選ばれた薄膜、アルミニウム膜、アルミニウム化合物を主成分とする金属
化合物膜、および、アルミニウム合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた薄膜である
ことを特徴としている。
金属配線とを有する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導
電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有す
る導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度に応じてテーパー角αが制御された金属
配線を形成することを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、ICP電力密度に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成するこ
とを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、下部電極の温度に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成するこ
とを特徴としている。
0℃とすることを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、圧力に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成することを特徴と
している。
ることを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、反応ガスの総流量に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する
ことを特徴としている。
×103〜10.87×103sccm/m3とすることを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、反応ガスにおける酸素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線
を形成することを特徴としている。
、17〜50%とすることを特徴としている。
する金属配線基板の作製方法において、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッ
チングを行い、反応ガスにおける塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線
を形成することを特徴としている。
テン膜、タングステン化合物を主成分とする金属化合物膜、タングステン合金を主成分と
する金属合金膜から選ばれた薄膜、アルミニウム膜、アルミニウム化合物を主成分とする
金属化合物膜、および、アルミニウム合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた薄膜で
あることを特徴としている。
る。
(a)従来の配線または配線基板の作製プロセスに適合した、簡単な方法である。
(b)バイアス電力密度、ICP電力密度、下部電極の温度またはエッチングガスにおけ
る塩素の割合を変えることで、所望のテーパー角を有する配線を形成することが可能とな
る。
(c)圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素の割合、下部電極の
温度を所定の値にすることで、基板面内におけるばらつきを低減することを可能とする。
(d)以上の利点を満たした上で、金属配線または金属配線基板において、基板が大型化
しても十分に対応することが可能となる。
本発明では、高密度プラズマを使用するICPエッチング装置を使用している。ICP
エッチング装置は、低圧力でRF電力を誘導的にプラズマ中に結合させることで、1011
個/cm3以上のプラズマ密度を達成して、高選択比かつ高エッチングレートの加工を行
うものである。
に説明する。
上にアンテナコイル32を配置し、マッチングボックス33を介してRF電源34に接続
されている。また、対向に配置された基板側の下部電極35にもマッチングボックス36
を介してRF電源37が接続されている。
流Jがθ方向に流れ、Z方向に磁界Bが発生する。
誘導電界の方向がθ方向なので、荷電粒子がエッチングチャンバー壁や、基板に衝突して
電荷を消失する確率が低くなる。従って、1Pa程度の低圧力でも高密度のプラズマを発
生させることができる。また、下流へは、磁界Bがほとんどないので、シート状に広がっ
た高密度プラズマ領域となる。
が印加される)のそれぞれに印加するRFパワーを調節することによってプラズマ密度と
自己バイアス電圧を独立に制御することが可能である。また、被処理物の材料に応じて印
加するRFパワーの周波数を異ならせることも可能となる。
F電流Jを低損失で流す必要があり、大面積化するためには、アンテナコイル32のイン
ダクタンスを低下させなければならない。そのためにアンテナを分割したマルチスパイラ
ルコイル38のICPエッチング装置が開発され、その構造図を図7(B)に示す。なお
、ここでは石英板以外の部分(チャンバーの構造や下部電極の構造など)は同じであるの
で省略している。このようなマルチスパイラルコイル38を適用したICPを用いたエッ
チング装置を用いると、前記耐熱性導電性材料のエッチングを良好に行うことができる。
製:E645)を用いてエッチング条件を振り、以下で述べる実験を行った。
導電膜を形成した。そしてレジストを形成し、エッチング条件であるバイアス電力密度、
ICP電力密度、圧力、エッチングにおける酸素添加率、エッチングガスの総流量および
下部電極の温度についてそれぞれ条件を振って、W膜のエッチングを行った。各条件の振
り方は表1に示す通りである。また、ある条件について条件を振って評価する場合におけ
る、他の条件については表2に示す値を用いた。なお、表1および表2において、バイア
ス電力密度およびICP電力密度の単位は[W/cm2]としているが、実際には電力[
W]を掛けている。表1および表2に記載のバイアス電力およびICP電力は、それぞれ
バイアス電力の掛かる面積12.5cm×12.5cmとICP電力の掛かる面積12.
5cm×12.5cm×πで割った値を記載している。また、チャンバーの体積は18.
4×10-3m3であるため、エッチングガスの総流量はチャンバーの体積で割った値で示
している。
ングレートについて示し、各図(B)にレジストに対するWの選択比について示す。それ
ぞれ、基板面内において測定点数を16とし、基板面内におけるばらつきをエラーバーで
示している。図1はバイアス電力密度の条件を振った結果であり、図2はICP電力密度
の条件を振った結果であり、図3は圧力の条件を振った結果であり、図4は酸素添加率の
条件を振った結果であり、図5はガス総流量の条件を振った結果であり、図6は下部電極
の温度条件を振った結果である。
度が0.256〜0.512W/cm2ではばらつきが最小となり、0.96W/cm2以
上で大きくなっている。また、図2(A)より、ICP電力密度においては条件振りによ
る傾向は特に見られない。図3(A)〜図6(A)
より、圧力、酸素添加率、ガス総流量および下部電極の温度においては高い方がばらつき
が小さかった。
、レジストに対するWの選択比は、条件が変化するにつれて、バイアス電力密度、ICP
電力密度および下部電極の温度において大きく変化している。
つまり、レジストに対するWの選択比に影響を与える条件はバイアス電力密度、ICP電
力密度および下部電極の温度であることが分かる。
に対するW膜の選択比に大きな影響を与えることが分かった。また、圧力、酸素添加率、
ガス総流量および下部電極の温度を高く設定すれば、基板面内におけるばらつきを低減す
ることがわかった。
行った。図8を用いて説明する。なお、本明細書中において、テーパー角とは図8(C)
に示すように、導電層15bの断面形状のテーパー部(傾斜部)と下地膜17bの表面が
なす角αをいう。また、テーパー角はテーパー部の幅Zと、膜厚Xを用いて、tanα=
X/Zと定義できる。
化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)(組成比S
i=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を形成した。
前記絶縁膜11上に第1の導電膜11として膜厚50nmのTaN膜を、前記第1の導電
膜12上に第2の導電膜13として膜厚370nmのW膜をスパッタ法により形成した。
そしてレジストを形成し、エッチング条件であるバイアス電力密度、ICP電力密度、圧
力、エッチングにおける酸素添加率、エッチングガスの総流量および下部電極の温度につ
いてそれぞれ条件を振って、W膜のエッチングを行った。各条件の振り方は表1に示す通
りである。また、ある条件について条件を振って評価する場合における、他の条件につい
ては表2に示す値を用いた。続いて、TaN膜のエッチング条件として、エッチング用ガ
スにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30:30(sccm)とし、1Pa
の圧力でコイル型の電極に0.71W/cm2のRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマ
を生成してエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも0.128W/cm2のRF
(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加した。
面形状をSEMにより5万倍にて観察し、テーパー角を求め、レジスト/Wの選択比との
関係を調べた。その結果を図9〜図11に示す。図9(A)にバイアス電力密度を変化さ
せたときのレジスト/W選択比とテーパー角の関係を示し、図9(B)にICP電力密度
を変化させたときのレジスト/W選択比とテーパー角の関係を示し、図10(A)に圧力
を変化させたときのレジスト/W選択比とテーパー角の関係を示し、図10(B)にエッ
チングガスにおける酸素添加率を変化させたときのレジスト/W選択比とテーパー角の関
係を示し、図11(A)にエッチングガスの総流量を変化させたときのレジスト/W選択
比とテーパー角の関係を示し、図11(B)に下部電極の温度を変化させたときのレジス
ト/W選択比とテーパー角の関係を示す。図9〜図11より、テーパー角に大きな影響を
与える条件は、バイアス電力密度、ICP電力密度および下部電極の温度であることがわ
かる。
アス電力密度、ICP電力密度および下部電極の温度を制御することで、所望のテーパー
角を有する配線を形成し、また、大面積基板においても均一性の高いエッチングを行うこ
とを可能とする。さらに、圧力、酸素添加率、ガス総流量および下部電極の温度を高く設
定すれば、基板面内における配線の形状のばらつきを低減することを可能とする。特に、
本発明を用いて形成されたW膜からなるゲート電極は基板面内において形状のばらつきが
低減されていることから、該ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入する場合、不純
物領域の幅や長さのばらつきが生じることを低減することを可能とする。すなわち、チャ
ネル形成領域の幅や長さのばらつきを低減することが可能となり、このような半導体膜を
用いて作製されたTFTの電気的特性のばらつきを低減することを可能とする。
さらに半導体装置の動作特性および信頼性を向上することを可能とする。
たさまざまな膜に適用することができる。
本発明者等は、実施形態1で説明したマルチスパイラルコイル方式のICPエッチング
装置(松下電器産業製:E645)を用いて、実施形態とは異なる導電膜に対してエッチ
ング条件を振り、以下で述べる実験も行った。
2wt%)膜からなる導電膜を形成した。そしてレジストを形成し、エッチング条件であ
るバイアス電力密度、ICP電力密度、エッチングにおけるCl2添加率についてそれぞ
れ条件を振って、Ai−Si膜のエッチングを行った。各条件の振り方は表3に示す通り
である。また、ある条件について条件を振って評価する場合における、他の条件について
は表4に示す値を用いた。なお、表1および表2において、バイアス電力密度およびIC
P電力密度の単位は[W/cm2]としているが、実際には電力[W]を掛けている。表
1および表2に記載のバイアス電力およびICP電力は、それぞれバイアス電力の掛かる
面積12.5cm×12.5cmとICP電力の掛かる面積12.5cm×12.5cm
×πで割った値を記載している。また、チャンバーの体積は18.4×10-3m3である
ため、エッチングガスの総流量はチャンバーの体積で割った値で示している。
ストのエッチングレートについて示し、各図(B)にレジストに対するAl−Siの選択
比について示す。それぞれ、基板面内において測定点数を16とし、基板面内におけるば
らつきをエラーバーで示している。図12はバイアス電力密度の条件を振った結果であり
、図13はICP電力密度の条件を振った結果であり、図14はCl2添加率の条件を振
った結果である。
より、レジストに対するAl−Siの選択比は、条件が変化するにつれて、大きく変化し
ている。つまり、レジストに対するAl−Siの選択比に影響を与える条件はバイアス電
力密度、ICP電力密度およびCl2添加率であることが分かる。
に、バイアス電力密度、ICP電力密度およびCl2添加率を制御することで、所望のテ
ーパー角を有する配線を形成することを可能とする。特に、本発明を用いて形成されたA
l−Si膜からなるゲート電極は、所望のテーパー角を有することを可能としていること
から、該ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入する場合、所望の幅や長さを有する
不純物領域を形成することを可能とする。すなわち、所望の幅や長さを有するチャネル形
成領域を形成することが可能となり、このような半導体膜を用いて作製されたTFTの電
気的特性のばらつきを低減することを可能とする。さらに半導体装置の動作特性および信
頼性を向上することを可能とする。
を主成分としたさまざまな膜に適用することができる。
である。
線を形成した例を示す。
化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)(組成比S
i=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を形成した。
前記絶縁膜11上に第1の導電膜11として膜厚50nmのTaN膜を、前記第1の導電
膜12上に第2の導電膜13として膜厚370nmのW膜をスパッタ法により形成した。
そしてレジストを形成し、エッチング条件であるバイアス電力密度0.96W/cm2、I
CP電力密度0.71W/cm2、圧力1.0Pa、下部電極の温度を70℃、エッチング
用ガスにCF4とCl2とO2を用い、それぞれのガス流量比を25:25:10(scc
m)(エッチングガスにおける酸素添加率は17%であり、体積に換算する1.36×1
03:1.36×103:0.54×103(sccm/m3))として、W膜のエッチング
を行った。続いて、TaN膜のエッチング条件として、エッチング用ガスにCF4とCl2
とを用い、それぞれのガス流量比を30:30(sccm)(体積に換算するとそれぞれ
1.63×103sccm/m3)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(1
3.56MHz)電力(電力密度に換算すると0.71W/cm2)を投入してプラズマを生成し
てエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力(電
力密度に換算すると0.128W/cm2)を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印
加した。
面形状をSEMにより5万倍にて観察した結果を図15に示す。このときのテーパー角は
20°であった。
FET)に適用してCMOS回路を構成した場合の例について図16〜図18を用いて説
明する。
N型ウェル303を形成する。単結晶シリコン基板はP型であってもN型であっても良い
。この様な構成はいわゆるツインタブ構造であり、ウェル濃度は1×1018/cm3以下
(代表的には1×1016〜5×1017/cm3)で形成される。
した後、熱酸化工程によってシリコン表面に30nm厚の酸化膜(後のゲート絶縁膜)3
05を形成する。(図16(A))
はゲート電極を構成する材料として導電性を有するシリコン膜を用いるが、他にもTa、
W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分と
する合金材料若しくは化合物材料を用いることができる。
型MOSFETとなる領域(図面向かって右側)をレジストマスク308で覆い、単結晶
シリコン基板301に対してn型を付与する不純物元素を導入する。(図16(B))不
純物元素の導入の方法は、レーザドーピング法、プラズマドーピング法、イオン注入法お
よびイオンシャワードーピング法のいずれかの方法を用い、濃度が5×1018〜 1×10
19/cm3となる様に導入する。本実施例では、n型を付与する不純物元素として、As
を用いる。こうして形成される不純物領域310、311の一部(チャネル形成領域と接
する側の端部)は後にnチャネル型MOSFETのLDD領域として機能する。
そして、単結晶シリコン基板301に対してp型を付与する不純物元素を導入する。(図
16(C))本実施例では、n型を付与する不純物元素として、B(ボロン)を用いる。
このようにして、後にpチャネル型MOSFETのLDD領域として機能する不純物領域
314、315を形成する。
クを行い、サイドウォール316、317を形成する。(図17(A)
)
を付与する不純物元素を 1×1020/cm3の濃度で導入する。こうしてソース領域31
9、ドレイン領域320が形成され、サイドウォール316の下にはLDD領域321が
形成される。(図17(B))
付与する不純物元素を1×1020/cm3の濃度で導入する。こうしてドレイン領域32
3、ソース領域324が形成され、サイドウォール317の下にはLDD領域325が形
成される。(図17(C))さらに、レジストマスク322で覆ったまま、希ガス元素か
ら選ばれた一種または複数種の元素を導入する。このようにして、第2のゲート電極30
7に第1のゲート電極306よりも不純物元素を多量に導入する。これにより、前記第2
のゲート電極307の圧縮応力は前記第1のゲート電極306より強く、pチャネル型M
OSFETにおけるチャネル形成領域が受ける圧縮応力も、nチャネル型MOSFETに
おけるチャネル形成領域が受ける応力よりも強くなる。
を行う。
ート電極の表面にチタンシリサイド層326を形成する。勿論、他の金属膜を用いた金属
シリサイドを形成することもできる。シリサイド層を形成した後、チタン膜は除去する。
9、ドレイン電極330を形成する。勿論、電極形成後に水素化を行うことも有効である
。本実施例では、W膜を形成し、ICPエッチング装置を用いて、ソース電極328、329
、ドレイン電極330を形成する。このようにして形成することで、金属配線の幅や長さ
のばらつきの低減される。
を適用することにより、金属配線の形状のばらつきが低減され、また前記金属配線の端部
にテーパー部を有することにより、カバレッジが良好なものとなる。さらには、半導体装
置の動作特性も大幅に向上し得る。
明する。本明細書ではCMOS回路、及び駆動回路と、画素TFT、保持容量とを有する
画素部を同一基板上に形成された基板を、便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
れるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる
基板400を用いる。なお、基板400としては、石英基板やシリコン基板、金属基板ま
たはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本実施例の処
理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
ら成る下地膜401を形成する。本実施例では下地膜401として2層構造を用いるが、
前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜401の一層
目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成
膜される酸化窒化珪素膜401aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成す
る。本実施例では、膜厚50nmの酸化窒化珪素膜401a(組成比Si=32%、O=
27%、N=24%、H=17%)を形成した。次いで、下地膜401の2層目としては
、プラズマCVD法を用い、SiH4、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪
素膜401bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する
。本実施例では、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜401b(組成比Si=32%、O=
59%、N=7%、H=2%)を形成する。
知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等)により25〜80n
m(好ましくは30〜60nm)の厚さで半導体膜を成膜し、公知の結晶化法(レーザ結
晶化法、RTAやファーネスアニール炉を用いた熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素
を用いた熱結晶化法等)により結晶化させる。そして、得られた結晶質半導体膜を所望の
形状にパターニングして半導体層402〜406を形成する。前記半導体膜としては、非
晶質半導体膜や微結晶半導体膜、結晶質半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜
などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。本実施例では、プラズマC
VD法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜する。そして、ニッケルを含む溶液を非晶
質珪素膜上に保持させ、この非晶質珪素膜に脱水素化(500℃、1時間)を行った後、
熱結晶化(550℃、4時間)を行って結晶質珪素膜を形成する。そして、フォトリソグ
ラフィ法を用いたパターニング処理によって半導体層402〜406を形成する。
発光型のエキシマレーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レー
ザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、Ti:サファイアレーザ等を用いることができる。こ
れらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザビームを光学系で線
状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択す
るものであるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数300Hzとし、レー
ザーエネルギー密度を100〜700mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。
また、パルス発振型のYAGレーザを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周
波数1〜300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300〜1000mJ/cm2(代表的に
は350〜800mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400
μmで線状に集光したレーザ光を基板全面に渡って照射し、この時の線状ビームの重ね合
わせ率(オーバーラップ率)を50〜98%として行ってもよい。
化を行ったため、前記金属元素が結晶質珪素膜中に残留している。そのため、前記結晶質
珪素膜上に50〜100nmの非晶質珪素膜を形成し、加熱処理(RTA法やファーネス
アニール炉を用いた熱アニール等)を行って、該非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散さ
せ、前記非晶質珪素膜は加熱処理後にエッチングを行って除去する。このようにすること
で、前記結晶質珪素膜中の金属元素の含有量を低減または除去することができる。
な不純物元素(ボロンまたはリン)のドーピングを行ってもよい。
407はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素
を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸
化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。勿
論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単
層または積層構造として用いても良い。
silicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周
波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することができる。
このようにして作製される酸化珪素膜は、その後400〜500℃の熱アニールによりゲ
ート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
100〜400nmの第2の導電膜409とを積層形成する。本実施例では、膜厚30n
mのTaN膜からなる第1の導電膜408と、膜厚370nmのW膜からなる第2の導電
膜409を積層形成する。TaN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒
素を含む雰囲気内でスパッタする。また、W膜は、Wのターゲットを用いたスパッタ法で
形成する。その他に6フッ化タングステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成すること
もできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり
、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。
るが、第2の導電膜はWまたはWを主成分とする合金材料若しくは化合物材料、または、
AlまたはAlを主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成し、第1の導電膜とし
てはエッチングの際に第1の導電膜と第2の導電膜との選択比が高いものであれば、特に
限定されない。例えば、Ta、Ti、Mo、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または
前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の
不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、
AgPdCu合金を用いてもよい。
、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。第1のエッチング処理で
は第1及び第2のエッチング条件で行う。(図19(B))本実施例では第1のエッチン
グ条件として、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング
法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を2
5:25:10(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56
MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側(試料ステージ)に
も150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する
。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー
形状とする。
変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30:30(
sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入
してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)に
も20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。
CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチ
ングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10
〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
とにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の
端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15〜45°となる。こうして、第
1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層41
7〜422(第1の導電層417a〜422aと第2の導電層417b〜422b)を形
成する。416はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層417〜422で覆われない
領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
(図19(C))ここでは、エッチングガスにCF4とCl2とO2とを用い、W膜を選択
的にエッチングする。この時、第2のエッチング処理により第2の導電層428b〜43
3bを形成する。一方、第1の導電層417a〜422aは、ほとんどエッチングされず
、第2の形状の導電層428〜433を形成する。
が低減されている。
にn型を付与する不純物元素を低濃度に添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、若
しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×
1014/cm2とし、加速電圧を40〜80keVとして行う。本実施例ではドーズ量を1.
5×1013/cm2とし、加速電圧を60keVとして行う。n型を付与する不純物元素と
して15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここで
はリン(P)を用いる。この場合、導電層428〜433がn型を付与する不純物元素に
対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域423〜427が形成される。不純物領域
423〜427には1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素
を添加する。
34cを形成して第1のドーピング処理よりも高い加速電圧で第2のドーピング処理を行
う。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜1×1015/cm2とし、加速電圧を6
0〜120keVとして行う。ドーピング処理は第2の導電層428b〜432bを不純
物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層のテーパー部の下方の半導体層に不純物
元素が添加されるようにドーピングする。続いて、第2のドーピング処理より加速電圧を
下げて第3のドーピング処理を行って図20(A)の状態を得る。イオンドープ法の条件
はドーズ量を1×1015〜1×1017/cm2とし、加速電圧を50〜100keVとして行
う。第2のドーピング処理および第3のドーピング処理により、第1の導電層と重なる低
濃度不純物領域436、442、448には1×1018〜5×1019/cm3の濃度範囲でn
型を付与する不純物元素を添加され、高濃度不純物領域435、438、441、444
、447には1×1019〜5×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加
される。
グ処理は1回のドーピング処理で、低濃度不純物領域および高濃度不純物領域を形成する
ことも可能である。
a〜450cを形成して第4のドーピング処理を行う。この第4のドーピング処理により
、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する
不純物元素が添加された不純物領域453〜456、459、460を形成する。第2の
導電層428a〜432aを不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純
物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域453
〜456、459、460はジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成する。(
図20(B))この第4のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導
体層はレジストからなるマスク450a〜450cで覆われている。第1乃至3のドーピ
ング処理によって、不純物領域438、439にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加され
ているが、そのいずれの領域においてもp型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜
5×1021atoms/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFT
のソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
板面内におけるばらつきが低減されていることから、低濃度不純物領域やチャネル形成領
域の長さおよび幅のばらつきも低減されている。
1を形成する。この第1の層間絶縁膜461としては、プラズマCVD法またはスパッタ
法を用い、厚さを100〜200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では
、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成した。勿論、第1の層
間絶縁膜461は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層
または積層構造として用いても良い。
れぞれの半導体層に添加された不純物元素の活性化を行う。この加熱処理はファーネスア
ニール炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下
、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜
550℃で行えばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で活性化処理を行った。
なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(R
TA法)を適用することができる。
材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜(珪素を主
成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜)を形成した後で活性化処理を行うことが好ましい
。
ことができる。この工程は第1の層間絶縁膜461に含まれる水素により半導体層のダン
グリングボンドを終端する工程である。第1の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水
素化することができる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起
された水素を用いる)や、3〜100%の水素を含む雰囲気中で300〜450℃で1〜
12時間の加熱処理を行っても良い。
エキシマレーザやYAGレーザ等のレーザビームを照射することが望ましい。
2の層間絶縁膜462を形成する。本実施例では、膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形
成したが、粘度が10〜1000cp、好ましくは40〜200cpのものを用い、表面
に凸凹が形成されるものを用いる。
することによって画素電極の表面に凸凹を形成した。また、画素電極の表面に凹凸を持た
せて光散乱性を図るため、画素電極の下方の領域に凸部を形成してもよい。その場合、凸
部の形成は、TFTの形成と同じフォトマスクで行うことができるため、工程数の増加な
く形成することができる。なお、この凸部は配線及びTFT部以外の画素部領域の基板上
に適宜設ければよい。こうして、凸部を覆う絶縁膜の表面に形成された凸凹に沿って画素
電極の表面に凸凹が形成される。
、画素電極を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表
面を凹凸化させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させ
ることが好ましい。
4〜468を形成する。なお、これらの配線は、膜厚50nmのTi膜と、膜厚500n
mの合金膜(AlとTiとの合金膜)との積層膜をパターニングして形成する。もちろん
、二層構造に限らず、単層構造でもよいし、三層以上の積層構造にしてもよい。また、配
線の材料としては、AlとTiに限らない。
例えば、TaN膜上にAlやCuを形成し、さらにTi膜を形成した積層膜をパターニン
グして配線を形成してもよい。(図21)
を形成する。この接続電極468によりソース配線(443aと443bの積層)は、画
素TFTと電気的な接続が形成される。また、ゲート配線469は、画素TFTのゲート
電極と電気的な接続が形成される。また、画素電極470は、画素TFTのドレイン領域
442と電気的な接続が形成され、さらに保持容量を形成する一方の電極として機能する
半導体層458と電気的な接続が形成される。また、画素電極471としては、Alまた
はAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが
望ましい。
OS回路、及びnチャネル型TFT503を有する駆動回路506と、画素TFT504
、保持容量505とを有する画素部507を同一基板上に形成することができる。こうし
て、アクティブマトリクス基板が完成する。
一部を構成する第1の導電層428aと重なる低濃度不純物領域436(GOLD領域)
、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域452と、n型を付与
する不純物元素およびp型を付与する不純物元素が導入された不純物領域451を有して
いる。このnチャネル型TFT501と電極466で接続してCMOS回路を形成するp
チャネル型TFT502にはチャネル形成領域440、ソース領域またはドレイン領域と
して機能する高濃度不純物領域454と、n型を付与する不純物元素およびp型を付与す
る不純物元素が導入された不純物領域453を有している。また、nチャネル型TFT5
03にはチャネル形成領域443、ゲート電極の一部を構成する第1の導電層430aと
重なる低濃度不純物領域442(GOLD領域)、ソース領域またはドレイン領域として
機能する高濃度不純物領域456と、n型を付与する不純物元素およびp型を付与する不
純物元素が導入された不純物領域455を有している。
る低濃度不純物領域445(LDD領域)、ソース領域またはドレイン領域として機能す
る高濃度不純物領域458と、n型を付与する不純物元素およびp型を付与する不純物元
素が導入された不純物領域457を有している。また、保持容量505の一方の電極とし
て機能する半導体層には、n型を付与する不純物元素およびp型を付与する不純物元素が
添加されている。保持容量505は、絶縁膜416を誘電体として、電極(432aと4
32bの積層)と、半導体層とで形成している。
遮光されるように、画素電極の端部をソース配線と重なるように配置形成する。
。なお、図19〜図22に対応する部分には同じ符号を用いている。図21中の鎖線A−
A’は図22中の鎖線A―A’で切断した断面図に対応している。また、図21中の鎖線
B−B’は図22中の鎖線B―B’で切断した断面図に対応している。
置を作製する工程を以下に説明する。説明には図23を用いる。
アクティブマトリクス基板上、少なくとも画素電極470上に配向膜567を形成しラビ
ング処理を行う。なお、本実施例では配向膜567を形成する前に、アクリル樹脂膜等の
有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ5
72を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全
面に散布してもよい。
1、平坦化膜573を形成する。赤色の着色層570と青色の着色層571とを重ねて、
遮光部を形成する。また、赤色の着色層と緑色の着色層とを一部重ねて、遮光部を形成し
てもよい。
を示す図22では、少なくともゲート配線469と画素電極470の間隙と、ゲート配線
469と接続電極468の間隙と、接続電極468と画素電極470の間隙を遮光する必
要がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色層の積層からなる遮光部が重な
るように各着色層を配置して、対向基板を貼り合わせた。
の積層からなる遮光部で遮光することによって工程数の低減を可能とした。
形成し、対向基板の全面に配向膜574を形成し、ラビング処理を施した。
ル材568で貼り合わせる。シール材568にはフィラーが混入されていて、このフィラ
ーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、
両基板の間に液晶材料575を注入し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。液
晶材料575には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図23に示す反射型液
晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基
板を所望の形状に分断する。さらに、対向基板のみに偏光板(図示しない)を貼りつけた
。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつけた。
いることから、チャネル形成領域および低濃度不純物領域の幅および長さのばらつきも低
減されており、良好な動作特性を示すことが可能となる。そして、このような液晶表示パ
ネルは各種電子機器の表示部として用いることができる。
。
いて、発光装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材の間に封入した表
示用パネルおよび該表示用パネルにICを実装した表示用モジュールを総称したものであ
る。なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス(Electro Luminesc
ence)が得られる有機化合物を含む層(発光層)と陽極層と、陰極層とを有する。また、
有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(
蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)があり、これらのうちど
ちらか、あるいは両方の発光を含む。
発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸
送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に発光素子は、陽極層、発光層、陰極層が順に積
層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極層、正孔注入層、発光層、陰極層や
、陽極層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極層等の順に積層した構造を有している
こともある。
れたスイッチングTFT603は図21のnチャネル型TFT503を用いて形成される
。したがって、構造の説明はnチャネル型TFT503の説明を参照すれば良い。
、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプ
ルゲート構造であっても良い。
て、構造の説明はnチャネル型TFT501とpチャネル型TFT502の説明を参照す
れば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もし
くはトリプルゲート構造であっても良い。
機能する。また、配線704はソース配線708とスイッチングTFTのソース領域とを
電気的に接続する配線として機能し、配線705はドレイン配線709とスイッチングT
FTのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機能する。
。従って、構造の説明はpチャネル型TFT502の説明を参照すれば良い。なお、本実
施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構
造であっても良い。
07は電流制御TFTの画素電極710上に重ねることで画素電極710と電気的に接続
する電極である。
としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物
、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電
膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極710は、上記配線を形成する前
に平坦な層間絶縁膜711上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜7
11を用いてTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成される発
光層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従っ
て、発光層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化してお
くことが望ましい。
バンク712は100〜400nmの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニン
グして形成すれば良い。
要である。本実施例ではバンク712の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を
添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は1×106〜1×1
012Ωm(好ましくは1×108〜1×1010Ωm)となるようにカーボン粒子や金属粒
子の添加量を調節すれば良い。
していないが、本実施例ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した発光層を作
り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。
具体的には、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設け、そ
の上に発光層として70nm厚のトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3
)膜を設けた積層構造としている。
Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1といった蛍光色素を添加することで
発光色を制御することができる。
に限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わ
せて発光層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い
。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光層として用いる例を示したが、中分
子系有機発光材料や高分子系有機発光材料を用いても良い。なお、本明細書中において、
昇華性を有さず、かつ、分子数が20以下または連鎖する分子の長さが10μm以下の有
機発光材料を中分子系有機発光材料とする。また、高分子系有機発光材料を用いる例とし
て、正孔注入層として20nmのポリチオフェン(PEDOT)膜をスピン塗布法により
設け、その上に発光層として100nm程度のパラフェニレンビニレン(PPV)膜を設
けた積層構造としても良い。なお、PPVのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色ま
で発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を
用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることが
できる。
、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のMgAg膜(
マグネシウムと銀との合金膜)を用いても良い。陰極材料としては、周期表の1族もしく
は2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良
い。
光素子715は、画素電極(陽極)710、発光層713及び陰極714で形成されたダ
イオードを指す。
である。パッシベーション膜716としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素
膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
、特にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いることは有効である。DLC膜は
室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い発光層713の上
方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が
高く、発光層713の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工
程を行う間に発光層713が酸化するといった問題を防止できる。
わせる。封止材717としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する
物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。また、本実施例にお
いてカバー材718はガラス基板や石英基板やプラスチック基板(プラスチックフィルム
も含む)の両面に炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を形成したものを
用いる。
た後、パッシベーション膜716を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式(または
インライン方式)の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。また、さらに発展させてカバー材718を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連
続的に処理することも可能である。
nチャネル型TFT)603および電流制御TFT(nチャネル型TFT)604が形成
される。
域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いnチャネル型TFTを形
成することができる。そのため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論
理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形
成しうる。
発光装置について図25を用いて説明する。なお、必要に応じて図24で用いた符号を引
用する。
5(A)をC−C’で切断した断面図である。点線で示された801はソース側駆動回路
、806は画素部、807はゲート側駆動回路である。また、901はカバー材、902
は第1シール材、903は第2シール材であり、第1シール材902で囲まれた内側には
封止材907が設けられる。
を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)905からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示
されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良
い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはP
WBが取り付けられた状態をも含むものとする。
806、ゲート側駆動回路807が形成されており、画素部806は電流制御TFT60
4とそのドレインに電気的に接続された画素電極710を含む複数の画素により形成され
る。また、ゲート側駆動回路807はnチャネル型TFT601とpチャネル型TFT6
02とを組み合わせたCMOS回路(図20参照)を用いて形成される。
ンク712が形成され、画素電極710上には発光層713および発光素子の陰極714
が形成される。
05に電気的に接続されている。さらに、画素部806及びゲート側駆動回路807に含
まれる素子は全て陰極714およびパッシベーション膜567で覆われている。
材901と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。
そして、第1シール材902の内側には封止材907が充填されている。なお、第1シー
ル材902、封止材907としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第1シ
ール材902はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、
封止材907の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い
。
接着剤としても機能する。また、本実施例ではカバー材901を構成するプラスチック基
板901aの材料としてFRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニ
ルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
面)を覆うように第2シール材903を設ける。第2シール材903は第1シール材90
2と同じ材料を用いることができる。
ら完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の発光層の酸化による劣化を促す物
質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。
とから、チャネル形成領域および低濃度不純物領域の幅および長さのばらつきも低減され
ており、良好な動作特性を示すことが可能となる。そして、このような発光装置は各種電
子機器の表示部として用いることができる。
。
ティブマトリクス型発光装置、アクティブマトリクス型EC表示装置)
を作製することができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ様々な電子機
器に本発明を適用できる。
マウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ
、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子
書籍等)などが挙げられる。それらの例を図26、図27及び図28に示す。
表示部3003、キーボード3004等を含む。本発明を表示部3003に適用すること
ができる。
03、操作スイッチ3104、バッテリー3105、受像部3106等を含む。本発明を
表示部3102に適用することができる。
、カメラ部3202、受像部3203、操作スイッチ3204、表示部3205等を含む
。本発明は表示部3205に適用できる。
ム部3303等を含む。本発明は表示部3302に適用することができる。
ーヤーであり、本体3401、表示部3402、スピーカ部3403、記録媒体3404
、操作スイッチ3405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Di
gtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲ
ームやインターネットを行うことができる。
本発明は表示部3402に適用することができる。
3、操作スイッチ3504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を表示部3502に
適用することができる。
02等を含む。本発明は投射装置3601の一部を構成する液晶表示装置3808やその
他の駆動回路に適用することができる。
ー3703、スクリーン3704等を含む。本発明は投射装置3702の一部を構成する
液晶表示装置3808やその他の駆動回路に適用することができる。
3702の構造の一例を示した図である。投射装置3601、3702は、光源光学系3
801、ミラー3802、3804〜3806、ダイクロイックミラー3803、プリズ
ム3807、液晶表示装置3808、位相差板3809、投射光学系3810で構成され
る。投射光学系3810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の
例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図27(C)中に
おいて矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、
位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
した図である。本実施例では、光源光学系3801は、リフレクター3811、光源38
12、レンズアレイ3813、3814、偏光変換素子3815、集光レンズ3816で
構成される。なお、図27(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。
例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相
差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
合を示しており、反射型の電気光学装置及び発光装置での適用例は図示していない。
03、表示部3904、操作スイッチ3905、アンテナ3906等を含む。本発明を表
示部3904に適用することができる。
3、記憶媒体4004、操作スイッチ4005、アンテナ4006等を含む。本発明は表
示部4002、4003に適用することができる。
等を含む。本発明は表示部4103に適用することができる。本発明のディスプレイは特
に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上(特に30インチ以上)の
ディスプレイには有利である。
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施形態1、実施形態2および実施例1〜4
、または実施例1〜3および実施例5のどのような組み合わせからなる構成を用いても実
現することができる。
Claims (4)
- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、ゲート配線と、ソース配線と、
画素電極と、前記画素電極に接する発光層と、前記発光層に接する導電層と、を有し、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
第1のソース領域、第1のドレイン領域、及び第1のチャネル形成領域を含む第1の半導体層と、
前記第1のゲート電極と前記第1のチャネル形成領域との間の領域を有するゲート絶縁膜と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
第2のゲート電極と、
第2のソース領域、第2のドレイン領域、及び第2のチャネル形成領域を含む第2の半導体層と、を有し、
前記ゲート配線は、前記第1のゲート電極と電気的に接続され、
前記第1のソース領域又は前記第1のドレイン領域の一方は、第1の配線を介して前記ソース配線と電気的に接続され、
前記第1のソース領域又は第1のドレイン領域の他方は、第2の配線を介して前記第2のゲート電極と電気的に接続され、
前記第2のソース領域又は前記第2のドレイン領域の一方は、前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート配線は、前記ソース配線と交差しており、
前記ソース配線は、前記第1のゲート電極と同層であり、
前記第1のゲート電極は、端部にテーパー形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、ゲート配線と、ソース配線と、
画素電極と、前記画素電極に接する発光層と、前記発光層に接する導電層と、を有し、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
第1のソース領域、第1のドレイン領域、第1のチャネル形成領域、及び第2のチャネル形成領域を含む第1の半導体層と、
前記第1のゲート電極と前記第1のチャネル形成領域との間の領域、及び前記第1のゲート電極と前記第2のチャネル形成領域との間の領域を有するゲート絶縁膜と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
第2のゲート電極と、
第2のソース領域、第2のドレイン領域、及び第3のチャネル領域を含む第2の半導体層と、を有し、
前記ゲート配線は、前記第1のゲート電極と電気的に接続され、
前記第1のソース領域又は前記第1のドレイン領域の一方は、第1の配線を介して前記ソース配線と電気的に接続され、
前記第1のソース領域又は前記第1のドレイン領域の他方は、第2の配線を介して前記第2のゲート電極と電気的に接続され、
前記第2のソース領域又は前記第2のドレイン領域の一方は、前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート配線は、前記ソース配線と交差しており、
前記ソース配線は、前記第1のゲート電極と同層であり、
前記第1のゲート電極は、端部にテーパー形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置と、
FPCと、
を有する表示モジュール。 - 請求項1若しくは請求項2に記載の半導体装置、又は請求項3に記載の表示モジュールと、
操作スイッチ、バッテリー、受像部、スピーカー部、又はアンテナの少なくとも一と、
を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017077379A JP6553114B2 (ja) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017077379A JP6553114B2 (ja) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015222625A Division JP2016054306A (ja) | 2015-11-13 | 2015-11-13 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018134165A Division JP2018190996A (ja) | 2018-07-17 | 2018-07-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017139488A JP2017139488A (ja) | 2017-08-10 |
JP6553114B2 true JP6553114B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=59566491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017077379A Expired - Lifetime JP6553114B2 (ja) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6553114B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62126848U (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-12 | ||
JPH0451120A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示素子アレイ |
JP3008485B2 (ja) * | 1990-11-16 | 2000-02-14 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JPH10319431A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Advanced Display:Kk | 薄膜トランジスタアレイ基板 |
JP3770368B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法 |
JP4801241B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
-
2017
- 2017-04-10 JP JP2017077379A patent/JP6553114B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017139488A (ja) | 2017-08-10 |
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