JP4677546B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する分野】
本発明は薄膜トランジスタ(以下、TFTと言う)で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関する。例えば、液晶表示装置に代表される電気光学装置、及び電気光学装置を部品として搭載した電気機器の構成に関する。また、前記装置の作製方法に関する。なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指し、上記電気光学装置及び電気機器もその範疇にあるとする。
【0002】
【従来の技術】
ガラス等の絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜に対し、加熱、またはレーザアニール、または加熱とレーザアニールの両方を行ない、結晶化させたり、結晶性を向上させる技術が広く研究されている。上記半導体膜には珪素膜がよく用いられる。
【0003】
上記技術により得られた結晶質半導体膜は多くの結晶粒からできているため、多結晶半導体膜と呼ばれる。結晶質半導体膜は、非晶質半導体膜と比較し、非常に高い移動度を有する。このため、結晶質半導体膜を利用すると、例えば、従来の非晶質半導体膜を使って作製した半導体装置では実現できなかったモノリシック型の液晶電気光学装置(一枚の基板上に、画素駆動用と駆動回路用の薄膜トランジスタ(TFT)を作製した半導体装置)が作製できる。
【0004】
このように、結晶質半導体膜は、非晶質半導体膜と比較し、非常に特性の高い半導体膜である。これが、上記研究の行われる理由である。例えば、加熱による非晶質半導体膜の結晶化を行なうには、600℃以上の加熱温度と10時間以上の加熱時間が必要であった。この結晶化条件に耐える基板には、例えば、合成石英基板がある。しかしながら、合成石英基板は高価で加工性に乏しく、特に大面積に加工するのは非常に困難であった。基板の大面積化は特に量産効率を上げるためには必要不可欠な要素である。近年、量産効率の向上のために基板を大面積化する動きが著しく、新しく建設される量産工場のラインは、基板サイズ600×720mmが標準となりつつある。将来的には800×950mmまたは960×1100mmが標準になると考えられる。
【0005】
合成石英基板をこのような大面積基板に加工することは現在の技術では難しく、たとえできたとしても産業として成り立つ価格までは下がらないと考えられる。大面積基板を容易に作製できる材料に、例えばガラス基板がある。ガラス基板には、例えばコーニング7059と呼ばれているものがある。コーニング7059は非常に安価で加工性に富み、大面積化も容易である。しかしながら、コーニング7059は歪点温度が593℃であり、600℃以上の加熱には問題があった。
【0006】
ガラス基板の1つに、歪点温度が比較的高いコーニング1737というものがある。これの歪点温度は667℃とコーニング7059の歪点温度に比べて高い。前記コーニング1737基板に非晶質半導体膜を成膜し、600℃、20時間の雰囲気に置いても、作製工程に影響するほどの基板の変形は見られなかった。しかしながら、20時間の加熱時間は量産工程としては長過ぎた。
【0007】
このような問題を解決するため、新しい結晶化の方法が考案された。前記方法の詳細は特開平7−183540号公報に記載されている。ここで、前記方法を簡単に説明する。まず、非晶質半導体膜にニッケルまたは、パラジウム、または鉛等の金属元素を微量に添加する。添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。前記添加の後、例えば550℃の窒素雰囲気に4時間、非晶質半導体膜を置くと、特性の良好な結晶質半導体膜が得られる。結晶化に最適な加熱温度や加熱時間等は、前記金属元素の添加量や、非晶質半導体膜の状態による。
【0008】
しかしながら、前記結晶化の方法では、結晶化を助長するために用いた前記金属元素が高抵抗領域(チャネル形成領域やオフセット領域)中に金属化合物として局所的に残留すると言う問題がある。前記金属化合物は電流が流れやすいため、高抵抗領域であるべき領域の抵抗を局所的に下げることになり、TFTの特性の安定性および信頼性を損なう原因となる。
【0009】
この問題を解決するため、結晶質半導体膜から結晶化を助長するための金属元素を除去する技術(ゲッタリング)を開発し、特開平10−270363号公報に開示している。ここで、前記ゲッタリングについて簡単に説明する。前記金属元素や、前記金属元素が金属化合物として残留している前記結晶質半導体膜に、15族に属する元素を選択的に添加した後、加熱処理を行なう。ここで、前記15族に属する元素が添加された領域をゲッタリング領域、前記15族に属する元素が添加されていない領域を被ゲッタリング領域と呼ぶ。前記加熱処理により、被ゲッタリング領域の前記金属元素および前記金属化合物は、前記被ゲッタリング領域から、ゲッタリング領域に移動する。その結果、前記被ゲッタリング領域において、前記金属元素および前記金属化合物を除去または低減することができる。ゲッタリングに最適な加熱温度や加熱時間等は、前記金属元素の添加量や前記15族に属する元素の添加量などによる。また、15族に属する元素はn型を付与する不純物元素であるが、ゲッタリング領域に15族に属する元素およびp型を付与する不純物元素が添加されていても、ゲッタリングが行なわれることは確認されている。
【0010】
前記ゲッタリングは主に2つの適用の仕方がある。すなわち、TFTを作製する半導体層となる領域を被ゲッタリング領域とし、TFTを作製する半導体層となる領域以外の半導体層をゲッタリング領域とするものと、TFTを作製する半導体層のうち、ソース領域およびドレイン領域をゲッタリング領域とし、チャネル形成領域やオフセット領域を被ゲッタリング領域とするものである。
【0011】
既に述べたように、15族に属する元素はn型を付与する不純物元素であるが、ゲッタリング領域に15族に属する元素およびp型を付与する不純物元素が添加されていても、ゲッタリングは行なわれる。つまり、ゲッタリングは、pチャネル型TFTを形成する半導体層にも適用することができる。
【0012】
また、ドーピング処理において、半導体層へ打ち込まれるイオンのエネルギーは、半導体層を形成する元素の結合エネルギーと比較して非常に大きい。そのため、前記半導体層へ打ち込まれるイオンは前記半導体膜を形成する元素を格子点から弾き飛ばして結晶に欠陥を生じさせる。したがって、ドーピング処理後は前記欠陥の回復を行なうため、加熱処理を行なうことが多い。
【0013】
つまり、ドーピング処理後の加熱処理によって、結晶性の回復および金属元素のゲッタリングを行なうことができる。
【0014】
また、「S. Wolf and R. N. Tauber : Silicon Processing for the VLSI Era Volume 1-Process Technology., p.303」において、不純物元素の添加時の温度に対する半導体膜の非晶質化のための臨界ドーズ量について述べられている。ここでは、ドーピング処理を高温で行なうより、低温で行なう方が半導体膜は非晶質化しやすいことが説明されている。また、高温で行なう方が低温で行なうよりも非晶質状態にするために必要な不純物元素の量を増加することも説明されている。
【0015】
また、「JPN. J. Appl. Phys. Vol.74, No.12.,p.7114-7117(1993)」において、半導体膜に室温および300℃でリンを添加したときの、半導体膜の深さ方向に対する濃度プロファイルを示している。添加時の温度によって、半導体膜に添加される不純物元素の濃度プロファイルの形状が変わり、低温で添加する方が、膜の表面近くに多く添加されていることが説明されている。
【0016】
【本発明が解決しようとする課題】
ソース領域およびドレイン領域をゲッタリング領域としてゲッタリングを行なう場合、次のような問題があった。まず、nチャネル型TFTを作製する半導体層においては、ソース領域およびドレイン領域にnチャネル型TFTを作製する際に必要となる15族に属する元素の量よりも、さらに多くの量を添加する必要があった。そのため、添加による結晶の欠陥が激しく、結晶性の回復を行なうのに、ゲッタリングを行なわない場合より、長時間の加熱処理が必要となった。また、pチャネル型TFTを作製する半導体層においては、ソース領域およびドレイン領域に、15族に属する元素およびp型を付与する不純物元素が添加される。前記p型を付与する不純物元素は、n型を打ち消すために、n型を付与する不純物元素(15族に属する元素)以上の量が添加される。そのため、不純物元素の添加による結晶欠陥の回復を行なうのに、nチャネル型TFTよりも、さらに長時間の加熱処理が必要となったり、長時間の加熱処理を行なっても、結晶性が回復しないこともあった。長時間の加熱処理を行なうことは、コストや時間が余計に掛かり、量産工程としては、少しでもコストおよびおよび時間の短縮が望まれた。
【0017】
また、TFTを作製する半導体層以外の半導体層をゲッタリング領域としてゲッタリングを行なう場合においても、少しでも15族に属する元素の添加量を減らすことは、スループットの向上を図る上でも重要であった。
【0018】
本発明はこのような問題点を解決するための技術であり、ゲッタリングの効率を向上させ、TFTを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現することを目的としている。
【0019】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、まず、効率良くソース領域およびドレイン領域をゲッタリング領域としてゲッタリングを行なう方法を検討する実験を行なった。前記実験の概要を説明する。基板として1737基板を用意し、前記基板上に下地膜として酸化窒化珪素膜50nm、窒化酸化珪素膜50nmの2層を積層し、前記下地膜上に非晶質珪素膜54nmを成膜した。前記非晶質珪素膜の結晶化には、重量換算で10ppmの濃度の酢酸ニッケル水溶液を非晶質珪素膜に塗布した後、温度550℃で4時間、窒素雰囲気中で加熱して結晶質珪素膜を形成し、さらにXeClエキシマレーザを用いて結晶化を行なった。続いて、パターニングを行なって、島状半導体膜を形成し、酸化珪素膜90nmを形成後、選択的に島状半導体膜へリン(P)を添加し、窒素雰囲気中、温度550℃で4時間の加熱処理を行なった。この加熱処理により、リンが添加されなかった領域(被ゲッタリング領域)からリンが添加された領域(ゲッタリング領域)へ、ニッケルが移動し、ゲッタリングが行なわれる。なお、本明細書中では、組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%の膜を酸化窒化珪素膜とし、組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%の膜を窒化酸化珪素膜とする。
【0020】
この実験において、半導体膜に珪素膜、金属元素にニッケルを用い、ゲッタリングに用いる15族に属する元素としてリンを用いた。ただし、金属元素及び15族に属する元素はこれらに限定するものではない。例えば、半導体膜として、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良いし、ゲッタリングに用いる15族に属する元素としてリン以外の15族に属する元素や、15族に属する元素およびp型を付与する不純物元素の両方を適用しても良い。
【0021】
また、リンを添加する際の条件は、5%水素希釈PH3ガスを使用し、ガス流量40sccm、加速電圧80kV、ドーズ量は7.8×1015/cm2とし、電流密度は1μA/cm2、3μA/cm2、5μA/cm2と3条件振った。図1は電流密度と添加時の基板最高温度との関係を示している。図1から、電流密度を下げると、添加時の基板の最高温度も下がることは明らかであり、電流密度の条件を振ることは処理中の基板の温度の条件を振ることを意味する。また、電流密度が5μA/cm2のときには1度に全ドーズ量を添加するだけでなく、1回のドーズ量を1.3×1015/cm2として6回に分割して添加し、全ドーズ量が7.8×1015/cm2となる添加も行なった。このとき、サーモラベルにて添加時の基板の最高温度も測定した。
【0022】
サーモラベルはある決まった温度に達すると色が変化するので、前記温度に達したか否かを判定することができる。もちろん、前記サーモラベルは不可逆性のものを用いた。今回用いたサーモラベルによって測定できる温度範囲は120〜300℃で、10℃おきに測定できるようにした。ただし、サーモラベルを基板の表面に付けると、サーモラベルにも不純物元素の添加が行なわれてしまい、正しい温度測定が不可能になるため、基板の裏面に貼った。
【0023】
基板温度を測定した結果、電流密度が5μA/cm2で、1度に添加を行なったときの最高温度は280℃であった。また、分割して添加した場合の最高温度は120℃のラベルの色が変化しなかったため、120℃以下であることは確認できたが、正確な測定は不可能であった。しかし、1度に添加するより分割して添加した方が明らかに添加時の温度が低いことが分かる。ただし、分割して添加するときは、1回添加するたびに、基板が室温まで下がるまで待ってから、再度添加を行なった。
【0024】
このようにして作製した試料に対し、LAL500で酸化珪素膜を除去した後、FPMに45分間浸し、エッチングを行なった。既に述べたように、加熱処理によって、被ゲッタリング領域に存在するニッケルはゲッタリング領域へ移動する。FPMは、ニッケルやニッケル化合物を選択的にエッチングしてエッチング領域を下地膜および基板に到達させ、さらに下地膜および基板を大きくエッチングする。光学顕微鏡の透過モードで観察すると、このようなエッチング領域は黒点として観察される。この黒点をエッチピットと呼ぶ。つまり、エッチピットを観察することで、ニッケルやニッケル化合物の残留する様子を観察することが出来る。
【0025】
図2および図3(A)に、光学顕微鏡の透過モードで200倍にてFPMに浸した後の表面観察を行なった結果を示す。図2(A)は電流密度5μA/cm2、図2(B)は電流密度3μA/cm2、図2(C)は電流密度1μA/cm2で1度に添加したときの表面観察結果であり、図3(A)は電流密度5μA/cm2で6回に分割して添加したときの観察結果である。また、図3(B)は、図2および図3(A)の模式図である。図3(B)において、斜線領域はリンが添加されていない被ゲッタリング領域であり、斜線のない領域はリンが添加されたゲッタリング領域を示す。前記被ゲッタリング領域の幅は5μm、10μm、15μm、20μm、30μm、50μmおよび75μmであり、図3(B)の上部の数値は前記被ゲッタリング領域の幅を示す。また、前記ゲッタリング領域の幅はいずれも5μmで、前記被ゲッタリング領域の両側に配置してある。
【0026】
図2より、リンの導入時の電流密度が低いほど、エッチピットは観察されなくなり、また、図2(A)および図3(A)を比較すると、分割して添加した方(図3(A))がエッチピットが少ないことが分かる。また、図4に被ゲッタリング領域の幅が30μmの時の電流密度に対するエッチピット密度を示す。図4からも、電流密度が低いほど、エッチピットは少なく、同じ電流密度のときでも1度に添加するより分割して添加した方が、エッチピットが少ないことがわかる。つまり、図2〜図4より電流密度が低いほどゲッタリング効率が高く、また、分割して添加しても、ゲッタリング効率が良くなることが分かった。
【0027】
既に述べたように、図1より、電流密度が低いほど、ドーピング処理中の基板の温度の上昇を抑えることができる。また、同じ電流密度で、かつ、同じドーズ量を添加する場合、1度に添加するより分割して添加した方がドーピング処理中の基板の温度の上昇を抑えることができる。この場合の異なる条件は、ドーピング処理中の温度であった。そこで、本発明者は、ゲッタリング効率はドーピング処理中の基板の温度に起因していると考えた。
【0028】
このように、ドーピング処理を低温で行なうと、ゲッタリング効率が向上することが分かった。本発明者は、ドーピング処理中の基板の温度によって、半導体膜の結晶性や添加される不純物元素の濃度プロファイルが異なることに注目し、ドーピング処理中の温度が低温であると、ゲッタリングに適した条件の結晶性および濃度プロファイルが形成されているのではないかと考えた。
【0029】
まず、半導体膜の結晶性について調べるため、リン添加後と加熱処理後の半導体膜に対してラマンスペクトルの測定を行なった。その結果を図5に示す。珪素膜の場合のラマンスペクトルは、520.6/cmにおけるピーク値が高いほど結晶性が良く、低いほど非晶質状態であることが知られている。図5(A)より、電流密度が低いほど、すなわち、ドーピング処理中の基板の温度が低いほど、ピーク値が低く、非晶質状態であることが分かる。また、分割して添加した場合のリン添加後はピーク値が最も低い。一方、加熱処理を行なうと、どの条件も同程度まで結晶性は向上した(図5(B))。
【0030】
このように、ラマンスペクトルの測定結果から、リン添加後の結晶状態とゲッタリング効率に相関が見られ、非晶質状態であるほどゲッタリング効率が良いことがわかった。ドーピング処理中の温度が低いほど非晶質化しやすいことは一般的に知られており、「S. Wolf and R. N. Tauber : Silicon Processing for the VLSI Era Volume 1-Process Technology., p.303」においても説明されている。
【0031】
次に、ドーピング処理中の温度によって濃度プロファイルが異なることについて述べる。ドーピング処理中の温度によって濃度プロファイルが異なることは、「High Temperature Implantation of Polycrystalline Silicon by Ion Shower Doping」において報告されている。ドーピング処理中の温度によって、半導体膜に添加される不純物元素の濃度プロファイルの形状が変わり、低温で添加する方が、膜の表面近くに多く添加されると報告されている。つまり、ドーピング処理時の温度が低温である方が、実効的な半導体膜中への添加量が増加するので、不純物元素を有効に利用することができる。
【0032】
以上のことから、本発明は、効率良くゲッタリングを行なうために、基板の温度を低温にしてドーピング処理を行なうことを特徴とする。本明細書中において、前記低温とは、図1〜図3から200℃以下であるとする。上記実験から、低温で添加するための方法として、低電流密度で添加したり、分割して添加することなどが挙げられる。低温でドーピング処理を行なうことで、不純物元素の添加量を減らすことも可能になる。つまり、本発明を適用することで、不純物元素の添加量を減らして、結晶の欠陥を抑えることができ、かつ、ドーピング処理後の加熱処理による結晶性の回復およびゲッタリングが容易にすることができる。また、ゲッタリング効率が向上すると言うことは、被ゲッタリング領域のサイズが拡大できることでもあり、面積効率が向上するため、設計の自由度が向上する。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図7の断面図を用いて説明する。
【0034】
図7(A)において基板10には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の7059ガラスや1737ガラスなどを好適に用いることが出来る。また、本実施形態の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
【0035】
前記基板10の上に下地絶縁膜11を公知の手段(LPCVD法、プラズマCVD法等)により窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜などで形成する。
【0036】
次に、半導体膜12をプラズマCVD法やスパッタ法などの公知の手段で10〜200nm(好ましくは30〜100nm)の厚さに形成する。前記半導体膜12としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。その後、結晶化を助長するための金属元素を含む層(金属含有層13)を形成する。前記金属元素としては、ニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素があり、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。そして、第1の加熱処理を行なって、半導体膜12の結晶化を行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよい。また、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができ、これらを組み合わせて加熱処理を行なうこともできる。
【0037】
続いて、結晶化した半導体膜を所望の形状にパターニングして半導体層14、15を形成する。ここで、半導体層14はnチャネル型TFTを、半導体層15はpチャネル型TFTを作製するものとする。
【0038】
次いで、半導体層14、15を覆うゲート絶縁膜16を形成する。ゲート絶縁膜16はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。もちろん、ゲート絶縁膜は単層または積層構造として用いても良い。
【0039】
次いで、図7(B)に示すように、ゲート絶縁膜16上に膜厚100〜500nmの導電膜17を形成する。導電膜としては、Ta、W、Ti、Mo、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよいし、結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、可視光に対して透明な酸化物導電膜(代表的にはITO膜)を用いてもよい。
【0040】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク(図示せず)を形成し、電極および配線を形成するためのエッチング処理を行なって、導電層18、19を形成する。
【0041】
次いで、導電層18、19をマスクとして用い、ゲート絶縁膜16を選択的に除去して絶縁層20、21を形成する。(図7(C))
【0042】
そして、第1のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。(図7(C))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を5〜100kVとして、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。また、n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。第1のドーピング処理は、導電層18、19が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域22〜25が形成され、不純物領域22〜25のリン濃度が1×1018〜1×1021/cm3になるように添加する。本実施形態では、TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0043】
続いて、第2のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域29、30を形成する。第2のドーピング処理においても、ドーピング処理中の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加するのが望ましい。導電層19を不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。(図7(D))この第2のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク28で覆われている。第1のドーピング処理によって、不純物領域29、30にはリンが添加されているが、p型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜5×1021/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施形態では、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0044】
以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【0045】
次いで、図7(E)に示すように、第2の加熱処理により、半導体層の結晶の回復およびゲッタリングを行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよい。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
【0046】
上記第2の加熱処理では、ゲッタリングも行なわれ、結晶化の際に触媒として使用したニッケルがリンを含む不純物領域22、23、29、25に移動し、チャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【0047】
なお、本発明は、実施の形態で示したTFTの作製方法に限らず、ボトムゲートやその他のTFTの構造に対しても適用できる。
【0048】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行なうこととする。
【0049】
【実施例】
[実施例1]
本発明の実施例について図7の断面図を用いて説明する。
【0050】
図7(A)において基板10には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の7059ガラスや1737ガラスなどを好適に用いることが出来る。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。本実施例においては、1737ガラス基板を用いた。
【0051】
前記基板10の上に下地絶縁膜11を公知の手段(LPCVD法、プラズマCVD法等)により窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜などで形成する。本実施例では膜厚50nmの酸化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)を形成した。
【0052】
次に、半導体膜12をプラズマCVD法やスパッタ法などの公知の手段で10〜200nm(好ましくは30〜100nm)の厚さに形成する。前記半導体膜12としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。本実施例では、プラズマCVD法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜した。その後、結晶化を助長するための金属元素を含む層(金属含有層13)を形成する。前記金属元素としては、ニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素があり、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。そして、第1の加熱処理を行なって、半導体膜12の結晶化を行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよい。また、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができ、これらを組み合わせて加熱処理を行なうこともできる。本実施例では、重量換算で10ppmの濃度の酢酸ニッケル水溶液を非晶質珪素膜に塗布し、温度550℃で4時間、窒素雰囲気中で加熱して結晶質珪素膜を形成した。
【0053】
続いて、結晶化した半導体膜を所望の形状にパターニングして半導体層14、15を形成する。ここで、半導体層14はnチャネル型TFTを、半導体層15はpチャネル型TFTを作製するものとする。
【0054】
次いで、半導体層14、15を覆うゲート絶縁膜16を形成する。ゲート絶縁膜16はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【0055】
次いで、図7(B)に示すように、ゲート絶縁膜16上に膜厚100〜500nmの導電膜17を形成する。本実施例では、膜厚30nmのTaN膜からなる導電膜を形成した。TaN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、導電膜としては、Ta、W、Ti、Mo、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよいし、結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、可視光に対して透明な酸化物導電膜(代表的にはITO膜)を用いてもよい。
【0056】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク(図示せず)を形成し、電極および配線を形成するためのエッチング処理を行なって、導電層18、19を形成する。
【0057】
次いで、導電層18、19をマスクとして用い、ゲート絶縁膜16を選択的に除去して絶縁層20、21を形成する。(図7(C))
【0058】
そして、第1のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。(図7(C))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を5〜100kVとして、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。また、n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。第1のドーピング処理は、導電層18、19が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域22〜25が形成される。本実施例では、第1のドーピング処理として、加速電圧を5kV、電流密度を1μA/cm2、n型を付与する不純物元素としてリン(P)を添加し、不純物領域22〜25のリン濃度が1×1018〜1×1021/cm3になるようにした。このとき、添加時の温度は150℃程度であった。本実施例では、TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0059】
続いて、第2のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域29、30を形成する。第2のドーピング処理においても、ドーピング処理中の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加するのが望ましい。導電層19を不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域29、30はジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成する。(図7(D))この第2のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク28で覆われている。第1のドーピング処理によって、不純物領域29、30にはリンが添加されているが、p型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜5×1021/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施例では、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0060】
以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【0061】
次いで、図7(E)に示すように、第2の加熱処理により、半導体層の結晶の回復およびゲッタリングを行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で加熱処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
【0062】
上記第2の加熱処理では、ゲッタリングも行なわれ、結晶化の際に触媒として使用したニッケルがリンを含む不純物領域22、23、29、25に移動し、チャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【0063】
[実施例2]
本実施例では、実施例1とは異なる構成について図7の断面図を用いて説明する。
【0064】
実施例1にしたがって、図7(C)に示すエッチング処理まで行なう。
【0065】
そして、第1のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。(図7(C))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を5〜100kVとして、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。また、n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。第1のドーピング処理は、導電層18、19が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域22〜25が形成される。本実施例では、第1のドーピング処理として、加速電圧を5kV、電流密度を5μA/cm2、n型を付与する不純物元素としてリン(P)を6回に分割して添加し、不純物領域22〜25のリン濃度が1×1018〜1×1021/cm3になるようにした。このとき、添加時の温度は100℃程度であった。本実施例では、TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0066】
続いて、第2のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域29、30を形成する。第2のドーピング処理においても、ドーピング処理中の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加するのが望ましい。導電層19を不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域29、30はジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成する。(図7(D))この第2のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク28で覆われている。第1のドーピング処理によって、不純物領域29、30にはリンが添加されているが、p型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜5×1021/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施例では、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0067】
以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【0068】
次いで、図7(E)に示すように、第2の加熱処理により、半導体層の結晶の回復およびゲッタリングを行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で加熱処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
【0069】
上記第2の加熱処理では、ゲッタリングも行なわれ、結晶化の際に触媒として使用したニッケルがリンを含む不純物領域22、23、29、25に移動し、チャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【0070】
[実施例3]
本実施例では、実施例1および実施例2とは異なる構成について図7の断面図を用いて説明する。図7および図8の断面図を用いて説明する。
【0071】
実施例1にしたがって、図7(A)に示す半導体膜の結晶化まで行なう。ここで、図7(A)と図8(A)は同じ状態を示し、同じ符号は同じものを意味している。
【0072】
そして、TFTを形成する半導体層となる領域にマスク54、55を形成する。マスクは珪素を含む絶縁膜で形成するのが好ましい。次に、第1のドーピング処理を行なって、結晶化した半導体膜に選択的に15族に属する元素を添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を5〜100kVとして、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。本実施例では、第1のドーピング処理として、加速電圧を5kV、電流密度を1μA/cm2、n型を付与する不純物元素としてリン(P)を添加し、ゲッタリング領域56〜58のリン濃度が1×1020〜5×1021/cm3になるようにした。このとき、添加時の温度は150℃程度であった。
【0073】
次に、第1の加熱処理を行ない、前記15族に属する元素が添加されていない領域(被ゲッタリング領域)60、61から前記ゲッタリング領域56〜58へ金属元素を移動させる。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよい。また、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。続いて、マスク54、55を利用して、金属元素が増加したゲッタリング領域をエッチングし、半導体層59、60を形成する。ここで、半導体層59はnチャネル型TFTを、半導体層60はpチャネル型TFTを作製するものとする。
【0074】
そして、マスクを除去した後、半導体層59、60を覆うゲート絶縁膜61を形成する。ゲート絶縁膜61はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【0075】
次いで、図8(B)に示すように、ゲート絶縁膜61上に膜厚100〜500nmの導電膜62を形成する。本実施例では、膜厚30nmのTaN膜からなる導電膜を形成した。TaN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、導電膜としては、Ta、W、Ti、Mo、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよいし、結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、可視光に対して透明な酸化物導電膜(代表的にはITO膜)を用いてもよい。
【0076】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク(図示せず)を形成し、電極および配線を形成するためのエッチング処理を行なって、導電層63、64を形成する。
【0077】
次いで、導電層63、64をマスクとして用い、ゲート絶縁膜61を選択的に除去して絶縁層65、66を形成する。(図8(D))
【0078】
そして、第2のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。
(図8(D))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を5〜100kVとして、ドーピング処理時の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。また、n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。第1のドーピング処理は、導電層63が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域68、69が形成される。この第2のドーピング処理の際には、pチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク67で覆われているが、マスクで覆わなくても良い。マスクで覆わなければ、導電層64が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域が形成される。そして、後工程の第3の加熱処理のときにゲッタリングが行なわれ、チャネル形成領域に残留する金属元素をさらに除去することができ、TFTを作製したときにその電気的特性の更なる向上が期待されるからである。本実施例では、第1のドーピング処理として、加速電圧を5kV、電流密度を1μA/cm2、n型を付与する不純物元素としてリン(P)を添加し、不純物領域22〜25のリン濃度が1×1018〜5×1021/cm3になるようにした。このとき、添加時の温度は150℃程度であった。本実施例では、TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0079】
続いて、第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域72、73を形成する。第3のドーピング処理においても、ドーピング処理中の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加するのが望ましい。導電層64を不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域72、73はジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成する。(図8(E))この第2のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク71で覆われている。第2のドーピング処理のときにpチャネル型TFTを形成する半導体層にマスクを形成せず、不純物元素が導入された場合には、不純物領域72、73にはリンが添加されているが、p型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜5×1021/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施例では、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素を添加しやすい利点を有している。
【0080】
以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【0081】
次いで、図8(F)に示すように、第3の加熱処理により、半導体層の結晶の回復を行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行なえばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で加熱処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
【0082】
上記第2の加熱処理では、nチャネル型TFTを形成する半導体層においては、ゲッタリングも行なわれ、結晶化の際に触媒として使用したニッケルがリンを含む不純物領域68、69に移動し、チャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。もちろん、第2のドーピング処理のときにpチャネル型TFTを形成する半導体層にも15族に属する元素が添加された場合には、ゲッタリングが行なわれる。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【0083】
[実施例4]
本実施例ではアクティブマトリクス基板の作製方法について図9〜図13を用いて説明する。
【0084】
まず、本実施例ではコーニング社の#7059ガラスや#1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板300を用いる。なお、基板300としては、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
【0085】
次いで、基板300上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜301を形成する。本実施例では下地膜301として2層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜301の一層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成する。本実施例では、膜厚50nmの酸化窒化珪素膜301a(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)を形成した。次いで、下地膜301のニ層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜401b(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を形成した。
【0086】
次いで、下地膜上に半導体膜302を形成する。半導体膜302は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等)により、25〜80nm(好ましくは30〜60nm)の厚さで形成する。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素または珪素ゲルマニウム(SiGe)合金などで形成すると良い。続いて、特開平7−183540号公報に記載されている結晶化方法にしたがい、結晶化を助長する金属元素を添加したのち加熱処理を行なって半導体膜の結晶化を行なう。半導体膜の結晶化は前記結晶化方法だけでなく、レーザ結晶化法等を組み合わせて行なっても良い。結晶化した半導体膜は所望の形状にパターニングして半導体層402〜406を形成する。本実施例では、プラズマCVD法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化(500℃、1時間)を行った後、加熱処理(550℃、4時間)を行ない、結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、半導体層402〜406を形成した。
【0087】
また、半導体膜の結晶化にレーザ結晶化法も適用する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやYAGレーザ、YVO4レーザ等を用いることができる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザビームを光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。また、YAGレーザを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数1〜300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザビームを基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザビームの重ね合わせ率(オーバーラップ率)を50〜98%として行えばよい。
【0088】
半導体層402〜406を形成した後、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素(ボロンまたはリン)の添加を行なってもよい。
【0089】
次いで、半導体層402〜406を覆うゲート絶縁膜407を形成する。ゲート絶縁膜407はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【0090】
また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Orthosilicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後400〜500℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【0091】
次いで、図9(B)に示すように、ゲート絶縁膜407上に膜厚20〜100nmの第1の導電膜408と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜409とを積層形成する。本実施例では、膜厚30nmのTaN膜からなる第1の導電膜408と、膜厚370nmのW膜からなる第2の導電膜409を積層形成した。TaN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、W膜は、Wのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に6フッ化タングステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、W膜中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従って、本実施例では、高純度のW(純度99.9999%)のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜20μΩcmを実現することができた。
【0092】
なお、本実施例では、第1の導電膜408をTaN、第2の導電膜409をWとしたが、特に限定されず、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素を添加した結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、第1の導電膜をタンタル(Ta)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化チタン(TiN)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をAl膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をCu膜とする組み合わせとしてもよい。
【0093】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク410〜415を形成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行なう。第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行なう。本実施例では第1のエッチング条件として、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。ここでは、松下電器産業(株)製のICPを用いたドライエッチング装置(Model E645−□ICP)を用いた。基板側(試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。
【0094】
この後、レジストからなるマスク410〜415を除去せずに第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【0095】
上記第1のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15〜45°となる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層417〜422(第1の導電層417a〜422aと第2の導電層417b〜422b)を形成する。416はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層417〜422で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【0096】
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行ない、半導体層にn型を付与する不純物元素を添加する。(図10(A))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1015/cm2とし、加速電圧を60〜100kVとして行なう。本実施例ではドーズ量を1.5×1015/cm2とし、加速電圧を80kVとして行った。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。この場合、導電層417〜421がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の高濃度不純物領域306〜310が形成される。第1の高濃度不純物領域306〜310には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
【0097】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング処理を行なう。ここでは、エッチングガスにCF4とCl2とO2とを用い、W膜を選択的にエッチングする。この時、第2のエッチング処理により第2の導電層428b〜433bを形成する。一方、第1の導電層417a〜422aは、ほとんどエッチングされず、第2の形状の導電層428〜433を形成する。
【0098】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに、図10(B)に示すように、第2のドーピング処理を行なう。この場合、第1のドーピング処理よりもドーズ量を下げて、70〜120kVの高い加速電圧で、n型を付与する不純物元素を導入する。また、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なう。本実施例ではドーズ量を1.5×1014/cm2とし、加速電圧を90kVとし、電流密度を1μA/cm2として行なった。第2のドーピング処理は第2の形状の導電層428〜433をマスクとして用い、第2の導電層428b〜433bの下方における半導体層にも不純物元素が導入され、新たに第2の高濃度不純物領域423a〜427aおよび低濃度不純物領域423b〜427bが形成される。
【0099】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスク434aおよび434bを形成して、図10(C)に示すように、第3のエッチング処理を行なう。エッチング用ガスにSF6およびCl2とを用い、ガス流量比を50/10(sccm)とし、1.3Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成し、約30秒のエッチング処理を行なう。基板側(資料ステージ)には10WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的には不の自己バイアス電圧を印加する。こうして、前記大3のエッチング処理により、pチャネル型TFTおよび画素部のTFT(画素TFT)のTaN膜をエッチングして、第3の形状の導電層435〜438を形成する。
【0100】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第2の形状の導電層428、430および第2の形状の導電層435〜438をマスクとして用い、ゲート絶縁膜416を選択的に除去して絶縁層439〜444を形成する。(図11(A))
【0101】
次いで、新たにレジストからなるマスク445a〜445cを形成して第3のドーピング処理を行なう。この第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域446、447を形成する。第2の導電層435a、438aを不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。また、ドーピング処理時の基板の温度が低温になるように、低電流密度またはドーズ量を分割して添加を行なうのが望ましい。本実施例では、不純物領域446、447はジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成する。(図11(B))この第3のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク445a〜445cで覆われている。第1のドーピング処理及び第2のドーピング処理によって、不純物領域446、447にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもp型を付与する不純物元素の濃度を2×1020〜2×1021/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施例では、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素(ボロン)を添加しやすい利点を有している。
【0102】
以上までの工程で、それぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【0103】
次いで、レジストからなるマスク445a〜445cを除去して第1の層間絶縁膜461を形成する。この第1の層間絶縁膜461としては、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを100〜200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成した。もちろん、第1の層間絶縁膜461は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【0104】
次いで、図11(C)に示すように、加熱処理を行なって、半導体層の結晶性の回復およびゲッタリングを行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜550℃で行えばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で加熱処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
【0105】
なお、ゲッタリングにより、結晶化の際に触媒として使用したニッケルが高濃度のリンを含む不純物領域423a、425a、426a、446a、447aを結晶化する。そのため、前記不純物領域に前記金属元素がゲッタリングされ、主にチャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。本実施例では、リンを添加するときに低温で行なったため、ゲッタリング効率が良い。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【0106】
また、第1の層間絶縁膜を形成する前に加熱処理を行なっても良い。ただし、用いた配線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜(珪素を主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜)を形成した後で加熱処理を行なうことが好ましい。
【0107】
さらに、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜550℃で1〜12時間の加熱処理を行ない、半導体層を水素化する工程を行なう。本実施例では水素を約3%の含む窒素雰囲気中で410℃、1時間の熱処理を行った。この工程は層間絶縁膜に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行なっても良い。
【0108】
また、加熱処理としてレーザアニール法を用いる場合には、上記水素化を行った後、エキシマレーザやYAGレーザ等のレーザビームを照射することが望ましい。
【0109】
次いで、第1の層間絶縁膜461上に無機絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜462を形成する。本実施例では、膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成したが、粘度が10〜1000cp、好ましくは40〜200cpのものを用い、表面に凸凹が形成されるものを用いた。
【0110】
本実施例では、鏡面反射を防ぐため、表面に凸凹が形成される第2の層間絶縁膜を形成することによって画素電極の表面に凸凹を形成した。また、画素電極の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るため、画素電極の下方の領域に凸部を形成してもよい。その場合、凸部の形成は、TFTの形成と同じフォトマスクで行なうことができるため、工程数の増加なく形成することができる。なお、この凸部は配線及びTFT部以外の画素部領域の基板上に適宜設ければよい。こうして、凸部を覆う絶縁膜の表面に形成された凸凹に沿って画素電極の表面に凸凹が形成される。
【0111】
また、第2の層間絶縁膜462として表面が平坦化する膜を用いてもよい。その場合は、画素電極を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させることが好ましい。
【0112】
そして、駆動回路506において、各不純物領域とそれぞれ電気的に接続する配線463〜467を形成する。なお、これらの配線は、膜厚50nmのTi膜と、膜厚500nmの合金膜(AlとTiとの合金膜)との積層膜をパターニングして形成する。
【0113】
また、画素部507においては、画素電極470、ゲート配線469、接続電極468を形成する。(図12)この接続電極468によりソース配線(443bと449の積層)は、画素TFTと電気的な接続が形成される。また、ゲート配線469は、画素TFTのゲート電極と電気的な接続が形成される。また、画素電極470は、画素TFTのドレイン領域442と電気的な接続が形成され、さらに保持容量を形成する一方の電極として機能する半導体層458と電気的な接続が形成される。また、画素電極470としては、AlまたはAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。
【0114】
以上の様にして、nチャネル型TFT501とpチャネル型TFT502からなるCMOS回路、及びnチャネル型TFT503を有する駆動回路506と、画素TFT504、保持容量505とを有する画素部507を同一基板上に形成することができる。こうして、アクティブマトリクス基板が完成する。
【0115】
駆動回路506のnチャネル型TFT501はチャネル形成領域423c、ゲート電極の一部を構成する第1の導電層428aと重なる低濃度不純物領域423b(GOLD領域)、とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域423aを有している。このnチャネル型TFT501と電極466で接続してCMOS回路を形成するpチャネル型TFT502にはチャネル形成領域446d、ゲート電極の外側に形成される不純物領域446b、446c、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域446aを有している。また、nチャネル型TFT503にはチャネル形成領域425c、ゲート電極の一部を構成する第1の導電層430aと重なる低濃度不純物領域425b(GOLD領域)、とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域425aを有している。
【0116】
画素部の画素TFT504にはチャネル形成領域426c、ゲート電極の外側に形成される低濃度不純物領域426b(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域426aを有している。また、保持容量505の一方の電極として機能する半導体層447a、447bには、それぞれp型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量505は、絶縁膜444を誘電体として、電極(438aと438bの積層)と、半導体層447a〜447cとで形成している。
【0117】
また、本実施例の画素構造は、ブラックマトリクスを用いることなく、画素電極間の隙間が遮光されるように、画素電極の端部をソース配線と重なるように配置形成する。
【0118】
また、本実施例で作製するアクティブマトリクス基板の画素部の上面図を図13に示す。なお、図9〜図12に対応する部分には同じ符号を用いている。図12中の鎖線A−A’は図13中の鎖線A―A’で切断した断面図に対応している。また、図12中の鎖線B−B’は図13中の鎖線B―B’で切断した断面図に対応している。
【0119】
[実施例5]
本実施例では、実施例4で作製したアクティブマトリクス基板から、反射型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図14を用いる。
【0120】
まず、実施例4に従い、図12の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図12のアクティブマトリクス基板上、少なくとも画素電極470上に配向膜567を形成しラビング処理を行なう。なお、本実施例では配向膜567を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ572を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【0121】
次いで、対向基板569を用意する。次いで、対向基板569上に着色層570、571、平坦化膜573を形成する。赤色の着色層570と青色の着色層572とを重ねて、遮光部を形成する。また、赤色の着色層と緑色の着色層とを一部重ねて、遮光部を形成してもよい。
【0122】
本実施例では、実施例4に示す基板を用いている。従って、実施例4の画素部の上面図を示す図13では、少なくともゲート配線469と画素電極470の間隙と、ゲート配線469と接続電極468の間隙と、接続電極468と画素電極470の間隙を遮光する必要がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色層の積層からなる遮光部が重なるように各着色層を配置して、対向基板を貼り合わせた。
【0123】
このように、ブラックマスク等の遮光層を形成することなく、各画素間の隙間を着色層の積層からなる遮光部で遮光することによって工程数の低減を可能とした。
【0124】
次いで、平坦化膜573上に透明導電膜からなる対向電極576を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜574を形成し、ラビング処理を施した。
【0125】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材568で貼り合わせる。シール材568にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料575を注入し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料575には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図14に示す反射型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、対向基板のみに偏光板(図示しない)を貼りつけた。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつけた。
【0126】
以上のようにして作製される液晶表示パネルは各種電子機器の表示部として用いることができる。
【0127】
また、本実施例は実施例1乃至5と自由に組み合わせることが可能である。
【0128】
[実施例6]
本実施例では、画素部に使用するnチャネル型TFTの下方に遮光膜を兼ねるゲート配線を設けた液晶表示装置の例を図6に示す。図6(A2)は、画素部の画素の一つを拡大した上面図であり、図6(A2)において、点線E−E'で切断した部分が、図6(A1)の画素部の断面構造に相当する。
【0129】
図6において、801は基板、802はゲート配線、803a、803bはゲート配線を覆う絶縁膜、808はゲート絶縁膜、810はゲート電極、811は容量配線である。なお、このゲート配線802は活性層を光から保護する遮光層としても機能する。また、活性層は、非晶質半導体膜を形成して結晶化を助長する金属元素を添加したのち、加熱処理を行なって結晶質半導体膜を形成した。前記活性層は、812〜815で示す領域からなり、そのうち812は、LDD領域となる低濃度不純物領域、813は、高濃度にリンが添加されたソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域、814、815はチャネル形成領域である。なお、低濃度不純物領域812は、セルフアラインでドーピングされており、ゲート電極910とは重なっていない。これらの不純物領域のうち、少なくとも高濃度不純物領域を形成するときは、本発明を適用する。すなわち、不純物元素を添加するときに、基板の温度が低温になるように処理することで、ドーピング処理後の加熱処理によって、効率良く前記金属元素をチャネル形成領域814、815から除去することが出来る。
【0130】
また、図6において、816は、パッシベーション膜、817は有機樹脂材料からなる層間絶縁膜、818は画素電極と高濃度不純物領域を接続する電極、819はソース配線、820はアクリルからなる層間絶縁膜、821は遮光層、822は層間絶縁膜、823、824は透明導電膜からなる画素電極である。
【0131】
また、本実施例は実施例1乃至6と自由に組み合わせることが可能である。
【0132】
[実施例7]
本実施例では、本発明を用いて発光装置として、EL(Electro Luminescence;エレクトロルミネセンス)表示装置を作製した例について説明する。ELとは、電場を加えることで発生するルミネッセンスが得られる有機化合物を含む層(EL素子)を光源とする発光装置である。有機化合物におけるELには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)がある。なお、図15は本発明の発光装置の断面図である。
【0133】
図15において、基板700上に設けられたスイッチングTFT603は図15のnチャネル型TFT503を用いて形成される。したがって、構造の説明はnチャネル型TFT503の説明を参照すれば良い。
【0134】
なお、本実施例ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【0135】
基板700上に設けられた駆動回路は図15のCMOS回路を用いて形成される。従って、構造の説明はnチャネル型TFT501とpチャネル型TFT502の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【0136】
また、配線701、703はCMOS回路のソース配線、702はドレイン配線として機能する。また、配線704はソース配線708とスイッチングTFTのソース領域とを電気的に接続する配線として機能し、配線705はドレイン配線709とスイッチングTFTのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機能する。
【0137】
なお、電流制御TFT604は図15のpチャネル型TFT502を用いて形成される。従って、構造の説明はpチャネル型TFT502の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【0138】
また、配線706は電流制御TFTのソース配線(電流供給線に相当する)であり、707は電流制御TFTの画素電極710上に重ねることで画素電極710と電気的に接続する電極である。
【0139】
なお、710は、透明導電膜からなる画素電極(EL素子の陽極)である。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極710は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜711上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜711を用いてTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【0140】
配線701〜707を形成後、図15に示すようにバンク712を形成する。バンク712は100〜400nmの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。
【0141】
なお、バンク712は絶縁膜であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例ではバンク712の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は1×106〜1×1012Ωm(好ましくは1×108〜1×1010Ωm)となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。
【0142】
画素電極710の上にはEL層713が形成される。なお、図15では一画素しか図示していないが、本実施例ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応したEL層を作り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機EL材料を形成している。具体的には、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設け、その上に発光層として70nm厚のトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3)膜を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
【0143】
但し、以上の例はEL層として用いることのできる有機EL材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてEL層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機EL材料をEL層として用いる例を示したが、高分子系有機EL材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【0144】
次に、EL層713の上には導電膜からなる陰極714が設けられる。本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のMgAg膜(マグネシウムと銀との合金膜)を用いても良い。陰極材料としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。
【0145】
この陰極714まで形成された時点でEL素子715が完成する。なお、ここでいうEL素子715は、画素電極(陽極)710、EL層713及び陰極714で形成されたダイオードを指す。
【0146】
EL素子715を完全に覆うようにしてパッシベーション膜716を設けることは有効である。パッシベーション膜716としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
【0147】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いることは有効である。DLC膜は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いEL層713の上方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、EL層713の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間にEL層713が酸化するといった問題を防止できる。
【0148】
さらに、パッシベーション膜716上に封止材717を設け、カバー材718を貼り合わせる。封止材717としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。また、本実施例においてカバー材718はガラス基板や石英基板やプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)の両面に炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を形成したものを用いる。
【0149】
こうして図15に示すような構造の発光装置が完成する。なお、バンク712を形成した後、パッシベーション膜716を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式(またはインライン方式)の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材718を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。
【0150】
こうして、プラスチック基板を母体とする絶縁体501上にnチャネル型TFT601、602、スイッチングTFT(nチャネル型TFT)603および電流制御TFT(nチャネル型TFT)604が形成される。ここまでの製造工程で必要としたマスク数は、一般的なアクティブマトリクス型発光装置よりも少ない。
【0151】
即ち、TFTの製造工程が大幅に簡略化されており、歩留まりの向上および製造コストの低減が実現できる。
【0152】
さらに、図15を用いて説明したように、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いnチャネル型TFTを形成することができる。そのため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
【0153】
また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【0154】
さらに、EL素子を保護するための封止(または封入)工程まで行った後の本実施例のEL発光装置について図16を用いて説明する。なお、必要に応じて図15で用いた符号を引用する。
【0155】
図16(A)は、EL素子の封止までを行った状態を示す上面図、図16(B)は図16(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された801はソース側駆動回路、806は画素部、807はゲート側駆動回路である。また、901はカバー材、902は第1シール材、903は第2シール材であり、第1シール材902で囲まれた内側には封止材907が設けられる。
【0156】
なお、904はソース側駆動回路801及びゲート側駆動回路807に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)905からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
【0157】
次に、断面構造について図16(B)を用いて説明する。基板700の上方には画素部806、ゲート側駆動回路807が形成されており、画素部806は電流制御TFT604とそのドレインに電気的に接続された画素電極710を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路807はnチャネル型TFT601とpチャネル型TFT602とを組み合わせたCMOS回路(図14参照)を用いて形成される。
【0158】
画素電極710はEL素子の陽極として機能する。また、画素電極710の両端にはバンク712が形成され、画素電極710上にはEL層713およびEL素子の陰極714が形成される。
【0159】
陰極714は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線904を経由してFPC905に電気的に接続されている。さらに、画素部806及びゲート側駆動回路807に含まれる素子は全て陰極714およびパッシベーション膜567で覆われている。
【0160】
また、第1シール材902によりカバー材901が貼り合わされている。なお、カバー材901とEL素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、第1シール材902の内側には封止材907が充填されている。なお、第1シール材902、封止材907としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第1シール材902はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、封止材907の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い。
【0161】
EL素子を覆うようにして設けられた封止材907はカバー材901を接着するための接着剤としても機能する。また、本実施例ではカバー材901を構成するプラスチック基板901aの材料としてFRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
【0162】
また、封止材907を用いてカバー材901を接着した後、封止材907の側面(露呈面)を覆うように第2シール材903を設ける。第2シール材903は第1シール材902と同じ材料を用いることができる。
【0163】
以上のような構造でEL素子を封止材907に封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。
【0164】
また、本実施例は実施例1乃至7と自由に組み合わせることが可能である。
【0165】
[実施例8]
本発明を適用して、様々な電気光学装置(アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマトリクス型発光装置、アクティブマトリクス型EC表示装置)を作製することができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【0166】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げられる。それらの一例を図17、図18及び図19に示す。
【0167】
図17(A)はパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を表示部2003に適用することができる。
【0168】
図17(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を表示部2102に適用することができる。
【0169】
図17(C)はモバイルコンピュータ(モービルコンピュータ)であり、本体2201、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。本発明は表示部2205に適用できる。
【0170】
図17(D)はゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。本発明は表示部2302に適用することができる。
【0171】
図17(E)はプログラムを記録した記録媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Digtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行なうことができる。本発明は表示部2402に適用することができる。
【0172】
図17(F)はデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部2503、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を表示部2502に適用することができる。
【0173】
図18(A)はフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶表示装置2808やその他の駆動回路に適用することができる。
【0174】
図18(B)はリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2702の一部を構成する液晶表示装置2808やその他の駆動回路に適用することができる。
【0175】
なお、図18(C)は、図18(A)及び図18(B)中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図18(C)中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
【0176】
また、図18(D)は、図18(C)中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図18(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
【0177】
ただし、図18に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及び発光装置での適用例は図示していない。
【0178】
図19(A)は携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906等を含む。本発明を表示部2904に適用することができる。
【0179】
図19(B)は携帯書籍(電子書籍)であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表示部3002、3003に適用することができる。
【0180】
図19(C)はディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上(特に30インチ以上)のディスプレイには有利である。
【0181】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜7のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【0182】
【発明の効果】
本発明の構成を採用することにより、以下に示すような基本的有意性を得ることが出来る。
(a)従来のTFTの作製プロセスに適合した、簡単な方法である。
(b)工程時間の短縮を図ることができる。
(c)不純物元素の添加量を減らすことができる。
(d)不純物元素の添加による結晶の欠陥の回復が容易になる。
(e)被ゲッタリング領域のサイズが拡大でき、面積効率が向上するため、設計の自由度が向上する。
(f)以上の利点を満たした上で、ゲッタリング能力を向上させ、電気的特性の優れたTFTを作製できる方法である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 イオン添加時の電流密度と温度の関係を示す図。
【図2】 ゲッタリング後の光学顕微鏡による半導体膜の表面観察を示す図。
【図3】 ゲッタリング後の光学顕微鏡による半導体膜の表面観察を示す図およびその模式図。
【図4】 電流密度とエッチピットの関係を示す図。
【図5】 (A)イオン添加後の電流密度とラマンスペクトルの関係を示す図。
(B)加熱処理後の電流密度とラマンスペクトルの関係を示す図。
【図6】 画素TFTの構成の一例を示す断面図および上面図。
【図7】 本発明が開示するゲッタリング技術を説明するための図。
【図8】 本発明が開示するゲッタリング技術を説明するための図。
【図9】 画素TFT、駆動回路のTFTの作製工程を示す断面図。
【図10】 画素TFT、駆動回路のTFTの作製工程を示す断面図。
【図11】 画素TFT、駆動回路のTFTの作製工程を示す断面図。
【図12】 画素TFT、駆動回路のTFTの作製工程を示す断面図。
【図13】 画素TFTの構成を示す上面図。
【図14】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程を示す断面図。
【図15】 発光装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図16】 (A)発光装置の上面図。
(B)発光装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図17】 半導体装置の一例を示す図。
【図18】 半導体装置の一例を示す図。
【図19】 半導体装置の一例を示す図。
Claims (7)
- ガラス基板上に形成された半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化し、
前記基板の温度が200℃以下になるように、結晶化した前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域中に少なくとも2回に分けて選択的に15族に属する不純物元素を添加して不純物領域を形成し、
加熱処理により前記不純物領域に前記半導体膜のチャネル形成領域の前記金属元素を移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ガラス基板上に形成された半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化し、
前記基板の温度が200℃以下になるように、結晶化した前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域中に低電流密度で選択的に15族に属する不純物元素を添加して不純物領域を形成し、
加熱処理により前記不純物領域に前記半導体膜のチャネル形成領域の前記金属元素を移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記低電流密度とは、1μA/cm2であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記金属元素は、ニッケル、パラジウム、及び鉛のいずれかの元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記不純物元素は、n型を付与する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記半導体装置は、液晶表示装置または発光装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、DVDプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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