CN100511700C - 发光装置和电子仪器 - Google Patents

发光装置和电子仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN100511700C
CN100511700C CNB2006101446123A CN200610144612A CN100511700C CN 100511700 C CN100511700 C CN 100511700C CN B2006101446123 A CNB2006101446123 A CN B2006101446123A CN 200610144612 A CN200610144612 A CN 200610144612A CN 100511700 C CN100511700 C CN 100511700C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
electrode
emitting
auxiliary wiring
contact hole
Prior art date
Application number
CNB2006101446123A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1967863A (zh
Inventor
洼田岳彦
Original Assignee
精工爱普生株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2005328491 priority Critical
Priority to JP2005328491 priority
Priority to JP2006088287 priority
Application filed by 精工爱普生株式会社 filed Critical 精工爱普生株式会社
Publication of CN1967863A publication Critical patent/CN1967863A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100511700C publication Critical patent/CN100511700C/zh

Links

Abstract

在覆盖驱动晶体管Tdr的第二绝缘层(42)的表面形成第一电极(61)。第一电极(61)经由第二绝缘层(42)的接触孔CH与驱动晶体管Tdr的漏极电极(34)接触。在第一电极(61)和与它相对的第二电极(62)之间形成发光层(66)。在来自发光层(66)的放射光的出射一侧形成辅助布线(70)。辅助布线(70)由电阻率比第二电极(62)还低的导电材料形成,是与第二电极(62)电连接的布线,包含与第二绝缘层(42)的接触孔CH重叠的部分。抑制绝缘层的接触孔引起的光量的不均匀。

Description

发光装置和电子仪器

技术领域

本发明涉及具有由有机EL(ElectroLuminescent)材料等各种发光材料 形成的发光层的发光装置的构造。

背景技术

为了控制基于发光层的发光,从以往就提出使用开关元件(典型上, 晶体管)的有源矩阵方式的发光装置。这种发光装置包含:在基板的面上 形成的开关元件、覆盖该开关元件的绝缘层、形成在该绝缘层的面上的第 一电极和第二电极、插在两电极之间的发光层。第一电极经由绝缘层上形 成的接触孔,与开关元件的电极(漏极电极或源极电极)电连接(例如, 专利文献1)。

[专利文献l]特开2002-318556号公报。 发明内容

可是,在该结构中,太阳光或照明光等外来光通过绝缘层的接触孔到 达开关元件的电极,有时该表面的反射光(以下称作"不要反射光")向 观察一侧出射。该不要反射光与来自发光层的出射光其特性不同(例如光 量或分光特性),所以成为发光装置的面内的光量(亮度)的偏移的原因。

此外,例如在不仅绝缘层的表面,还进入接触孔的内侧地形成发光层

的结构中,从发光层中沿着接触孔的内周面的部分也出射光(以下称作"不

要放射光")。可是,在发光层中位于绝缘层的表面上的部分和进入接触孔

的内侧的部分,膜厚不同,所以来自前者的出射光和从后者出射的不要放

射光在光量或分光特性不同。因此,该结构的不要放射光也成为发光装置 的面内的光量偏移(不均匀)的原因。

4如上所述,在开关元件和第一电极经由绝缘层的接触孔导通的结构 中,存在由于位于接触孔的底面的电极的不要反射光或来自进入接触孔的 内侧的发光层的不要放射光,光量上发生不均匀(损害发光的均一性)的 问题。把这样的事情作为背景,本发明的目的在于抑制绝缘层的接触孔引 起的光量不均匀的课题的解决。

为了解决该课题,本发明的发光装置具有:形成在基板的面上的开关 元件(例如图2的驱动晶体管Tdr);覆盖开关元件的绝缘层(例如图3的 第二绝缘层42);形成在绝缘层的面上,经由该绝缘层的接触孔(例如图 2或图3的接触孔CH)与开关元件电连接的第一电极;隔着第一电极, 在与基板相反的一侧形成的第二电极;介于第一电极和第二电极之间的发 光层;相对于绝缘层,配置在基于发光层的放射光的出射一侧,从垂直于 基板的方向观察,包含与接触孔重叠的部分的遮光体(例如,各实施例的 辅助布线70和遮光层81)和由绝缘材料形成,进入所述接触孔的内侧的 空间的绝缘部。

根据该结构,与接触孔重叠的遮光体配置在绝缘层的观察一侧(基于 发光层的放射光的出射一侧)。因此,太阳光或照明光等外来光由遮光体 遮断,所以不到达接触孔或开关元件(特别是电极)。此外,假使外来光 通过接触孔,到达开关元件时,该表面的不要反射光也由遮光体遮断。在 发光层进入接触孔的内侧的结构中(例如图9~图13的结构),来自发光层 中沿着接触孔的内周面的部分的不要放射光由遮光体遮断。根据本发明, 不要反射光和不要放射光由遮光体遮断,所以能抑制接触孔引起的光量的 不均匀。

须指出的是,本发明的"相对于绝缘层,基于发光层的放射光的出射 一侧"意味着来自发光层的放射光的出射本来预定的一侧。例如,在第一 电极具有光透过性的底发光型的发光装置中,从绝缘层观察,基板一侧相 当于"基于发光层的放射光的出射一侧"。此外,在第二电极具有光透过 性的顶发光型的发光装置中,从绝缘层观察,与基板相反一侧相当于"基 于发光层的放射光的出射一侧"。此外,如果着眼于发光装置的用途,例 如发光装置作为显示装置利用时,相对于绝缘层,观察一侧(视觉识别基 于发光装置的显示图像的观察者所在位置)相当于"基于发光层的放射光 的出射一侧",作为把感光体磁鼓等感光体曝光的曝光装置(曝光头),使用发光装置时,相对于绝缘层,感光体一侧相当于"基于发光层的放射光 的出射一侧"。

可是,遮光体的光反射率比开关元件的电极高时,虽然消除了接触孔 引起的发光的不均匀性,但是遮光体的外来光的反射光有可能对发光的均 匀性带来影响。因此,在本发明的形态中,开关元件包含经由接触孔从绝 缘层露出的部分与第一电极接触的电极(例如,图2和图3的漏极电极34), 遮光体由光反射率比开关元件的电极低的材料形成。根据该结构,遮光体 由光反射率比开关元件的电极低的材料形成,所以能消除接触孔的反射光 的影响和遮光体的反射光的影响,增进发光的均匀性。

在第二电极的电阻值高时,由于第二电极的电压下降,有可能损害发

光层的发光的均匀性。在第二电极由ITO (Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等高电阻的材料形成的结构中(顶发光型)、第二电极跨宽范 围连续分布的结构中,第二电极的电压下降特别显著,所以发光的不均匀 性更深刻。因此,在本发明的形态中,把由电阻率比第二电极还低的导电 材料形成,与该第二电极电连接的辅助布线作为遮光体利用。根据该结构, 由于第二电极导通的辅助布线抑制电压下降,所以能抑制电压下降引起^ 发光的不均匀性。须指出的是,该形态的具体例后面作为实施例1(图2、 图3)、实施例2 (图5、图6)、实施例4 (图9)、实施例5 (图10)实施 例8 (图14、图15)描述。

须指出的是,以上表示辅助布线兼任遮光体的结构,但是在本发明中, 也采用在遮光体之外另外形成辅助布线的结构。在后者的结构中,如果由 具有良好的光透过性的材料形成辅助布线,就不发生特别的问题。可是, 为了满足电阻率比第二电极低的条件,作为辅助布线的材料,常常必须采 用遮光性的导电材料。而且,在遮光体之外另外形成辅助布线的结构中, 如果与不形成辅助布线的结构相比,存在只有辅助布线的部分开口率(像 素分布的区域中实际光出射的区域占的比率)下降的问题。而如上所述, 根据辅助布线兼任遮光体的形态,与辅助布线从遮光体独立形成的结构相 比,具有开口率提高的优点。此外,开口率增加意味着为了从发光装置出 射所需的光量而应该对发光层供给的电能减少。对发光层(特别是有机 EL材料)供给的电能越高,特性的恶化越进行,所以根据能减少提供给发光层的电能的本形态,与由辅助布线制约开口率的结构相比,具有能使 发光层的寿命(发光量或发光效率等的特性值下降到给定值的时间长度) 长期化的问题。

在辅助布线作为遮光体利用的形态中,从垂直于基板的方向观察,辅 助布线与由接触孔的内周缘包围的区域(开口区域)的全区重叠。根据该 形态,能增大接触孔引起的不要反射光或不要放射光中由遮光体遮断的比 率。该形态的具体例后面作为实施例l(图2、图3)、实施例4 (图9)描 述。须指出的是,通过利用掩模的蒸镀等成膜技术形成遮光体(辅助布线) 时,即使要与接触孔的开口区重叠地形成遮光体,有时由于制造上的偏差 (掩模的偏移),在遮光体的位置产生误差。即使是由于误差,开口区的 一部分与遮光体不重叠的结构中,在设计上,遮光体与开口区的全区重叠 可以说满足本形态的"与由接触孔的内周缘包围的区域重叠"的要件。

从垂直于基板的方向观察,可以是辅助布线与由接触孔的内周缘包围

的区域的一部分(例如图6或图10的区域Al)重叠的结构。在该结构中, 配置包含与由接触孔的内周缘包围的区域中与辅助布线不重叠的区域(例 如,图6或图10的区域A2)重叠的部分的遮光层。根据该结构,未由辅 助布线遮断的不要反射光或不要放射光由遮光层遮断。因此,与和接触孔 的全区重叠地形成辅助布线的形态同样,能增大接触孔引起的不要反射光 或不要放射光中由遮光体遮断的比率。须指出的是,该形态的具体例后面 作为实施例2(图5、图6)、实施例5 (图IO)描述。

以上表示辅助布线兼任遮光体的结构,但是也采用在遮光体之外另外 配置辅助布线的结构。根据该形态,如果辅助布线具有光反射性,就有可 能由于辅助布线的表面的反射光(外来光),损害发光的均匀性。因此, 在更适合的形态中,从垂直于基板的方向观察,遮光体与辅助布线重叠。 根据该形态,接触孔的不要反射光或不要放射光当然由辅助布线的表面的 反射光遮断,所以能维持发光的均匀性。换言之,作为辅助布线的材料, 釆用光反射性的材料时,也不阻碍发光的不均匀性,所以,具有能扩大辅 助布线的材料的选择余地的优点。须指出的是,本形态的具体例后面作为 实施例3(图7、图8)、实施例6(图11)、实施例7(图12、图13)描述。

须指出的是,以h的各形态的辅助布线的具体形态是任意的。分别包含第一电极、第二电极和发光层的多个发光元件在第一方向(例如图16 的X方向)排列构成的多个元件群(例如属于各行的多个发光元件的集合)

在与第一方向交叉的第二方向并列的形态中,辅助布线在多个元件群中彼 此相邻的第一元件群(例如图16的第i行)和第二元件群(图16的第i+l

行)的间隙(例如图16的间隙S1),形成在第一方向延伸的形状,在相对 于第二元件群,与第一元件群相反一侧的第三元件群(图16的第i+2行) 和第二元件群的间隙(例如图16的间隙S2)没有形成。在该形态中,在 第二元件群和第三元件群的间隙不形成辅助布线,所以与在全部元件群的 间隙形成辅助布线的结构相比,能削减形成辅助布线的区域或由辅助布线 和发光元件的间隙确保的区域(边缘区)的面积。因此,幵口率的提高和 辅助布线的低电阻化的同时实现变得容易。不削减辅助布线的线宽,就能 提高开口率,或者不使开口率(发光元件的面积下降),就能扩大辅助布 线的线宽(降低电阻)。

在把2以上的元件群作为单位,配置1条辅助布线的结构中,在辅助 布线的形成时适合采用利用掩模的蒸镀。即制造发光装置的方法中形成辅 助布线的步骤包含:准备给定形状的掩模的过程;通过掩模蒸镀电阻率比 第二电极还低的材料,形成辅助布线的过程。前者的过程中准备的掩模把 与多个元件群中彼此相邻的第一元件群和第二元件群的间隙相对的区域 (例如图18的区域RA)开口,遮蔽与相对于第二元件群,在与第一元件 群相反一侧的第三元件群和第二元件群的间隙相对的区域(例如区域 RB2)。以上的方法中使用的掩模遮蔽与第三元件群和第二元件群的间隙相 对的区域,所以与全部元件群的间隙相对的区域开口的掩模相比,机械强 度高。因此,能抑制掩模的变形引起的辅助布线的误差和掩模的破损。

在本发明的形态中,设置由绝缘材料形成且进入接触孔的内侧的空间 的绝缘部,发光层没有进入接触孔的内侧的空间。根据该结构,在接触孔 的内侧不存在发光层,所以没有由于从该部分出射的不要放射光,损害发 光的均匀性。须指出的是,该形态的具体例在后面作为实施例1(图2、图 3)、实施例2 (图5、图6)、实施例3 (图7、图8)描述。须指出的是, 发光层可以隔着绝缘部截断的方式分布,也可以覆盖绝缘部的方式连续分 布(例如参照图20)。在本发明的其他形态中,遮光体在给定方向延伸,接触孔形成从垂直 于基板的方向观察,把给定方向作为长轴方向的形状。根据本形态,能充 分确保接触孔的面积,所以能降低第- - 电极和开关元件的假接触部的电 阻,或者能增进量者的导通的可靠性。

本发明的发光装置也能应用于顶发光型和底发光型的任意一个。在顶 发光型的发光装置中,第二电极使来自发光层的出射光透过。在底发光型 的发光装置中,第一电极使来自发光层的出射光透过。在底发光型的发光 装置的适合的形态中,开关元件包含经由接触孔从绝缘层露出的部分与第 --电极接触的电极,遮光体由光反射率比开关元件的电极还低的材料在开 关元件的电极和基板之间形成,与该电极相对。根据本形态,开关元件的 电极的反射光由遮光体遮断,所以能维持发光的均匀性。须指出的是,底 发光型发光装置的具体例在后面作为实施例8(图14、图15)描述。

须指出的是,在以上表示的底发光型的发光装置中,也采用辅助布线 兼任遮光体的结构。在该结构中,辅助布线经由绝缘层的接触孔(例如图

14的接触孔CH5)与第二电极电连接。此外,遮光体由与构成开关元件 的要素(例如图14的栅极电极242)相同的材料形成。根据本形态,通过 单一导电膜的构图,能用一个步骤统一形成开关元件的电极和遮光体,所 以与遮光体由与开关元件不同的步骤形成时相比,能实现制造步骤的简化 或制造成本的降低。

本发明的发光装置在各种电子仪器中利用。该电子仪器的典型例是把 发光装置作为显示装置利用的仪器。作为这种电子仪器,有个人电脑或移 动电话。本发明的发光装置的用途并不局限于图像的显示。例如,本发明 的发光装置能应用于通过光线的照射而在感光体磁鼓等的像载体上形成潜 像的曝光装置(曝光头)、配置在液晶装置的背面一侧并且照亮它的装置 (背光)、或者搭载在扫描仪等图像读取装置上并且照亮原稿的装置等各 种照明装置。

附图说明

下面简要说明附图。

图1是表示本发明实施例1的发光装置的电结构的电路图。图2是表示一个像素的结构的俯视图。 图3是从图2的III-III线观察的剖视图。 图4是表示辅助布线的形态的俯视图。

图5是表示本发明实施例2的像素的结构的俯视图。

图6是从图5的VI-VI线观察的剖视图。

图7是表示本发明实施例3的像素的结构的俯视图。

图8是从图7的VIII-VIII线观察的剖视图。

图9是表示本发明实施例4的像素的结构的剖视图。

图10是表示本发明实施例5的像素的结构的剖视图。 '

图11是表示本发明实施例6的像素的结构的剖视图。

图12是表示本发明实施例7的像素的结构的剖视图。

图13是从图12的xm-xm线观察的剖视图。

图14是表示本发明实施例8的像素的结构的俯视图。

图15是从图14的XV-XV线观察的剖视图。

图16是表示本发明实施例9的像素的排列的俯视图。

图17是从图16的XVII-XVII线观察的剖视图。

图18是用于说明形成辅助布线的步骤的剖视图。

图19是表示实施例9的其他形态的像素的结构的俯视图。

图20是表示各实施例的变形例的像素的结构的剖视图。

图21是表示本发明的电子仪器的具体形态的立体图。

图22是表示本发明的电子仪器的具体形态的立体图。

图23是表示本发明的电子仪器的具体形态的立体图。

符号的说明。

D—发光装置;P—像素;E—发光元件;10—基板;ll一选择线;13

一信号线;15--电源线;70—辅助布线;40—栅绝缘层;41一第一绝缘层; 42—第二绝缘层;44一反射层;61—第一电极;62—第二电极;66—发光 层;64—绝缘部;641—开口部;80—基板;81—遮光层。

具体实施方式

A:实施例1

10图1是表示本发明实施例1的发光装置的电结构的框图。该发光装置 D是搭载在各种电子仪器上且显示图像的显示装置,如图1所示,具有在 X方向延伸的多个选择线11、在与X方向正交的Y方向延伸的多个信号 线13。在选择线11和信号线13的各交叉配置像素P。因此,这些像素P

在给定的区域内(以下称作"发光区",跨X方向和Y方向,排列为矩阵状。

一个像素P包含:通过电流的供给而发光的发光元件E、用于控制对

该发光元件E供给的电流的驱动晶体管Tdr和选择晶体管Tsl。发光元件 E是在第一电极61和第二电极62之间存在由有机EL材料构成的发光层 66的元件。发光层66以从第一电极61流到第二电极62的电流所对应的 亮度(光量)发光。

驱动晶体管Tdr是用于控制对发光元件E供给的电流量的开关元件, 源极电极与电源线15连接。对电源线15供给高位一侧的电源电位Vdd。 在驱动晶体管Tdr的栅极电极和源极电极之间插入用于保持驱动晶体管 Tdr的栅极电极电位的电容元件C。此外,驱动晶体管Tdr的漏极电极与 发光元件E的第一电极61连接。对发光元件E的第二电极62经由辅助布 线70供给低位一侧的电源电位Gnd。须指出的是,后面描述辅助布线70 的作用和具体的形态。

而选择晶体管Tsl存在于驱动晶体管Tdr的栅极电极和信号线13之 间,是控制两者的电连接的开关元件。选择晶体管Tsl的栅极电极与选择 线11连接。须指出的是,在本实施例中,列举驱动晶体管Tdr为p沟道 类型,选择晶体管Tsl为n沟道类型的结构,但是各导电类型能任意变更。

对选择线11供给的选择信号转变为有效电平,如果选择晶体管Tsl 变为导通状态,与对像素P指定的灰度对应的数据电位Vdata从信号线13 经由选择晶体管Tsl提供给驱动晶体管Tdr的栅极电极。这时,在电容元 件C积蓄与数据电位Vdata对应的电荷,所以选择线11转变为非有效电 平,选择晶体管Tsl变为断开状态,驱动晶体管Tdr的栅极电极维持数据 电位Vdata。对发光元件E供给与驱动晶体管Tdr的栅极电极的电位对应 的电流(即与数据电位Vdata对应的电流)。通过该电流的供给,发光元 件E以与数据电位Vdata对应的亮度(光量)发光。图2是表示一个像素P的具体结构的俯视图,图3是从图2的Ill-Ill

线观察的剖视图。须指出的是,图2是俯视图,但是为了容易把握各要素,

关于与图3公共的各要素,实施与图3相同的阴影。在以下的各实施例的 俯视图(图5、图7、图12、图14)中也同样。此外,在图2中,省略图 1的发光层66、第二电极62的图示。

如图3所示,驱动晶体管Tdr或发光元件E等图1的各要素形成在基 板10的表面上。基板10是把玻璃或塑料等各种绝缘性材料成形为大致长 方形的板状构件。须指出的是,把覆盖基板10的绝缘性膜体(例如氧化 硅或氮化硅等的膜体)作为基底,形成各像素P的要素。以下,把从基板 IO观察,形成驱动晶体管Tdr或发光元件E的一侧(即图3的上方)表示 为"观察一侧"。即"观察一侧"是视觉识别由发光装置D显示的图像的 观察者一侧。

如图2和图3所示,驱动晶体管Tdr包含:基板10的面上形成的半 导体层31、在基板10的全面上形成并且覆盖半导体层31的栅绝缘层40、 隔着栅绝缘层40与半导体层31相对的栅极电极242、源极电极33和漏极 电极34。半导体层31是由硅等半导体材料形成大致矩形的膜体。

如图2所示,在栅绝缘层40的面上形成中间导电体24。中间导电体 24中在X方向延伸,与半导体层31重叠的部分是栅极电极242。如图3 所示,半导体层31包含隔着栅绝缘层40与栅极电极242相对的沟道区31c、 夹着该沟道区31c的源区31s和漏区31d。

如图3所示,形成半导体层31或栅极电极242(中间导电体24)的基板 10的表面跨全区由第一绝缘层41覆盖。源极电极33或漏极电极34形成 在第一绝缘层41的面上。源极电极33如图2所示,是在X方向延伸的电 源线15的部分,经由贯通第一绝缘层41和栅绝缘层40的接触孔CHla 与半导体层31的源区31s导通。

漏极电极34成形为第一部分341和第二部分342连续的形状。第一 部分341经由贯通第一绝缘层41和栅绝缘层40的接触孔CHlb与半导体 层31的漏区31d导通。第二部分342如图2所示,是在X方向延伸的部 分。

如图2所示,中间导电体24包含与电源线】5重叠的电极部244、从栅极电极242沿着Y方向延伸并且与电源线15交叉的布线部246。电极 部244与电源线15隔着第一绝缘层41相对,从而构成图1的电容元件C。 而选择晶体管Tsl如图2所示,包含:基板10的面上形成的半导体 层51、隔着栅绝缘层40与半导体层51的沟道区相对的栅极电极112、覆 盖栅极电极112的第一绝缘层41的面上形成的漏极电极53和源极电极54。 栅极电极112是从在X方向延伸的选择线11向Y方向分支,与半导体层 51重叠的部分。选择线11和中间导电体24由公共的导电膜的构图,由同 一步骤形成。同样,漏极电极53和源极电极54、驱动晶体管Tdr的源极 电极33 (电源线15)和漏极电极34由单一的导电膜的构图,由相同的步 骤形成。

漏极电极53经由贯通第一绝缘层41和栅绝缘层40的接触孔CH2b 与半导体层51的漏区导通。同样,源极电极54经由接触孔CH2a与半导 体层51的源区导通。此外,源极电极54经由贯通第一绝缘层41的接触 孔CH3与中间导电体24的布线部246导通。据此,电连接选择晶体管Tsl 的源极电极54和驱动晶体管Tdr的栅极电极242。

如图2所示,图1的信号线13包含:在电源线15的下层在Y方向延 伸,与电源线15交叉的交叉部131;在各电源线15的间隙在Y方向延伸 的布线部132。交叉部131由与选择线11或中间导电体24公共的导电膜 形成。布线部132由于驱动晶体管Tdr的源极电极33或漏极电极34公共 的导电膜形成。布线部132的端部13a经由第一绝缘层41的接触孔CH4a 与交叉部131导通。同样,布线部132的端部13b通过第一绝缘层41的 接触孔CH4b与交叉部131导通。像以上那样通过各交叉部131和各布线 部132的电连接,构成信号线13。选择晶体管Tsl的漏极电极53是布线 部132中与半导体层51重叠的部分。

如图3所示,形成电源线15或漏极电极34的第一绝缘层41的表面 跨其全区由第二绝缘层42覆盖。第一绝缘层41或第二绝缘层42例如由 氧化硅或氮化硅等绝缘材料形成。如图2和图3所示,从垂直于基板10 的方向观察,在第二绝缘层42中与漏极电极34的第二部分342重叠的部 分形成在厚度方向贯通第二绝缘层42的接触孔CH。因此,第二部分342 经由接触孔CH从第二绝缘层42露出。如图2所示,如果从垂直于基板10的方向观察,接触孔CH是以X方向作为长轴方向的大致长方形。

在第二绝缘层42的面上(接触孔CH以外的表面),按各像素P,相 互分开形成大致长方形的反射层44。反射层44是由铝或银等合金或以它 们为主成分的合金等具有光反射性的材料形成的膜体,从发光层66向基 板IO—侧的出射光向观察一侧(图3的上方)反射。在第二绝缘层42的 表面上,按各像素P,彼此分开形成作为发光元件E的阳极起作用的第一 电极61 (参照图l)。第一电极6i是覆盖反射层44的大致长方形的电极, 例如由ITO (Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等光透过性的导 电材料形成。如图2和图3所示,第一电极61进入第二绝缘层42的接触 孔CH,与驱动晶体管Tdr的漏极电极34 (第二部分342)接触。通过该 接触,第-一电极61和驱动晶体管Tdr电连接。

第一电极61通过溅射或真空蒸镀等各种成膜技术,相对于接触孔CH 的外形尺寸,形成足够的膜厚。因此,如图3所示,在第一电极61形成 反映第二绝缘层42的膜厚和接触孔CH的外形的凹部611。即第一电极 61中与漏极电极3接触的部分相对于凹部611的底面部,第一电极61中 覆盖接触孔CH的内周面的部分相对于凹部611的侧面部。

如图3所示,在凹部611的内侧(即接触孔CH的内侧的空间)形成 绝缘部64。绝缘部64由绝缘材料(例如聚酰亚胺等树脂材料)形成。如 图3所示,绝缘部64掩埋凹部611地进入接触孔CH的内侧,与凹部611 的底面以及内周面接触,并且其上表面从第一电极61的表面突出。须指 出的是,绝缘部64还具有把凹部611的台阶差平坦化的作用。如果从有 效发挥该作用的观点出发,树脂材料特别适合绝缘部64的材料。采用树 脂材料时,第一,通过液状的树脂材料的涂敷等低廉的方法,能容易使绝 缘部64的表面平坦化;第二,能不发生破裂地形成足够凹部611的平坦 化的膜厚的绝缘部64;第三,由于树脂材料的硬化时的热处理,树脂材料 熔化,能把绝缘部64的表面平坦化。

图1的发光层66覆盖第一电极61的表面地在各像素P形成。如图3 所示,发光层66在形成绝缘部64的区域中不分布(即发光层66由绝缘 部64划分)。因此,发光层66没有进入接触孔CH的内侧的空间(凹部 611)。须指出的是,发光层66可以由高分子材料以及低分子材料的任一个形成。此外,还采用在发光层66层叠用于促进基于发光层66的发光或 提高其效率的各种功能层(孔穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子 输送层、孔穴阻挡(block)层、电子阻挡层)的结构。

如图3所示,图1的第二电极62是覆盖绝缘部64和发光层66的电 极,覆盖基板10的全区地形成,跨多个像素P连续分布。本实施例的第 二电极62由ITO或IZO等光透过性的导电材料形成。因此,从发光层66 向与基板10相反一侧出射的光、从发光层66向基板10 —侧出射并且由 反射层44的表面反射的光透过第二电极62,向观察一侧出射。即本实施 例的发光装置D是基于发光元件E的放射光向与基板10相反一侧出射的 顶发光型。须指出的是,在形成绝缘部64的区域(接触孔CH)不形成发 光层66 (第一电极61和第二电极62由绝缘部64绝缘),所以该部分成为 无助于发光的区域(所谓的死区)。

具有光透过性的导电材料的多数电阻率高,所以由这种材料形成的第 二电极62变为高电阻,该面内的电压下降变得显著。因此,对各发光元 件E供给的电位按照第二电极62的面内的位置而不同,作为结果,有时 产生发光区中的光量不均匀(亮度或灰度不均匀)。

为了消除光量的偏差,在本实施例中,形成用于辅助第二电极62的 导电性的辅助布线70。辅助布线70由电阻率比第二电极62低的导电材料 形成。本实施例的辅助布线70与第二电极62的表面接触地形成,与第二 电极62电导通。根据该结构,电流的大部分流过低电阻的辅助布线70, 所以能抑制第二电极62的电压下降。因此,对各发光元件E供给的电位 均匀化,作为结果,能有效抑制电压下降引起的光量的不均匀。本实施例 的辅助布线70由遮光性的导电材料形成。更希望由光反射率比漏极电极 34还低的材料形成辅助布线70。

图4是表示本实施例的辅助布线70的具体形态的俯视图。在图4中, 各第--电极61的外形由虚线表示。如图4所示,辅助布线70成形为与像 素P的各行对应并且在X方向延伸的多个第一部分71、与像素P的各列 对应并且在Y方向延伸的多个第二部分72交叉的格子状。辅助布线70的 形状并不限定为图4的例子。也可以为包含在X方向延伸的多个第一部分 71的形状。

15辅助布线70的第一部分71如图2所示,如果从垂直于基板10的方

向观察,则与第二绝缘层42的接触孔CH重叠。如果进一步详细描述, 则本实施例的第一部分71形成与在X方向延伸的接触孔CH的宽度(Y 方向的尺寸)大致相同的宽度或比这更宽。因此,如图2和图3所示,从 垂直于基板10的方向观察,第一部分71与接触孔CH的内周缘包围的区 域(以下,称作"开口区")的全区重叠。

可是,能作为驱动晶体管Tdr的漏极电极34的材料采用的导电材料 的多数具有光反射性。因此,在不形成辅助布线70的以往的结构中,有 时太阳光或照明光等外来光从观察一侧到达漏极电极34的表面,该表面 的反射光(不要反射光)向观察一侧出射。而且,由于该不要反射光的特 性和来自发光层66的出射光的特性不同,存在损害发光区的面内的光量 的均匀性的问题。而在本实施例中,遮光性的辅助布线70与接触孔CH 的开口区重叠地形成。因此,从观察一侧向漏极电极34的外来光由辅助 布线70的观察一侧的表面遮断。此外,假设外来光到达漏极电极34,该 表面的不要反射光也由辅助布线70的基板10—侧的表面遮断。如上所述, 根据本实施例,能防止不要反射光向观察一侧的出射,所以,能使发光区 的面内的光量(亮度或灰度)均匀化。

须指出的是,在本实施例中,列举辅助布线70与接触孔CH重叠的 结构,但是作为用于实现以上的效果的结构,还考虑与接触孔CH重叠地 形成辅助布线70之外的性物体(以下,称作"遮光体")的结构。在该结 构中,辅助布线70与接触孔CH不重叠地形成(例如参照图8或图'11)。 可是,在该结构中,接触孔CH以及辅助布线70双方的区域由无助于发 光的区域(所谓的死区)构成,所以存在制约发光装置D的开口率(像素 P分布的发光区中实际光出射的区域占的比率)的问题。而在本实施例中, 辅助布线70兼任接触孔CH的遮光体,所以与以上的结构相比,能增加 开口率。须指出的是,在本实施例中,能增加开口率意味着能降低为了从 发光装置D放射所需的光量而应该对发光层66供给的电能。对发光层66 供给的电能越高,越促进特性的恶化,所以在本实施例中,也可以说由于 开口率的增加,发光层66的寿命长期化。

此外,为了可靠地使驱动晶体管Tdr和第一电极61导通,希望充分确保接触孔CH的面积(即第一电极61和漏极电极34接触的面积)。可

是,根据辅助布线70和接触孔CH不重叠的结构,如果扩大接触孔CH的 面积,就存在按照该扩大部分,开口率下降的问题。而在本实施例中,与 接触孔CH重叠地形成辅助布线70,所以如果是由辅助布线70覆盖的区 域的范围内,即使接触孔CH的面积扩大,开口率也不下降。因此,根据 本实施例,如图2所示,通过采用在X方向为长边的矩形,能充分确保接 触孔CH的面积,作为结果,能减少驱动晶体管Tdr和第一电极61的接触 部分的电阻。

B:实施例2

下面说明实施例2。须指出的是,关于以下表示的各形态的发光装置 D中与实施例1同样的要素,付与公共的符号,适宜省略详细的说明。

图5是表示本实施例的像素P的结构的俯视图,图6是从图5的VI-VI 线观察的剖视图。在实施例1中,列举与接触孔CH的开口区的全区重叠 地形成辅助布线70的结构。而在本实施例中,如图5和图6所示,只与 接触孔CH的开口区中区域A1重叠地形成辅助布线70 (第一部分71)。 图6的区域A2是开口区中与辅助布线70不重叠的区域。

如图6所示,本实施例的发光装置D具有基板80。基板80是用于防 止外部气体或水分对发光元件E的附着的光透过性的板材,与基板10中 配置发光元件E的表面相对而配置。在基板80的与基板10相对的面形成 遮光层81。该遮光层81是由着色为黑色的树脂或铬等金属等遮光性材料 形成的膜体。如图5和图6所示,从垂直于基板10的方向观察,遮光层 81包含开口区中与区域A2重叠的部分。本实施例的遮光层81与图4所 示的辅助布线70同样形成与各像素P对应的格子状,与接触孔CH的开 口区的全区重叠地选择尺寸和形状。因此,遮光层81与辅助布线70的全 区重叠。本实施例的遮光层81由光反射率比漏极电极34或辅助布线70 还低的材料形成。

根据该结构,由漏极电极34的表面反射,在区域A2内前进的不要反 射光由遮光层81遮断。因此,即使辅助布线70只覆盖区Al,,也能产生 与实施例1同样的作用和效果。

在本实施例中,由光反射率比辅助布线70还低的材料形成的遮光层81与辅助布线70重叠。在该结构中,从观察一侧向辅助布线70的外来光

由遮光层81遮断。此外,外来光即使到达辅助布线70,该表面的反射光 也由遮光层81遮断。因此,即使由光反射率高的材料形成辅助布线70吋,. 也能抑制该辅助布线70的反射光引起的发光区内的光量的不均匀。即根 据本实施例,能防止来自漏极电极34以及辅助布线70双方的反射光(不 要反射光)向观察一侧出射。 C:实施例3

图7是表示本发明实施例3的像素P的结构的俯视图,图8是从图7 的VIII-VIII线观察的剖视图。在实施例1和实施例2中,列举从垂直于基 板10的方向观察,辅助布线70与接触孔CH重叠的结构。而如图7和图 8所示,本实施例的辅助布线70与开口区不重叠。

如图8所示,本实施例的绝缘部64从进入接触孔CH的部分开始, 在Y方向的负一侧连续分布,与相对于像素p,在Y方向的负一侧相邻的 其他像素P的第一电极61的周边重叠。绝缘部64中与接触孔CH不重叠 的部分641 (从接触孔CH观察,Y方向的负一侧的部分)在第二绝缘层 42的表面分布,所以与绝缘部64中与接触孔CH重叠的部分相比,是平 坦的。如图7和图8所示,辅助布线70形成在该部分641的表面(平坦 面)上。此外,第二电极62覆盖辅助布线70地形成。

在本实施例中,与实施例2同样,在基板80的表面形成遮光层81。 该遮光层81由光反射率比漏极电极34或辅助布线70还低的遮光性材料 形成。如图7和图8所示,如果从垂直于基板10的方向观察,遮光层81 与接触孔CH以及辅助布线70双方重叠。因此,在本实施例中,也能产 生与实施例1或实施例2同样的作用和效果。

可是,在与接触孔CH重叠形成的各要素(绝缘部64或第二电极62) 的表面有时出现反映该接触孔CH的形状(凹部)的台阶差。因此,在这 些要素的面上形成辅助布线70的结构中,由于表面的台阶差,辅助布线 70有可能剥离或断线。而在本实施例中,在绝缘部64中从接触孔CH偏 离的平坦的部分641的面上形成辅助布线70。因此,能有效防止辅助布线 70的断线。

D:实施例4

18图9是表示本发明的第四实施例的像素P的构成的剖面图。本实施例 的像素P的平面结构与图2相同。即图9相当于从图2的in — ni线观 察的剖面图。

如图9所示,在本实施例的发光装置D中,不形成掩埋接触孔CH的 绝缘部64。而且,跨多个像素P连续分布地在基板10的全区形成发光层 66。并且第一电极61按像素P相互离开形成。因此,即使发光层66跨多 个像素P连续,发光层66的光量也与以上的各实施例同样,按各像素P, 个别控制。

须指出的是,在象实施例1〜3那样,按各像素P区分发光层66的结 构中,通过适当选择各发光层66的材料,能使基于各像素P的发光颜色 不同。可是,在像本实施例那样,跨多个像素P连续形成发光层66的结 构中,无法按各像素P,使发光层66的本来的发光颜色不同。因此,根据 本实施例的结构,为了实现由多个颜色构成的图像的显示,在基板80(图 9中,省略图示)的表面形成与各像素P对应的滤色器。

如图9所示,发光层66中与接触孔CH重叠的部分进入第一电极61 的凹部611的内侧(接触孔CH的内侧的空间),与该凹部611的内周面和 底面接触。发光层66与接触孔CH的外形尺寸比较,形成足够薄的膜厚, 所以在发光层66的表面出现反映第一电极61的凹部611的台阶差的凹部。

在第二电极62的表面,与实施例l同样,从垂直于基板10的方向观 察与接触孔CH的开口区的全区重叠地形成辅助布线70 (更具体而言第一 部分71)。因此,在本实施例中,能用一个步骤统一形成各像素P的发光 层66,并且没必要形成实施例1〜实施例3的绝缘部64,所以与以上的各 形态相比,能实现制造步骤的简化和制造成本的降低。

可是,如图9所示,发光层66中覆盖第一电极61的凹部611的内周 面的部分661与此外的部分同样,存在于第一电极61和第二电极62之间。 因此,在驱动各发光元件E时,从部分661也出射光(不要放射光)。可 是,不要放射光的特性与(光量或分光特性)与来自此外的部分的出射光 的特性不同,所以使不要放射光向观察一侧出射时,损害发光装置D的发 光的均匀性。此外,发光层66中来自部分661以外的部分的出射光和来 自部分661的不要放射光相互干涉,作为结果,向观察一侧的出射光有可能呈现特定的颜色。在本实施例中,与接触孔CH重叠地形成辅助布线70,

所以从凹部611向观察一侧的不要放射光由辅助布线70遮断。如上所述,

根据本实施例,能遮断不要放射光和不要反射光双方,把发光区的光量均 匀化。

E:实施例5

图10是表示本发明实施例5的像素P的结构的剖视图。本实施例的 像素P的平面构造与图5同样。与实施例4 (图9)同样,本实施例的发 光层66跨多个像素P连续分布,并且进入接触孔CH的内侧的空间。此外, 与实施例2(图5、图6)同样,辅助布线70只与开口区的区域A1重叠形 成,在基板80的表面形成与开口区的全区(区域A1和区域A2)重叠的遮 光层81。因此,根据本实施例,能产生与实施例2以及实施例4同样的作 用和效果。

须指出的是,如上所述,从辅助布线70观察,在观察一侧形成遮光 层81的结构,能降低在辅助布线70的表面反射的外来光的影响。像实施 例4或实施例5那样发光层66进入接触孔CH的结构中,来自部分661的 不要放射光有可能在辅助布线70的背面(基板10 —侧的表面)和漏极电 极342或反射层44之间重复反射,最终向观察一侧出射。如果从防止不 要放射光的出射的观点出发,适合采用在辅助布线70和发光层66之间(例 如图9或图10的辅助布线70和第二电极62之间)配置光反射率比辅助 布线70还低的遮光体(换言之,光吸收率比辅助布线70还高的遮光体) 的结构。根据该结构,从发光层66的部分661出射的不要放射光不到达 辅助布线70的背面,所以能可靠地防止辅助布线70的不要放射光的反射 引起的发光的不均匀。

F:实施例6

图11是表示本发明实施例6的像素P的结构的剖视图。本实施例的 像素P的平面构造与图7同样。与实施例4 (图9)同样,本实施例的发 光层66跨多个像素P连续分布,并且进入接触孔CH的内侧的空间。此外, 与实施例3 (图7、图8)同样,辅助布线70在发光层66中与接触孔CH 不重叠的部分的表面(平坦面)形成,在基板80的表面,与接触孔CH以 及辅助布线70重叠地形成遮光层81。因此,根据本实施例,能产生与实施例3以及实施例4同样的作用和效果。 G:实施例7

图12是表示本发明实施例7的像素P的结构的剖视图。图13是从图 12的Xin-Xm线观察的剖视图。如图12和图13所示,基板10上的要素 的结构与实施例6 (图11)同样。而本实施例的遮光层81覆盖开口区的 一部分即区域A3和辅助布线70形成,不覆盖开口区中区域A3以外的区 域A4。

如图13所示,来自发光层66中与接触孔CH重叠的部分(特别是覆 盖凹部611的底面的部分)的放射光的一部分如图13中由箭头L所示, 通过区域A4,向观察一侧出射。因此,根据本实施例,与实施例6的结构 比较,能按区域A4的部分提高开口率。

H:实施例8

图14是表示本发明实施例8的像素P的结构的俯视图,图15是从图 14的XV-XV线观察的剖视图。在以上的各形态中,列举顶发光型的发光 装置D。而本实施例的发光装置D是底发光型。即如图15所示,不形成 以上的各形态中说明的反射层44,而第二电极62由光反射性的导电材料 形成。因此,从发光层66向基板10 —侧出射的光和从发光层66向与基 板10相反一侧出射并且由第二电极62的表面反射的光透过第一电极61 和基板10,向图15的下方出射。

在本实施例中,与实施例1或实施例2同样,作为防止基于漏极电极 34的反射光的出射的遮光体,利用辅助布线70。可是,在本实施例中, 从发光层66观察,基板10 —侧(图15的下方)成为观察一侧,所以如 图15所示,在漏极电极34和基板10之间形成辅助布线70。本实施例的 辅助布线70通过跨基板10的全区形成的单一的导电膜的构图,用与栅电 极242 (进一步选择线11或交叉部131)相同的步骤形成。因此,辅助布 线70由与栅极电极242相同的材料形成。

如果像图14那样从垂直于基板10的方向观察,则辅助布线70与漏 极电极34 (更具体而言,接触孔CH的开口区)重叠。第二电极62如图 14所示,经由贯通第一绝缘层41和第二绝缘层42的接触孔CH5与辅助 布线70电连接。根据该结构,能产生与实施例1或实施例2同样的作用和效果。例如,在本实施例中,从观察一侧(图15的下方)向漏极电极

34的外来光或由漏极电极34的表面反射并且向观察一侧的不要反射光由 辅助布线70遮断,所以能把发光区的面内的光量均匀化。

此外,本实施例的辅助布线70由与栅极电极242 (选择线11或交叉 部131)相同的步骤形成。根据该结构,只在辅助布线70的形成中利用的 导电膜的形成或构图变为无用,所以与像以上的各形态那样,辅助布线70 由于与其他要素不同的步骤形成的情形相比,能实现制造步骤的简化和制 造成本的下降。此外,在本实施例中,没必要在发光层66或绝缘部64等 有机材料的面上形成辅助布线70,由与栅极电极242公共的低电阻的导电 性材料形成辅助布线70。因此,与发光层66或绝缘部64的面上形成辅助 布线70的结构相比,具有辅助布线70的低电阻化容易的优点。

须指出的是,以上,列举底发光型的发光装置D,但是本实施例也能 应用于顶发光型。在顶发光型的发光装置D中,在第一电极61和基板10 之间插入反射层44,第二电极62由光透过行的材料形成。根据该结构, 与实施例1同样,如果是与辅助布线70重叠的区域的范围内,即使扩大 接触孔CH的面积,开口率也不下降,所以能充分确保接触孔CH的面积, 能降低驱动晶体管Tdr和第一电极61的接触部分的电阻。在辅助布线70 如图14或图15所示,形成在第一电极61的下层的顶发光型的发光装置D 中,即使辅助布线70由遮光性的材料形成时,来自发光层66的放射光也 不由辅助布线70遮断。因此,具有能提高可开口率的优点。

I:实施例9

在以上的各形态中,列举与像素P的各行以及各列对应的格子状的辅 助布线70 (图4),但是辅助布线70的具体形态能适宜变更。在本实施例 中,对多行或列,以1条的比例形成辅助布线70。

图16是表示发光区内排列多个发光元件E的样子的俯视图,图17是 从图16的XVn-XVII线观察的剖视图。须指出的是,在图16或图17中, 适当省略选择晶体管Tsl或电容元件C等各要素的图示。

与以上的各形态同样,在第二绝缘层42的面上,以Y方向为长边的 大致长方形的第一电极61跨X方向和Y方向,形成矩阵状。第一电极61 由功函数比第二电极62还高的光反射性的导电材料形成。在该结构中,

22省略以上的各形态的反射层44。

在形成第一电极61的第二绝缘层42的表面形成绝缘部64。如图16 和图17所示,在绝缘部64中与第一电极61重叠的各区域形成开口部641 (在厚度方向贯通绝缘部64的孔)。如图16所示,如果从垂直于基板IO 的方向观察,则开口部641的内周缘跨全部圆周,位于比第一电极61的 周缘(轮廓线)更内侧。须指出的是,如上所述,第一电极61的周缘实 际由绝缘部64覆盖,但是在图16中,第一电极61的外形由实线图示。

如图17所示,发光层66覆盖形成绝缘部64的第二绝缘层42的全面 地跨多个发光元件E连续形成。即发光层66包含:进入开口部641的内 侧并且与第一电极61相对的部分(即实际发光的部分)和位于绝缘部64 的面上的部分。

如图17所示,第二电极62是跨多个发光元件E连续形成、覆盖发光 层66和绝缘部64的导电膜。即第二电极62包含在幵口部641的内侧隔 着发光层66与第一电极61相对的部分、位于绝缘部64的面上的部分。 如图16和图17所示,第一电极61、第二电极62、发光层66的层叠中, 从垂直于基板IO的方向观察,位于开口部641的内周缘的内侧的部分(即 电流从第一电极61流向第二电极62的区域)是发光元件E。发光层66 中与绝缘部64重叠的区域由第一电极61和第二电极62之间存在的绝缘 部64遮断电流,所以不发光。即绝缘部64作为划分各发光元件E的轮廓 的部件起作用。

如图16和图17所示,在绝缘部64 (发光层66)和第二电极62之间 形成在X方向延伸的多个辅助布线70。本实施例的辅助布线70的具体的 形态如下所述。须指出的是,图16表示属于第i行到第(i+3)行的各行的3 列的发光元件E。第i行和第(i+2)行是偶数行,第(i+l)行和第(i+3)行是奇数行。

如图16所示,辅助布线70在偶数行的发光元件E和在Y方向的正一 侧相邻的奇数行的发光元件E的间隙Sl (例如第i行和第(i+l)行的间隙 Sl或第(i+2)行和第(i+3)行的间隙Sl)形成。而在奇数行的各发光元件E 和在Y方向的正一侧相邻的偶数行的发光元件E的间隙S2不形成辅助布 线70。即如果把奇数行和在Y方向的正一侧相邻的偶数行等2行作为单位,区分发光区,则在Y方向相邻的各单位的间隙S1形成辅助布线70,

在属于一个单位的各行的间隙S2不形成辅助布线70。在本实施例中,按 每个多行(2行),以1条的比例形成辅助布线70。

使各发光元件E的第一电极61和驱动晶体管Tdr导通的接触孔CH, 从该发光元件E观察,形成在辅助布线70—侧。因此,发光元件E和与 它对应的接触孔CH的Y方向的配置在奇数行和偶数行变为相反。即在偶 数行中,从发光元件E观察,接触孔CH位于Y方向的正一侧,而在奇数 行中,从发光元件E观察,接触孔CH位于Y方向的负一侧。

辅助布线70如图16和图17所示,跨绝缘部64的大致全部宽度形成, 覆盖各发光元件E的间隙Sl,与实施例1或实施例2同样与接触孔CH重 叠。即辅助布线70与偶数行的各发光元件E的接触孔CH和在Y方向的 正一侧相邻的奇数行的各发光元件E的接触孔CH重叠。换言之,辅助布 线70中在宽度方向的一个周缘(图16的上方的缘边)位于偶数行的各发 光元件E和与对应的接触孔CH的间隙,另一方的周缘位于奇数行的各发 光元件E和它对应的接触孔CH的间隙。

在形成辅助布线70的位置有时由于制造上的理由,发生误差。例如, 通过掩模的蒸镀(后面描述细节)形成辅助布线70时,由于掩模的尺寸 的误差或基板IO和掩模的对位的误差,有时辅助布线70在与所期望的位 置(设计上的位置)不同的位置形成。为了即使在辅助布线70的位置存 在误差时,辅助布线70和发光元件E从垂直于基板10的方向观察,不重 复(即开口率不下降),在辅助布线70的设计上的位置和在宽度方向的两 侧相邻的发光元件E的各间隙中确保空间(以下称作"边缘区")。

如上所述,在本实施例中,对每2行形成1条辅助布线70,所以与像 实施例1那样在全行和全列的间隙形成辅助布线70的结构(例如是图4 的结构。以下称作"对比结构")相比,能削减发光区中形成辅助布线70 的区域或边缘区的总面积。因此,根据本实施例,具有容易同时实现开口 率的维持和辅助布线70的低电阻化的优点。即如果开口率与对比结构维 持同等,能确保按照削减辅助布线70的条数或对应的边缘区的面积,各 辅助布线70的线宽比对比结构宽,所以能降低辅助布线70的电阻。在本 实施例中,在偶数行的各发光元件E的排列和在Y方向的正一侧相邻的奇数行的各发光元件E的排列的间隙集中排列与两行对应的多个接触孔

CH,所以通过增大辅助布线70的线宽,能容易使辅助布线70和各接角虫 孔CH重叠。而如果各辅助布线70的线宽与对比结构维持同等,则按照 辅助布线70或边缘区在发光区全体中占的面积削减的部分,确保各发光 元件E的面积变宽,与对比结构相比,能增加开口率。为了从发光区出射 所需的光量而应该对各发光元件E供给的电能(电流)由于开口率的增加 而减少,所以能抑制电能的供给引起的恶化,发光元件E长寿命化。

下面说明制造本实施例的发光装置D的方法中形成辅助布线70的步 骤(与图17对应的剖视图)。本实施例的辅助布线70通过利用掩模的蒸 镀(真空蒸镀)来形成。此外,对于辅助布线70以外的要素的形成采用 公知的各种技术。

图18是用于说明形成辅助布线70的工序的剖面图(与图17对应的 剖面图)。如图18所示,在辅助布线70的形成之前,准备蒸镀用的掩模 75。掩模75形成区域RA开口且遮蔽此外的区域RB的形状。区域RA是 与形成辅助布线70的区域相对地在X方向延伸的切口状的区域。即区域 RA是与偶数行(第i行或第(i+2)行)和在Y方向的正一侧相邻的奇数行 (第(i+l)行或第(i+3)行的间隙Sl相对的区域(更严格来讲,从间隙S1 除去边缘区的区域)。而区域RB包含:区域RB1和区域RB2。区域RB1 是与各发光元件E相对的区域。区域RB2是与奇数行(第(i+l)行)和 Y方向的正一侧的偶数行(第(i+2)行)的间隙S2相对的区域。

通过利用以上的掩模75的蒸镀形成辅助布线70。即如图18所示,形 成发光层66的阶段(形成第二电极62之前)的发光装置D配置在真空中, 与发光层66相对地配置掩模75。而且,有选择地在发光层66的表面附着、 堆积电阻率比第二电极62还低的材料的蒸气V,辅助布线70形成图16 的形状。

在本实施例的发光装置D中,在发光元件E的每2行中形成1条辅助 布线70,所以如图18所示,掩模75的区域RB2没必要开口。即与像对 比结构那样在全行的间隙形成辅助布线70的情形(掩模75的区域RB2 也跨与区域RA同等的宽度尺寸开口时)相比,能维持掩模75的机械强 度。因此,能有效防止掩模75的变形(例如自重引起的变形)引起的辅助布线70的误差或掩模75的破损。此外,辅助布线70的误差减少,所

以能以高精度并且容易地使辅助布线70与接触孔CH重叠。

须指出的是,在图16中,列举辅助布线70沿着发光元件E的短边(X 方向)延伸的结构,但是如图19所示,也采用辅助布线70沿着发光元件 E的长边(Y方向)延伸的结构。须指出的是,在图19中,图示属于第j 列到第(j+3)列的各列的3行部分的发光元件E。第j列和第(j+2)列是 偶数列,第(j+l)列和(j+3)列是奇数列。

如图19所示,在本实施例中,在每个多列(2列)形成1条辅助布线 70。即在第j列和第(j+l)列的间隙Sl以及第(j+2)列和第(j+3)列 的间隙S1形成在Y方向延伸的辅助布线70,而在第(j+l)列和第(j+2) 列的间隙S2不形成辅助布线70。此外,各辅助布线70与位于其宽度方向 两侧的发光元件E的接触孔CH重叠。根据图19的结构,也能取得与图 16的结构同样的效果。

经由各发光元件E的电流流入辅助布线70之前的区间的电阻值(以 下称作"阴极一侧电阻")与沿着辅助布线70延伸的方向的发光元件E的 尺寸W (参照图6和图19)成反比。在图19的结构中,辅助布线70沿 着发光元件E的长边延伸,所以与辅助布线70沿着发光元件E的短边延 伸的图16的结构相比,能扩大尺寸W。因此,根据图19的结构,与图 16的结构相比,能降低阴极一侧电阻。据此,能抑制第二电极62的电压 下降,所以与阴极一侧电阻高时相比,能降低发光元件E的驱动所必要的 电源电位Vdd。

J:变形例

对以上的实施例能加上各种变形。如果列举具体的变形形态,则如下 所示。须指出的是,可以适当组合以下的各形态。

(1) 在以上的各形态中,列举在基板80形成遮光层81的结构,但 是形成遮光层81的位置能适当变更。例如,能采用在第二电极62的表面 上形成遮光层81的结构。此外,在第二电极62的表面形成辅助布线70 的结构(例如实施例1、 2、 4、 5)中,在辅助布线70的表面上形成遮光 层81。

(2) 在实施例2 (图5、图6)或实施例5 (图IO)中,列举在接触孔CH的开口区中不由辅助布线70覆盖的区域A2重叠遮光层81的结构, 但是能适当省略该结构的遮光层81。在不形成遮光层81的结构中,从区 域A2,不要反射光(在实施例5中,不要放射光)向观察一侧出射,但 是区域Al的不要反射光或不要放射光由辅助布线70遮光,所以如果与遮 光体与接触孔CH重叠的以往的结构相比,能实现抑制发光区的光量的不 均匀的所期待的效果。

此外,即使是像实施例1 (图2、图3)或实施例4 (图9)那样与接 触孔CH的开口区的全区重叠地形成辅助布线70的结构,为了进一步可 靠防止不要反射光或不要放射光,可以配置包含与接触孔CH重叠的部分 的基板80。与接触孔CH的至少一部分重叠地形成遮光层81的结构(实 施例2、 3、 5、 6、 7)中,如果第二电极62的电压下降不成问题,就可以 适当省略辅助布线70。

如上所述,在本发明中,从垂直于基板10的方向观察,如果是与接 触孔CH重叠地配置遮光性的物体(遮光体)的结构,就足够,该遮光体 的具体形态(是辅助布线70或遮光层81)或材料(例如,导电性或绝缘 性)是任意的。如果从可靠地防止接触孔CH引起的光量的不均匀的观点 出发,则适合是跨比接触孔CH更宽的结构配置遮光体的结构。

(3) 在实施例1〜实施例3中,列举绝缘部64和发光层66重叠的结 构,但是如图20所示,也可以采用发光层66覆盖绝缘部64的结构。根 据该结构,在由绝缘部64掩埋接触孔CH的平坦面的面上形成发光层66 和第二电极62,所以能防止接触孔CH的台阶差引起的发光层66或第二 电极62的缺损或断线。此外,与实施例1〜实施例3同样,发光层66没 有进入凹部611,所以发光层66中与接触孔CH重叠的部分隔着绝缘部 64从第一电极61分开(即电流不流过)。因此,根据图20的结构,能避 免根据图9〜图13的结构,成为问题的不要放射光的发生。

(4) 在实施例8中,列举为了遮断基于漏极电极34的不要反射光,

利用辅助布线70的结构,但是也可以通过辅助布线70以外的要素遮断不

要反射光。例如,可以是在漏极电极34和基板10之间形成辅助布线70 夕々卜的诚脊十吐的瞄Z太的丝古A ;女丝始的4击&h左4老伤il力n b i Sl详.

能在第二电极62的面上形成。

27(5) 适当组合以上的各形态。例如,在实施例3 (图7、图8)中, 与实施例7 (图12、图13)相同地,接触孔CH的开口区中不与区A4重 叠地形成遮光层81。

(6) 上述各方式中,举例了发光层66由有机EL材料形成的情况, 但是适当变更发光层66的材料。例如,能由有机EL材料形成发光层。本 发明的发光层可以由通过赋予电能而发光的发光材料形成。

K:应用例

下面说明利用本发明的发光装置的电子仪器。图21是表示把以上说 明的任意形态的发光装置D作为显示装置采用的便携式个人电脑的结构 的立体图。个人电脑2000具有作为显示装置的发光装置D和主体部2010。 在主体部2010设置电源开关2001和键盘2002。发光装置D对发光元件E 使用有机EL材料,所以能显示视场角宽、容易看的画面。

图22表示应用任意形态的发光装置D的移动电话的结构。移动电话 3000具有多个操作按钮3001和滚动按钮3002、作为显示装置的发光装置 D。通过操作滚动按钮3002,使发光装置D上显示的画面滚动。

图23表示应用任意形态的发光装置D的便携式信息终端(PDA: Personal Digital Assistants)的结构。便携式信息终端4000具有多个操作按 钮4001和电源开关4002、作为显示装置的发光装置D。如果操作电源开 关4002,就在发光装置D上显示地址本或日程等各种信息。

须指出的是,作为应用本发明的发光装置的电子仪器,除了图21〜图 23所示的电子仪器,还能列举数字相机、电视、摄像机、汽车导航装置、 寻呼机、电子记事本、电子纸、计算器、字处理器、工作站、电视电话、 POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具有触摸屏的仪器等。 此外,本发明的发光装置的用途并不局限于此。例如,在光写入型的打印 机或电子复印机等图像形成装置中,使用按照用纸等记录材料上应该形成 的图像,把感光体曝光的写入头,但是作为这种写入头,也可以应用本发 明的发光装置。

Claims (13)

1. 一种发光装置,具有:开关元件,形成在基板的面上;绝缘层,覆盖所述开关元件;第一电极,形成在所述绝缘层的面上,经由该绝缘层的接触孔与所述开关元件电连接;第二电极,隔着所述第一电极,在与所述基板相反的一侧形成;发光层,介于所述第一电极和所述第二电极之间;遮光体,相对所述绝缘层,配置在基于所述发光层的放射光的出射一侧,从垂直于所述基板的方向观察,包含与所述接触孔重叠的部分;和绝缘部,其由绝缘材料形成,进入所述接触孔的内侧的空间。
2. 根据权利要求1所述的发光装置,其中:所述开关元件包含经由所述接触孔从所述绝缘层露出的部分与所述 第一电极接触的电极;所述遮光体由光反射率比所述开关元件的所述电极还低的材料形成。
3. 根据权利要求1或2所述的发光装置,其中:所述遮光体是由电阻率比所述第二电极还低的导电材料形成且与该 第二电极电连接的辅助布线。
4. 根据权利要求3所述的发光装置,其中:从垂直于所述基板的方向观察,所述辅助布线与由所述接触孔的内周 缘包围的区域的全区重叠。
5. 根据权利要求3所述的发光装置,其中:从垂直于所述基板的方向观察,所述辅助布线与由所述接触孔的内周 缘包围的区域的一部分重叠;还具备遮光层,其包含与由所述接触孔的内周缘包围的区域中与所述 辅助布线不重叠的区域重叠的部分。
6. 根据权利要求1或2所述的发光装置,其中:具备辅助布线,其由电阻率比所述第二电极还低的导电材料形成,且 与该第二电极电连接;从垂直于所述基板的方向观察,所述遮光体与所述辅助布线重叠。
7. 根据权利要求3所述的发光装置,其中:分别包含所述第一电极、所述第二电极和所述发光层的多个发光元件 在第一方向排列构成的多个元件群在与所述第一方向交叉的第二方向并 列;所述辅助布线在所述多个元件群中彼此相邻的第一元件群和第二元 件群之间的间隙,在所述第一方向延伸,相对于所述第二元件群,在与所 述第一元件群相反一侧相邻的第三元件群和所述第二元件群之间的间隙 没有形成。
8. 根据权利要求1所述的发光装置,其中: 所述发光层没有进入所述接触孔的内侧的空间。
9. 根据权利要求1所述的发光装置,其中: 所述遮光体在给定方向延伸;从垂直于所述基板的方向观察,所述接触孔形成为以所述给定的方向 作为长轴方向的形状。
10. 根据权利要求1所述的发光装置,其中: 所述第一 电极使来自所述发光层的出射光透过;所述开关元件包含经由所述接触孔从所述绝缘层露出的部分与所述 第一电极接触的电极;所述遮光体在所述开关元件的所述电极和所述基板之间由光反射率 比所述开关元件的所述电极低的材料形成,且与该电极相对。
11. 根据权利要求10所述的发光装置,其中:所述遮光体是由电阻率比所述第二电极还低的导电材料形成且经由 所述绝缘层的接触孔与所述第二电极电连接的辅助布线。
12. 根据权利要求10或11所述的发光装置,其中: 所述开关元件包含多个电极;所述遮光体由与所述多个电极的任意一个相同的材料形成。
13. —种电子仪器,具备权利要求1所述的发光装置。
CNB2006101446123A 2005-11-14 2006-11-09 发光装置和电子仪器 CN100511700C (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005328491 2005-11-14
JP2005328491 2005-11-14
JP2006088287 2006-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1967863A CN1967863A (zh) 2007-05-23
CN100511700C true CN100511700C (zh) 2009-07-08

Family

ID=38076503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101446123A CN100511700C (zh) 2005-11-14 2006-11-09 发光装置和电子仪器

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4702483B2 (zh)
CN (1) CN100511700C (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073841A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sony Corp 光学パッケージ素子、表示装置、および電子機器
JP5435260B2 (ja) * 2009-04-03 2014-03-05 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
CN102972094B (zh) * 2010-06-18 2015-11-25 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示装置
CN106654047B (zh) * 2016-12-22 2019-02-01 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN109427998B (zh) * 2017-09-01 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 用于有机电致发光显示器件的盖板及其制作方法、有机电致发光显示器件以及显示设备
CN110164912A (zh) * 2018-07-18 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3770368B2 (ja) * 1999-06-14 2006-04-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP4182467B2 (ja) * 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
JP2003332070A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器
JP4438312B2 (ja) * 2002-05-21 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP3922374B2 (ja) * 2002-09-25 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd EL display panel and method of manufacturing EL display panel
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機el素子および有機elパネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010164983A (ja) 2010-07-29
JP4702483B2 (ja) 2011-06-15
CN1967863A (zh) 2007-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10771662B2 (en) Electronic device with flexible display
US9093669B2 (en) Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US10002847B2 (en) OLED pixel unit, transparent display device, method for fabricating the same, display apparatus
WO2019062179A1 (zh) 终端及显示屏
US20170045984A1 (en) Array substrate, fabricating method thereof and display device
US9088003B2 (en) Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
KR20170075006A (ko) 발광 장치 및 전자 장치
US8963137B2 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US9478666B2 (en) Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same
KR101652693B1 (ko) 표시 장치
TWI244786B (en) Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same
CN102569675B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
TWI237518B (en) Organic electroluminescence display and method of fabricating the same
JP4075028B2 (ja) 回路基板、表示装置、および電子機器
US10727434B2 (en) Display device with structure for preventing organic material overflow
US9666829B2 (en) Organic electroluminescent display device
US8692259B2 (en) Light-emitting device and electronic apparatus
US8049217B2 (en) Display device
US20160240604A1 (en) Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
US20170108971A1 (en) Oled substrate, display device, wearable device, driving method and compensation circuit
CN101038931B (zh) 有机场致发光装置及电子设备
TW544944B (en) Pixel element structure of sunlight-readable display
TWI282958B (en) Pixel element substrate, display device, electronic device, and method for manufacturing the pixel element substrate
CN104981908A (zh) 用于led的像素中电容触摸传感器
KR100426031B1 (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C06 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
GR01 Patent grant
C14 Grant of patent or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190201

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: EL Technology Fusion Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

TR01 Transfer of patent right