KR20160122901A - 표시 패널 - Google Patents
표시 패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160122901A KR20160122901A KR1020150052487A KR20150052487A KR20160122901A KR 20160122901 A KR20160122901 A KR 20160122901A KR 1020150052487 A KR1020150052487 A KR 1020150052487A KR 20150052487 A KR20150052487 A KR 20150052487A KR 20160122901 A KR20160122901 A KR 20160122901A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shorting bar
- contact hole
- portions
- pads
- pad
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
-
- H01L27/3237—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3258—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 화상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역이 형성된 기판; 상기 기판의 주변 영역에 형성되어 있는 복수의 쇼팅바 연결부; 상기 복수의 쇼팅바 연결부 상부에 형성된 복수의 단차 조절부; 상기 복수의 단차 조절부의 상부에 형성되고, 제1접촉 구멍을 통해 상기 쇼팅바 연결부의 일단과 연결되어 있는 복수의 패드부; 상기 복수의 쇼팅바 열결부 상부에 형성되고, 제2접촉 구멍을 통해 쇼팅바 연결부의 타단과 연결되어 있는 복수의 쇼팅바 패드;를 포함하고, 상기 복수의 쇼팅바 연결부는 상기 복수의 패드부 하부 영역에 중첩하여 형성되어 있는 표시 패널에 관한 것이다.
Description
본 발명은 표시 패널에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치의 패널은 원장 기판에 절단선이 설정된 복수의 표시 패널을 형성한 후, 각 표시 패널의 가장자리에 형성된 절단선을 절단하는 공정 등을 이용하여 제조된다.
최근에는 이러한 유기 발광 표시 장치의 패널 제조시 하나의 원장 기판으로 제작 가능한 표시 패널의 수를 늘림으로써 제조 단가를 낮출 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있기 때문에 한번의 절단 공정으로 원장 기판으로부터 다수의 단위 패널을 제조하는 1 스텝 커팅 공정이 주로 이용되고 있다.
한편, 각 표시 패널의 표시 영역에 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인과 같은 내부 배선들은 주변 영역으로 연장된 배선 패드 등을 통해 쇼팅바에 연결된다. 이러한 쇼팅바는 내부 배선의 정상 여부를 판단하고, 공정 중에 발생하는 정전기를 일시적으로 차단하여 패널이 손상되는 것을 방지하는 기능을 한다.
그런데, 이와 같은 1 스텝 커팅 공정을 이용하여 표시 패널을 제조하는 경우, 종래에는 쇼팅바 배선의 설계를 위하여 주변 영역에 형성되는 배선 패드 등의 연장 방향으로 쇼팅바 연결부를 형성한 다음, 이의 연장 방향으로 쇼팅바 패드부를 형성하고 쇼팅바 배선을 연결하였다.
이 때문에 각 표시 패널에서는 쇼팅바 배선과 패드부를 연결시킬 수 있는 쇼팅바 연결부를 형성하기 위한 공간이 별도로 필요하게 되는데, 이로 인해 제조된 표시 패널에는 표시 영역과 절단선 사이에 표시에 기여하지 않는 영역인 데드 스페이스(dead space)가 차지하는 면적이 증가하는 문제점이 있다.
또한, 상기 쇼팅바 배선은 절단 공정에서 제거되는 것이 일반적인데, 이 경우 쇼팅바 연결부의 일부가 외부에 노출되는 상태로 표시 패널이 제조되기 때문에 노출된 쇼팅바 연결부의 일부가 완성된 패널에 불필요한 저항 등이 유입되는 안테나 역할을 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 표시 패널에서 데드 스페이스를 현저하게 감소시킬 수 있고, 불필요한 외부 저항이 패널 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 표시 패널을 제공하고자 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 측면에서, 본 발명은, 화상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역이 형성된 기판; 상기 기판의 주변 영역에 형성되어 있는 복수의 쇼팅바 연결부; 상기 복수의 쇼팅바 연결부 상부에 형성된 복수의 단차 조절부; 상기 복수의 단차 조절부의 상부에 형성되고, 제1접촉 구멍을 통해 상기 쇼팅바 연결부의 일단과 연결되어 있는 복수의 패드부; 상기 복수의 쇼팅바 열결부 상부에 형성되고, 제2접촉 구멍을 통해 쇼팅바 연결부의 타단과 연결되어 있는 복수의 쇼팅바 패드;를 포함하고, 상기 복수의 쇼팅바 연결부는 상기 복수의 패드부 하부 영역에 중첩하여 형성되어 있는 표시 패널을 제공한다.
이때, 상기 복수의 쇼팅바 패드는 상기 복수의 쇼팅바 패드가 뻗어 있는 방향에 대하여 수직 방향으로 배치되는 쇼팅바 배선과 연결되어 있을 수 있다.
한편, 상기 복수의 쇼팅바 연결부 상에 형성된 제1절연막; 및 상기 복수의 단차 조절부 상에 형성되고 상기 제1절연막을 덮도록 형성된 제2절연막을 포함하고, 상기 제1절연막 및 상기 제2절연막에는, 상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍이 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 패드부, 및 상기 복수의 쇼팅바 패드의 일부 영역은 동일한 층에 형성될 수 있다.
또한, 상기 복수의 패드부 및 상기 복수의 쇼팅바 패드는 동일한 물질로 형성될되는 수 있다.
또한, 상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 양 끝단에 각각 이격되어 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 복수의 쇼팅바 연결부 상에 형성된 제1절연막; 및 상기 복수의 단차 조절부를 덮되 상기 제1절연막이 노출되도록 형성된 제2절연막을 포함하고, 상기 제1절연막 및 상기 제2절연막에는, 상기 제1접촉 구멍이 형성되고, 상기 제2절연막에는, 상기 제2접촉 구멍이 형성될 수 있다.
이때, 상기 단차 조절부, 및 상기 복수의 쇼팅바 패드의 일부 영역은 동일한 층에 형성될 수 있다.
또한, 상기 단차 조절부 및 상기 복수의 쇼팅바 패드는 동일한 물질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 일 단에 이격되어 형성되어 있고, 상기 제2접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 타단 하부 영역에 이격되어 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널은 표시에 기여하지 않는 영역인 데드 스페이스를 현저하게 감소시킬 수 있고, 표시 패널에 불필요한 외부 저항이 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 포함되는 각 화소의 등가 회로도를 예시적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도시한 것이다.
도 4는 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부의 일 예를 도시한 부분 확대도이다.
도 5 내지 도 9는 도 4의 주변 영역에 포함되는 각 구성을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 10은 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부의 다른 예를 도시한 부분 확대도이다.
도 11 내지 도 13은 도 10의 주변 영역에 포함되는 각 구성을 형성하는 공정의 일부를 순차적으로 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 포함되는 각 화소의 등가 회로도를 예시적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도시한 것이다.
도 4는 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부의 일 예를 도시한 부분 확대도이다.
도 5 내지 도 9는 도 4의 주변 영역에 포함되는 각 구성을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 10은 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부의 다른 예를 도시한 부분 확대도이다.
도 11 내지 도 13은 도 10의 주변 영역에 포함되는 각 구성을 형성하는 공정의 일부를 순차적으로 나타낸 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 있다고 할 때 이는 다른 부분의 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 그리고 “~위에”라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 도면에 나타난 각 구성의 크기 및 두께 등은 설명의 편의를 위해 임의로 나타낸 것이므로, 본 발명은 도시한 바로 한정되지 않는다.
이하, 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 도시한 것이다.
도 1을 참고하면, 상기 각 단위 표시 패널(200)은, 화상이 표시되는 표시 영역(A1) 및 상기 표시 영역(A1)을 둘러싸는 주변 영역(A2)이 형성된 기판(100)을 포함하고, 상기 주변 영역(A2)에는 복수의 패드부(150) 및 복수의 쇼팅바 패드(160)가 형성되어 있다.
이때, 상기 표시 영역은 표시 패널의 테두리에서 소정의 거리를 두고 위치한다. 이때, 표시 영역과 절단선 사이에 존재하며 표시에 기여하지 않는 영역, 보다 구체적으로는 y축 방향의 상부 영역 및 하부 영역을 일반적으로 데드 스페이스 (dead space)라고 지칭한다.
먼저, 상기 기판(100) 위의 표시 영역(A1)은 화상을 표시하기 위한 복수의 화소를 포함한다.
도 2는 도 1의 표시 영역(A1)에 포함되는 각 화소의 등가 회로도를 예시적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 상기 각 화소는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수개의 화소(PX)를 포함한다.
또한, 상기 신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압(Vdd)을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)의 수직 방향 부분은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
또한, 상기 각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.
이때, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 또한, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
다음으로, 상기 구동 박막 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 이때, 상기 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
한편, 상기 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 상기 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
또한, 상기 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 이때, 상기 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
다시 도 1을 참조하면, 주변 영역(A2)에는 외부로부터 이러한 복수의 신호선(121, 171, 172)과 연결되어 있는 복수의 패드부(150)가 형성되어 있고, 상기 복수의 패드부(150)의 일단은 상기 복수의 신호선(121, 171, 172)과 각각 연결되어 있는 패드 연결부(152)를 포함한다.
또한, 상기 복수의 패드부(150)의 타단은 후술할 제1접촉 구멍(151)을 통해 상기 패드부(150)의 하부 영역에 중첩되게 형성되어 있는 쇼팅바 연결부(110)와 연결되어 있고, 상기 쇼팅바 연결부(110)는 후술할 제2접촉 구멍(161)을 통해 쇼팅바 패드(160)와 연결되어 있다. 이때, 상기 쇼팅바 연결부(110)의 상부에는 제1절연막(120) 및/또는 제2절연막(140)이 형성될 수 있으나, 이들 절연막은 투명막이므로 도 1에서는 편의상 쇼팅바 연결부(110)를 나타내었다.
또한, 상기 쇼팅바 패드(160)는 일정한 간격으로 복수개 배치되어 형성된다.
이때, 상기 쇼팅바 패드(160)와 연결되어 표시 패널의 제조 공정 중에 발생하는 정전기 유입 방지 기능을 수행하는 쇼팅바 배선(162)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 쇼팅바 배선(162)은 상기 쇼팅바 패드(160)가 뻗어 있는 방향에 대하여 수직 방향으로 교차하도록 배치될 수 있다.
다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(200)을 제조하기 위하여 이용되는 1 스텝 커팅 공정을 수행할 때 기판과 이웃하는 기판 간에 형성되어 있는 절단선의 위치에 따라 제조된 표시 패널(200)에서 상기 쇼팅바 배선(162)의 위치가 달라질 수 있다. 구체적으로, 상기 쇼팅바 배선(162)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 표시 패널(200)의 y축 방향 상부 영역에 쇼팅바 패드(160)와 분리된 상태로 남아 있을 수 있도 있고, 도 3에 도시된 바와 같이, 표시 패널(200)의 y축 방향 하부 영역에 쇼팅바 패드(160)와 연결되어 있는 상태로 남아 있을 수도 있다.
다음으로, 도 4를 참고하여 본 발명의 각 단위 표시 패널(200)의 상세 구조에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(200)에서 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부를 도시한 부분 확대도를 나타낸 것이다. 다만, 표시 영역(A1)에 포함되는 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터는 층간 구성이 유사하므로, 도 4의 표시 영역(A1)에서는 구동 트랜지스터를 나타내고, 이하에서는 이를 중심으로 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)에는 버퍼층(101)이 형성되고, 상기 버퍼층(101) 위에는 표시 영역(A1)의 활성층(1121) 및 주변 영역(A2)의 쇼팅바 연결부(110)가 형성된다.
이때, 상기 기판(100)은 유리, 석영, 금속과 같은 단단한 기판(100)이거나, 플라스틱 필름과 같은 가요성(flexible) 기판(100)일 수 있다. 후자의 경우 상기 기판(100)은 폴리이미드, 폴리카보네이트와 같이 내열성 및 내구성이 우수한 고분자 소재로 형성될 수 있다.
한편, 상기 버퍼층(101)은 기판을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며, 기판(100)의 상부에 평탄면을 제공하는 기능을 한다. 이러한 버퍼층(101)은 SiO2, SiNx 등의 무기물 또는 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 상기 버퍼층(101)에 활성층(1121) 및 쇼팅바 연결부(110)가 형성되어 있다. 이때, 상기 활성층(1121)은 표시 영역(A1)에 형성되고, 쇼팅바 연결부(110)는 주변 영역(A2)에 형성되어 있다.
상기 활성층(1121) 및 상기 쇼팅바 연결부(110)는 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 폴리실리콘 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 산화물 반도체로 형성되는 경우에는 상기 활성층(1121) 및 쇼팅바 연결부(110) 위에 별도의 보호층(미도시)이 추가될 수 있다.
다음으로, 상기 활성층(1121) 및 상기 쇼팅바 연결부(110) 상에는 제1절연막(120)이 형성되어 있다. 상기 제1절연막(120)은 표시 영역(A1)의 게이트 전극(1122) 및 주변 영역(A2)의 단차 조절부(130)와의 절연을 위한 것으로, 예를 들면, SiO2, SiNx와 같은 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1절연막(120) 상에는 게이트 전극(1122) 및 단차 조절부(130)가 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 전극(1122)은 표시 영역(A1)에 형성되고, 단차 조절부(130)는 주변 영역(A2)에 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(1122) 및 단차 조절부(130)는 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 이들의 합금과 같은 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 게이트 전극(1122) 및 단차 조절부(130) 위에는 제2절연막(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제2절연막(140)은 표시 영역(A1)의 소스 및 드레인 전극과의 절연 및 주변 영역(A2)의 패드부(150)와의 절연을 위한 것으로, SiO2, SiNx와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 구조, SiO2층과 SiNx층의 2층 구조, 또는 SiNx층, SiO2층, SiNx층의 3층 구조 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 주변 영역(A2)에 형성되는 상기 제2절연막(140)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 단차 조절부(130) 및 제1절연막(120)을 모두 덮도록 형성될 수 있다.
다음으로, 주변 영역(A2)에서, 상기 제2절연막(140) 위에는 복수의 패드부(150) 및 복수의 쇼팅바 패드(160)가 서로 이격되어 배치되어 형성되고, 상기 쇼팅바 패드(160)와 수직 방향으로 연결되는 쇼팅바 배선(162)이 형성된다. 이때, 상기 쇼팅바 패드(160) 및 쇼팅바 배선(162)은 동일한 재료로 동시에 형성되어 연결된다.
한편, 상기 복수의 패드부(150) 및 복수의 쇼팅바 패드(160) 역시 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 이들의 합금과 같은 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 복수의 패드부(150)에는 상기 패드부(150)와 연결되어 있는 구동부(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 구동부는 칩 온 필름(COF, Chip on Film)으로 이루어질 수 있다. 상기 복수의 패드부(150)는 구동부를 통해 표시 영역(A1)에 형성되는 복수의 신호선과 연결될 수 있다. 또한, 주변 영역(A2)에 형성된 상기 제1절연막(120) 및 제2절연막(140)에는 복수의 쇼팅바 연결부(110)의 일단과 상기 복수의 패드를 서로 연결하는 제1접촉 구멍(151) 및 상기 복수의 쇼팅바 연결부(110)의 타단과 상기 복수의 쇼팅바 패드(160)를 서로 연결하는 제2접촉 구멍(161)이 형성된다.
한편, 표시 영역(A1)에서, 상기 제2절연막(140) 위에는 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 형성된다. 이때, 제2절연막(140)과 제1절연막(120)에 비아 홀이 형성되어 활성층(1121)의 소스 영역과 드레인 영역을 노출시키며, 비아 홀을 통해 소스 전극(1123)은 소스 영역과 접하고, 드레인 전극(1124)은 드레인 영역과 접한다.
도 4의 표시 영역(A1)에는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터(TFT)를 예로 들어 도시하였으나, 박막 트랜지스터(TFT)의 구조는 도시한 예로 한정되지 않는다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 패시베이션층(1104)으로 덮여 보호되며, 유기 발광 다이오드(OLED)와 전기적으로 연결되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동시킨다.
이때, 상기 패시베이션층(1104)은 무기 절연막 또는 유기 절연막으로 형성되며, 무기 절연막과 유기 절연막의 적층 구조로 형성될 수 있다. 무기 절연막은 SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2 등을 포함할 수 있고, 유기 절연막은 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 패시베이션층(1104) 위에 형성되며, 화소 전극(1131)과 유기 발광층(1132) 및 공통 전극(1133)을 포함한다. 상기 화소 전극(1131)은 부화소 마다 하나씩 제공되고, 패시베이션층(1104)에 형성된 비아 홀을 통해 드레인 전극(1124)과 접한다. 공통 전극(1133)은 표시 영역(A1) 전체에 형성된다. 유기 발광층(1132)은 발광층을 포함하며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 가운데 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그러면, 도 4에 도시한 주변 영역(A2)의 쇼팅바 연결부(110), 제1절연막(120), 단차 조절부(130), 제2절연막(140), 패드부(150), 쇼팅바 패드(160) 및 쇼팅바 배선(162)을 형성하는 과정을 도 6 내지 도 10을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(200)의 주변 영역(A2)에 포함되는 각 구성을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 배치도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 사진 식각 공정으로 버퍼층(101)이 형성된 기판(100) 위에 쇼팅바 연결부(110)를 형성한다. 도시하지는 않았으나, 이때, 전술한 표시 영역(A1)의 활성층(1121)이 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 복수의 쇼팅바 연결부(110) 위에 제1절연막(120)을 형성하고, 도 7에 도시한 바와 같이, 제1절연막(120) 위에 금속층을 적층하여 사진 식각 공정을 통해 단차 조절부(130)를 형성한다. 도시하지는 않았으나, 이때, 전술한 표시 영역(A1)의 게이트 전극(1122)이 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시한 바와 같이, 단차 조절부(130) 및 제1절연막(120)을 모두 덮도록 제2절연막(140)을 형성한다.
이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, 사진 식각 공정을 통해 제1절연막(120) 및 제2절연막(140)에 제1접촉 구멍(151) 및 제2접촉 구멍(161)을 형성한 다음, 금속층을 증착한 후 사진 식각 공정을 통해 패드부(150), 쇼팅바 패드(160) 및 쇼팅바 배선(162)을 형성한다. 따라서, 패드부(150) 및 제2접촉 구멍(161)과 연결되는 쇼팅바 패드(160)의 일부 영역은 동일한 층에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1접촉 구멍(151) 및 상기 제2접촉 구멍(161)은 상기 복수의 단차 조절부(130)의 양 끝단에 각각 이격되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1접촉 구멍(151)은 쇼팅바 연결부(110)의 일단과 패드부(150)를 서로 연결시키고, 제2접촉 구멍(161)은 쇼팅바 연결부(110)의 타단과 쇼팅바 패드(160)를 서로 연결시킨다.
한편, 본 발명의 각 단위 표시 패널(200)에서 주변 영역(A2)은, 경우에 따라, 도 10에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수도 있다. 도 10은 도 1의 VI-VI' 절개선을 따라 절개한 단면의 일부의 다른 예를 도시한 부분 확대도이다.
이때, 쇼팅바 연결부(110) 및 제1절연막(120)을 형성하는 방법은 전술한 것과 동일하므로 여기서는 생략하기로 한다.
도 11 내지 도 13에는 상기 주변 영역(A2)의 제1절연막(120) 위에 단차 조절부(130) 및 쇼팅바 패드(160)를 형성한 다음, 제2절연막(140) 및 패드부(150)를 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
전술한 것과 동일한 방법으로 버퍼층(101)이 형성된 기판(100) 위에 쇼팅바 연결부(110) 및 제1절연막(120)을 형성한 다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 사진 식각 공정을 통해 제1절연막(120)에 제2접촉 구멍(161)을 형성한 다음, 금속층을 증착한 후 사진 식각 공정을 통해 단차 조절부(130), 쇼팅바 패드(160) 및 쇼팅바 배선(162)을 형성한다. 따라서, 단차 조절부(130) 및 쇼팅바 패드(160)는 동일한 층에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2접촉 구멍(161)은 쇼팅바 연결부(110)의 일단과 쇼팅바 패드(160)를 서로 연결시킨다.
이어서, 도 12에 도시한 바와 같이, 단차 조절부(130)만을 덮도록 제2절연막(140)을 형성한다.
다음, 도 13에 도시한 바와 같이, 사진 식각 공정을 통해 제1절연막(120) 및 제2절연막(140)에 제1접촉 구멍(151)을 형성하고, 금속층을 증착한 후 사진 식각 공정을 통해 패드부(150)를 형성한다. 이때, 상기 제1접촉 구멍(151)은 쇼팅바 연결부(110)의 타단과 패드부(150)를 서로 연결시킨다.
따라서, 최종 형상에서, 상기 제1접촉 구멍(151)은 상기 복수의 단차 조절부(130)의 일 단에 이격되어 형성될 수 있고, 상기 제2접촉 구멍(161)은 상기 복수의 단차 조절부(130)의 타단 하부 영역에 이격되어 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에서는 주변 영역(A2)에 형성되는 패드부(150)의 하부 영역에 절반 이상의 부분이 중첩하도록 쇼팅바 연결부(110)가 형성되어 있기 때문에 최종적으로 쇼팅바 배선(162)과 연결시키기 위한 쇼팅바 연결부(110)를 형성하기 위한 공간이 별도로 요구되지 않으므로 각 단위 표시 패널(200)에서 데드 스페이스, 보다 구체적으로는, y축 방향의 데드 스페이스를 획기적으로 감소시킬 수 있다.
또한, 도 4 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서는 쇼팅바 연결부(110)와 쇼팅바 패드(160)를 서로 연결시키는 제2접촉 구멍(161)이 각 표시 패널(200) 내부에 형성되기 때문에 절단 공정 후 제조된 표시 패널에도 쇼팅바 연결부(110)가 외부에 노출되지 않는 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 쇼팅바 연결부(110)를 통하여 불필요한 외부 저항이 패널 내부로 유입되거나 쇼팅바 연결부(110)가 외부에 노출되어 부식되는 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상으로 본 발명에 관한 바람직한 실시 예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 실시 예로부터 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 용이하게 변경되어 균등하다고 인정되는 범위의 모든 변경을 포함한다.
A1 : 표시 영역
A2 : 주변 영역
100 : 기판
110 : 쇼팅바 연결부
120 : 제1절연막
130 : 단차 조절부
140 : 제2절연막
150 : 패드부
151 : 제1접촉 구멍
160 : 쇼팅바 패드
161 : 제2접촉 구멍
162 : 쇼팅바 배선
200 : 표시 패널
A2 : 주변 영역
100 : 기판
110 : 쇼팅바 연결부
120 : 제1절연막
130 : 단차 조절부
140 : 제2절연막
150 : 패드부
151 : 제1접촉 구멍
160 : 쇼팅바 패드
161 : 제2접촉 구멍
162 : 쇼팅바 배선
200 : 표시 패널
Claims (10)
- 화상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역이 형성된 기판;
상기 기판의 주변 영역에 형성되어 있는 복수의 쇼팅바 연결부;
상기 복수의 쇼팅바 연결부 상부에 형성된 복수의 단차 조절부;
상기 복수의 단차 조절부의 상부에 형성되고, 제1접촉 구멍을 통해 상기 쇼팅바 연결부의 일단과 연결되어 있는 복수의 패드부;
상기 복수의 쇼팅바 열결부 상부에 형성되고, 제2접촉 구멍을 통해 쇼팅바 연결부의 타단과 연결되어 있는 복수의 쇼팅바 패드;
를 포함하고,
상기 복수의 쇼팅바 연결부는 상기 복수의 패드부 하부 영역에 중첩하여 형성되어 있는 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅바 패드는 상기 복수의 쇼팅바 패드가 뻗어 있는 방향에 대하여 수직 방향으로 배치되는 쇼팅바 배선과 연결되어 있는 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅바 연결부 상에 형성된 제1절연막; 및
상기 복수의 단차 조절부 상에 형성되고 상기 제1절연막을 덮도록 형성된 제2절연막을 포함하고,
상기 제1절연막 및 상기 제2절연막에는, 상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍이 형성되어 있는 표시 패널. - 제3항에 있어서,
상기 복수의 패드부, 및
상기 복수의 쇼팅바 패드의 일부 영역은 동일한 층에 형성되어 있는 표시 패널. - 제3항에 있어서,
상기 복수의 패드부 및 상기 복수의 쇼팅바 패드는 동일한 물질로 형성되는 표시 패널. - 제3항에 있어서,
상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 양 끝단에 각각 이격되어 형성되어 있는 표시 패널. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅바 연결부 상에 형성된 제1절연막; 및
상기 복수의 단차 조절부를 덮되 상기 제1절연막이 노출되도록 형성된 제2절연막을 포함하고,
상기 제1절연막 및 상기 제2절연막에는, 상기 제1접촉 구멍이 형성되고,
상기 제2절연막에는, 상기 제2접촉 구멍이 형성되어 있는 표시 패널. - 제7항에 있어서,
상기 단차 조절부, 및
상기 복수의 쇼팅바 패드의 일부 영역은 동일한 층에 형성되어 있는 표시 패널. - 제7항에 있어서,
상기 단차 조절부 및 상기 복수의 쇼팅바 패드는 동일한 물질로 형성되는 표시 패널. - 제7항에 있어서,
상기 제1접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 일 단에 이격되어 형성되어 있고,
상기 제2접촉 구멍은 상기 복수의 단차 조절부의 타단 하부 영역에 이격되어 형성되어 있는 표시 패널.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150052487A KR102315889B1 (ko) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | 표시 패널 |
| US14/926,820 US9401354B1 (en) | 2015-04-14 | 2015-10-29 | Display panel having a reduced dead space |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150052487A KR102315889B1 (ko) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | 표시 패널 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160122901A true KR20160122901A (ko) | 2016-10-25 |
| KR102315889B1 KR102315889B1 (ko) | 2021-10-21 |
Family
ID=56411300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150052487A KR102315889B1 (ko) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | 표시 패널 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9401354B1 (ko) |
| KR (1) | KR102315889B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180063931A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200112983A (ko) * | 2018-08-07 | 2020-10-05 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 디스플레이 디바이스 |
| US11392004B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102470375B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102569929B1 (ko) * | 2018-07-02 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN114127944A (zh) * | 2020-02-27 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 母板及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080102730A (ko) * | 2007-05-22 | 2008-11-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
| KR20110067442A (ko) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101398448B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140067523A (ko) * | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380559B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display |
| KR100555301B1 (ko) | 2002-08-13 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 정전기 방지를 위한 액정패널 |
| KR20050003511A (ko) | 2003-06-27 | 2005-01-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Ｃｏｇ 실장형 액정표시장치의 ｉｐｔ 검사패드, 그제조방법 및 이를 이용한 검사방법 |
| TWI239403B (en) | 2003-08-26 | 2005-09-11 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | A combining detection circuit for a display panel |
| US7705924B2 (en) * | 2005-02-22 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and test method thereof |
| KR20070017625A (ko) | 2005-08-08 | 2007-02-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치와 이의 제조방법 |
| KR101614900B1 (ko) * | 2009-10-27 | 2016-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
| KR101945866B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2019-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 차폐 도전체를 가지는 액정 표시 장치 |
| US9142954B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-09-22 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | ESD protection system and X-ray flat panel detector |
| WO2014073486A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及び表示装置 |
| KR102106006B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2020-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR102145390B1 (ko) * | 2013-10-25 | 2020-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전기 방전 회로를 포함하는 표시 장치 |
| EP2878996B1 (en) * | 2013-12-02 | 2018-08-29 | LG Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing and testing methods thereof |
| KR20150066363A (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 렌즈 모듈 |
-
2015
- 2015-04-14 KR KR1020150052487A patent/KR102315889B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-29 US US14/926,820 patent/US9401354B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080102730A (ko) * | 2007-05-22 | 2008-11-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
| KR20110067442A (ko) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| KR20140067523A (ko) * | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101398448B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180063931A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20230151504A (ko) * | 2016-12-02 | 2023-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11862645B2 (en) | 2016-12-02 | 2024-01-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR20200112983A (ko) * | 2018-08-07 | 2020-10-05 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 디스플레이 디바이스 |
| US11392004B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
| US11852937B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102315889B1 (ko) | 2021-10-21 |
| US9401354B1 (en) | 2016-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102650168B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102668184B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US10192935B2 (en) | Display device | |
| KR102404573B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| KR102716282B1 (ko) | 테스트부를 갖는 표시장치 | |
| KR101838378B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US10714561B2 (en) | Display device | |
| KR102211966B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100560782B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| KR20170124065A (ko) | 백플레인 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 | |
| US9773858B2 (en) | Organic light-emitting diode display | |
| KR20160122901A (ko) | 표시 패널 | |
| CN111403455B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US20090051285A1 (en) | Organic electroluminescence display device | |
| KR20150109012A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102360010B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20190067874A (ko) | 어레이 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 디바이스 | |
| KR101733820B1 (ko) | 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| US20180351133A1 (en) | Display Device | |
| KR20060019099A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20170026900A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| US12075672B2 (en) | Display panel and display device | |
| US11436974B1 (en) | Display device | |
| US20240219788A1 (en) | Display substrate, display module and display device | |
| KR20100070729A (ko) | 유기전계 발광소자용 어레이 기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |