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  1. チャネル層が有機半導体薄膜で構成され、基板上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上部に絶縁膜を介して設けられた電極とを備えた半導体装置において、
    前記薄膜トランジスタと前記電極との間には、前記薄膜トランジスタおよび前記電極それぞれとの間に絶縁性を保って導電性のシールド層が配置されている
    半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記シールド層は、前記薄膜トランジスタのゲート電極またはソース電極と接続されている
    半導体装置。
  3. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記シールド層は、前記薄膜トランジスタに対して独立して電位制御される
    半導体装置。
  4. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記薄膜トランジスタの上部に設けられた電極は、当該薄膜トランジスタに接続されている
    半導体装置。
  5. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記基板上には前記薄膜トランジスタが複数配置され、
    前記シールド層は、複数の前記薄膜トランジスタを覆う状態で共通に設けられている
    半導体装置。
  6. チャネル層が有機半導体薄膜で構成され、基板上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上部に絶縁膜を介して設けられた電極とを備えた表示装置において、
    前記薄膜トランジスタンと前記電極との間には、前記薄膜トランジスタおよび前記電極それぞれとの間に絶縁性を保ってシールド層が配置されている
    表示装置。
  7. 請求項６記載の表示装置において、
    前記薄膜トランジスタの上部に設けられた電極は、当該薄膜トランジスタに接続された画素電極である
    表示装置。
  8. 請求項６記載の表示装置において、
    前記基板上には前記薄膜トランジスタが複数配置され、
    前記薄膜トランジスタの上部に設けられた電極は、複数の当該薄膜トランジスタに対して共通に対向配置された共通電極である
    表示装置。
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