JP5930082B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。このような電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素回路が設けられる。当該画素回路は、上記発光素子と、スイッチングトランジスターと、駆動トランジスターとを含む構成が一般的である（特許文献１参照）。ここで、スイッチングトランジスターは、データ線と駆動トランジスターのゲートとの間において走査線の選択期間にオンして、これにより、ゲートにデータ線に供給された電位が保持される。そして、駆動トランジスターが、当該ゲートの保持電位に応じた電流を発光素子に流す構成となっている。

特開２００７−３１０３１１号公報

ところで、表示サイズの小型化、表示の高精細化が要求される用途では、データ線と駆動トランジスターとが互いに接近して、容量結合する度合いが高くなる。このため、データ線が電位変動すると、当該電位変動が寄生容量を介して駆動トランジスターの各部、特にゲートに一種のノイズとして伝播して、当該ゲートの保持電位を変動させてしまう。したがって、目的とする電流を発光素子に流すことができなくなるので、表示品位を低下させてしまう、という問題が指摘された。
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、データ線の電位変動に起因するノイズによって表示品位が低下するのを防止することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置にあっては、第１の方向に沿って設けられた走査線と、データ線と、シールド配線と、発光素子と、前記発光素子に流れる電流を制御する第１トランジスターと、前記走査線に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御される第２トランジスターと、を備え、前記データ線は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って設けられるとともに、前記第１の方向に沿って延設させた延設部分を有し、前記第２トランジスターは、前記第１トランジスターのゲートと前記延設部分との間に接続されており、前記シールド配線は、平面視したときに前記第１トランジスターの前記ゲートに接続された電極と前記延設部分との間に設けられたことを特徴とする。

本発明において、前記電極の一部は、前記第１トランジスターのチャネル領域と重なる構成が好ましい。前記電極の一部は、一端が前記第１トランジスターのゲートに電気的に接続された保持容量の電極を構成しても良い。前記シールド配線は、平面視したときに前記保持容量の一部と重なっても良い。

また、上記目的は、第１の方向に沿って設けられた走査線と、データ線と、シールド配線と、第１トランジスターと、第１トランジスターのソースに接続された発光素子と、前記走査線に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御される第２トランジスターと、を備え、前記データ線は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って設けられるとともに、前記第１の方向に沿って延設させた延設部分を有し、前記第２トランジスターは、前記延設部分と前記第１トランジスターのゲートとの間に接続されており、前記シールド配線は、平面視したときに前記延設部分と、前記第１トランジスターの前記ソースに接続された電極との間に設けられた構成によっても達成し得る。
前記電極の一部は、前記第１トランジスターの半導体層に接続されても良い。前記電極の一部は、前記第１トランジスターの前記ゲートと前記ソースとの間に接続された保持容量の電極を構成しても良い。前記シールド配線は、平面視したときに前記保持容量の一部と重なっても良い。前記第１トランジスターの前記ゲートを覆うように設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を覆うように設けられた第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられた第１中継電極と、をさらに備え、前記データ線の前記第２の方向に沿って設けられた部分及び前記延設部分は、前記第２絶縁膜の上方に設けられており、前記シールド配線は、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられており、前記延設部分は、前記第１中継電極を介して前記第２トランジスターに接続されても良い。
前記第１中継電極は、平面視したときに前記シールド配線と重ならない位置に設けられても良い。前記第２トランジスターに接続された第２中継電極と、前記第１中継電極と前記第２中継電極とを接続する第１接続部と、前記第１中継電極と前記延設部分とを接続する第２接続部と、を備え、前記第１接続部は、平面視したときに前記第２接続部と重なっても良い。前記シールド配線は、平面視したときに前記第１トランジスターと重なっても良い。前記第１トランジスターは、第３中継電極を介して前記発光素子と接続されており、前記シールド配線は、前記第３中継電極の近傍において開孔した形状を有しても良い。
なお、本発明に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用可能である。典型的には、表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。特に本願発明は、保持容量が十分に確保できないときでも、データ線からのノイズが、画素回路の駆動トランジスターに到達する前にシールド配線に吸収され、これによって表示品位の低下を防止することができるので、例えばヘッドマウントディスプレイ用やプロジェクターのように縮小画像を形成する表示装置に好適である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）にも適用可能である。

第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 電気光学装置における画素回路の等価回路を示す図である。 電気光学装置の表示動作を示す図である。 画素回路の構成を示す平面図である。 図４におけるＥ−ｅ線で破断した構成を示す部分断面図である。 画素回路におけるデータ線からのノイズ吸収を示す図である。 画素回路における各種の寄生容量を示す図である。 画素回路における各種の寄生容量をモデル化した図である。 クロストークの一例を示す図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 図１０におけるＦ−ｆ線で破断した構成を示す部分断面図である。 第３実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 図１２におけるＨ−ｈ線で破断した構成を示す部分断面図である。 第４実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 第５実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 第６実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 図１６におけるＪ−ｊ線で破断した構成を示す部分断面図である。 第７実施形態に係る電気光学装置の画素回路の構成を示す平面図である。 別例に係る画素回路の等価回路を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その１）を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その２）を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その３）を示す図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。電気光学装置１は、複数の画素回路１１０によって画像を表示するものである。
この図に示されるように、電気光学装置１は、素子部１００、走査線駆動回路２１０およびデータ線駆動回路２２０を含んだ構成となっている。
このうち、素子部１００には、ｍ行の走査線１１２が図において行（Ｘ）方向に沿って設けられ、ｎ列のデータ線１１４が、列（Ｙ）方向に沿って、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。画素回路１１０は、ｍ行の走査線１１２とｎ列のデータ線１１４との各交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素回路１１０が縦ｍ行×横ｎ列でマトリクス状に配列することになる。なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。

各画素回路１１０には、電源線１１６がそれぞれ共通に接続されて、素子電源の高位側の電位Ｖelを給電する。なお、図１では省略されているが、後述するように共通電極が各画素回路１１０にわたって設けられて、素子電源の低位側の電位Ｖctを給電する。これらの電位Ｖel、Ｖctは、図示省略した電源回路によって生成される。
また、走査線１１２および画素回路１１０の行を便宜的に区別するために、図１において上から順に１行、２行、３行、…、（ｍ−１）行、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１１４および画素回路１１０の列を便宜的に区別するために、図１において左から順に１列、２列、３列、…、（ｎ−１）列、ｎ列と呼ぶ場合がある。

電気光学装置１では、マトリクス状に画素回路１１０が配列する領域の周辺に走査線駆動回路２１０およびデータ線駆動回路２２０が配置されている。走査線駆動回路２１０およびデータ線駆動回路２２０は、図示省略したコントローラーによって動作が制御される。また、データ線駆動回路２２０には、各画素回路１１０で表現すべき階調（輝度）を指定する階調データが上記コントローラーから供給される。
走査線駆動回路２１０は、各フレームにおいて１〜ｍ行目を順次選択するものである。一例として、走査線駆動回路２１０は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２にそれぞれ走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)を供給するものであり、フレームにおいて各走査信号を順次排他的にＨレベルとする。なお、本説明において、フレームとは、１カット（コマ）分の画像を電気光学装置１に表示させるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間をいう。

データ線駆動回路２２０は、走査線駆動回路２１０によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号を、データ線１１４を介して供給するものである。便宜的に、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４にそれぞれ供給されるデータ信号を、Ｖd(1)、Ｖd(2)、Ｖd(3)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)と表記している。

次に、図２を参照して、画素回路１１０の等価回路について説明する。なお、図２には、ｉ行目及び当該ｉ行目に対し下側で隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２と、ｊ列目及び当該ｊ列目に対し右側で隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の計４画素分の画素回路１１０が示されている。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、画素回路１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｎ以下の整数である。

図２に示されるように、各画素回路１１０は、Ｎチャネル型のトランジスター１３０、１４０と、保持容量１３５と、発光素子１５０とを有する。各画素回路１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明する。ｉ行ｊ列の画素回路１１０において、トランジスター１３０は、スイッチングトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードはｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのドレインノードはｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのソースノードは保持容量１３５の一端と、トランジスター１４０のゲートノードとにそれぞれ接続されている。
保持容量１３５の他端は、トランジスター１４０のソースノードおよび発光素子１５０の陽極にそれぞれ接続されている。一方、トランジスター１４０のドレインノードは、電源線１１６に接続されている。

便宜的に、ｉ行ｊ列の画素回路１１０において、トランジスター１３０のドレインノードを大文字のＤと表記し、トランジスター１４０のゲートノード（トランジスター１３０のソースノードおよび保持容量１３５の一端）を小文字のｇと表記している。特にｉ行ｊ列のトランジスター１４０のゲートノードについてはｇ(i,j)と表記している。
また、トランジスター１４０のドレインノード（電源線１１６）を小文字のｄと表記し、トランジスター１４０のソースノード（発光素子１５０の陽極）を小文字のｓと表記している。

発光素子１５０の陰極は、各画素回路１００にわたって共通電極１１８に接続されている。この共通電極１１８は、各画素回路１１０の発光素子１５０にわたって共通である。発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで有機ＥＬ材料からなる発光層を挟持したＯＬＥＤであり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光する。
なお、図２において、Ｇwr(i)、Ｇwr(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示している。また、Ｖd(j)、Ｖd(j+1)は、それぞれｊ、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を示している。
また、本実施形態において、データ線１１４の近傍には、シールド配線が設けられるが、シールド配線の詳細については後述することにする。

次に、電気光学装置１の表示動作について図３を参照して簡易的に説明する。図３は、走査信号およびデータ信号の波形の一例を示す図である。
この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)は、走査線駆動回路２１０によって各フレームにわたって水平走査期間（Ｈ）毎に順次排他的にＨレベルとなる。
ここで、ｉ行目の走査線１１２が選択されて走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになったとき、ｊ列目のデータ線１１４には、ｉ行ｊ列の画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号Ｖd(j)がデータ線駆動回路２２０によって供給される。

ｉ行ｊ列の画素回路１１０において走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになると、トランジスター１３０がオンするので、ゲートノードｇ(i,j)がｊ列目のデータ線１１４に電気的に接続された状態になる。このため、ゲートノードｇ(i,j)の電位は、図３において上矢印で示されるように、データ信号Ｖd(j)の電位になる。このとき、トランジスター１４０は、ゲートノードｇ(i,j)の電位に応じた電流を発光素子１５０に流し、保持容量１３５が、このときのトランジスター１４０におけるゲート・ソース間の電圧を保持する。ｉ行目の走査線１１２の選択が終了して走査信号Ｇwr(i)がＬレベルになったとき、トランジスター１３０がオフする。

トランジスター１３０がオンからオフに切り替わっても、当該トランジスター１３０がオンしていたときの、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は保持容量１３５によって保持されている。このため、トランジスター１３０がオフしても、トランジスター１４０は、保持容量１３５による保持電圧に応じた電流を、次回ｉ行目の走査線１１２が再び選択されるまで、発光素子１５０に流し続ける。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０における発光素子１５０は、ｉ行目が選択されたときのデータ信号Ｖd（j)の電位に応じた輝度で、すなわちｉ行ｊ列の階調データに応じた輝度で、１フレームに相当する期間にわたって発光し続けることになる。

なお、ｉ行目においては、ｊ列目以外の画素回路１１０でも、対応するデータ線１１４に供給されたデータ信号の電位に応じた輝度で発光する。また、ここではｉ行目の走査線１１２に対応する画素回路１１０で説明しているが、走査線１１２は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目という順番で選択される結果、画素回路１１０の各々は、それぞれ階調データに応じた輝度で発光することになる。このような動作は、フレーム毎にで繰り返される。
また、図３においては、走査信号の電位スケールよりも、データ信号Ｖd(j)、ゲートノードｇ(i,j)の電位スケールを便宜的に拡大している。

ところで、データ信号は、選択された行に位置する画素の階調データに応じた電位になるので、データ線１１４は、表示内容に応じて刻々と電位変動する。例えばｊ列目のデータ線１１４には、図３に示されるようなデータ信号Ｖd(j)が供給されるので、水平走査期間（Ｈ）毎に電位変動することになる。
データ線１１４が、画素回路１１０の各部と容量結合していると、データ線１１４の電位変動は、画素回路１１０の各部の電位に悪影響を与えてしまう。特に表示サイズの小型化や表示の高精細化が要求される用途では、例えば表示サイズが対角で１インチ未満であって１２８０×７２０ピクセル以上の解像度を有するマイクロディスプレイなどでは、保持容量１３５と比較して各部の寄生容量が相対的に大きくなるので、その影響が顕著に現れる。特に、トランジスター１４０のゲートノードｇおよびソースノードｓの電位は、発光素子１５０に流す電流を規定するので、この部分の電位変動は、表示化けや後述するクロストークなどの発生を招き、表示品位を大きく低下させる要因となる。
そこで、本実施形態では、画素回路１１０を次のように構成して、データ線の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくしているのである。

この画素回路１１０の構造について、図４および図５を参照して説明する。
図４は、縦および横方向に互いに隣り合う４つの画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図５は、図４におけるＥ−ｅ線で破断した部分断面図である。
なお、図４は、トップエミッションの画素回路１１０を観察側から平面視した場合の配線構造を示しているが、簡略化のために、発光素子１５０における画素電極（陽極）以降に形成される構造体を省略している。図５においては、発光素子１５０の画素電極までを示し、以降の構造体を省略している。また、以下の各図においては、各層、各部材、各領域などを認識可能な大きさとするために、縮尺を異ならせている。

まず、図５に示されるように、基礎となる基板２には、ポリシリコン膜を島状にパターニングした半導体層１３０ａ、１４０ａがそれぞれ設けられている。半導体層１３０ａは、トランジスター１３０を構成するものであり、半導体層１４０ａは、トランジスター１４０を構成するものである。ここで、半導体層１３０ａは、平面視したときに図４に示されるように、後に形成される走査線１１２に沿った横方向に長手が延在する矩形に形成されている。一方、半導体層１４０ａは、平面視したときに後に形成されるデータ線１１４に沿った縦方向に長手が延在する矩形に形成されている。

図５に示されるように、半導体層１３０ａ、１４０ｂのほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜１０が設けられている。ゲート絶縁膜１０の表面には、アルミニウムやタンタルなどのゲート配線層が設けられるとともに、当該ゲート配線層をパターニングすることによって、走査線１１２およびゲート電極層２１がそれぞれ設けられている。
走査線１１２は、図４において横方向に延在するとともに、画素回路１１０毎に下方向に向かって分岐した部分を有し、当該分岐部分が、半導体層１３０ａの中央部で重なっている。半導体層１３０ａのうち、走査線１１２の分岐部分と重なった領域がチャネル領域１３０ｃになっている（図５参照）。なお、半導体層１３０ａのうち、チャネル領域１３０ｃに対し図５において左方向がドレイン領域１３０ｄであり、右方向がソース領域１３０ｓである。
一方、ゲート電極層２１は、平面視したときに図４に示されるように、四角枠のうち、左辺を有さずに上辺、右辺および下辺を一体とした形状である。このうち、下辺が、半導体層１４０ａの中央部で重なっている。半導体層１４０ａのうち、ゲート電極層２１の下辺と重なった領域がチャネル領域１４０ｃになっている（図５参照）。半導体層１４０ａのうち、チャネル領域１４０ｃ領域に対し図５において左方向がソース領域１４０ｓであり、右方向がドレイン領域１４０ｄである。

図５において、走査線１１２、ゲート電極層２１またはゲート絶縁膜１０を覆うように第１層間絶縁膜１１が形成されている。第１層間絶縁膜１１の表面には導電性の配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによって中継電極４１、４２、４３、４４がそれぞれ形成されている。
このうち、中継電極４１は、第１層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜１０をそれぞれ開孔するコンタクトホール（ビア）３１を介してドレイン領域１３０ｄに接続されている。
なお、図４において異種の配線層同士が重なる部分において「□」印に「×」印を付した部分がコンタクトホールである。

図５において、中継電極４２の一端は、第１層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜１０をそれぞれ開孔するコンタクトホール３２を介してソース領域１３０ｓに接続される一方、中継電極４２の他端は、第１層間絶縁膜１１を開孔するコンタクトホール３３を介してゲート電極層２１に接続されている。
中継電極４３は、第１層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜１０をそれぞれ開孔するコンタクトホール３４を介してソース領域１４０ｓに接続されている。ここで、中継電極４３を平面視したときの形状は、図４に示されるようにゲート電極層２１の上辺を覆うような長方形である。このため、保持容量１３５は、図５に示されるようにゲート電極層２１と中継電極４３とで第１層間絶縁膜１１を挟持した構成となる。
中継電極４４は、第１層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜１０をそれぞれ開孔するコンタクトホール３５を介してドレイン領域１４０ｄに接続されている。

中継電極４１、４２、４３、４４または第１層間絶縁膜１１を覆うように第２層間絶縁膜１２が形成されている。第２層間絶縁膜１２の表面には導電性の配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによって中継電極６１、６２および電源線１１６がそれぞれ形成されている。
このうち、中継電極６１は、第２層間絶縁膜１２を開孔するコンタクトホール５１を介して中継電極４１に接続されている。中継電極６２についても、第２層間絶縁膜１２を開孔するコンタクトホール５２を介して中継電極４３に接続されている。
電源線１１６は、第２層間絶縁膜１２を開孔するコンタクトホール５３を介して中継電極４４に接続されている。このため、電源線１１６は、中継電極４４を介してドレイン領域１４０ｄに接続されることになる。電源線１１６は、平面視したときに図４に示されるように走査線１１２が延在する横方向に沿って形成される。
なお、コンタクトホール５１、５２、５３に、タングステンなどの高融点金属からなる柱状の接続プラグを充填することによって、中継電極４１・６１同士、中継電極４３・６２同士、並びに、中継電極４４および電源線１１６同士を、それぞれ接続しても良い。

中継電極６１、６２または第２層間絶縁膜１２を覆うように第３層間絶縁膜１３が形成されている。第３層間絶縁膜１３の表面には導電性の配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによってデータ線１１４、シールド配線８１ａ、８１ｂ(図５では省略）および中継電極８２がそれぞれ形成されている。
このうち、データ線１１４は、第３層間絶縁膜１３を開孔するコンタクトホール７１を介して中継電極６１に接続されている。このため、データ線１１４は、中継電極６１、中継電極４１という経路を辿ってドレイン領域１３０ｄに接続されることになる。ここで、データ線１１４は、平面視したときに図４に示されるように走査線１１２の延在方向と直行する縦方向に沿って形成される。
中継電極８２は、第３層間絶縁膜１３を開孔するコンタクトホール７２を介して中継電極６２に接続されている。
なお、コンタクトホール７１、７２に、高融点金属からなる柱状の接続プラグを充填して、中継電極６１およびデータ線１１４同士、並びに、中継電極６２・８２同士を、それぞれ接続しても良い。

シールド配線８１ａ、８１ｂの各々は、平面視したときに、それぞれ図４に示されるように各列に対応して形成されている。
詳細には、ある列のシールド配線８１ａは、当該列のデータ線１１４と、当該列の画素回路１１０におけるトランジスター１４０との間に位置するように、データ線１１４の右側で縦方向に沿って形成される。このとき、シールド配線８１ａは、データ線１１４と、当該トランジスター１４０とを比較したときに、データ線１１４寄りに近接して設けられる。すなわち、シールド配線８１ａとデータ線１１４との距離は、シールド配線８１ａとトランジスター１４０との距離よりも短くなっている。このため、シールド配線８１ａは、トランジスター１４０よりもデータ線１１４と容量結合しやすくなっている。

一方、ある列のシールド配線８１ｂは、当該列に対して右側で隣り合うデータ線１１４と、当該列の画素回路１１０におけるトランジスター１４０との間に位置するように、データ線１１４の左側で縦方向に沿って形成される。このとき、シールド配線８１ｂは、データ線１１４と、当該トランジスター１４０とを比較したときに、データ線１１４寄りに近接して設けられる。すなわち、シールド配線８１ｂとデータ線１１４との距離は、シールド配線８１ｂとトランジスター１４０との距離よりも短くなっている。このため、シールド配線８１ｂは、トランジスター１４０よりもデータ線１１４と容量結合しやすくなっている。
平面視したときにトランジスター１４０からみると、左側のデータ線１１４と右側のデータ線１１４とによって挟まれて配設されるが、左側のデータ線１１４の手前にシールド配線８１ａが配設し、右側のデータ線１１４の手前にシールド配線８１ｂが配設されていることになる。

なお、シールド配線８１ａ、８１ｂは、図４において縦方向に形成されるとともに、画素回路１１０が配列する領域の外側まで延設されて、時間的に一定の電位、例えば電位Ｖelが印加される。
また、シールド配線８１ａ、８１ｂについては、１行または数行毎に、平面視で電源線１１６と交差する部分においてコンタクトホールを介して接続するようにしても良い。

データ線１１４、シールド配線８１ａ、８１ｂ、中継電極８２または第３層間絶縁膜１３を覆うように第４層間絶縁膜１４が形成されている。第４層間絶縁膜１４の表面には、導電性および反射性を有する配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによって、発光素子１５０の陽極が形成されている。この陽極は、画素回路１１０毎に個別の画素電極であり、第４層間絶縁膜１４を開孔するコンタクトホール９２を介して中継電極８２に接続されている。このため陽極（画素電極）は、中継電極８２、中継電極６２、および、保持容量１３５の他方の電極を兼ねる中継電極４３という経路を辿ってソース領域１４０ｓに接続されることになる。
なお、コンタクトホール９２に、高融点金属からなる柱状の接続プラグを充填して、中継電極８２および画素電極同士を接続しても良い。

電気光学装置１としての以降の構造については図示省略するが、陽極に画素回路１１０毎に有機ＥＬ材料からなる発光層が積層されるとともに、各画素回路１１０にわたって共通の透明電極が、陰極を兼ねる共通電極１１８として設けられる。これによって、発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで発光層を挟持したＯＬＥＤになり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光して、基板２とは反対方向に向かって観察されることになる（トップエミッション構造）。このほかにも、発光層を大気から遮断するための封止ガラスなどが設けられるが、説明は省略する。
また、図４では、発光素子１５０の陽極である画素電極の図示を省略しているので、コンタクトホール９２については、位置を示す「□」印だけを付している。

次に、シールド配線８１ａ、８１ｂによるシールド機能について図６を参照して説明する。図６は、図４に示した画素回路１１０の平面構造を電気的な回路に置き換えて示した図である。
上述したように各列のデータ線１１４は電位変動するので、その電位変動に起因するノイズが画素回路１１０の各部に伝播する。
第１実施形態では、シールド配線８１ａが、ｊ列目のデータ線１１４からみて、ｉ行ｊ列のトランジスター１４０のゲートノードｇ、ソースノードｓよりも手前側に位置する。このため、ｊ列目のデータ線１１４から発生したノイズは、シールド配線８１ａとｊ列目のデータ線１１４との間における結合容量Ｃaによって吸収される。
また、シールド配線８１ｂについても、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４からみて、ｉ行ｊ列のトランジスター１４０のゲートノードｇ、ソースノードｓよりも手前側に位置する。このため、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４から発生したノイズは、シールド配線８１ｂと当該（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との間における結合容量Ｃbによって吸収される。
したがって、この電気光学装置１によれば、トランジスター１４０のゲートノードｇ、ソースノードｓがデータ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくなるので、安定した表示が可能になる。
また、第１実施形態においてシールド配線８１ａ、８１ｂは、データ線１１４や中継電極８２と同一の配線層をパターニングして形成しているので、製造工程において追加プロセスが不要である。

図７は、画素回路１１０の等価回路を各部の寄生容量とともに示す図である。
この図において、Ｃ_Ｄｇは、トランジスター１３０のドレインノードＤ（データ線１１４）とトランジスター１４０のゲートノードｇとの間で生じる寄生容量を示し、Ｃ_Ｄｓは、トランジスター１３０のドレインノードＤとトランジスター１４０のソースノードｓとの間で生じる寄生容量を示している。
Ｃ_ＨＯＬＤは、保持容量１３５の容量を示している。
Ｃ_ｇｄは、トランジスター１４０のゲートノードｇとドレインノードｄ（電源線１１６）との間で生じる寄生容量を示し、Ｃ_ｄｓは、トランジスター１４０のドレインノードｄとソースノードｓとの間で生じる寄生容量を示し、Ｃ_ＯＬＥＤは、発光素子１５０における容量成分を示している。

画素回路１１０は、対応する走査線が非選択期間であるときにトランジスター１３０がオフ状態になる。また、電源線１１６および共通電極１１８は電位一定である。
このため、非選択期間における画素回路１１０は、図８に示されるようなモデルに簡略化することができる。なお、図において、Ｖampは、非選択期間におけるデータ線１１４の電位振幅である。
このモデルにおいて、保持容量１３５の保持電圧Ｖgsに与える変動分ΔＶgsは、図８の式（１）のように表すことができる。なお、式（１）における係数Ｋ_１は、式（２）のように表され、また、係数Ｋ_２は、式（３）のように表される。
本実施形態では、シールド配線８１ａ、８１ｂを有するので、シールド配線８１ａ、８１ｂを有しない構成と比較して、寄生容量Ｃ_Ｄｇ、Ｃ_Ｄｓが、それぞれ小さくなる。
このため、式（２）のうち（ａ）項の成分が大きくなって、分母成分全体が大きくなるので、係数Ｋ_１は小さくなる。一方、式（３）のうち（ｂ）項の成分が大きくなって、分母成分全体が大きくなるので、係数Ｋ_２も小さくなる。
したがって、本実施形態では、電位振幅Ｖampに対する変動分ΔＶgsが、シールド配線８１ａ、８１ｂを有しない構成と比較して、小さくなるので、データ線１１４の電位変動やノイズなどの影響を受けにくい安定した表示が可能となるのである。

ここで、ゲートノードｇ、ソースノードｓの電位が、データ線１１４の電位変動に起因するノイズによって変動したとき、具体的には、次のようなクロストークという形で顕在化して、表示品位を低下させる。

図９は、本実施形態のようなシールド配線８１ａ、８１ｂを有しない電気光学装置で発生するクロストークの一例を示す図である。
ここでいうクロストークとは、図９（Ａ）に示されるように、例えば灰色を背景領域として黒色の矩形領域をウィンドウ表示させる場合に、実際には図９（Ｂ）に示されるように、黒色の領域（ｂ２）に対して上側の領域（ａ２）および下側の領域（ｃ２）が、他の灰色の領域（ａ１、ａ３、ｂ１、ｂ３、ｃ１、ｃ３）とは異なった暗い階調で表示されてしまう現象である。
なお、図９においては、領域の明るさを斜線の密度で示している。また、このクロストークは、領域（ｂ２）を白色としたときでも発生する。いずれにして、異なった階調で表示されてしまう領域が、領域（ｂ２）の上下方向に現れることから、特に縦クロストークとも呼ばれることがある。

この縦クロストークは、次のような原因によって発生すると考えられる。すなわち、あるフレームにおいて、領域（ａ１、ｂ１、ｃ１）に跨るデータ線１１４は、１行目から最終ｍ行目までの選択にわたって灰色の階調データに対応する電位で一定である。このため、領域（ａ１、ｂ１、ｃ１）に属する画素回路１１０は、自身に対応する走査線の選択によってゲートノードｇで保持した電位を、それぞれデータ線からのノイズの影響を受けることなく保持することになる。領域（ａ３、ｂ３、ｃ３）に跨るデータ線１１４、および、当該領域（ａ３、ｂ３、ｃ３）に属する画素回路１１０についても同様である。このため、領域（ａ１、ａ３、ｂ１、ｂ３、ｃ１、ｃ３）に属する画素回路１１０の各々は、１フレームに相当する期間の全域にわたって、ゲートノードｇの保持電位に応じた輝度で発光することになる。

これに対して、領域（ａ２、ｂ２、ｃ２）に跨るデータ線１１４は、領域（ａ２）の選択中には、灰色の階調データに対応する電位となり、領域（ｂ２）の選択中には、黒色の階調データに対応する電位に低下し、領域（ｃ２）の選択中には、再び灰色の階調データに対応する電位になる。
このため、領域（ａ２）に属する画素回路１１０では、自身に対応する走査線の選択によってゲートノードｇが灰色に相当する電位を保持しても、領域（ｂ２）の選択時におけるデータ線１１４の電位変動に起因するノイズによって変化してしまうことになる。
なお、領域（ｃ２）の選択時にデータ線１１４が、再び灰色に相当する電位に戻るので、この戻りによってゲートノードｇが灰色に相当する電位に復帰する、もしくは、近づく可能性はある。
しかしながら、たとえゲートノードｇが灰色に相当する電位に復帰したとしても、領域（ａ２）に属する画素回路１１０の各々は、書き込み後、１フレームに相当する期間のうち、少なくとも領域（ｂ２）の選択時にわたって、灰色に相当する電位から低下した電位に応じた輝度で発光してしまうことになる。
領域（ｃ２）についても同様である。すなわち、領域（ｃ２）に属する画素回路１１０では、自身に対応する走査線の選択によってゲートノードｇが灰色に相当する電位を保持しても、次のフレームにおいて領域（ｂ２）の選択時にデータ線１１４の電位変動に引っ張られて変化してしまうことになる。
したがって、１フレームに相当する期間の平均値でみたときに、領域（ａ２、ｃ２）に属する画素回路１１０の各々は、他の領域（ａ１、ａ３、ｂ１、ｂ３、ｃ１、ｃ３）に属する画素回路１１０の各々とは異なり暗い階調で視認されることになる。これが縦クロストークの発生するメカニズムである、と考えられている。

第１実施形態によれば、ゲートノードｇおよびソースノードｓの各々が、シールド配線８１ａ、８２によって、データ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくい構造になっているので、このような縦クロストークを抑制し、高品位な表示が可能になるのである。
なお、第１実施形態では、シールド配線８１ａ、８１ｂを電源線１１６と同じ電位Ｖelとしたが、他の電位、例えば電位Ｖctに保つようにしても良い。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、シールド配線８１ａ、８１ｂを、データ線１１４と同一の配線層をパターニングして形成したが、データ線１１４とは異なる配線層から形成しても良い。そこで次に、第２実施形態として、シールド配線８１ａ、８１ｂを、データ線１１４よりも下層側の中継電極６１、６２および電源線１１６と同一の配線層から形成した場合を例に挙げて説明する。

図１０は、第２実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図１１は、図１０におけるＦ−ｆ線で破断した部分断面図である。
シールド配線８１ａ、８１ｂを、中継電極６１、６２および電源線１１６と同一の配線層から形成する場合、シールド配線８１ａと中継電極６１との干渉（電気的な接触）を避ける必要がある。具体的には、コンタクトホール５１を、平面視でシールド配線８１ａよりも外側（図１０、図１１において左側）に設ける必要がある。
このため、第２実施形態では、図１０に示されるように、コンタクトホール５１、７１を平面視したときに同一地点で重なるように配置させるとともに、中継電極４１を当該地点まで延設させている。もちろん、例えば中継電極６１を別地点まで延設するなどして、コンタクトホール５１、７１が平面視したときに異なる地点となるように配置させて良い（図示省略）。

第２実施形態においても、シールド配線８１ａが、ｊ列目のデータ線１１４からみて、平面視でｉ行ｊ列のトランジスター１４０の各ノードよりも手前側に位置するので、ｊ列目のデータ線１１４から発生したノイズは、シールド配線８１ａとｊ列目のデータ線１１４との間における結合容量によって吸収される。
また、シールド配線８１ｂについても、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４からみて、平面視でｉ行ｊ列のトランジスター１４０の各ノードよりも手前側に位置するので、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４から発生したノイズは、シールド配線８１ｂと当該（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との間における結合容量によって吸収される。
このため、第２実施形態においても、ノイズ等の影響を受けにくいので、安定した表示が可能になる。
また、第２実施形態において、シールド配線８１ａ、８１ｂは、中継電極６１、６２および電源線１１６と同一の配線層をパターニングして形成しているので、第１実施形態と同様に、製造工程において追加プロセスが不要である。

さらに第２実施形態では、データ線１１４とは異なる配線層を用いてシールド配線８１ａ、８１ｂを形成している。このため、シールド配線８１ａ、８１ｂとデータ線１１４にとの接触が避けられるので、画素回路の狭ピッチ化が容易となる。すなわち、第１実施形態では、シールド配線８１ａ、８１ｂをデータ線１１４と同一の配線層から形成しているので、シールド機能を確保するためには、シールド配線８１ａ、８１ｂをデータ線１１４と離間させる必要がある。これに対して、第２実施形態では、そのような必要がないので、平面視でシールド配線８１ａ、８１ｂがデータ線１１４に重なっていても、中継電極６１の部分で離間していれば電気的な絶縁が確保されるので、狭ピッチ化が容易となる。

ところで、平面視でシールド配線がトランジスター１４０における各ノードと交差するように形成すれば、より強力なシールド機能が期待できる。そこで、シールド配線をデータ線と同一配線層から形成し、シールド機能の強化を図った例について、第３実施形態、第５実施形態として説明することにする。また、シールド配線をデータ線と異なる配線層から形成し、シールド機能の強化を図った例については、第６実施形態、第７実施形態として後述することにする。

＜第３実施形態＞
図１２は、第３実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図１３は、図１２におけるＨ−ｈ線で破断した部分断面図である。
図１２に示されるように、第３実施形態では、シールド配線８１ａの一部が、右側に向かって延設されるとともに、平面視したときに中継電極４３を覆うように形成されている。保持容量１３５は、平面視したときに中継電極４３とゲート電極層２１とが重なる領域であり、中継電極４３は、保持容量１３５における他方の電極であって、トランジスター１４０のソースノードｓでもある。このため、第３実施形態では、シールド機能が、第１実施形態と比較してより強化されることになる。

＜第４実施形態＞
図１４は、第４実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、シールド配線８１ａ、８１ｂがそれぞれ画素回路１１０毎に、データ線１１４に沿って短冊状に形成されるとともに、電源線１１６にそれぞれ接続されている。なお、第４実施形態において、シールド配線８１ａ、８１ｂは、データ線１１４と同一の配線層から形成される。このため、シールド配線８１ａは、第３層間絶縁膜１３を開孔するコンタクトホール７３を介して電源線１１６に接続され、シールド配線８１ｂも、同様に、第３層間絶縁膜１３を開孔するコンタクトホール７４を介して電源線１１６に接続されている。なお、断面図については、省略する。

第１実施形態のように、シールド配線８１ａ、８１ｂをデータ線１１４に沿ってそれぞれ１本となるように形成した場合、抵抗率が比較的大きかったり、定電位の接続点から離れていたりすると、シールド配線８１ａ、８１ｂのインピーダンスが比較的高くなって、ノイズを十分に吸収できないときがある。これに対して、第４実施形態によれば、画素回路１１０毎に、シールド配線８１ａ、８１ｂが設けられるとともに電源線１１６に接続されているので、低インピーダンス化が図られて、ノイズの吸収能力を高めることが可能になる。

＜第５実施形態＞
図１５は、第５実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図である。この第５実施形態は、第３実施形態と第４実施形態とを組み合わせたものであり、図１４に示したシールド配線８１ａの形状を変更して、平面視で中継電極４３を覆うように形成したものである。
このため、第５実施形態によれば、シールド機能を強化して、ノイズの吸収能力を高めることが可能になる。

＜第６実施形態＞
第２実施形態のように、シールド配線を、データ線１１４とは異なる配線層から形成する場合、シールド配線をデータ線１１４の両隣ではなく、データ線１１４と平面視で重なるように、データ線１１４の下層側に設けても良いはずである。
一方、シールド配線を画素回路１１０毎に例えば電源線１１６に接続すれば、ノイズの吸収能力を高めることが可能となる点については、すでに第４（第５）実施形態の項で述べた。
そこで次に、両者を組み合わせて、シールド配線を、データ線１１４とは異なる配線層から形成し、データ線１１４と平面視で重なるようにデータ線１１４の下層側に設けるとともに、電源線１１６と一体化した第６実施形態について説明する。

図１６は、第６実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図１７は、図１６におけるＪ−ｊ線で破断した部分断面図である。
第１実施形態から第５実施形態までは、１列につき、シールド配線８１ａ、８１ｂが設けられていたが、第６実施形態では、シールド配線８１に統合されるとともに、電源線１１６を兼用している。
図１７に示されるように、電源線１１６を兼用するシールド配線８１は、中継電極６１、６２とともに、第２層間絶縁膜１２に成膜された配線層をパターニングしたものである。シールド配線８１を平面視したときの形状は、図１６に示されるように、縦方向のデータ線１１４で重なるようにデータ線１１４よりも幅広に、かつ、横方向の電源線１１６と一体になって格子状になっている。

データ線１１４は、中継電極６１、４１を順に介してドレイン領域１３０ｄに接続されるが、シールド配線８１は、中継電極６１と同一の配線層から形成されるので、干渉を避ける必要がある。このため、データ線１１４は、図１６において右方向に分岐し、かつ、シールド配線８１が形成されていない部分まで延設されている。当該延設部分にコンタクトホール５１が形成されて、データ線１１４を中継電極６１に接続している。これによってシールド配線８１と中継電極６１とは互いに干渉せずに電気的に分離することになる。
なお、この例では、コンタクトホール５１、７１を平面視したときに同一地点で重なるように配置させているが、異なる地点となるように配置させて良い（図示省略）。

さて、第６実施形態では、データ線１１４を右側に分岐して延設させている関係上、この延設部分から、ノイズが、トランジスター１４０のゲートノードｇ、ソースノードｓに飛び込む可能性がある。このため、第６実施形態では、平面視したときにデータ線１１４の分岐部分と、中継電極４３／ゲート電極層２１との間に、シールド配線８１を右側に延設させた分岐配線８１ｄを設けている。これにより、データ線１１４の右側に延設させた部分、すなわちコンタクトホール７１近傍からのノイズは、トランジスター１４０の各ノードに到達する前に、分岐配線８１ｄによって吸収される。

第６実施形態によれば、シールド配線８１が平面視でデータ線１１４と重なるように設けられているとともに、電源線１１６との兼用によって電位が固定化されているので、シールド機能の強化が図られることになる。

＜第７実施形態＞
図１８は、第７実施形態における電気光学装置の画素回路１１０の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、第７実施形態は、電源線１１６を兼用するシールド配線８１を、平面視したときに保持容量１３５（ゲート電極層２１）およびトランジスター１４０を覆うようにしたものである。
上述したようにシールド配線８１（電源線１１６）は、中継電極６１、６２と同一の配線層をパターニングして形成されるので、中継電極６１、６２との干渉を避ける必要がある。この第７実施形態において、電源線１１６を兼用するシールド配線８１は、中継電極６１、６２の近傍領域において、開孔した形状になっている。
なお、第７実施形態の画素回路１１０における要部断面図は、図１７において、破線で示した部分を追加した内容になる。

第７実施形態によれば、シールド配線８１が平面視でデータ線１１４と重なるように、かつ、保持容量１３５およびトランジスター１４０を覆うように設けられるとともに、電源線１１６との兼用によって電位が固定化されているので、シールド機能のさらなる強化が図られる。
なお、第７実施形態では、中継電極６１、６２と干渉しない限りにおいて、シールド配線８１の開孔面積を、より狭めても良い。また、第７実施形態では、シールド配線８１で、平面視で保持容量１３５およびトランジスター１４０の全域を覆うようにしたが、一部についてのみ覆うようにしても良い。

＜応用例・変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限られず、次のような応用・変形が可能である。
例えば保持容量１３５の構成については、ゲート電極層２１と中継電極４３とで第１層間絶縁膜１１を挟持したが、例えば平面視でゲート電極層２１と重なるように半導体層を設けて、当該半導体層とゲート電極層２１とでゲート絶縁膜１０を挟持しても良い。半導体層としては、ソース領域１４０ｓを延設させたものを用いても良いし、別途パターニングしたものを用いても良い。このほかにも、異種配線層からなる電極、配線同士で層間絶縁膜やゲート絶縁膜を挟持した構成としても良いし、複数個並列接続したものを全体として保持容量１３５として用いても良い。
また、保持容量１３５を電気的に介挿する位置については、トランジスター１４０のゲートノードｇとソースノードｓとの間以外でも、例えば図１９に示されるようにゲートノードｇと共通電極１１８との間でも良いし、特に図示しないが、ゲートノードｇと他の電位に固定された配線との間でも良い。

画素回路１１０の駆動については、トランジスター１３０がオン状態となっている選択期間に、単に階調データに応じた電位のデータ信号をゲートノードｇに保持させる方法に限られない。例えば、トランジスター１３０がオン状態となっている選択期間に、データ線１１４を基準電位とするとともに、電源線１１６および共通電極１１８による電源を第１電位と第２電位とで切り換えて、トランジスター１４０のしきい値電圧に相当する電圧を保持容量１３５に保持させ、この後、データ線１１４を階調データに応じた電位となるように駆動しても良い。また、選択期間にデータ信号の電位を変化させるとともに、選択期間終了時におけるデータ信号の時間的変化率を階調データに応じた値となるように駆動しても良いし、ソースノードｓに容量素子を介して、行毎にランプ信号を供給しトランジスター１４０にセット電流が流れるように駆動しても良い。
いずれの駆動においても、各実施形態のようなシールド配線を画素回路１１０に設けることによって、発光素子１５０に電流を流すトランジスター１４０の各ノードの電位が、データ線１１４からのノイズによって変動してしまうのを抑えることが可能である。

シールド配線については、異なる２層以上の配線層をパターニングしたものを用いても良い。例えば第６（第７）実施形態において、データ線１１４および中継電極８２と同一の配線層をパターニングして、シールド配線８１（電源線１１６）と、別途の形成したシールド配線との二重構造としても良い。なお、別途のシールド配線については、データ線１１４および中継電極８２との干渉を避ければ良い。

発光素子１５０としては、ＯＬＥＤのほか、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。

＜電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。
図２０は、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用したパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
電気光学装置１において、発光素子１５０にＯＬＥＤを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。

図２１は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１や方向キー３００２などのほか、受話口３００３、送話口３００４とともに上述した電気光学装置１を備える。方向キー３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。

図２２は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の外観を示す図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１や方向キー４００２などのほか、上述した電気光学装置１を備える。携帯情報端末４０００では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置１に表示されるとともに、表示された情報が方向キー４００２の操作に応じてスクロールされる。

なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。特にマイクロディスプレイとしては、ヘッドマウントディスプレイや、デジタルスチルカメラまたはビデオカメラの電子ビューファインダーなどが挙げられる。

１…電気光学装置、８１、８１ａ、８１ｂ…シールド配線、１１０…画素回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…電源線、１１８…共通電極、１３０…トランジスター、１３５…保持容量、１４０…トランジスター、１５０…発光素子、２１０…走査線駆動回路、２２０…データ線駆動回路、２０００…パーソナルコンピューター、３０００…携帯電話機、４０００…携帯情報端末。

Claims (10)

1. 第１の方向に沿って設けられた走査線と、
   データ線と、
   シールド配線と、
   発光素子と、
   前記発光素子に流れる電流を制御する第１トランジスターと、
   前記走査線に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御される第２トランジスターと、
   を備え、
   前記データ線は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って設けられるとともに、前記第１の方向に沿って延設させた延設部分を有し、
   前記第２トランジスターは、前記第１トランジスターのゲート電極層と前記延設部分との間で電気的に接続されており、
   前記第１トランジスターのゲートは、前記ゲート電極層のうち前記第１トランジスターのチャネル領域と重なる部分であり、
   前記シールド配線は、平面視したときに前記第１トランジスターの前記ゲートと前記延設部分との間に設けられた
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記シールド配線は、平面視したときに前記第１トランジスターの前記ゲートと、前記第２トランジスターのゲートとの間に設けられた
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記ゲート電極層の一部は、一端が前記第１トランジスターの前記ゲートに電気的に接続された保持容量の電極を構成する
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記シールド配線は、平面視したときに前記保持容量の一部と重なる
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記第１トランジスターの前記ゲートを覆うように設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を覆うように設けられた第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられた第１中継電極と、をさらに備え、
   前記データ線の前記第２の方向に沿って設けられた部分及び前記延設部分は、前記第２絶縁膜の上方に設けられており、
   前記シールド配線は、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられており、
   前記延設部分は、前記第１中継電極を介して前記第２トランジスターに接続された
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電気光学装置。
6. 前記第１中継電極は、平面視したときに前記シールド配線と重ならない位置に設けられた
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記第２トランジスターに接続された第２中継電極と、前記第１中継電極と前記第２中継電極とを接続する第１接続部と、前記第１中継電極と前記延設部分とを接続する第２接続部と、を備え、
   前記第１接続部は、平面視したときに前記第２接続部と重なる
   ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記シールド配線は、平面視したときに前記第１トランジスターと重なる
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置。
9. 前記第１トランジスターは、第３中継電極を介して前記発光素子と接続されており、
   前記シールド配線は、前記第３中継電極の近傍において開孔した形状を有する
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を有する
    ことを特徴とする電子機器。

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