JP2013041287A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. トランジスタと、容量と、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、有するＥＬ表示装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の不純物領域と、
   第２の不純物領域と、
   前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域との間の、チャネル形成領域と、
   前記チャネル形成領域上の、第１の絶縁膜と、
   前記チャネル形成領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた、第１の領域とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の領域は、前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、
   前記容量は、
   第２の領域と、
   前記第２の領域上の、前記第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して、前記第２の領域と重なる第３の領域と、
   前記第３の領域上の、第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第３の領域と重なる第４の領域と、を有し、
   前記発光素子は、
   陰極と、
   陽極と、
   前記陰極と前記陽極との間の、ＥＬ材料とを有し、
   前記チャネル形成領域と前記第２の領域は、半導体膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、第１の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記配線と前記第４の領域は、第２の導電膜を加工する工程を経て形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
2. トランジスタと、容量と、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、有するＥＬ表示装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の不純物領域と、
   第２の不純物領域と、
   前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域との間の、チャネル形成領域と、
   前記チャネル形成領域上の、第１の絶縁膜と、
   前記チャネル形成領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた、第１の領域とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の領域は、前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、
   前記容量は、
   第２の領域と、
   前記第２の領域上の、前記第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して、前記第２の領域と重なる第３の領域と、
   前記第３の領域上の、第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第３の領域と重なる第４の領域と、を有し、
   前記発光素子は、
   陰極と、
   陽極と、
   前記陰極と前記陽極との間の、ＥＬ材料とを有し、
   前記チャネル形成領域と前記第２の領域は、半導体膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、第１の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記配線と前記第４の領域は、第２の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第２の領域は、前記第４の領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
3. トランジスタと、容量と、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、有するＥＬ表示装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の不純物領域と、
   第２の不純物領域と、
   前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域との間の、チャネル形成領域と、
   前記チャネル形成領域上の、第１の絶縁膜と、
   前記チャネル形成領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた、第１の領域とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の領域は、前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、
   前記容量は、
   第２の領域と、
   前記第２の領域上の、前記第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して、前記第２の領域と重なる第３の領域と、
   前記第３の領域上の、第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第３の領域と重なる第４の領域と、を有し、
   前記チャネル形成領域と前記第２の領域は、半導体膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、第１の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記配線と前記第４の領域は、第２の導電膜を加工する工程を経て形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
4. トランジスタと、容量と、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、有するＥＬ表示装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の不純物領域と、
   第２の不純物領域と、
   前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域との間の、チャネル形成領域と、
   前記チャネル形成領域上の、第１の絶縁膜と、
   前記チャネル形成領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた、第１の領域とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
   前記第１の領域は、前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、
   前記容量は、
   第２の領域と、
   前記第２の領域上の、前記第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して、前記第２の領域と重なる第３の領域と、
   前記第３の領域上の、第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第３の領域と重なる第４の領域と、を有し、
   前記チャネル形成領域と前記第２の領域は、半導体膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、第１の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記配線と前記第４の領域は、第２の導電膜を加工する工程を経て形成され、
   前記第２の領域は、前記第４の領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするＥＬ表示装置。