JP6116186B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高精細な表示装置を提供することにある。
行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素を備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源及び低電位電源間に接続された表示素子と、
前記高電位電源と前記表示素子との間に設けられ、前記高電位電源から前記表示素子への電流を制御する駆動トランジスタと、を有し、
前記表示素子は、
前記駆動トランジスタを介して前記高電位電源から電流が供給される画素電極と、
前記画素電極上に形成された有機物層と、
前記有機物層上に形成された対向電極と、を有し、
前記駆動トランジスタは、
半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層及び前記ゲート電極の上方に設けられた第1絶縁膜と、を有し、
前記駆動トランジスタと前記表示素子とは互いに重なり、
前記駆動トランジスタと前記表示素子との間の層に、
前記第1絶縁膜上に設けられ、前記高電位電源又は前記低電位電源と接続された第1導電層と、
前記第1絶縁膜及び第1導電層上に設けられた第2絶縁膜と、を有し、
前記画素電極は、前記第2絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と接続され、
前記第1導電層及び前記画素電極は、互いに対向し、補助容量を形成する。
これにより、第1走査線Sga、第2走査線Sgb及び第3走査線Sgcは、それぞれ制御信号BG、SG、RGにより駆動される。
駆動トランジスタDRTを形成したNチャネル型のTFTは、半導体層SCを備えている。半導体層SCは、絶縁基板SUB上に形成されたアンダーコート層UC上に形成されている。半導体層SCは、例えば、p型領域とn型領域とを含んだポリシリコン層である。
図7に示すように、画素PXはいわゆる縦ストライプ画素である。行方向Xには、赤色の画像を表示するように構成された画素PX、緑色の画像を表示するように構成された画素PX、青色の画像を表示するように構成された画素PX、及び無彩色の画像を表示するように構成された画素PXが交互に並べられている。列方向Yには、同一色の画像を表示するように構成された画素PXが並べられている。
ここで、本実施形態において、画素PX、絵素Pの用語で説明したが、画素を副画素と言い換えることが可能である。この場合、絵素が画素である。
なお、Vsigは映像信号Vsigの電圧値であり、Csは保持容量Csの容量であり、Celは容量部Celの容量であり、Cadは補助容量Cadの容量である。
Idrt=β×(Vgs−Vth)2
={(Vsig−Vini)×(Cel+Cad)/(Cs+Cel+Cad)}2
である。
なお、Wは駆動トランジスタDRTのチャネル幅、Lは駆動トランジスタDRTのチャネル長、μはキャリア移動度、Coxは単位面積当たりのゲート静電容量である。
βは次の式で定義される。
なお、Wは駆動トランジスタDRTのチャネル幅、Lは駆動トランジスタDRTのチャネル長、μはキャリア移動度、Coxは単位面積当たりのゲート静電容量である。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
さらに、画素PXを構成する自己発光素子は、ダイオード(有機ELダイオード)OLEDに限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用して形成することが可能である。
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の駆動方法に限らず、各種の表示装置及び表示装置の駆動方法に適用することが可能である。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]複数の半導体層と、
前記複数の半導体層の上方に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられ、金属で形成された第1導電層と、
前記第1絶縁膜及び第1導電層上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に設けられた第2導電層を有する表示素子と、を備え、
前記第1導電層及び第2導電層は、互いに対向し、容量部を形成する表示装置。
[2]前記第2導電層は、透明な電極層と光反射性を有する電極層とが積層されて形成されている[1]に記載の表示装置。
[3]行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源及び低電位電源間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極とを有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源及び駆動トランジスタのドレイン電極間に接続され、前記高電位電源及び駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線及び前記駆動トランジスタのゲート電極間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極及びゲート電極間に接続された保持容量と、を備え、
前記駆動トランジスタ、出力スイッチ、画素スイッチ及び保持容量は、前記複数の半導体層を利用して形成される[1]に記載の表示装置。
[4]前記出力スイッチに接続された第1走査線と、
前記画素スイッチに接続された第2走査線と、
前記第1走査線及び第2走査線に接続された走査線駆動回路と、
前記映像信号線に接続された信号線駆動回路と、をさらに備える[3]に記載の表示装置。
[5]前記出力スイッチは、前記複数の画素で共用されている[3]に記載の表示装置。
[6]行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源及び低電位電源間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極とを有した駆動トランジスタと、
映像信号線及び前記駆動トランジスタのゲート電極間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極及びゲート電極間に接続された保持容量と、を備え、
前記駆動トランジスタ、画素スイッチ及び保持容量は、前記半導体層を利用して形成される[1]に記載の表示装置。
[7]前記高電位電源及びリセット配線間に接続され、前記高電位電源及びリセット配線間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、前記出力スイッチに接続された第1走査線と、を有した走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路及び画素スイッチに接続された第2走査線と、
前記映像信号線に接続された信号線駆動回路と、をさらに備える[6]に記載の表示装置。
[8]前記複数の画素の各々は、前記容量部である補助容量をさらに備え、
前記第1導電層は定電位の電源に接続され、
前記第2導電層は前記駆動トランジスタのソース電極に接続されている[3]又は[6]に記載の表示装置。
[9]前記定電位の電源は前記高電位電源又は低電位電源であり、
前記第1導電層は、表示領域の外側で、前記定電位の電源に接続された電源線に接続されている[8]に記載の表示装置。
[10]前記表示領域の外側で前記電源線上に形成された防湿性を有する電極層をさらに備え、
前記電極層は、大気に露出されている[9]に記載の表示装置。
Claims (11)
- 行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素を備え、
前記複数の画素の各々は、
高電位電源及び低電位電源間に接続された表示素子と、
前記高電位電源と前記表示素子との間に設けられ、前記高電位電源から前記表示素子への電流を制御する駆動トランジスタと、を有し、
前記表示素子は、
前記駆動トランジスタを介して前記高電位電源から電流が供給される画素電極と、
前記画素電極上に形成された有機物層と、
前記有機物層上に形成された対向電極と、を有し、
前記駆動トランジスタは、
半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層及び前記ゲート電極の上方に設けられた第1絶縁膜と、を有し、
前記駆動トランジスタと前記表示素子とは互いに重なり、
前記駆動トランジスタと前記表示素子との間の層に、
前記第1絶縁膜上に設けられ、前記高電位電源又は前記低電位電源と接続された第1導電層と、
前記第1絶縁膜及び第1導電層上に設けられた第2絶縁膜と、を有し、
前記画素電極は、前記第2絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と接続され、
前記第1導電層及び前記画素電極は、互いに対向し、補助容量を形成する表示装置。 - 前記画素電極は、透明な電極層と光反射性を有する電極層とが積層されて形成されている請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数の画素の各々は、
前記高電位電源及び前記駆動トランジスタのドレイン電極間に接続され、前記高電位電源及び前記駆動トランジスタのドレイン電極間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線及び前記駆動トランジスタのゲート電極間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極及びゲート電極間に接続された保持容量と、をさらに備え、
前記補助容量と前記保持容量とは、前記駆動トランジスタのゲート電極と前記第1導電層との間で直列に接続される請求項1に記載の表示装置。 - 前記出力スイッチに接続された第1走査線と、
前記画素スイッチに接続された第2走査線と、
前記第1走査線又は第2走査線に信号を出力するように設けられた走査線駆動回路と、
前記映像信号線に接続された信号線駆動回路と、をさらに備える請求項3に記載の表示装置。 - 前記出力スイッチは、前記複数の画素で共用されている請求項3に記載の表示装置。
- 前記複数の画素の各々は、
映像信号線及び前記駆動トランジスタのゲート電極間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極及びゲート電極間に接続された保持容量と、をさらに備え、
前記補助容量と前記保持容量とは、前記駆動トランジスタのゲート電極と前記第1導電層との間で直列に接続される請求項1に記載の表示装置。 - 前記高電位電源及びリセット配線間に接続され、前記高電位電源及び前記リセット配線間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、前記出力スイッチに接続された第1走査線と、を有した走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路及び画素スイッチに接続された第2走査線と、
前記映像信号線に接続された信号線駆動回路と、をさらに備える請求項6に記載の表示装置。 - 前記第1導電層は、前記複数の画素が配置された表示領域の外側で、前記高電位電源又は前記低電位電源と接続されている請求項1、3及び6の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記第1導電層は、前記低電位電源に接続されている請求項8に記載の表示装置。
- 電極層をさらに備え、
前記第1導電層は、前記高電位電源又は前記低電位電源と接続された電源線に接続され、
前記電極層は、前記複数の画素が配置された表示領域の外側で前記電源線上に形成された防湿性を有し、大気に露出されている請求項1乃至9の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第1導電層は、前記複数の画素のうち隣接する2画素の間で連続に形成されている請求項1、3及び6の何れか1項に記載の表示装置。
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