JPH08184852A

JPH08184852A - アクティブマトリクス型表示装置

Info

Publication number: JPH08184852A
Application number: JP32610394A
Authority: JP
Inventors: Yasuyoshi Kaize; 泰佳海瀬
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-12-27
Filing date: 1994-12-27
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＦＴのＯＦＦ状態でのリーク電流を抑え、
開口率が大きい高性能なアクティブマトリクス型表示装
置を提供する。【構成】絶縁性基板２１上に、光遮蔽膜２２および補
助キャパシタ電極２３となる導電性膜が設けられてい
る。この光遮蔽膜２２上にはＴＦＴ３５が設けられ、Ｔ
ＦＴ３５は、活性領域２５、ソース領域２６およびドレ
イン領域２７を有する半導体層上にゲート絶縁膜２８を
介してゲート電極２９形成されている。補助キャパシタ
電極２３はドレイン領域２７と電気的に導通されて、表
示画素電極３２と同電位となっている。この補助キャパ
シタ電極２３の上には、ゲート絶縁膜２８を介してゲー
ト電極２９のパターン形成時に導電性膜の導電性膜３０
が形成され、ゲート絶縁膜２８だけを誘電体膜とする電
荷保持用補助キャパシタとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示画素電極を駆動制
御するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下
ＴＦＴ[Thin Film Transistor]という）を用い、表示画
素キャパシタを補助する補助キャパシタ部とを有するア
クティブマトリクス型表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、液晶やＥＬ（エレクトロクロミッ
ク）などを表示媒体とした表示装置は、テレビジョン装
置やグラフィックディスプレイなどを指向した大容量化
・高密度化が求められており、アクティブマトリクス型
表示装置の開発および実用化が盛んに行われている。こ
のアクティブマトリクス型表示装置においては、クロス
トークが無い高コントラストな表示が行えるように、各
表示画素を駆動制御するスイッチング素子として半導体
スイッチが用いられている。このような半導体スイッチ
としては、透過型の表示が可能であるなどの理由から、
透明基板上にＴＦＴなどが形成されて用いられている。

【０００３】図３は、スイッチング素子としてＴＦＴア
レイを備えた従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の等価回路図である。

【０００４】図３において、対向配設される一方の基板
上に形成されるＴＦＴ１のドレインは表示画素電極２と
接続され、ＴＦＴ１のゲートは行毎に共通してゲート母
線Ｙ１、Ｙ２、・・・、Ｙｎに接続され、ＴＦＴ１のソ
ースは列毎に共通してソース母線Ｘ１、Ｘ２、・・・、
Ｘｍに接続されている。また、対向基板上に形成される
対向電極３と、表示画素電極２との間には液晶層４が挟
持されている。

【０００５】図４は図３のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の構成を示す断面図である。

【０００６】図４において、第１電極基板５は、ガラス
などの絶縁性基板６上に、表示画素電極２と、これを選
択駆動するＴＦＴアレイ（図示せず）とが集積形成され
ている。また、この第１電極基板５と対向して配設され
る第２電極基板７は、ガラスなどの絶縁性基板８上に、
透明導電膜からなる対向電極３が形成されている。これ
ら第１電極基板５と第２電極基板７は、スペーサ（図示
せず）および封着部９により両端部が所定間隔で貼り合
わせられて、その間に液晶層４が挟持されている。

【０００７】図５は図４のアクティブマトリクス型液晶
表示装置における第１電極基板５の詳細を示す１画素部
分の断面図である。

【０００８】図５において、この第１電極基板５は、絶
縁性基板６上に光遮蔽膜兼補助キャパシタ電極となる金
属膜１０が形成されており、その上にＳｉＯ₂膜などか
らなる第１絶縁膜１１が形成されている。その上の所定
位置に、活性領域１２、ソース領域１３およびドレイン
領域１４となる半導体層が堆積され、この半導体層およ
び第１絶縁膜１１上に、ＳｉＯ₂膜などからなるゲート
絶縁膜１５が形成されている。このゲート絶縁膜１５上
の半導体層中央部に対応する位置に、Ａｌ膜などからな
るゲート電極１６が形成されている。この半導体層は、
ゲート電極１６をマスクとして不純物が注入されてソー
ス領域１３およびドレイン領域１４が形成され、不純物
が注入されていないゲート電極１６の下部分は活性領域
１２となっている。さらに、ゲート電極１６を含むゲー
ト絶縁膜１５上に、ＳｉＯ₂膜などからなる層間絶縁膜
１７が形成されており、この層間絶縁膜１７上のＴＦＴ
素子部分近傍にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明
導電性膜からなる表示画素電極２が形成されている。ま
た、層間絶縁膜１７上の、ゲート電極１６の左右に対応
した位置で分離されて、Ａｌ膜などからなるソース電極
１８およびドレイン電極１９が形成されている。これら
ソース電極１８とドレイン電極１９はそれぞれ、層間絶
縁膜１７およびゲート絶縁膜１５に設けられたコンタク
トホール部において半導体層のソース領域１３とドレイ
ン領域１４にそれぞれ接続されている。

【０００９】これらソース領域１３、活性領域１２およ
びドレイン領域１４よりなる半導体層と、この活性領域
１２上方のゲート絶縁膜１５を介した位置に設けられた
ゲート電極１６と、ソース領域１３に接続されたソース
電極１８と、ドレイン領域１４に接続されたドレイン電
極１９とによりＴＦＴ１が構成されている。

【００１０】以上により従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置が構成されている。

【００１１】上記構成により、以下その動作を説明す
る。

【００１２】まず、ゲート母線Ｙ１、Ｙ２、・・・、Ｙ
ｎは走査信号により順次走査駆動され、ＴＦＴ１は接続
されるゲート母線毎に、フレーム走査周期をＴFとして
ＴF／ｎの期間だけ順次導通状態にされる。さらに、上
記走査と同期してソース母線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｍ
に、例えばｍ並列画像信号電圧を供給すると、この信号
電圧は、ゲート母線毎に順次表示画素電極２に導かれ
る。その信号電圧に応じて、対向電極３との間に挟持さ
れた液晶層４が励起されて画像表示がなされることにな
る。

【００１３】ＴＦＴを用いた画像表示装置においては、
ＴＦＴが光の影響を受け易く、光の照射によりＴＦＴの
ＯＦＦ状態（非導通状態）でのリーク電流が大幅に増え
るので、表示装置の性能が低下する恐れがある。これを
補償するために、上記液晶表示装置では、ＴＦＴ１の下
部分に光遮蔽膜となる金属膜１０を設けている。

【００１４】また、このＴＦＴ１を通して表示画素電極
２に導かれた信号電圧は、表示画素電極２、対向電極３
および液晶層４からなる液晶キャパシタに保持される
が、液晶層４にリーク電流が流れる場合が多く、次に液
晶層４が励起されるまでに信号電圧が減衰してしまう。
これを避けるために、上記従来の液晶表示装置では、液
晶キャパシタと並列に補助キャパシタを設けている。具
体的には、図５に示すように、第１絶縁膜１１、ゲート
絶縁膜１５および層間絶縁膜１７を補助キャパシタの誘
電体膜として、金属膜１０と表示画素電極２の間に補助
キャパシタを設けている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように補助キャ
パシタを設けると、誘電体膜が第１絶縁膜１１、ゲート
絶縁膜１５および層間絶縁膜１７の３層となって膜厚が
厚くなるので、必要な電荷保持量を得るために補助キャ
パシタ面積を大きくする必要がある。このため、１画素
当りの開口率（１画素当りの開口部面積）が大幅に低下
して表示性能が低下していた。

【００１６】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、ＴＦＴのＯＦＦ状態でのリーク電流を抑え、かつ開
口率の大きい高性能なアクティブマトリクス型表示装置
を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型表示装置は、一対の電極基板間に表示媒体が挟
持され、該一対の電極基板のうち一方に、マトリクス状
に設けられた表示画素電極と、該表示画素電極の近傍に
該表示画素電極を駆動制御する薄膜トランジスタと、該
表示画素電極に形成される表示画素キャパシタを補助す
る補助キャパシタ部とを有するアクティブマトリクス型
表示装置において、該薄膜トランジスタの光遮蔽膜とな
る第１導電性膜を設け、該補助キャパシタ部における補
助キャパシタ電極の一方電極となる第２導電性膜を設
け、該一方電極上の該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜
の一部を介して該補助キャパシタ電極の他方電極となる
第３導電性膜を設け、該第２導電性膜が該表示画素電極
と同電位となるように電気的に接続されているものであ
り、そのことにより上記目的が達成される。

【００１８】また、好ましくは、本発明のアクティブマ
トリクス型表示装置における第１導電性膜と第２導電性
膜が電気的に導通され、第３導電性膜が薄膜トランジス
タのゲート電極となる導電性膜と同じ導電性膜である。
また、好ましくは、本発明のアクティブマトリクス型表
示装置における一対の電極基板が、表示画素電極と薄膜
トランジスタが設けられた第１電極基板と、対向電極が
設けられた第２電極基板とからなり、第１導電性膜が該
対向電極と同電位となるように電気的に接続されてい
る。さらに、好ましくは、本発明のアクティブマトリク
ス型表示装置における第１導電性膜および第２導電性膜
のうち少なくともいずれかの一部がアライメントマーカ
ーベースとされている。さらに、好ましくは、本発明の
アクティブマトリクス型表示装置における第１導電性膜
および第２導電性膜のうち少なくともいずれかが６００
℃以上の高融点金属からなっている。

【００１９】

【作用】本発明においては、一部が光遮蔽膜となり、他
の一部が補助キャパシタ電極となる導電性膜が設けられ
ている。この光遮蔽膜となる部分上にＴＦＴが設けられ
ているので、ＴＦＴチャネル部への基板裏面側からの入
射光を遮光することができ、ＴＦＴのＯＦＦ状態での光
リーク電流が抑制される。また、比較的薄膜に形成され
るゲート絶縁膜だけを補助キャパシタの誘電体膜として
いるので、補助キャパシタ面積を小さくしても必要な補
助キャパシタ容量を得ることができ、表示の開口率を高
くすることが可能となる。さらに、第３導電性膜が薄膜
トランジスタのゲート電極となる導電性膜と同じ導電性
膜であるので、大幅に工程を増加させることなく第３導
電性膜の補助キャパシタ電極の他方電極を形成できて、
大幅にコストアップなく高性能な画像表示装置が得られ
ることになる。

【００２０】また、光遮蔽膜となる部分を表示画素電極
と同電位となるように、または対向電極と同電位となる
ように接続すると、光遮蔽膜の電位変動によるＴＦＴへ
の悪影響が防止される。また、導電性膜の一部をアライ
メントマーカーベースとすると、視認性が良いので位置
合わせが容易になる。さらに、導電性膜として高融点金
属を用いると、後の工程で６００℃程度の高温を加わえ
る半導体薄膜のアニールなども容易に行うことが可能と
なる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００２２】（実施例１）図１は、本発明の実施例１の
アクティブマトリクス型表示装置における第１電極基板
の１画素部分を示す断面図である。

【００２３】図１において、ガラスなどの透明な絶縁性
基板２１上に光遮蔽膜２２および補助キャパシタ電極２
３となる導電性膜が設けられ、補助キャパシタ電極２３
上の一部と絶縁性基板２１に第１絶縁膜２４が設けられ
ている。第１絶縁膜２４上の光遮蔽膜２２に対応した部
分には、活性層２５、ソース領域２６およびドレイン領
域２７の半導体層が設けられており、このドレイン領域
２７の端部は補助キャパシタ電極２３の一部上にも設け
られて補助キャパシタ電極２３と接続されている。これ
ら半導体層、補助キャパシタ電極２３および第１絶縁膜
２４上にはゲート絶縁膜２８が設けられ、ゲート絶縁膜
２８上の、活性層２５に対応した位置にはゲート電極２
９が設けられるとともに、補助キャパシタ電極２３に対
応した位置にはゲート電極２９と同一材料の導電性膜３
０が設けられている。ゲート絶縁膜２８を挟んだこれら
補助キャパシタ電極２３と導電性膜３０との対向部が、
ゲート絶縁膜２８を誘電体膜とする電荷保持用補助キャ
パシタとなっている。

【００２４】さらに、これらゲート絶縁膜２８、ゲート
電極２９および導電性膜３０上には層間絶縁膜３１が設
けられている。この層間絶縁膜３１上のＴＦＴ領域近傍
には表示画素電極３２が設けられ、また、層間絶縁膜３
１上の、ゲート電極２９の左右に対応した位置で分離さ
れて、Ａｌ膜などからなるソース電極３３およびドレイ
ン電極３４が設けられている。このドレイン電極３４の
一端部は表示画素電極３２の一部上に重なるように設け
られている。これらソース電極３３とドレイン電極３４
はそれぞれ、層間絶縁膜３１およびゲート絶縁膜２８に
設けられたコンタクトホール部において半導体層のソー
ス領域２６とドレイン領域２７にそれぞれ接続されてい
る。

【００２５】以上の活性層２５、ソース領域２６および
ドレイン領域２７の半導体層と、ゲート電極２９、ソー
ス電極３３およびドレイン電極３４とによりＴＦＴ３５
が構成されている。このＴＦＴ３５と、ＴＦＴ３５の透
明な絶縁性基板２１側に光リーク電流防止用の光遮蔽膜
２２と、表示画素電極３２と、その一部下方側に設けら
れた、ゲート絶縁膜２８を挟んだ電荷保持用の補助キャ
パシタ電極２３および導電性膜３０とにより第１電極基
板３５が構成されている。この第１電極基板３５は、絶
縁性基板上に対向電極が形成された第２の電極基板と貼
り合わせられ、その基板間に液晶層が挟持されて液晶セ
ルとなる。

【００２６】このアクティブマトリクス型表示装置の液
晶セルは、以下のようにして作成することができる。

【００２７】まず、予め洗浄されたガラスなどの透明な
絶縁性基板２１上に、光遮蔽膜２２および補助キャパシ
タ電極２３となる導電性膜を成膜し、エッチングなどの
方法で所定の形状にパターニングする。この導電性膜
は、後述の半導体層アニール工程などで６００℃程度の
高温が加わるため、高融点金属を用いるのが望ましい。
このような高融点金属としては、例えばタングステンチ
タン、タングステン、チタン、タンタルなどを用いるこ
とができる。本実施例１では、タングステンチタンを３
００ｎｍの厚みに成膜し、光遮蔽膜２２および補助キャ
パシタ電極２３を形成した。

【００２８】その上に、第１絶縁膜２４を成膜するが、
本実施例１では、プラズマＣＶＤ法（プラズマ気相成長
法）により基板温度が約３００℃で厚み１００ｎｍのＳ
ｉＯ₂膜を成膜した。この第１絶縁膜２４の所定の部分
を、補助キャパシタ電極２３に達するようにエッチング
などの方法により除去する。この第１絶縁膜２４の除去
面積は、必要とされている電荷保持用補助キャパシタの
容量および誘電体膜であるゲート絶縁膜２８に応じて決
められる。

【００２９】次に、第１絶縁膜２４上の所定位置に、プ
ラズマＣＶＤ法やＬＰ（ＬｏｗＰｒｅｓｓｕｒｅ）Ｃ
ＶＤ法などによりアモルファス状の非晶質シリコン膜を
１０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度成膜する。本実施例１では、
プラズマＣＶＤ法により基板温度が約５５０℃で厚み１
００ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜した。この非晶質シ
リコン膜を水素還元雰囲気下または不活性雰囲気下、５
５０℃〜６５０℃でアニールして結晶化させる。本実施
例１では、６００℃で２４時間程度アニールして結晶性
シリコン膜とした。その後、この結晶性シリコン膜をエ
ッチングなどの方法によりパターニングして、ソース領
域２６、ドレイン領域２７および活性領域２５となる島
状の半導体層を形成する。この島状の半導体層の形成
は、そのドレイン領域２７となる端部を補助キャパシタ
電極２３の一部と重なるように形成される。これによ
り、補助キャパシタ電極２３と半導体層のドレイン領域
２７とを電気的に導通させることができる。

【００３０】その後、島状の半導体層上を覆うとともに
補助キャパシタ電極２３および第１絶縁膜２４上を覆っ
て基板全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により基板温度
が約３００℃で厚み約１００ｎｍのＳｉＯ₂からなるゲ
ート絶縁膜２８を形成する。

【００３１】次に、基板全面に、例えばスパッタ法によ
りＡｌなどからなる厚み約３００ｎｍの低抵抗金属薄膜
を形成し、これをエッチングなどの方法によりパターニ
ングして、半導体層上方の所定位置にゲート電極２９と
し、また、補助キャパシタ電極２３上方の所定位置にゲ
ート電極２９の一部としての導電性膜３０とする。これ
により、補助キャパシタ電極２３と導電性膜３０との対
向部に、その間のゲート絶縁膜２８を誘電体膜とする電
荷保持用補助キャパシタが形成される。

【００３２】続いて、イオンドーピング法により、ゲー
ト絶縁膜２８を通過し、ゲート電極２９をマスクとし
て、半導体層の結晶性シリコン膜に不純物（Ｎｃｈの場
合はリン、Ｐｃｈの場合はホウ素）を注入する。ドーピ
ングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ₃）またはジボラ
ン（Ｂ₂Ｈ₆）を用い、前者の場合には加速電圧６０〜９
０ｋＶ、例えば本実施例１では８０ｋＶ、後者の場合に
は加速電圧４０〜８０ｋＶ、例えば本実施例１では６５
ｋＶとし、ドーズ量は１×１０¹⁵〜８×１０¹⁵ｃｍ^-2、
例えば本実施例１ではリンの場合は２×１０¹⁵ｃｍ^-2、
ボロンの場合は５×１０¹⁵ｃｍ^-2とする。ドーピングの
際には、ドーピングが不要な領域をフォトレジストで覆
うことにより各々の元素を選択的にドーピングすること
ができる。これにより、ゲート電極２９直下を除く半導
体層（ソース領域２６およびドレイン領域２７）に不純
物が注入されてＮ型不純物領域またはＰ型不純物領域と
なり、ゲート電極２９直下の半導体層は不純物が注入さ
れずに活性領域２５となって、Ｐチャネル型ＴＦＴおよ
びＮチャネル型ＴＦＴが形成される。その後、必要に応
じてアニールを行ってイオン注入した不純物の活性化を
行う。

【００３３】さらに、ゲート絶縁膜２８、ゲート電極２
９および導電性膜３０を覆うように、基板全面に層間絶
縁膜３１を形成する。本実施例１では、この層間絶縁膜
３１としてＡＰＣＶＤ法（常圧ＣＶＤ法）により基板温
度が約３００℃で厚み約４００ｎｍのＳｉＯ₂膜を形成
した。

【００３４】この層間絶縁膜３１上に積層して基板全面
に、スパッタ法によりＩＴＯなどからなる透明導電性膜
を形成し、これをエッチングなどの方法によりＴＦＴ３
５の近傍位置に所定の形状にパターニングして表示画素
電極３２とする。

【００３５】さらに、エッチングなどの方法によりゲー
ト絶縁膜２８および層間絶縁膜３１の所定の部分を除去
して、ソース領域２６、ドレイン領域２７およびゲート
電極２５に達するようにコンタクトホールを形成する。

【００３６】その後、表示画素電極３２上に積層して基
板全面に、Ａｌなどの金属膜をスパッタ法により形成
し、これをエッチングなどの方法により所定の形状にパ
ターニングにしてソース電極３３、ドレイン電極３４お
よびゲートライン（図示せず）を形成する。

【００３７】さらに、ソース電極３３、ドレイン電極３
４およびゲートライン上を覆うように積層して基板全面
にＳｉＮ_xからなる保護膜（図示せず）を形成し、これ
を所定の形状にパターニングしてスルーホールとしての
パッド部を形成する。

【００３８】以上のようにして得られた第１電極基板３
６上と、絶縁性基板上に透明導電性膜からなる対向電極
が形成された第２電極基板上にそれぞれ、可溶性ポリイ
ミド（日本合成ゴム社製商品名：ＡＬ−２０６１）を
３０〜１００ｎｍの厚みに塗布し、１２０℃で焼成す
る。この表面をラビングにより配向処理して液晶配向膜
（図示せず）を形成する。さらに、片方の基板に２〜２
０ミクロンのビーズを散布し、２〜２０ミクロンのファ
イバーを混入した紫外線硬化型樹脂または紫外線熱硬化
併用型樹脂をスクリーン印刷した後、両基板を貼り合わ
せて液晶パネルを作成する。本実施例１では４．５μｍ
のビーズを散布して５．０μｍのファイバーを混入した
紫外線硬化型樹脂（北陸塗料社製商品名：ＸＶ−６８
１５）を用いて紫外線を照射することにより両基板を貼
り合わせた。このようにして得られる液晶パネルは、さ
らに所定の形状に裁断される。次に、液晶パネルを真空
脱気して液晶を封入し、注入口を封止して液晶セルを完
成する。

【００３９】このように、本実施例１のアクティブマト
リクス型画像表示装置は、絶縁性基板２１上にマトリク
ス状に表示画素電極３２が設けられ、各表示画素電極３
２の近傍に表示画素電極３２を駆動制御するためのＴＦ
Ｔ３５が設けられた第１電極基板３６と、絶縁性基板上
に対向電極が形成された第２の電極基板との間に、表示
媒体としての液晶が挟持されたアクティブマトリクス型
表示装置において、この絶縁性基板２１上に、一部が光
遮蔽膜２２となり、他の一部が補助キャパシタ電極２３
となる導電性膜が設けられ、光遮蔽膜２２上に、半導体
層上にゲート絶縁膜２８を介してゲート電極２９を有す
るＴＦＴ３５が設けられ、補助キャパシタ電極２３が表
示画素電極３２と同電位となるように配線され、補助キ
ャパシタ電極２３上に、ゲート絶縁膜２８を介してゲー
ト電極２９の形成時に電極部としての導電性膜３０が形
成され、補助キャパシタ電極２３と導電性膜３０との対
向部がゲート絶縁膜２８を誘電体膜とする電荷保持用補
助キャパシタとなっている。

【００４０】このため、大幅に製造工程を増加させるこ
となくＴＦＴ３５の光遮蔽膜２２と電荷保持用補助キャ
パシタを形成することができる。この光遮蔽膜２２によ
り、ＴＦＴ３５への透明な絶縁性基板２１の裏面からの
入射光を遮光してＴＦＴ３５のＯＦＦ状態におけるリー
ク電流を抑えることができる。また、補助キャパシタ電
極２３は、半導体層のドレイン領域２７と電気的に導通
されて、表示画素電極３２と同電位となっており、従来
の３層に比べて１層のゲート絶縁膜２８だけを補助キャ
パシタの誘電体膜としているので、誘電体膜の厚みが薄
く大容量の補助キャパシタを確保することができる。し
たがって、これによって、わずかな面積で補助キャパシ
タを形成することができ、その分、開口率を向上させる
ことができる。よって、大幅にコストアップすることな
く表示品位が良好で明るい表示が得られる高性能な画像
表示装置とすることができる。

【００４１】以下の実施例２〜４では、実施例１のアク
ティブマトリクス型表示装置と重複する部分は省略し、
異なる部分のみについて説明する。

【００４２】（実施例２）図２は、本発明の実施例２の
アクティブマトリクス型表示装置における第１導電性基
板の１画素部分を示す断面図である。

【００４３】図２において、透明な絶縁性基板２１上の
ＴＦＴ３５下部に設けられた光遮弊膜部分４１ａが補助
キャパシタ電極部分４１ｂと一体に形成されて電気的に
導通された導電性膜４１が設けられており、光遮弊膜部
分４１ａも表示画素電極３２と同電位とされている点が
上記実施例１と異なっている。

【００４４】このように光遮弊膜部分４１ａも表示画素
電極３２と同電位とされていることにより、光遮弊膜部
分４１ａの電位が変動してＴＦＴ３５に悪影響を及ぼす
のを防ぐことができる。

【００４５】（実施例３）本実施例３の表示装置は、光
遮弊膜２２が第２電極基板に設けられた対向電極と電気
的に接続されており、光遮弊膜２２が対向電極と同電位
とされている点が上記実施例１と異なっている。

【００４６】このように、光遮弊膜２２が対向電極と同
電位とされていることにより、上記実施例２と同様に、
光遮弊膜２２の電位が変動してＴＦＴ３５に悪影響を及
ぼすのを防ぐことができる。

【００４７】（実施例４）本実施例４の画像表示装置
は、光遮蔽膜２２および補助キャパシタ電極２３となる
導電性膜の一部でアライメントマーカーベースを形成し
ている点が上記実施例１と異なっている。。

【００４８】従来、結晶性シリコン膜を用いたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置においては、最下層のシリ
コン膜によりアライメントマーカーベースを設けてい
た。このため、視認性が悪く、シリコン層とその上に形
成される層との位置合わせが困難であった。

【００４９】本実施例４では、シリコン層よりも下層に
設けられた導電性膜によりアライメントマーカーベース
を形成しているので、アライメントマーカーベースの視
認性を良くすることができ、以後の工程のアライメント
を容易にすることができる。なお、上記実施例１〜４に
おいては、ゲート絶縁膜２８としてＳｉＯ₂膜を用いた
が、本発明はこれに限らず、他の絶縁膜を用いてもよ
い。また、第１電極基板および第２電極基板に挟持され
る表示媒体としては、ＥＬなど、液晶以外の材料を用い
ることができる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＴＦＴ下
部に光遮蔽膜が設けられているので、ＴＦＴチャネル部
への基板裏面からの入射光を遮光してＴＦＴのＯＦＦ状
態での光リーク電流を抑えることができる。これによっ
て、表示品位を向上させることができる。

【００５１】また、比較的膜厚の薄いゲート絶縁膜だけ
を補助キャパシタの誘電体膜としているので、大容量の
補助キャパシタをわずかな面積で形成することができ
る。したがって、表示の開口率を向上させることができ
て明るい表示を得ることができる。

【００５２】さらに、第３導電性膜が薄膜トランジスタ
のゲート電極となる導電性膜と同じ導電性膜であるた
め、大幅に工程を増加させることなくＴＦＴの光遮蔽膜
および電荷保持用補助キャパシタを形成することができ
る。これによって、高性能な表示装置を大幅なコストア
ップ無く得ることができる。

【００５３】さらに、光遮弊膜を表示画素電極または対
向電極と同電位となるように配線すると、光遮弊膜の電
位が変動してＴＦＴに悪影響を及ぼすのを防ぐことがで
きる。これによって、安定した表示品位を得ることがで
きる。

【００５４】さらに、光遮蔽膜および補助キャパシタ電
極として用いられる導電性膜の一部でアライメントマー
カーベースを構成すると、アライメントマーカーベース
の視認性を良くすることができる。これによって、以後
の工程のアライメントを容易にし、より精度を向上させ
ることができる。したがって、マスク設計段階からアラ
イメントマージン値を小さくすることができ、高精細な
画像表示装置とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のアクティブマトリクス型表
示装置における第１電極基板の１画素部分を示す断面図
である。

【図２】本発明の実施例２のアクティブマトリクス型表
示装置における第１電極基板の１画素部分を示す断面図
である。

【図３】従来のアクティブマトリクス型表示装置の等価
回路図である。

【図４】図３のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
構成を示す断面図である。

【図５】図４のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おける第１電極基板５の詳細を示す１画素部分の断面図
である。

【符号の説明】

２２光遮弊膜２３補助キャパシタ電極２５活性領域２６ソース領域２７ドレイン領域２８ゲート絶縁膜２９ゲート電極３０導電性膜３２表示画素電極３４ドレイン電極３５ＴＦＴ３６第１電極基板４１導電性膜４１ａ光遮弊膜部分４１ｂキャパシタ電極部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極基板間に表示媒体が挟持さ
れ、該一対の電極基板のうち一方に、マトリクス状に設
けられた表示画素電極と、該表示画素電極の近傍に該表
示画素電極を駆動制御する薄膜トランジスタと、該表示
画素電極に形成される表示画素キャパシタを補助する補
助キャパシタ部とを有するアクティブマトリクス型表示
装置において、該薄膜トランジスタの光遮蔽膜となる第１導電性膜を設
け、該補助キャパシタ部における補助キャパシタ電極の
一方電極となる第２導電性膜を設け、該一方電極上の該
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の一部を介して該補助
キャパシタ電極の他方電極となる第３導電性膜を設け、
該第２導電性膜が該表示画素電極と同電位となるように
電気的に接続されているアクティブマトリクス型表示装
置。
【請求項２】前記第１導電性膜と第２導電性膜が電気
的に導通され、前記第３導電性膜が前記薄膜トランジス
タのゲート電極となる導電性膜と同じ導電性膜である請
求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】前記一対の電極基板が、前記表示画素電
極と薄膜トランジスタが設けられた第１電極基板と、対
向電極が設けられた第２電極基板とからなり、前記第１
導電性膜が該対向電極と同電位となるように電気的に接
続されている請求項１記載のアクティブマトリクス型表
示装置。
【請求項４】前記第１導電性膜および第２導電性膜の
うち少なくともいずれかの一部がアライメントマーカー
ベースとされている請求項１〜３のうちいずれかに記載
のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】前記第１導電性膜および第２導電性膜の
うち少なくともいずれかが高融点金属からなる請求項１
〜４のうちいずれかに記載のアクティブマトリクス型表
示装置。