JP3326013B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低濃度ドレイン領域（Ｌ
ＤＤ）を有する半導体装置の作製方法に関する。特に、
酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有する薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）の作製方法に関する。
ＤＤ）を有する半導体装置の作製方法に関する。特に、
酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有する薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アクティブマトリクス型の液
晶表示装置やイメージセンサー等の駆動の目的で、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することが知られてい
る。特に最近は、高速動作の必要から、非晶質珪素を活
性層に用いた非晶質珪素ＴＦＴにかわって、より移動度
の高い結晶珪素ＴＦＴが開発されている。
晶表示装置やイメージセンサー等の駆動の目的で、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することが知られてい
る。特に最近は、高速動作の必要から、非晶質珪素を活
性層に用いた非晶質珪素ＴＦＴにかわって、より移動度
の高い結晶珪素ＴＦＴが開発されている。
【０００３】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の
各画素領域に薄膜トランジスタを駆動素子として利用す
るには、薄膜トランジスタのＯＦＦ電流の値が小さいこ
とが必要とされる。ＯＦＦ電流とは、薄膜トランジスタ
がＯＦＦの状態において、ソース／ドレイン間に流れて
しまう電流のことである。このＯＦＦ電流の値が大きい
と、画素のに保持されている電荷が減少していってしま
い、所定の時間画面表示を保持できなくなってしまう。
ＯＦＦ電流が生じてしまう原因は、活性層を構成する薄
膜半導体が多結晶構造や微結晶構造を有していることに
起因する。
各画素領域に薄膜トランジスタを駆動素子として利用す
るには、薄膜トランジスタのＯＦＦ電流の値が小さいこ
とが必要とされる。ＯＦＦ電流とは、薄膜トランジスタ
がＯＦＦの状態において、ソース／ドレイン間に流れて
しまう電流のことである。このＯＦＦ電流の値が大きい
と、画素のに保持されている電荷が減少していってしま
い、所定の時間画面表示を保持できなくなってしまう。
ＯＦＦ電流が生じてしまう原因は、活性層を構成する薄
膜半導体が多結晶構造や微結晶構造を有していることに
起因する。
【０００４】例えばＮチャネル型の薄膜トランジスタが
ＯＦＦの状態において、ゲイト電極には負の電圧が加え
られる。この場合、チャネル形成領域のゲイト絶縁膜と
接する領域はＰ型となる。従って、ソース／ドレイン間
においては、ＰＮ接合が形成され、電流はほとんど流れ
ないはずとなる。しかし、活性層が多結晶構造や微結晶
構造を有する珪素薄膜で構成される場合、結晶粒界を介
してのキャリア（電荷）の移動が生じてしまう。これは
ＯＦＦ電流が生じてしまう原因である。
ＯＦＦの状態において、ゲイト電極には負の電圧が加え
られる。この場合、チャネル形成領域のゲイト絶縁膜と
接する領域はＰ型となる。従って、ソース／ドレイン間
においては、ＰＮ接合が形成され、電流はほとんど流れ
ないはずとなる。しかし、活性層が多結晶構造や微結晶
構造を有する珪素薄膜で構成される場合、結晶粒界を介
してのキャリア（電荷）の移動が生じてしまう。これは
ＯＦＦ電流が生じてしまう原因である。
【０００５】このようなＯＦＦ電流を小さくするための
構成として、ＬＤＤ（ライトドープドレイン）構造やオ
フセットゲイト構造が知られている。これは、主にチャ
ネル形成領域とドレイン領域との界面およびその近傍に
おける電界強度を小さくし、その領域における結晶粒界
を介したキャリアの移動を抑制することを目的とするも
のである。
構成として、ＬＤＤ（ライトドープドレイン）構造やオ
フセットゲイト構造が知られている。これは、主にチャ
ネル形成領域とドレイン領域との界面およびその近傍に
おける電界強度を小さくし、その領域における結晶粒界
を介したキャリアの移動を抑制することを目的とするも
のである。
【０００６】しかし、公知の半導体集積回路技術とは異
なって、ＴＦＴには解決すべき問題が多く存在し、必要
とするＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造を得ることは
困難であるという問題がある。特に、ＴＦＴをガラス基
板等の絶縁基板上に形成せんとする場合、基板が静電的
に帯電してしまうので、反応性イオン異方性エッチング
が十分機能せず、エッチングが不安定になってしまうと
いう問題がある。例えば、微細なパターンを制御性よく
形成することが困難であるという問題がある。
なって、ＴＦＴには解決すべき問題が多く存在し、必要
とするＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造を得ることは
困難であるという問題がある。特に、ＴＦＴをガラス基
板等の絶縁基板上に形成せんとする場合、基板が静電的
に帯電してしまうので、反応性イオン異方性エッチング
が十分機能せず、エッチングが不安定になってしまうと
いう問題がある。例えば、微細なパターンを制御性よく
形成することが困難であるという問題がある。
【０００７】図７には、現在まで用いられているＬＤＤ
を作製する代表的なプロセスの断面図を示す。まず、基
板７０１上に下地膜７０２を形成し、活性層を結晶珪素
７０３によって形成する。そして、この活性層上に酸化
珪素等の材料によって絶縁被膜７０４を形成する。（図
７（Ａ））
を作製する代表的なプロセスの断面図を示す。まず、基
板７０１上に下地膜７０２を形成し、活性層を結晶珪素
７０３によって形成する。そして、この活性層上に酸化
珪素等の材料によって絶縁被膜７０４を形成する。（図
７（Ａ））
【０００８】次に、ゲイト電極７０５が多結晶珪素（燐
等の不純物がドーピングされている）やタンタル、チタ
ン、アルミニウム等で形成される。さらに、このゲイト
電極をマスクとして、イオンドーピング等の手段によっ
て不純物元素（リンやホウ素）を導入し、自己整合的に
ドーズ量の少ない低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）７０
６、７０７が活性層７０３に形成される。不純物が導入
されなかったゲイト電極の下の活性層領域はチャネル形
成領域となる。そして、レーザーもしくはフラッシュラ
ンプ等の熱源によって、ドーピングされた不純物の活性
化がおこなわれる。（図７（Ｂ））
等の不純物がドーピングされている）やタンタル、チタ
ン、アルミニウム等で形成される。さらに、このゲイト
電極をマスクとして、イオンドーピング等の手段によっ
て不純物元素（リンやホウ素）を導入し、自己整合的に
ドーズ量の少ない低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）７０
６、７０７が活性層７０３に形成される。不純物が導入
されなかったゲイト電極の下の活性層領域はチャネル形
成領域となる。そして、レーザーもしくはフラッシュラ
ンプ等の熱源によって、ドーピングされた不純物の活性
化がおこなわれる。（図７（Ｂ））
【０００９】次に、プラズマＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ等の手
段によって酸化珪素等の絶縁膜７０８を形成（図７
（Ｃ））し、これを異方性エッチングすることによっ
て、ゲイト電極の側面に隣接して側壁７０９を形成す
る。（図７（Ｄ）） そして、再び、イオンドーピング等の手段によって不純
物元素を導入し、ゲイト電極７０５および側壁７０９を
マスクとして自己整合的に十分な高濃度の不純物領域
（ソース／ドレイン領域）７１０、７１１が活性層７０
３に形成される。そして、レーザーもしくはフラッシュ
ランプ等の熱源によって、ドーピングされた不純物の活
性化がおこなわれる。（図７（Ｅ）） 最後に、層間絶縁物７１２を形成し、さらに、層間絶縁
物を通して、ソース／ドレイン領域にコンタクトホール
を形成し、アルミニウム等の金属材料によって、ソース
／ドレインに接続する配線・電極７１３、７１４を形成
する。（図７（Ｆ））
段によって酸化珪素等の絶縁膜７０８を形成（図７
（Ｃ））し、これを異方性エッチングすることによっ
て、ゲイト電極の側面に隣接して側壁７０９を形成す
る。（図７（Ｄ）） そして、再び、イオンドーピング等の手段によって不純
物元素を導入し、ゲイト電極７０５および側壁７０９を
マスクとして自己整合的に十分な高濃度の不純物領域
（ソース／ドレイン領域）７１０、７１１が活性層７０
３に形成される。そして、レーザーもしくはフラッシュ
ランプ等の熱源によって、ドーピングされた不純物の活
性化がおこなわれる。（図７（Ｅ）） 最後に、層間絶縁物７１２を形成し、さらに、層間絶縁
物を通して、ソース／ドレイン領域にコンタクトホール
を形成し、アルミニウム等の金属材料によって、ソース
／ドレインに接続する配線・電極７１３、７１４を形成
する。（図７（Ｆ））
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上の方法は従来の半
導体集積回路におけるＬＤＤ作製プロセスをそのまま踏
襲したものであって、ガラス基板上のＴＦＴ作製プロセ
スにはそのまま適用することの困難な工程や、あるいは
生産性の面で好ましくない工程がある。
導体集積回路におけるＬＤＤ作製プロセスをそのまま踏
襲したものであって、ガラス基板上のＴＦＴ作製プロセ
スにはそのまま適用することの困難な工程や、あるいは
生産性の面で好ましくない工程がある。
【００１１】それは側壁の形成の困難さである。絶縁膜
７０８の厚さは０．５〜２μｍもある。通常、基板上に
設けられる下地膜７０２の厚さは１０００〜３０００Å
であるので、このエッチング工程において誤って、下地
膜をエッチングしてしまって、基板が露出することがよ
くあり、歩留りが低下した。ＴＦＴの作製に用いられる
基板は珪素半導体にとって有害な元素が多く含まれてい
るので、このような不良は極力避けることが必要とされ
る。また、側壁の幅を均一に仕上げることも難しいこと
であった。これは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等
のプラズマドライエッチングの際に、半導体集積回路で
用いられる珪素基板とは異なって、基板表面が絶縁性で
あるためにプラズマの微妙な制御が困難であるからであ
る。
７０８の厚さは０．５〜２μｍもある。通常、基板上に
設けられる下地膜７０２の厚さは１０００〜３０００Å
であるので、このエッチング工程において誤って、下地
膜をエッチングしてしまって、基板が露出することがよ
くあり、歩留りが低下した。ＴＦＴの作製に用いられる
基板は珪素半導体にとって有害な元素が多く含まれてい
るので、このような不良は極力避けることが必要とされ
る。また、側壁の幅を均一に仕上げることも難しいこと
であった。これは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等
のプラズマドライエッチングの際に、半導体集積回路で
用いられる珪素基板とは異なって、基板表面が絶縁性で
あるためにプラズマの微妙な制御が困難であるからであ
る。
【００１２】しかも、ＬＤＤは高抵抗のため、その幅を
可能な限り狭くする必要があるが、上記のばらつきのた
めに量産化が困難であり、この自己整合的（すなわち、
フォトリソグラフィー法を用いることなく位置を決め
る）プロセスをいかに制御しやすくおこなうかが課題で
あった。
可能な限り狭くする必要があるが、上記のばらつきのた
めに量産化が困難であり、この自己整合的（すなわち、
フォトリソグラフィー法を用いることなく位置を決め
る）プロセスをいかに制御しやすくおこなうかが課題で
あった。
【００１３】そこで 本発明は、上記のような問題を解
決し、よりプロセスを簡略化して、ＬＤＤを形成する方
法に関する。具体的には、下記に示す課題の少なくとも
１つを解決することを特徴とする。 （１）制御性よく、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジス
タを作製する。 （２）ＯＦＦ電流の小さい薄膜トランジスタを生産性に
優れた作製方法で提供する。 （３）ＯＦＦ電流の小さい薄膜トランジスタを提供す
る。 （４）従来のＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造では得
られなかった特性を有する薄膜トランジスタを提供す
る。
決し、よりプロセスを簡略化して、ＬＤＤを形成する方
法に関する。具体的には、下記に示す課題の少なくとも
１つを解決することを特徴とする。 （１）制御性よく、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジス
タを作製する。 （２）ＯＦＦ電流の小さい薄膜トランジスタを生産性に
優れた作製方法で提供する。 （３）ＯＦＦ電流の小さい薄膜トランジスタを提供す
る。 （４）従来のＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造では得
られなかった特性を有する薄膜トランジスタを提供す
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する主要
な構成の一つは、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有
するＴＦＴにおいて、ゲイト電極をマスクとし、基板に
対して斜方向から自己整合的に低ドーズ量の不純物を導
入して、低濃度不純物領域を形成する工程と、基板に対
して垂直方向から自己整合的に高ドーズ量の不純物を導
入して、高濃度不純物領域を形成する工程とを有し、前
記酸化物被膜の下部に、低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）
を形成することを特徴とする。
な構成の一つは、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有
するＴＦＴにおいて、ゲイト電極をマスクとし、基板に
対して斜方向から自己整合的に低ドーズ量の不純物を導
入して、低濃度不純物領域を形成する工程と、基板に対
して垂直方向から自己整合的に高ドーズ量の不純物を導
入して、高濃度不純物領域を形成する工程とを有し、前
記酸化物被膜の下部に、低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）
を形成することを特徴とする。
【００１５】上記構成の具体的な例を図３に示す。図３
に示す薄膜トランジスタの作製工程においては、以下に
示す構成が示されている。即ち、（Ｂ）の工程で酸化膜
３０７で覆われたゲイト電極３０６を形成する。そし
て、このゲイト電極３０６とその周囲の酸化膜３０７と
をマスクとして（Ｃ）の工程において不純物イオン（こ
こでは燐イオン）を低ドーズ量で斜め方向から注入し、
低濃度不純物領域３０８を形成する。ここでいう低ドー
ズ量としては、１×１０13〜５×１０14ｃｍ-2のドーズ
量とすることが望ましい。
に示す薄膜トランジスタの作製工程においては、以下に
示す構成が示されている。即ち、（Ｂ）の工程で酸化膜
３０７で覆われたゲイト電極３０６を形成する。そし
て、このゲイト電極３０６とその周囲の酸化膜３０７と
をマスクとして（Ｃ）の工程において不純物イオン（こ
こでは燐イオン）を低ドーズ量で斜め方向から注入し、
低濃度不純物領域３０８を形成する。ここでいう低ドー
ズ量としては、１×１０13〜５×１０14ｃｍ-2のドーズ
量とすることが望ましい。
【００１６】そして（Ｄ）の工程において、垂直方向か
ら高ドーズ量の不純物を導入して、高濃度領域３０９を
形成する。ここでいう高ドーズ量としては、１０14〜５
×１０15ｃｍ-2とすることが望ましい。
ら高ドーズ量の不純物を導入して、高濃度領域３０９を
形成する。ここでいう高ドーズ量としては、１０14〜５
×１０15ｃｍ-2とすることが望ましい。
【００１７】上記（Ｄ）の工程を施す結果、ゲイト電極
周囲の酸化膜３０７の下部における活性層中に低濃度不
純物領域を形成することができる。この低濃度不純物領
域のドレイン側に存在するものがＬＤＤ（ライトドープ
ドレイン領域）となる。
周囲の酸化膜３０７の下部における活性層中に低濃度不
純物領域を形成することができる。この低濃度不純物領
域のドレイン側に存在するものがＬＤＤ（ライトドープ
ドレイン領域）となる。
【００１８】本明細書で開示する他の発明の構成は、活
性層と、該活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、該ゲ
イト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を有し、前記
ゲイト電極の側面には当該ゲイト電極を構成する材料を
酸化させた絶縁層が形成されており前記絶縁層の下部に
対応する前記活性層領域には、低濃度不純物領域が形成
されていることを特徴とする。
性層と、該活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、該ゲ
イト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を有し、前記
ゲイト電極の側面には当該ゲイト電極を構成する材料を
酸化させた絶縁層が形成されており前記絶縁層の下部に
対応する前記活性層領域には、低濃度不純物領域が形成
されていることを特徴とする。
【００１９】上記構成の具体的な例として図３に示す構
成を挙げることができる。図３において、３０４で示さ
れるのが薄膜トランジスタを構成する主要な要素である
活性層である。そして３０５がゲイト絶縁膜である。そ
して３０６がゲイト電極であり、３０７がゲイト電極３
０７を陽極酸化工程において酸化させることによって得
られる絶縁層である。また３１０が低濃度不純物領域で
あり、ドレイン領域側のものがＬＤＤ（ライトドレイ
ン）領域として機能する。
成を挙げることができる。図３において、３０４で示さ
れるのが薄膜トランジスタを構成する主要な要素である
活性層である。そして３０５がゲイト絶縁膜である。そ
して３０６がゲイト電極であり、３０７がゲイト電極３
０７を陽極酸化工程において酸化させることによって得
られる絶縁層である。また３１０が低濃度不純物領域で
あり、ドレイン領域側のものがＬＤＤ（ライトドレイ
ン）領域として機能する。
【００２０】他の発明の構成は、該活性層上に形成され
たゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイ
ト電極と、を有し、前記ゲイト電極の側面には当該ゲイ
ト電極を構成する材料を酸化させた酸化物被膜が形成さ
れており前記酸化物被膜の下部に対応する前記活性層領
域には、低濃度不純物領域が形成されており、前記活性
層領域のソースおよびドレイン領域を構成する領域の表
面には、金属層が形成されていることを特徴とする。
たゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイ
ト電極と、を有し、前記ゲイト電極の側面には当該ゲイ
ト電極を構成する材料を酸化させた酸化物被膜が形成さ
れており前記酸化物被膜の下部に対応する前記活性層領
域には、低濃度不純物領域が形成されており、前記活性
層領域のソースおよびドレイン領域を構成する領域の表
面には、金属層が形成されていることを特徴とする。
【００２１】他の発明の構成は、酸化物被膜に覆われた
ゲイト電極を有するＴＦＴの作製工程において、ゲイト
電極をマスクとし、基板に対して斜方向から不純物を導
入する工程と、いて、ソースおよびドレイン領域に対応
する活性層表面に金属層を形成する工程と、を有し、前
記不純物を導入する工程において、前記酸化物被膜下の
活性層中に不純物領域が形成されることを特徴とする。
ゲイト電極を有するＴＦＴの作製工程において、ゲイト
電極をマスクとし、基板に対して斜方向から不純物を導
入する工程と、いて、ソースおよびドレイン領域に対応
する活性層表面に金属層を形成する工程と、を有し、前
記不純物を導入する工程において、前記酸化物被膜下の
活性層中に不純物領域が形成されることを特徴とする。
【００２２】本明細書で開示する発明において、低濃度
不純物領域（低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）となる）を
形成するには、斜方向から低ドーズ量の不純物を導入す
ることによって行う。この斜方向から不純物を導入する
方法として、回転斜めイオン注入を用いることが出来
る。
不純物領域（低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）となる）を
形成するには、斜方向から低ドーズ量の不純物を導入す
ることによって行う。この斜方向から不純物を導入する
方法として、回転斜めイオン注入を用いることが出来
る。
【００２３】この回転斜めイオン注入は、図１に示す装
置を用いる。図１に示す装置は、チャンバー１０１とそ
の内部に配置されたサンプルホルダー（基板ホルダー）
１０２、アノード電極１０３、アノード電極１０３に高
電圧を供給するための電源１０４、グリッド電極１０５
を有している。サンプルホルダー１０２は斜方向からの
イオン注入が可能となるように、角度θが自在に変化で
きる。また、サンプルホルダーには回転機構が備わって
おり、イオン注入の際に回転できるようになっている。
置を用いる。図１に示す装置は、チャンバー１０１とそ
の内部に配置されたサンプルホルダー（基板ホルダー）
１０２、アノード電極１０３、アノード電極１０３に高
電圧を供給するための電源１０４、グリッド電極１０５
を有している。サンプルホルダー１０２は斜方向からの
イオン注入が可能となるように、角度θが自在に変化で
きる。また、サンプルホルダーには回転機構が備わって
おり、イオン注入の際に回転できるようになっている。
【００２４】また、アノード電極１０３には最大で１０
０ｋＶの電圧が印加される。この高電圧によって、グリ
ッド電極１０５の近傍においてＲＦ放電等によってイオ
ン化された不純物イオン１０６は、サンプルホルダー１
０２上に配置された基板１０７（サンプル）の方向に加
速される。その結果、基板には加速された不純物イオン
が打ち込まれることになる。
０ｋＶの電圧が印加される。この高電圧によって、グリ
ッド電極１０５の近傍においてＲＦ放電等によってイオ
ン化された不純物イオン１０６は、サンプルホルダー１
０２上に配置された基板１０７（サンプル）の方向に加
速される。その結果、基板には加速された不純物イオン
が打ち込まれることになる。
【００２５】この回転斜めイオン注入の概念図を図２に
示す。サンプルホルダーに取りつけられた基板上のＴＦ
Ｔは図２（Ａ）のようにドーピングされるイオンに対し
てθの傾きを持っている。この傾きθによって不純物が
導入される奥行きが決定される。本発明においては、こ
の傾きθは３０度以上が好ましい。この角度θを持って
いるために、２０１に示される領域は、ゲイト電極の下
部までドーピングされる。
示す。サンプルホルダーに取りつけられた基板上のＴＦ
Ｔは図２（Ａ）のようにドーピングされるイオンに対し
てθの傾きを持っている。この傾きθによって不純物が
導入される奥行きが決定される。本発明においては、こ
の傾きθは３０度以上が好ましい。この角度θを持って
いるために、２０１に示される領域は、ゲイト電極の下
部までドーピングされる。
【００２６】しかし、２０２の領域においてはゲイト電
極の影になって、ゲイト電極に達しない所までしかドー
ピングされない。そこで、図２（Ｂ）のようにサンプル
ホルダーを１８０度回転させ、２０１の領域もゲイト電
極の下部までドーピングをおこなう。このようにして、
低ドーズ量のイオンドーピングをおこなう。ここで、サ
ンプルホルダーを１８０度回転してドーピングをおこな
ってもよいが、サンプルホルダーを回転させながらドー
ピングをおこなえば、より簡単に同様の効果が得られ
る。また、本明細書において、回転斜めイオン注入は図
２（Ｃ）のように示す。
極の影になって、ゲイト電極に達しない所までしかドー
ピングされない。そこで、図２（Ｂ）のようにサンプル
ホルダーを１８０度回転させ、２０１の領域もゲイト電
極の下部までドーピングをおこなう。このようにして、
低ドーズ量のイオンドーピングをおこなう。ここで、サ
ンプルホルダーを１８０度回転してドーピングをおこな
ってもよいが、サンプルホルダーを回転させながらドー
ピングをおこなえば、より簡単に同様の効果が得られ
る。また、本明細書において、回転斜めイオン注入は図
２（Ｃ）のように示す。
【００２７】このように、回転斜めイオン注入をおこな
うことによって、容易でしかも画一的に一定の奥行きま
でドーピンングされた低濃度不純物領域を形成すること
が出来る。以上のようにして低ドーズ量のイオンドーピ
ングをおこなった後、高ドーズ量のイオンドーピングを
おこなう。この際には、ＴＦＴに対して垂直方向から不
純物の注入をおこなう。このようにして、先の工程にお
いて低ドーズ量のイオンドーピングがおこなわれたゲイ
ト電極の下部には、高ドーズ量のイオンドーピングがお
こなわれずに、低濃度不純物領域が形成される。
うことによって、容易でしかも画一的に一定の奥行きま
でドーピンングされた低濃度不純物領域を形成すること
が出来る。以上のようにして低ドーズ量のイオンドーピ
ングをおこなった後、高ドーズ量のイオンドーピングを
おこなう。この際には、ＴＦＴに対して垂直方向から不
純物の注入をおこなう。このようにして、先の工程にお
いて低ドーズ量のイオンドーピングがおこなわれたゲイ
ト電極の下部には、高ドーズ量のイオンドーピングがお
こなわれずに、低濃度不純物領域が形成される。
【００２８】なお、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を
有する薄膜トランジスタにおいて、低濃度不純物領域を
形成する場合、不純物を注入する入射角を制御すること
によって、陽極酸化物の下部にのみ低濃度不純物領域を
形成することも可能であるし、チャネル形成領域に重な
って低濃度不純物領域を形成することも可能である。
有する薄膜トランジスタにおいて、低濃度不純物領域を
形成する場合、不純物を注入する入射角を制御すること
によって、陽極酸化物の下部にのみ低濃度不純物領域を
形成することも可能であるし、チャネル形成領域に重な
って低濃度不純物領域を形成することも可能である。
【００２９】従って、ＬＤＤを形成することも可能であ
るし、また、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを形成することも
可能である。ここで、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤとは図４
に示されるＬＤＤのように、ゲイト電極の下部にまでＬ
ＤＤ領域（４１５で示される）が形成されているものを
いう。即ち、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤの場合、従来であ
ればチャネル形成領域となる領域に一部にＬＤＤ領域が
形成される構成となる。
るし、また、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを形成することも
可能である。ここで、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤとは図４
に示されるＬＤＤのように、ゲイト電極の下部にまでＬ
ＤＤ領域（４１５で示される）が形成されているものを
いう。即ち、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤの場合、従来であ
ればチャネル形成領域となる領域に一部にＬＤＤ領域が
形成される構成となる。
【００３０】
【作用】本発明では、斜方向より低濃度不純物領域を形
成することに特徴がある。従来、ＬＤＤ領域の幅を制御
する際、ゲイト電極側面の側壁の制御によっておこなわ
れていたが、側壁の幅の制御は困難であった。しかし、
本発明において、不純物を導入する際の入射角を変化さ
せることによって、極めて能率的にＬＤＤ領域の幅を制
御することが可能である。このように、ＬＤＤ領域の幅
が制御できるため、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を
有するＴＦＴにおいて、本発明をおこなうことによっ
て、酸化物の下部にのみＬＤＤを形成することも可能で
あるし、ゲイト電極の下部からＯｖｅｒｌａｐ ＬＤＤ
を形成することも可能となる。
成することに特徴がある。従来、ＬＤＤ領域の幅を制御
する際、ゲイト電極側面の側壁の制御によっておこなわ
れていたが、側壁の幅の制御は困難であった。しかし、
本発明において、不純物を導入する際の入射角を変化さ
せることによって、極めて能率的にＬＤＤ領域の幅を制
御することが可能である。このように、ＬＤＤ領域の幅
が制御できるため、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を
有するＴＦＴにおいて、本発明をおこなうことによっ
て、酸化物の下部にのみＬＤＤを形成することも可能で
あるし、ゲイト電極の下部からＯｖｅｒｌａｐ ＬＤＤ
を形成することも可能となる。
【００３１】特に、低濃度不純物領域となる領域を制御
性良く形成することができるので、必要とする特性（特
にＯＦＦ電流特性）を有した薄膜トランジスタを得るこ
とができる。
性良く形成することができるので、必要とする特性（特
にＯＦＦ電流特性）を有した薄膜トランジスタを得るこ
とができる。
【００３２】
〔実施例１〕本実施例を図３に示す。本実施例は、本発
明により低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）を有するＮチャ
ネル型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した例であ
る。まず、基板３０１（コーニング７０５９、１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ）上に下地酸化膜３０２として、酸化珪
素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００〜５０００
Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸化珪素膜
は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐものである。
明により低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）を有するＮチャ
ネル型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した例であ
る。まず、基板３０１（コーニング７０５９、１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ）上に下地酸化膜３０２として、酸化珪
素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００〜５０００
Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸化珪素膜
は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐものである。
【００３３】そして、活性層を形成するための非晶質珪
素膜３０３をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３
００〜１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶ
Ｄ法によって５００Åに形成した。この後、熱アニール
やレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。こ
のとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニッ
ケル等の触媒元素を添加しても構わない。（図３
（Ａ）） 次に、この非晶質珪素膜をパターニングして、島状珪素
膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０４はＴＦＴの
活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜３０５とし
て、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０００Åの酸
化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。
素膜３０３をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３
００〜１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶ
Ｄ法によって５００Åに形成した。この後、熱アニール
やレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。こ
のとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニッ
ケル等の触媒元素を添加しても構わない。（図３
（Ａ）） 次に、この非晶質珪素膜をパターニングして、島状珪素
膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０４はＴＦＴの
活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜３０５とし
て、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０００Åの酸
化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。
【００３４】その後、厚さ１０００Å〜３μｍ、例え
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸のエチレングリコール溶液に浸し、白金を
陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極酸化を
おこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０Ｖまで
電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させた。こ
のようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０７を形
成した。（図３（Ｂ））
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸のエチレングリコール溶液に浸し、白金を
陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極酸化を
おこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０Ｖまで
電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させた。こ
のようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０７を形
成した。（図３（Ｂ））
【００３５】その後、イオンドーピング法によって、島
状珪素膜３０４にゲイト電極部をマスクとして自己整合
的に不純物として燐を導入した。ドーピングガスとして
はフォスフィン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示
した回転斜めイオン注入によって低ドーズ量のドーピン
グをおこなった。この場合のドーズ量は１×１０13〜５
×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶ、例
えば、ドーズ量を５×１０13原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。（図３（Ｃ））
状珪素膜３０４にゲイト電極部をマスクとして自己整合
的に不純物として燐を導入した。ドーピングガスとして
はフォスフィン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示
した回転斜めイオン注入によって低ドーズ量のドーピン
グをおこなった。この場合のドーズ量は１×１０13〜５
×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶ、例
えば、ドーズ量を５×１０13原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。（図３（Ｃ））
【００３６】次に、高ドーズ量のイオンドーピングを垂
直方向からおこなった。このとき、先におこなったドー
ズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例におい
ては、先のドーズ量の４０倍の２×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域３０９が形成された。以上の工程により、ゲイト
電極下部に低濃度不純物領域が残り、低濃度ドレイン領
域（ＬＤＤ）３１０が形成さた。（図３（Ｄ））
直方向からおこなった。このとき、先におこなったドー
ズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例におい
ては、先のドーズ量の４０倍の２×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域３０９が形成された。以上の工程により、ゲイト
電極下部に低濃度不純物領域が残り、低濃度ドレイン領
域（ＬＤＤ）３１０が形成さた。（図３（Ｄ））
【００３７】さらに、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２
４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピ
ングされた不純物領域３０９、３１０の活性化をおこな
った。この際、レーザー照射は垂直方向から照射するの
ではなく、ＬＤＤを形成する際のドーピングと同様に斜
方向からおこなった。レーザーのエネルギー密度は２０
０〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜３００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 が適当であった。この工程は熱アニールによ
っておこなってもよい。
４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピ
ングされた不純物領域３０９、３１０の活性化をおこな
った。この際、レーザー照射は垂直方向から照射するの
ではなく、ＬＤＤを形成する際のドーピングと同様に斜
方向からおこなった。レーザーのエネルギー密度は２０
０〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜３００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 が適当であった。この工程は熱アニールによ
っておこなってもよい。
【００３８】次に、層間絶縁膜３１１として，プラズマ
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜３１１、ゲイト絶縁膜３０５の
エッチングをおこなって、ＴＦＴのソース／ドレインに
コンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜を
スパッタリング法によって成膜し、パターニングをおこ
なってソース／ドレイン電極３１２を形成した。（図３
（Ｅ）） 以上のような工程により、Ｎチャネル型のＬＤＤを有す
るＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成後、不純物領域
の活性化のために、さらに２００〜４００℃で水素化処
理をおこなってもよい。なおＬＤＤの作成において、低
濃度不純物領域３０８を形成する際に、不純物を注入す
る入射角を制御することによって、本実施例のように、
陽極酸化物３０７の下部にのみＬＤＤを形成することも
可能であるし、また、ゲイト電極の下部にまで低濃度不
純物領域が形成されたＯｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを形成す
ることも可能である。
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜３１１、ゲイト絶縁膜３０５の
エッチングをおこなって、ＴＦＴのソース／ドレインに
コンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜を
スパッタリング法によって成膜し、パターニングをおこ
なってソース／ドレイン電極３１２を形成した。（図３
（Ｅ）） 以上のような工程により、Ｎチャネル型のＬＤＤを有す
るＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成後、不純物領域
の活性化のために、さらに２００〜４００℃で水素化処
理をおこなってもよい。なおＬＤＤの作成において、低
濃度不純物領域３０８を形成する際に、不純物を注入す
る入射角を制御することによって、本実施例のように、
陽極酸化物３０７の下部にのみＬＤＤを形成することも
可能であるし、また、ゲイト電極の下部にまで低濃度不
純物領域が形成されたＯｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを形成す
ることも可能である。
【００３９】〔実施例２〕本実施例を図４に示す。本実
施例は同一基板上に、本発明を用いてＯｖｅｒｌａｐ
ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと、同じくＬＤＤを
持たないＮチャネル型ＴＦＴを形成した例である。ま
ず、基板４０１（コーニング７０５９）上に実施例１と
同様に下地酸化膜４０２として、酸化珪素膜をプラズマ
ＣＶＤ法によって３０００Åに成膜した。そして、活性
層を形成するための非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法に
よって５００Åに形成した。この後、これを５５０〜６
００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放置して、結晶化せ
しめた。この際には、ニッケル等の結晶化を助長する触
媒元素を微量添加しても構わない。（図４（Ａ））
施例は同一基板上に、本発明を用いてＯｖｅｒｌａｐ
ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと、同じくＬＤＤを
持たないＮチャネル型ＴＦＴを形成した例である。ま
ず、基板４０１（コーニング７０５９）上に実施例１と
同様に下地酸化膜４０２として、酸化珪素膜をプラズマ
ＣＶＤ法によって３０００Åに成膜した。そして、活性
層を形成するための非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法に
よって５００Åに形成した。この後、これを５５０〜６
００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放置して、結晶化せ
しめた。この際には、ニッケル等の結晶化を助長する触
媒元素を微量添加しても構わない。（図４（Ａ））
【００４０】次に、この結晶性珪素膜４０３をパターニ
ングして、島状珪素膜４０４、４０５を形成した。この
島状珪素膜４０４、４０５はＴＦＴの活性層を構成す
る。そして、ゲイト絶縁膜４０６として、厚さ８００Å
の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。そ
の後、厚さ６０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳ
ｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜を
スパッタリング法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極４０７、４０８を形成した。次に基板
をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸を含むエチレングリコー
ル溶液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム電極を陽
極として、陽極酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一
定電流で２２０Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保
持して終了させた。このようにして、厚さ２５００Åの
陽極酸化物４０９、４１０を形成した。（図４（Ｂ））
ングして、島状珪素膜４０４、４０５を形成した。この
島状珪素膜４０４、４０５はＴＦＴの活性層を構成す
る。そして、ゲイト絶縁膜４０６として、厚さ８００Å
の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。そ
の後、厚さ６０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳ
ｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜を
スパッタリング法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極４０７、４０８を形成した。次に基板
をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸を含むエチレングリコー
ル溶液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム電極を陽
極として、陽極酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一
定電流で２２０Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保
持して終了させた。このようにして、厚さ２５００Åの
陽極酸化物４０９、４１０を形成した。（図４（Ｂ））
【００４１】その後、イオンドーピング法によって、島
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物として燐を導入した。まず、ＬＤＤを持たないＮチ
ャネル型ＴＦＴを構成する領域をフォトレジストのマス
ク４１１で覆って、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを有するＮ
チャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐を導入した。この
時、図２に示した回転斜めイオン注入によって低ドーズ
量ののドーピングをおこなった。このときイオン注入の
入射角は、低濃度不純物領域がゲイト電極下部にまで、
形成されるように大きくした。この場合のドーズ量は１
×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜
９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を４×１０13原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純
物領域４１２が形成された。（図４（Ｃ））
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物として燐を導入した。まず、ＬＤＤを持たないＮチ
ャネル型ＴＦＴを構成する領域をフォトレジストのマス
ク４１１で覆って、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤを有するＮ
チャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐を導入した。この
時、図２に示した回転斜めイオン注入によって低ドーズ
量ののドーピングをおこなった。このときイオン注入の
入射角は、低濃度不純物領域がゲイト電極下部にまで、
形成されるように大きくした。この場合のドーズ量は１
×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜
９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を４×１０13原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純
物領域４１２が形成された。（図４（Ｃ））
【００４２】次に、ＬＤＤを持たないＮチャネル型ＴＦ
Ｔを構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク
４１１を取り除いて、高ドーズ量のイオンドーピングを
垂直方向からおこなった。このとき、先におこなったド
ーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例にお
いては、先のドーズ量の５０倍の２×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域４１３、４１４が形成された。以上の工程によ
り、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤ４１５を有するＮ型不純物
領域（ソース／ドレイン領域）、および、ＬＤＤを持た
ないＮ型不純物領域が形成された。（図４（Ｄ））
Ｔを構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク
４１１を取り除いて、高ドーズ量のイオンドーピングを
垂直方向からおこなった。このとき、先におこなったド
ーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例にお
いては、先のドーズ量の５０倍の２×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域４１３、４１４が形成された。以上の工程によ
り、Ｏｖｅｒｌａｐ ＬＤＤ４１５を有するＮ型不純物
領域（ソース／ドレイン領域）、および、ＬＤＤを持た
ないＮ型不純物領域が形成された。（図４（Ｄ））
【００４３】さらに、本実施例においては、基板の裏面
からレーザー照射を施して、ドーピングされた不純物領
域４１３、４１４、４１５の活性化をおこなった。この
際、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス
幅２０ｎｓｅｃ）を用いると、基板にレーザー光が吸収
されてしまって不純物領域までレーザー光が達しないの
で、波長の異なるＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０
８ｎｍ、パルス幅３０ｎｓｅｃ）や、ＸｅＦエキシマレ
ーザー（波長３５３ｎｍ、パルス幅４０ｎｓｅｃ）を使
用すればよい。本実施例においては、ＸｅＣｌエキシマ
レーザーを使用した。ここでは、レーザーのエネルギー
密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０
〜３５０ｍＪ／ｃｍ2 が適当であった。この工程は熱ア
ニールによっておこなってもよい。
からレーザー照射を施して、ドーピングされた不純物領
域４１３、４１４、４１５の活性化をおこなった。この
際、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス
幅２０ｎｓｅｃ）を用いると、基板にレーザー光が吸収
されてしまって不純物領域までレーザー光が達しないの
で、波長の異なるＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０
８ｎｍ、パルス幅３０ｎｓｅｃ）や、ＸｅＦエキシマレ
ーザー（波長３５３ｎｍ、パルス幅４０ｎｓｅｃ）を使
用すればよい。本実施例においては、ＸｅＣｌエキシマ
レーザーを使用した。ここでは、レーザーのエネルギー
密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０
〜３５０ｍＪ／ｃｍ2 が適当であった。この工程は熱ア
ニールによっておこなってもよい。
【００４４】次に、層間絶縁膜４１６として，プラズマ
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜４１６、ゲイト絶縁膜４０６の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極４１７を形成した。（図４
（Ｅ）） 以上のような工程により、同一基板上に、Ｏｖｅｒｌａ
ｐ ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと、同じくＬＤ
Ｄを持たないＮチャネル型ＴＦＴを作製した。なお、Ｔ
ＦＴ形成後、不純物領域の活性化のために、さらに２０
０〜４００℃で水素化処理をおこなってもよい。
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜４１６、ゲイト絶縁膜４０６の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極４１７を形成した。（図４
（Ｅ）） 以上のような工程により、同一基板上に、Ｏｖｅｒｌａ
ｐ ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと、同じくＬＤ
Ｄを持たないＮチャネル型ＴＦＴを作製した。なお、Ｔ
ＦＴ形成後、不純物領域の活性化のために、さらに２０
０〜４００℃で水素化処理をおこなってもよい。
【００４５】〔実施例３〕本実施例を図５に示す。本実
施例は、本発明を用いて低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）
を有するＮチャネル型ＴＦＴとＬＤＤを持たないＰチャ
ネル型ＴＦＴから構成された相補型回路を形成した例で
ある。まず、基板５０１（コーニング７０５９）上に実
施例１と同様に下地酸化膜５０２として、酸化珪素膜を
プラズマＣＶＤ法によって３０００Åに成膜した。そし
て、活性層を形成するための非晶質珪素膜をプラズマＣ
ＶＤ法によって５００Åに形成した。この後、これを５
５０〜６００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放置して、
結晶化せしめた。この際には、ニッケル等の結晶化を助
長する触媒元素を微量添加しても構わない。（図５
（Ａ））
施例は、本発明を用いて低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）
を有するＮチャネル型ＴＦＴとＬＤＤを持たないＰチャ
ネル型ＴＦＴから構成された相補型回路を形成した例で
ある。まず、基板５０１（コーニング７０５９）上に実
施例１と同様に下地酸化膜５０２として、酸化珪素膜を
プラズマＣＶＤ法によって３０００Åに成膜した。そし
て、活性層を形成するための非晶質珪素膜をプラズマＣ
ＶＤ法によって５００Åに形成した。この後、これを５
５０〜６００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放置して、
結晶化せしめた。この際には、ニッケル等の結晶化を助
長する触媒元素を微量添加しても構わない。（図５
（Ａ））
【００４６】次に、この結晶性珪素膜５０３をパターニ
ングして、島状珪素膜５０４、５０５を形成した。この
島状珪素膜５０４、５０５はＴＦＴの活性層を構成す
る。そして、ゲイト絶縁膜５０６として、厚さ８００Å
の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。そ
の後、厚さ６０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳ
ｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜を
スパッタリング法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極５０７、５０８を形成した。次に基板
をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸のエチレングリコール溶
液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極と
して、陽極酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電
流で２２０Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持し
て終了させた。このようにして、厚さ２５００Åの陽極
酸化物５０９、５１０を形成した。（図５（Ｂ））
ングして、島状珪素膜５０４、５０５を形成した。この
島状珪素膜５０４、５０５はＴＦＴの活性層を構成す
る。そして、ゲイト絶縁膜５０６として、厚さ８００Å
の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。そ
の後、厚さ６０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳ
ｉ、もしくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜を
スパッタリング法によって形成して、これをパターニン
グしてゲイト電極５０７、５０８を形成した。次に基板
をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸のエチレングリコール溶
液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極と
して、陽極酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電
流で２２０Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持し
て終了させた。このようにして、厚さ２５００Åの陽極
酸化物５０９、５１０を形成した。（図５（Ｂ））
【００４７】その後、イオンドーピング法によって、島
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物を導入した。まず、Ｐチャネル型ＴＦＴを構成する
領域をフォトレジストのマスク５１１で覆って、ＬＤＤ
を有するＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐を導入
した。まず、図２に示した回転斜めイオン注入によって
低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場合のドー
ズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧
は１０〜９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を２×１０13原子
／ｃｍ2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、低濃
度不純物領域５１２が形成された。（図５（Ｃ））
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物を導入した。まず、Ｐチャネル型ＴＦＴを構成する
領域をフォトレジストのマスク５１１で覆って、ＬＤＤ
を有するＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐を導入
した。まず、図２に示した回転斜めイオン注入によって
低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場合のドー
ズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧
は１０〜９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を２×１０13原子
／ｃｍ2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、低濃
度不純物領域５１２が形成された。（図５（Ｃ））
【００４８】次に、高ドーズ量のイオンドーピングを垂
直方向からおこなった。このとき、先におこなったドー
ズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例におい
ては、先のドーズ量の５０倍の１×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域５１３が形成された。以上の工程により、ＬＤＤ
５１４を有するＮ型不純物領域（ソース／ドレイン領
域）が形成された。（図５（Ｄ））
直方向からおこなった。このとき、先におこなったドー
ズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例におい
ては、先のドーズ量の５０倍の１×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧を８０ｋＶとした。この結果、高濃度不純
物領域５１３が形成された。以上の工程により、ＬＤＤ
５１４を有するＮ型不純物領域（ソース／ドレイン領
域）が形成された。（図５（Ｄ））
【００４９】その後、Ｐチャネル型ＴＦＴの領域を覆っ
ていたマスク５１１を取り除き、Ｎチャネル型ＴＦＴを
構成する領域をフォトレジストのマスク５１５で覆っ
て、Ｐチャネル型ＴＦＴの領域に硼素を導入した。この
場合のドーズ量は１×１０13〜５×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧は５〜８０ｋＶ、例えば、ドーズ量を１×
１０15原子／ｃｍ2 、加速電圧を６５ｋＶとした。この
結果、Ｐ型不純物領域５１６（ソース／ドレイン領域）
が形成された。（図５（Ｅ））
ていたマスク５１１を取り除き、Ｎチャネル型ＴＦＴを
構成する領域をフォトレジストのマスク５１５で覆っ
て、Ｐチャネル型ＴＦＴの領域に硼素を導入した。この
場合のドーズ量は１×１０13〜５×１０15原子／ｃｍ
2 、加速電圧は５〜８０ｋＶ、例えば、ドーズ量を１×
１０15原子／ｃｍ2 、加速電圧を６５ｋＶとした。この
結果、Ｐ型不純物領域５１６（ソース／ドレイン領域）
が形成された。（図５（Ｅ））
【００５０】さらに、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２
４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピ
ングされた不純物領域５１３、５１４、５１６の活性化
をおこなった。この際、垂直方向より通常の活性化をお
こなった。レーザーのエネルギー密度は２００〜４００
ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2
が適当であった。この工程は熱アニールによっておこな
ってもよい。
４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピ
ングされた不純物領域５１３、５１４、５１６の活性化
をおこなった。この際、垂直方向より通常の活性化をお
こなった。レーザーのエネルギー密度は２００〜４００
ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2
が適当であった。この工程は熱アニールによっておこな
ってもよい。
【００５１】次に、層間絶縁膜５１７として，プラズマ
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜５１７、ゲイト絶縁膜５０６の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極５１８を形成した。以上のよ
うな工程により、ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと
ＬＤＤを持たないＰチャネル型ＴＦＴから構成された相
補型回路を作製した。
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜５１７、ゲイト絶縁膜５０６の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極５１８を形成した。以上のよ
うな工程により、ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴと
ＬＤＤを持たないＰチャネル型ＴＦＴから構成された相
補型回路を作製した。
【００５２】〔実施例４〕 本実施例を図６に示す。本実施例は、モノリシック型ア
クティブマトリクス回路に関するものである。本実施例
では、駆動回路には、本発明を用いて作成した低濃度ド
レイン領域（ＬＤＤ）を有するＮチャネル型ＴＦＴとＰ
チャネル型ＴＦＴから構成された相補型回路を、アクテ
ィブマトリクス回路のスイッチング素子にはＬＤＤを持
たないＰチャネル型ＴＦＴを用いた。
クティブマトリクス回路に関するものである。本実施例
では、駆動回路には、本発明を用いて作成した低濃度ド
レイン領域（ＬＤＤ）を有するＮチャネル型ＴＦＴとＰ
チャネル型ＴＦＴから構成された相補型回路を、アクテ
ィブマトリクス回路のスイッチング素子にはＬＤＤを持
たないＰチャネル型ＴＦＴを用いた。
【００５３】まず、基板６０１（コーニング７０５９）
上に実施例１と同様に下地酸化膜６０２として、酸化珪
素膜をプラズマＣＶＤ法によって２０００Åに成膜し
た。そして、活性層を形成するための非晶質珪素膜をプ
ラズマＣＶＤ法によって５００Åに形成した。この後、
これを５５０〜６００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放
置して、結晶化せしめた。次に、この非晶質珪素膜をパ
ターニングして、島状珪素膜を形成した。この島状珪素
膜はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
６０３として、厚さ１０００Åの酸化珪素膜をプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。
上に実施例１と同様に下地酸化膜６０２として、酸化珪
素膜をプラズマＣＶＤ法によって２０００Åに成膜し
た。そして、活性層を形成するための非晶質珪素膜をプ
ラズマＣＶＤ法によって５００Åに形成した。この後、
これを５５０〜６００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放
置して、結晶化せしめた。次に、この非晶質珪素膜をパ
ターニングして、島状珪素膜を形成した。この島状珪素
膜はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
６０３として、厚さ１０００Åの酸化珪素膜をプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。
【００５４】その後、厚さ５０００Åのアルミニウム膜
をスパッタリング法によって形成して、これをパターニ
ングしてゲイト電極６０４、６０５、６０６を形成し
た。次に基板をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸のエチレン
グリコール溶液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム
電極を陽極として陽極酸化をおこない、厚さ２０００Å
の陽極酸化物６０７、６０８、６０９を形成した。
をスパッタリング法によって形成して、これをパターニ
ングしてゲイト電極６０４、６０５、６０６を形成し
た。次に基板をｐＨ≒７、１〜３％の酒石酸のエチレン
グリコール溶液に浸し、白金を陰極、このアルミニウム
電極を陽極として陽極酸化をおこない、厚さ２０００Å
の陽極酸化物６０７、６０８、６０９を形成した。
【００５５】その後、イオンドーピング法によって、島
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物を導入した。まず、ＬＤＤを持たないＰチャネル型
ＴＦＴを構成する領域と駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴ
を構成する領域をフォトレジストのマスク６１０で覆っ
て、駆動回路のＰチャネル型ＴＦＴを構成する領域に硼
素を導入した。まず、図２に示した回転斜めイオン注入
によって低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場
合のドーズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、
加速電圧は５〜８０ｋＶ、例えば、ドーズ量を３×１０
13原子／ｃｍ2、加速電圧を６０ｋＶとした。この結
果、駆動回路のＰチャネル型ＴＦＴを構成する領域にＰ
型の低濃度不純物領域６１１が形成された。（図６
（Ａ））
状珪素膜にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不
純物を導入した。まず、ＬＤＤを持たないＰチャネル型
ＴＦＴを構成する領域と駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴ
を構成する領域をフォトレジストのマスク６１０で覆っ
て、駆動回路のＰチャネル型ＴＦＴを構成する領域に硼
素を導入した。まず、図２に示した回転斜めイオン注入
によって低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場
合のドーズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、
加速電圧は５〜８０ｋＶ、例えば、ドーズ量を３×１０
13原子／ｃｍ2、加速電圧を６０ｋＶとした。この結
果、駆動回路のＰチャネル型ＴＦＴを構成する領域にＰ
型の低濃度不純物領域６１１が形成された。（図６
（Ａ））
【００５６】次に、ＬＤＤを持たないＰチャネル型ＴＦ
Ｔを構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク
を取り除き、島状珪素に高ドーズ量の硼素イオンのドー
ピングを垂直方向からおこなった。このとき、先におこ
なったドーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実
施例においては、先のドーズ量の１００倍の３×１０15
原子／ｃｍ2 、加速電圧を６０ｋＶとした。この結果、
高濃度不純物領域６１２、６１３が形成された。以上の
工程によって、ＬＤＤ６１４を有するＰ型不純物領域
（ソース／ドレイン領域）およびＬＤＤを持たないＰ型
不純物領域（ソース／ドレイン領域）が形成された。
（図６（Ｂ））
Ｔを構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク
を取り除き、島状珪素に高ドーズ量の硼素イオンのドー
ピングを垂直方向からおこなった。このとき、先におこ
なったドーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実
施例においては、先のドーズ量の１００倍の３×１０15
原子／ｃｍ2 、加速電圧を６０ｋＶとした。この結果、
高濃度不純物領域６１２、６１３が形成された。以上の
工程によって、ＬＤＤ６１４を有するＰ型不純物領域
（ソース／ドレイン領域）およびＬＤＤを持たないＰ型
不純物領域（ソース／ドレイン領域）が形成された。
（図６（Ｂ））
【００５７】つぎに、駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴを
構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク６１
０を取り除き、先に不純物を導入したＰチャネル型ＴＦ
Ｔ領域をフォトレジストのマスク６１５で覆った。その
後、駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐
を導入した。まず図２に示した回転斜めイオン注入によ
って低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場合の
ドーズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速
電圧は１０〜９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を３×１０13
原子／ｃｍ2 、加速電圧を７０ｋＶとした。この結果、
駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域にＮ型の
低濃度不純物領域６１６が形成された。（図６（Ｃ））
構成する領域を覆っていたフォトレジストのマスク６１
０を取り除き、先に不純物を導入したＰチャネル型ＴＦ
Ｔ領域をフォトレジストのマスク６１５で覆った。その
後、駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域に燐
を導入した。まず図２に示した回転斜めイオン注入によ
って低ドーズ量のドーピングをおこなった。この場合の
ドーズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速
電圧は１０〜９０ｋＶ、例えば、ドーズ量を３×１０13
原子／ｃｍ2 、加速電圧を７０ｋＶとした。この結果、
駆動回路のＮチャネル型ＴＦＴを構成する領域にＮ型の
低濃度不純物領域６１６が形成された。（図６（Ｃ））
【００５８】次に、高ドーズ量の燐イオンのドーピング
を垂直方向からおこなった。このとき、先におこなった
ドーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例に
おいては、先のドーズ量の１００倍の３×１０15原子／
ｃｍ2 、加速電圧を７０ｋＶとした。この結果、高濃度
不純物領域６１７が形成された。以上の工程により、Ｌ
ＤＤ６１８を有するＮ型不純物領域（ソース／ドレイン
領域）が形成された。（図６（Ｄ）） さらに、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パ
ルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピングされた不
純物領域の活性化をおこなった。レーザーのエネルギー
密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０
〜３００ｍＪ／ｃｍ2 が適当であった。
を垂直方向からおこなった。このとき、先におこなった
ドーズ量より１〜３桁多いことが望ましい。本実施例に
おいては、先のドーズ量の１００倍の３×１０15原子／
ｃｍ2 、加速電圧を７０ｋＶとした。この結果、高濃度
不純物領域６１７が形成された。以上の工程により、Ｌ
ＤＤ６１８を有するＮ型不純物領域（ソース／ドレイン
領域）が形成された。（図６（Ｄ）） さらに、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パ
ルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、ドーピングされた不
純物領域の活性化をおこなった。レーザーのエネルギー
密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０
〜３００ｍＪ／ｃｍ2 が適当であった。
【００５９】次に、層間絶縁膜６１９として，プラズマ
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜６１９、ゲイト絶縁膜６０３の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極６２０を形成した。（図６
（Ｅ））
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Åに成膜し
た。そして、層間絶縁膜６１９、ゲイト絶縁膜６０３の
エッチングをおこなってＴＦＴのソース／ドレインにコ
ンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をス
パッタリング法によって成膜し、パターニングをおこな
ってソース／ドレイン電極６２０を形成した。（図６
（Ｅ））
【００６０】その後、パッシベーション膜６２１とし
て、プラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を厚さ３００
０Å形成し、これと層間絶縁膜６１９、ゲイト絶縁膜６
０３をエッチングして、コンタクトホールを形成し、ア
クティブマトリクス回路のＴＦＴに透明導電膜によって
画素電極６２２を形成した。（図６（Ｆ））以上のよう
な工程により、駆動回路には、本発明を用いて作成した
ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦ
Ｔから構成された相補型回路を、アクティブマトリクス
回路のスイッチング素子にはＬＤＤを持たないＰチャネ
ル型ＴＦＴを用いた、モノリシック型アクティブマトリ
クス回路を作製した。なお、ＴＦＴ形成後、不純物領域
の活性化のために、さらに２００〜４００℃で水素化処
理をおこなってもよい。
て、プラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を厚さ３００
０Å形成し、これと層間絶縁膜６１９、ゲイト絶縁膜６
０３をエッチングして、コンタクトホールを形成し、ア
クティブマトリクス回路のＴＦＴに透明導電膜によって
画素電極６２２を形成した。（図６（Ｆ））以上のよう
な工程により、駆動回路には、本発明を用いて作成した
ＬＤＤを有するＮチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦ
Ｔから構成された相補型回路を、アクティブマトリクス
回路のスイッチング素子にはＬＤＤを持たないＰチャネ
ル型ＴＦＴを用いた、モノリシック型アクティブマトリ
クス回路を作製した。なお、ＴＦＴ形成後、不純物領域
の活性化のために、さらに２００〜４００℃で水素化処
理をおこなってもよい。
【００６１】〔実施例５〕本実施例を図８に示す。本実
施例に示す薄膜トランジスタは、ソース／ドレイン領域
として、低不純物領域（比較的低濃度に不純物のドーピ
ングを行った領域）上に窒化チタン膜を形成したものを
用いたことを特徴とする。
施例に示す薄膜トランジスタは、ソース／ドレイン領域
として、低不純物領域（比較的低濃度に不純物のドーピ
ングを行った領域）上に窒化チタン膜を形成したものを
用いたことを特徴とする。
【００６２】まず、基板３０１上に下地酸化膜３０２と
して、酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００
〜５０００Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸
化珪素膜は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐもの
である。
して、酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００
〜５０００Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸
化珪素膜は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐもの
である。
【００６３】そして、活性層を形成するための非晶質珪
素膜をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３００〜
１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶＤ法に
よって７００Åの厚さに形成した。この後、熱アニール
やレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。こ
のとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニッ
ケル等の触媒元素を添加しても構わない。
素膜をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３００〜
１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶＤ法に
よって７００Åの厚さに形成した。この後、熱アニール
やレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。こ
のとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニッ
ケル等の触媒元素を添加しても構わない。
【００６４】次に、この非晶質珪素膜をパターニングし
て、島状珪素膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０
４はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
３０５として、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０
００Åの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し
た。
て、島状珪素膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０
４はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
３０５として、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０
００Åの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し
た。
【００６５】その後、厚さ１０００Å〜３μｍ、例え
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液に浸し、
白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極
酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０
Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させ
た。このようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０
７を形成した。（図８（Ａ））
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液に浸し、
白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極
酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０
Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させ
た。このようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０
７を形成した。（図８（Ａ））
【００６６】その後、イオンドーピング法またはプラズ
マドーピング法によって、活性層である島状珪素膜３０
４にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不純物と
して燐を導入した。ドーピングガスとしてはフォスフィ
ン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示した回転斜め
イオン注入によって低ドーズ量のドーピングをおこなっ
た。この場合のドーズ量は１×１０14〜５×１０14原子
／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶとすればよい。こ
こではドーズ量を２×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。またこの工程でチャネル形成領域８０４が
自己整合的に形成される。（図８（Ｂ））
マドーピング法によって、活性層である島状珪素膜３０
４にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不純物と
して燐を導入した。ドーピングガスとしてはフォスフィ
ン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示した回転斜め
イオン注入によって低ドーズ量のドーピングをおこなっ
た。この場合のドーズ量は１×１０14〜５×１０14原子
／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶとすればよい。こ
こではドーズ量を２×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。またこの工程でチャネル形成領域８０４が
自己整合的に形成される。（図８（Ｂ））
【００６７】次に、露呈したゲイト絶縁膜３０５を取り
除いた。こうして図８（Ｃ）に示す状態を得る。さらに
金属膜８００をスパッタ法によって５０〜５００Åの厚
さに成膜した。ここでは金属膜８００としてチタン膜を
２００Åの厚さにスパッタ法で形成した。また、チタン
膜の代わりに、ニッケル、モリブデン、タングステン、
白金、パラジウム等の金属材料を用いることができる。
除いた。こうして図８（Ｃ）に示す状態を得る。さらに
金属膜８００をスパッタ法によって５０〜５００Åの厚
さに成膜した。ここでは金属膜８００としてチタン膜を
２００Åの厚さにスパッタ法で形成した。また、チタン
膜の代わりに、ニッケル、モリブデン、タングステン、
白金、パラジウム等の金属材料を用いることができる。
【００６８】そして、レーザー光（例えばＫｒＦエキシ
マレーザー）を照射して、ドーピングされた不純物の活
性化と低不純物領域の再結晶化とを行うとともに、金属
膜８００と活性層との界面およびその近傍に金属珪化物
層８０３（この場合は珪化チタン層）を形成した。レー
ザー光の照射密度は、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた
場合で、２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 とすればよい。ま
た、レーザー光の加熱中に試料を２００〜５００℃に加
熱することは効果的である。またレーザー光の照射の代
わりに、強光を照射するのでもよい。（図８（Ｄ））
マレーザー）を照射して、ドーピングされた不純物の活
性化と低不純物領域の再結晶化とを行うとともに、金属
膜８００と活性層との界面およびその近傍に金属珪化物
層８０３（この場合は珪化チタン層）を形成した。レー
ザー光の照射密度は、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた
場合で、２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 とすればよい。ま
た、レーザー光の加熱中に試料を２００〜５００℃に加
熱することは効果的である。またレーザー光の照射の代
わりに、強光を照射するのでもよい。（図８（Ｄ））
【００６９】金属化合物層８０３を形成した後、過酸化
水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチ
ング液で金属膜８００のエッチングを行った。そして、
層間絶縁膜として酸化珪素膜３１１を６０００Åの厚さ
に成膜した。さらに穴開け公知を経て、ＴＦＴのソース
／ドレインにコンタクトホール形成した。そして、アル
ミニウム膜をスパッタリング法によって成膜し、パター
ニングをおこなってソース／ドレイン電極３１２を形成
した。（図８（Ｅ））
水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチ
ング液で金属膜８００のエッチングを行った。そして、
層間絶縁膜として酸化珪素膜３１１を６０００Åの厚さ
に成膜した。さらに穴開け公知を経て、ＴＦＴのソース
／ドレインにコンタクトホール形成した。そして、アル
ミニウム膜をスパッタリング法によって成膜し、パター
ニングをおこなってソース／ドレイン電極３１２を形成
した。（図８（Ｅ））
【００７０】以上のような工程により、Ｎチャネル型の
ＬＤＤを有するＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成
後、不純物領域の活性化のために、さらに２００〜４０
０℃で水素化処理をおこなってもよい。図８（Ｅ）に示
すＴＦＴは、ソース／ドレイン領域が低濃度不純物領域
上に金属珪化物層を有した構成を有し、さらにソース／
ドレイン領域とチャネル形成領域との間に何れか一方が
ＬＤＤ領域として機能する低濃度不純物領域が形成され
た構成を有している。
ＬＤＤを有するＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成
後、不純物領域の活性化のために、さらに２００〜４０
０℃で水素化処理をおこなってもよい。図８（Ｅ）に示
すＴＦＴは、ソース／ドレイン領域が低濃度不純物領域
上に金属珪化物層を有した構成を有し、さらにソース／
ドレイン領域とチャネル形成領域との間に何れか一方が
ＬＤＤ領域として機能する低濃度不純物領域が形成され
た構成を有している。
【００７１】図８（Ｅ）に示す構成におけるソース／ド
レイン領域は、低濃度にドーピングが行われた不純物領
域ではあるが、その表面に金属珪化物層８０３が形成さ
れているので、その抵抗は低く、ソース／ドレイン領域
としての機能を十分果たす。また金属珪化物層８０３が
形成されていない低濃度不純物領域３０８（３１０で示
される領域に合致する）は、チャネル形成領域８０４に
隣接した電界集中を緩和するための領域（ドレイン領域
側のこの領域はＬＤＤ（ライトドープ領域）となる）と
して機能する。
レイン領域は、低濃度にドーピングが行われた不純物領
域ではあるが、その表面に金属珪化物層８０３が形成さ
れているので、その抵抗は低く、ソース／ドレイン領域
としての機能を十分果たす。また金属珪化物層８０３が
形成されていない低濃度不純物領域３０８（３１０で示
される領域に合致する）は、チャネル形成領域８０４に
隣接した電界集中を緩和するための領域（ドレイン領域
側のこの領域はＬＤＤ（ライトドープ領域）となる）と
して機能する。
【００７２】本実施例に示すＴＦＴの作製工程は、不純
物イオンの注入が１回であり、またライトドープピング
で済むので、作製工程の簡略化と生産性の向上を得るこ
とができる。
物イオンの注入が１回であり、またライトドープピング
で済むので、作製工程の簡略化と生産性の向上を得るこ
とができる。
【００７３】〔実施例６〕本実施例の作製工程を図９に
示す。本実施例に示す薄膜トランジスタは、ソース／ド
レイン領域の表面にソース／ドレイン領域の低抵抗化
と、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域との
コンタクト特性の向上とを果たすための金属珪化物層を
形成したことを特徴とする。
示す。本実施例に示す薄膜トランジスタは、ソース／ド
レイン領域の表面にソース／ドレイン領域の低抵抗化
と、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域との
コンタクト特性の向上とを果たすための金属珪化物層を
形成したことを特徴とする。
【００７４】まず、基板３０１上に下地酸化膜３０２と
して、酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００
〜５０００Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸
化珪素膜は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐもの
である。
して、酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって１０００
〜５０００Å、例えば、４０００Åに成膜した。この酸
化珪素膜は、ガラス基板からの不純物の拡散を防ぐもの
である。
【００７５】そして、活性層を形成するための非晶質珪
素膜をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３００〜
１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶＤ法に
よって１０００Åの厚さに形成した。この後、熱アニー
ルやレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。
このとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニ
ッケル等の触媒元素を添加しても構わない。
素膜をプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法により３００〜
１５００Åに形成した。ここでは、プラズマＣＶＤ法に
よって１０００Åの厚さに形成した。この後、熱アニー
ルやレーザーアニールを施して結晶化せしめてもよい。
このとき、非晶質珪素膜の結晶化を促進させるためにニ
ッケル等の触媒元素を添加しても構わない。
【００７６】次に、この非晶質珪素膜をパターニングし
て、島状珪素膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０
４はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
３０５として、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０
００Åの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し
た。
て、島状珪素膜３０４を形成した。この島状珪素膜３０
４はＴＦＴの活性層を構成する。そして、ゲイト絶縁膜
３０５として、厚さ２００〜１５００Å、ここでは１０
００Åの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し
た。
【００７７】その後、厚さ１０００Å〜３μｍ、例え
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液に浸し、
白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極
酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０
Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させ
た。このようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０
７を形成した。（図９（Ａ））
ば、５０００Åのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを含む）膜をスパッタ
リング法によって形成して、これをパターニングしてゲ
イト電極３０６を形成した。次に基板をｐＨ≒７、１〜
３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液に浸し、
白金を陰極、このアルミニウム電極を陽極として、陽極
酸化をおこなった。陽極酸化は、最初一定電流で２２０
Ｖまで電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させ
た。このようにして、厚さ２５００Åの陽極酸化物３０
７を形成した。（図９（Ａ））
【００７８】その後、イオンドーピング法またはプラズ
マドーピング法によって、活性層である島状珪素膜３０
４にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不純物と
して燐を導入した。ドーピングガスとしてはフォスフィ
ン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示した回転斜め
イオン注入によって低ドーズ量のドーピングをおこなっ
た。この場合のドーズ量は１×１０14〜５×１０14原子
／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶとすればよい。こ
こではドーズ量を２×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。またこの工程でチャネル形成領域８０４が
自己整合的に形成された。（図９（Ｂ））
マドーピング法によって、活性層である島状珪素膜３０
４にゲイト電極部をマスクとして自己整合的に不純物と
して燐を導入した。ドーピングガスとしてはフォスフィ
ン（ＰＨ ３ ）を用いた。まず、図２に示した回転斜め
イオン注入によって低ドーズ量のドーピングをおこなっ
た。この場合のドーズ量は１×１０14〜５×１０14原子
／ｃｍ2 、加速電圧は１０〜９０ｋＶとすればよい。こ
こではドーズ量を２×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧を
８０ｋＶとした。この結果、低濃度不純物領域３０８が
形成された。またこの工程でチャネル形成領域８０４が
自己整合的に形成された。（図９（Ｂ））
【００７９】次に、２×１０15ｃｍ-2のドーズ量で燐イ
オンのドーピングをプラズマドーピング法で行う。この
ドーピングは、基板に対して垂直な方向から行った。こ
の工程で、ソース／ドレイン領域として機能する一対の
高濃度不純物領域３０９が形成される。（図９（Ｃ））
オンのドーピングをプラズマドーピング法で行う。この
ドーピングは、基板に対して垂直な方向から行った。こ
の工程で、ソース／ドレイン領域として機能する一対の
高濃度不純物領域３０９が形成される。（図９（Ｃ））
【００８０】次に露呈しているゲイト絶縁膜３０５を取
り除いた。こうして図９（Ｄ）に示す状態を得る。さら
に金属膜８００をスパッタ法によって５０〜５００Åの
厚さに成膜した。ここでは金属膜８００としてチタン膜
を２００Åの厚さにスパッタ法で形成した。なおチタン
膜の代わりに、ニッケル、モリブデン、タングステン、
白金、パラジウム等の金属材料を用いることができる。
り除いた。こうして図９（Ｄ）に示す状態を得る。さら
に金属膜８００をスパッタ法によって５０〜５００Åの
厚さに成膜した。ここでは金属膜８００としてチタン膜
を２００Åの厚さにスパッタ法で形成した。なおチタン
膜の代わりに、ニッケル、モリブデン、タングステン、
白金、パラジウム等の金属材料を用いることができる。
【００８１】そして、レーザー光（例えばＫｒＦエキシ
マレーザー）を照射して、ドーピングされた不純物の活
性化と低不純物領域の再結晶化とを行うとともに、金属
膜８００と活性層との界面およびその近傍に金属珪化物
層８０３（この場合は珪化チタン層）を形成した。レー
ザー光の照射密度は、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた
場合で、２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 とすればよい。ま
た、レーザー光の加熱中に試料を２００〜５００℃に加
熱することは効果的である。またレーザー光の照射の代
わりに、強光を照射するのでもよい。（図９（Ｅ））
マレーザー）を照射して、ドーピングされた不純物の活
性化と低不純物領域の再結晶化とを行うとともに、金属
膜８００と活性層との界面およびその近傍に金属珪化物
層８０３（この場合は珪化チタン層）を形成した。レー
ザー光の照射密度は、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた
場合で、２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 とすればよい。ま
た、レーザー光の加熱中に試料を２００〜５００℃に加
熱することは効果的である。またレーザー光の照射の代
わりに、強光を照射するのでもよい。（図９（Ｅ））
【００８２】金属化合物層８０３を形成した後、過酸化
水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチ
ング液で金属膜８００のエッチングを行った。そして、
層間絶縁膜として酸化珪素膜３１１を６０００Åの厚さ
に成膜した。さらに穴開け公知を経て、ＴＦＴのソース
／ドレインにコンタクトホール形成した。そして、アル
ミニウム膜をスパッタリング法によって成膜し、パター
ニングをおこなってソース／ドレイン電極３１２を形成
した。（図９（Ｆ））
水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチ
ング液で金属膜８００のエッチングを行った。そして、
層間絶縁膜として酸化珪素膜３１１を６０００Åの厚さ
に成膜した。さらに穴開け公知を経て、ＴＦＴのソース
／ドレインにコンタクトホール形成した。そして、アル
ミニウム膜をスパッタリング法によって成膜し、パター
ニングをおこなってソース／ドレイン電極３１２を形成
した。（図９（Ｆ））
【００８３】以上のような工程により、Ｎチャネル型の
ＬＤＤを有するＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成
後、不純物領域の活性化のために、さらに２００〜４０
０℃で水素化処理をおこなってもよい。図９（Ｅ）に示
すＴＦＴは、３１０がソース／ドレイン領域とチャネル
形成領域との間において電界集中を緩和する領域として
機能する構成を有している。
ＬＤＤを有するＴＦＴを作製した。なお、ＴＦＴ形成
後、不純物領域の活性化のために、さらに２００〜４０
０℃で水素化処理をおこなってもよい。図９（Ｅ）に示
すＴＦＴは、３１０がソース／ドレイン領域とチャネル
形成領域との間において電界集中を緩和する領域として
機能する構成を有している。
【００８４】
【発明の効果】従来、低濃度不純物領域を形成後、ゲイ
ト電極の側面に隣接して側壁を形成することによってＬ
ＤＤ領域を形成していたが、この工程は側壁の形成が困
難で、手間がかかるために、歩留りが低く生産性の面で
問題があった。しかし、本発明によって、側壁の形成が
不要となり、通常のＴＦＴ作製におけるイオンドーピン
グ工程において、斜方向からの低濃度不純物の導入、お
よび垂直方向からの高濃度不純物の導入をおこなうだけ
で、容易にＬＤＤを有するＴＦＴを形成できるようにな
り、歩留りの向上に有益である。
ト電極の側面に隣接して側壁を形成することによってＬ
ＤＤ領域を形成していたが、この工程は側壁の形成が困
難で、手間がかかるために、歩留りが低く生産性の面で
問題があった。しかし、本発明によって、側壁の形成が
不要となり、通常のＴＦＴ作製におけるイオンドーピン
グ工程において、斜方向からの低濃度不純物の導入、お
よび垂直方向からの高濃度不純物の導入をおこなうだけ
で、容易にＬＤＤを有するＴＦＴを形成できるようにな
り、歩留りの向上に有益である。
【００８５】また、酸化物被膜に覆われたゲイト電極を
有するＴＦＴにおいて、低濃度不純物を形成する際に不
純物を注入する入射角を制御することによって酸化物被
膜の下部にのみＬＤＤを有する構造や、Ｏｖｅｒｌａｐ
ＬＤＤの構造をとるＴＦＴを作製することが出来る。
有するＴＦＴにおいて、低濃度不純物を形成する際に不
純物を注入する入射角を制御することによって酸化物被
膜の下部にのみＬＤＤを有する構造や、Ｏｖｅｒｌａｐ
ＬＤＤの構造をとるＴＦＴを作製することが出来る。
【００８６】このように、本明細書で開示する発明を利
用することで、必要とする特性（特にＯＦＦ電流特性）
を有する薄膜トランジスタを生産性良く、高い歩留りで
形成することができる。
用することで、必要とする特性（特にＯＦＦ電流特性）
を有する薄膜トランジスタを生産性良く、高い歩留りで
形成することができる。
【図１】 ドーピングをおこなう装置を示す。
【図２】 斜めイオン注入の概念を示す。
【図３】 実施例１の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
【図４】 実施例２の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
【図５】 実施例３の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
【図６】 実施例４の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
【図７】 従来法による工程を示す。
【図８】 実施例５の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
【図９】 実施例６の薄膜トランジスタの作製工程を示
す。
す。
１０１・・・・チャンバー １０２・・・・サンプルホルダー １０３・・・・アノード電極 １０４・・・・電源 １０５・・・・グリッド電極 １０６・・・・不純物イオン １０７・・・・基板 １０８・・・・回転機構 ３０１・・・・基板 ３０２・・・・下地酸化膜 ３０３・・・・珪素膜 ３０４・・・・島状珪素膜 ３０５・・・・ゲイト絶縁膜 ３０６・・・・ゲイト電極３０７・・・・陽極酸化物 ３０８ ・・・・低濃度不純物領域３０９ ・・・・高濃度不純物領域（ソース／ドレイン領
域）３１０ ・・・・低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）３１１ ・・・・層間絶縁膜３１２ ・・・・ソース／ドレイン電極
域）３１０ ・・・・低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）３１１ ・・・・層間絶縁膜３１２ ・・・・ソース／ドレイン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須沢 英臣 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社 半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 魚地 秀貴 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社 半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 竹村 保彦 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社 半導体エネルギー研究所内 審査官 河本 充雄 (56)参考文献 特開 平５−114724（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−142566（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315355（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−203322（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148865（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/786 H01L 21/336 H01L 21/265
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された、活性層、ゲイト絶
縁膜、および酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有する
ＴＦＴにおいて、 前記ゲイト電極をマスクとし、前記基板に対して斜方向
から自己整合的に低ドーズ量の不純物を導入して、前記
活性層に低濃度不純物領域を形成し、 前記基板に対して垂直方向から自己整合的に高ドーズ量
の不純物を導入して、前記活性層に高濃度不純物領域を
形成し、 前記酸化物被膜の下部の前記活性層に、低濃度ドレイン
領域（ＬＤＤ）を形成することを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 形成される前記低濃度ドレイン領域（ＬＤＤ）が、前記
ゲイト電極の下部にまでおよぶ低濃度ドレイン領域（Ｏ
ｖｅｒｌａｐ ＬＤＤ）を形成することを特徴とする半
導体装置の作製方法。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記低ドーズ量の不純物を導入する際の入射角が、３０
度以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項４】 請求項１において、 前記基板を傾けて、回転させることによって前記低ドー
ズ量の不純物を導入することを特徴とする半導体装置の
作製方法。 - 【請求項５】 請求項１において、 前記ゲイト電極が金属電極で構成されており、 前記ゲイト電極を覆う酸化物が、前記ゲイト電極を陽極
酸化することによって得られた陽極酸化物であることを
特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項６】 請求項１において、 前記低ドーズ量の不純物は１×１０13〜５×１０14原子
／ｃｍ2 のドーズ量で導入され、 前記高ドーズ量の不純物は１×１０14〜５×１０15原子
／ｃｍ2 のドーズ量で導入されることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項７】 基板上に形成された、活性層、ゲイト絶
縁膜、および酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有する
ＴＦＴの作製において、 前記ゲイト電極をマスクとし、前記基板に対して斜方向
から不純物を導入して、前記酸化物被膜下の活性層中に
低濃度不純物領域を形成し、 ソースおよびドレイン領域に対応する前記活性層の表面
に金属珪化物層を形成することを特徴とする半導体装置
の作製方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626494A JP3326013B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体装置の作製方法 |
| KR1019950020709A KR100305003B1 (ko) | 1994-07-14 | 1995-07-14 | 액티브매트릭스형액정표시장치 |
| US08/922,363 US6773971B1 (en) | 1994-07-14 | 1997-09-03 | Method of manufacturing a semiconductor device having lightly-doped drain (LDD) regions |
| US09/526,487 US6507069B1 (en) | 1994-07-14 | 2000-03-15 | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US09/526,486 US6906383B1 (en) | 1994-07-14 | 2000-03-15 | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
| JP2000195353A JP3535453B2 (ja) | 1994-07-14 | 2000-06-28 | 半導体装置 |
| JP2000195354A JP3512713B2 (ja) | 1994-07-14 | 2000-06-28 | アクティブマトリクス型の液晶表示装置 |
| US11/137,513 US7183614B2 (en) | 1994-07-14 | 2005-05-26 | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US11/647,179 US7635895B2 (en) | 1994-07-14 | 2006-12-29 | Display device |
| US12/621,537 US8273613B2 (en) | 1994-07-14 | 2009-11-19 | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626494A JP3326013B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体装置の作製方法 |
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|---|---|---|---|
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| JP2000195353A Division JP3535453B2 (ja) | 1994-07-14 | 2000-06-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832080A JPH0832080A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3326013B2 true JP3326013B2 (ja) | 2002-09-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18626494A Expired - Fee Related JP3326013B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体装置の作製方法 |
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| KR100654927B1 (ko) * | 1999-03-04 | 2006-12-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제작방법 |
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| JP4485480B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2010-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6858898B1 (en) | 1999-03-23 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6512504B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| KR20020032580A (ko) | 1999-09-16 | 2002-05-03 | 모리시타 요이찌 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US6580094B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
| JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| KR20030054683A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 트랜지스터 형성 방법 |
| JP2006032930A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ドーピング装置 |
| CN109300914A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
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1994
- 1994-07-14 JP JP18626494A patent/JP3326013B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0832080A (ja) | 1996-02-02 |
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