JP2005123360A5 - - Google Patents
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- ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第1の開孔部内、前記第2の開孔部内及び前記層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部及び前記層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記層間絶縁膜上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第1の開孔部内、前記第2の開孔部内及び前記層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成すると共に前記層間絶縁膜上に配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部及び前記層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内に前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内に、前記第1ゲート電極と接し、第1の導電膜からなる第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に該第1の導電膜からなる配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内に第2ゲート電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内に第1の導電膜からなる第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に前記第1の導電膜からなる配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に第2ゲート電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層、ゲート絶縁膜及び第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域、LDD領域をそれぞれ有する第1の半導体層及び第2の半導体層、ゲート絶縁膜、並びに、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれの上に位置する第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記第1の半導体層の前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1の半導体層の前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記画素電極に電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1、3、7又は11において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成すると同時に、前記第2ゲート電極上にも配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- ソース領域、ドレイン領域、LDD領域をそれぞれ有する第1の半導体層及び第2の半導体層、ゲート絶縁膜、並びに、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれの上に位置する第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記第1の半導体層の前記LDD領域上に位置し且つ前記ゲート絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に前記第1の半導体層の前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成すると共に、前記第2の層間絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域、LDD領域をそれぞれ有する第1の半導体層及び第2の半導体層、ゲート絶縁膜、並びに、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれの上に位置する第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記第1の半導体層の前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記画素電極に電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5、9又は14において、前記第1の層間絶縁膜に耐熱性材料膜を用い、前記第1の層間絶縁膜を形成した後に、熱活性化処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- ソース領域、ドレイン領域、LDD領域をそれぞれ有する第1の半導体層及び第2の半導体層、ゲート絶縁膜、並びに、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれの上に位置する第1ゲート電極を形成し、
前記第1ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記第2の層間絶縁膜に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第1の開孔部と、前記第1の半導体層の前記LDD領域上に位置し且つ前記第1の層間絶縁膜を露出する第2の開孔部を形成し、
前記第2の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング加工することにより、前記第2の開孔部内に第2ゲート電極を形成すると共に前記第2の層間絶縁膜上に配線を形成し、
前記第2ゲート電極及び前記第2の層間絶縁膜をマスクとして、前記第1の開孔部内の底部の前記第1の層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチング除去して、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を露出し、
前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチング加工することにより、前記第1の開孔部内及び前記第2の層間絶縁膜上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成すると共に、前記第2の層間絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3乃至請求項16のいずれか一項において、前記第1の層間絶縁膜が窒化珪素膜であり、前記第2の層間絶縁膜が有機樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記第2の開孔部は前記第1ゲート電極上にも位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項11、13、14又は16において、前記第2の開孔部は、前記第1の半導体層上に位置する前記第1ゲート電極上にも位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項19のいずれか一項において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域、前記LDD領域を形成した後に、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記LDD領域をレーザ照射又は熱処理により活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項20のいずれか一項において、前記第1ゲート電極がAlまたはAl合金からなる膜もしくはAlまたはAl合金からなる膜を含む積層構造膜により形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極と、
を具備し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と接する第1の導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記第1の導電膜からなる配線と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極と、
を具備し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と接する第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極と、
を具備し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記第1及び前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と接する第1の導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第1の導電膜からなる配線と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極と、
を具備し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記第1及び前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1ゲート電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極を電気的に接続する配線層と、
を具備し、
前記第2ゲート電極は、前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域及びLDD領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1ゲート電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜を介して形成された第1の導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第1の導電膜からなる配線と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極と、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極を電気的に接続し、前記第2の導電膜からなる電極層と、
を具備し、
前記第2ゲート電極は、前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体層及び第2の半導体層と、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたチャネル形成領域、LDD領域、ソース領域及びドレイン領域と、
前記第1の半導体層の前記チャネル形成領域及び前記第2の半導体層の前記チャネル形成領域それぞれの上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第1の半導体層の前記LDD領域上に位置し、前記第1の半導体層の前記第1ゲート電極と接する導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記導電膜からなる画素電極と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続されたソース電極及びドレイン電極と、
を具備し、
前記第2の半導体層の前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記画素電極に電気的に接続し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記第1及び前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項22、24又は28において、前記第2ゲート電極上に配線層が形成されることを特徴とする半導体装置。
- 第1の半導体層及び第2の半導体層と、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたチャネル形成領域、LDD領域、ソース領域及びドレイン領域と、
前記第1の半導体層の前記チャネル形成領域及び前記第2の半導体層の前記チャネル形成領域それぞれの上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記第1の半導体層の前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と接する第1の導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第1の導電膜からなる配線と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第2の導電膜からなる画素電極と、
を具備し、
前記第1及び前記第2ゲート電極は、前記第1及び前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体層及び第2の半導体層と、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたチャネル形成領域、LDD領域、ソース領域及びドレイン領域と、
前記第1の半導体層のチャネル形成領域及び前記第2の半導体層のチャネル形成領域それぞれの上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1ゲート電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の半導体層の前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜を介して形成された導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記導電膜からなる画素電極と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続された配線と、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極を電気的に接続する配線層と、
を具備し、
前記第2の半導体層のソース電極及びドレイン電極は、前記画素電極に電気的に接続し、
前記第2ゲート電極は、前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項26又は31において、前記第1の層間絶縁膜に耐熱性材料膜を用いることを特徴とする半導体装置。
- 第1の半導体層及び第2の半導体層と、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたチャネル形成領域、LDD領域、ソース領域及びドレイン領域と、
前記第1の半導体層のチャネル形成領域及び前記第2の半導体層のチャネル形成領域それぞれの上にゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1ゲート電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の半導体層の前記LDD領域上に前記ゲート絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜を介して形成された第1の導電膜からなる第2ゲート電極と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第1の導電膜からなる配線と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれに接続され且つ前記配線に接続された第2の導電膜からなるソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された前記第2の導電膜からなる画素電極と、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極を電気的に接続する前記第2の導電膜からなる電極層と、
を具備し、
前記第2ゲート電極は、前記第2の層間絶縁膜に形成された開孔部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
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