JP2007013127A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、
   前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、前記第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、
   前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜の他方の面上に形成された第２の導電膜とを有し、
   前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に形成された穴を通して前記第１の導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、もしくはインダクタから選ばれた一つまたは複数の素子を有する回路であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体装置は、さらにアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体装置は、可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
6. 第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記第１の導電膜と重なるように形成された第２の導電膜とを形成し、
   レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜とを形成し、
   前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
   レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に薄膜回路を含む層を形成し、
   前記薄膜回路を含む層上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第２の絶縁膜、及び前記第１の導電膜を有する積層物を前記基板から剥離し、
   前記積層物の前記基板から剥離した面に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
   レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に薄膜回路を含む層を形成し、
   前記薄膜回路を含む層上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
   第１のレーザーを照射して前記剥離層の一部を除去し、
   前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第２の絶縁膜、及び前記第１の導電膜を有する積層物を前記基板から剥離し、
   前記積層物の前記基板から剥離した面に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
   第２のレーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項９において、
    前記第１のレーザーとして、ＵＶレーザーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項８乃至１０のいずれか一において、
    前記基板と前記剥離層との間に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項８乃至１１のいずれか一において、
    前記剥離層として、タングステン膜と、前記タングステン膜上に形成されたタングステン酸化物とを有する積層構造を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項６乃至１２のいずれか一において、
    前記薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、もしくはインダクタから選ばれた一つまたは複数の素子を有する回路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。