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〔他の実施形態〕
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図23は、フレキシブルフィルム1(図1参照)の導電性パターンが形成される面の一部を拡大した拡大図であり、電気配線321(図1のソース配線3、ドレイン配線4等に対応)と、該電気配線321に接続されるパッド322及びランド323が図示されている。なお、同図には、有機TFT2は図示されていない(図2参照)

Claims (47)

  1. 導電性高分子化合物を含有し、又は前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を所定の含有比率で含有した第1機能性液体を第1インクジェットヘッドから吐出させて、基材上に第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
    前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を含有し、前記第1機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第2機能性液体を第2インクジェットヘッドから吐出させて、前記第1パターン上に第2パターンを形成する第2パターン形成工程と、
    前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子を含有し、前記第2機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第3機能性液体を第3インクジェットヘッドから吐出させて、前記第2パターン上に第3パターンを形成する第3パターン形成工程と、
    を含み、
    少なくとも前記第1パターン、前記第2パターン及び前記第3パターンを含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンを形成する導電性パターン形成方法。
  2. 前記導電性パターンは、前記基材上に形成された電気配線である請求項1に記載の導電性パターン形成方法。
  3. 前記導電性パターンは、前記導電性パターンを構成するドットの直径に対応する幅を有する電気配線である請求項1又は2に記載の導電性パターン形成方法。
  4. 前記導電性パターンは、前記導電性パターンを構成するドットの直径に対応する幅を有する電気配線を、前記電気配線の幅方向に複数本つなげた構造の電極である請求項3に記載の導電性パターン形成方法。
  5. 前記機能性液体は、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒を含む請求項1から4のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  6. 前記機能性液体は、190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含む請求項1から5のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  7. 前記機能性液体によるパターンを形成する際に、前記基材は45℃以上75℃以下となるように加熱処理される請求項1から6のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  8. 前記機能性液体によるパターン形成において、前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかから吐出させた前記機能性液体の直径Dと、前記機能性液体が基材上に着弾し、形状が安定した後のドットの直径Dと、前記基材上に形成された前記ドットのドット間ピッチWと、の関係は、次式
    <W<D
    を満たす請求項1から7のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  9. 前記ドット直径Dと、前記ドット間ピッチWと、の関係は、次式
    W≦D/2
    を満たす請求項8に記載の導電性パターン形成方法。
  10. 前記導電性パターンは、前記基材上に形成された電極である請求項1に記載の導電性パターン形成方法。
  11. 前記電極は、前記導電性パターンを構成するドットの直径を超える幅を有する請求項10に記載の導電性パターン形成方法。
  12. 前記機能性液体によるパターン形成は、前記基材と前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかとを相対的に複数回移動させながら前記機能性液体によるパターンを形成し、
    前記基材と前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかとの1回の相対移動により前記機能性液体を離散的に配置させ、前記基材と前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかとの複数回の相対移動によって離散的に配置された前記機能性液体の間を補間する請求項10又は11に記載の導電性パターン形成方法。
  13. 前記形成されたパターンを半乾燥させる半乾燥工程を含む請求項1から12のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  14. 前記半乾燥工程は、前記形成された層の乾燥が速い場合には乾燥を遅らせる請求項13に記載の導電性パターン形成方法。
  15. 前記形成されたパターンの乾燥の程度を測定する工程を備え、
    前記半乾燥工程は、前記測定された乾燥の程度に基づいて半乾燥させる請求項13又は14に記載の導電性パターン形成方法。
  16. 先のパターン形成後であり、次のパターン形成前に、混合液体における前記導電性高分子化合物と前記金属微粒子との拡散を促進させる補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項1から15のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  17. 前記第1パターンは、導電性高分子化合物を含有し、前記金属微粒子を含有しない第1
    機能性液体により形成される請求項1から16のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  18. 前記機能性液体によるパターンの形成後に、該形成されたパターンの外周部を次に吐出される機能性液体に対して撥液化する撥液化工程を含む請求項1から17のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  19. 前記機能性液体によるパターンの形成後に、該形成されたパターンの外周部に次に吐出される機能性液体を取り囲むための枠を設ける枠生成工程を含む請求項1から18のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  20. 前記基材の表面を最初に吐出される機能性液体に対して親液化する親液化工程を含む請求項1から19のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  21. 前記各工程が不活性ガス雰囲気内で行われる請求項1から20のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  22. 導電性高分子化合物を含有し、又は前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を所定の含有比率で含有した第1機能性液体を吐出させる第1インクジェットヘッドと、
    前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を含有し、前記第1機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第2機能性液体を吐出させる第2インクジェットヘッドと、
    前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子を含有し、前記第2機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第3機能性液体を吐出させる第3インクジェットヘッドと、
    を含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体のそれぞれに対応する複数のインクジェットヘッドと、
    前記第1インクジェットヘッドから前記第1機能性液体を吐出させて、基材上に形成された第1パターン、前記第2インクジェットヘッドから前記第2機能性液体を吐出させて、前記第1パターン上に形成された第2パターン、前記第3インクジェットヘッドから前記第3機能性液体を吐出させて、前記第2パターン上に形成された第3パターンを少なくとも含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンを形成するように前記複数のインクジェットヘッドの吐出を制御する吐出制御手段と、
    を備えた導電性パターン形成システム。
  23. 第1インクジェットヘッドから吐出させた導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体、又は前記導電性高分子化合物液体及び第2インクジェットヘッドから吐出させた金属微粒子を含有する金属微粒子液体が所定の混合比率で混合された液体を用いて基材上に第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
    前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第1パターンの形成に用いられる液体に対して導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた液体を用いた第2パターンを、前記第1パターン上に形成する第2パターン形成工程と、
    前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第2パターンの形成に用いられる液体に対して、前記導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた液体を用いた第3パターンを、前記第2パターン上に形成する第3パターン形成工程と、
    を含み、
    少なくとも前記第1パターン、前記第2パターン及び前記第3パターンを含み、前記導電性高分子化合物液体と前記金属微粒子液体との混合比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物液体の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子液体の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンを形成する導電性パターン形成方法。
  24. 前記導電性パターンは、前記基材上に形成された電気配線である請求項23に記載の導電性パターン形成方法。
  25. 前記導電性パターンは、前記導電性パターンを構成するドットの直径に対応する幅を有する電気配線である請求項23又は24に記載の導電性パターン形成方法。
  26. 前記導電性パターンは、前記導電性パターンを構成するドットの直径に対応する幅を有する電気配線を、前記電気配線の幅方向に複数本つなげた構造の電極である請求項25に記載の導電性パターン形成方法。
  27. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、先に吐出させた液体は、隣接するドットが重なるように配置されるとともに、混合比率の小さい液体は、先に吐出させた液体により形成された隣接するドットの中間位置に配置される請求項23から26のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  28. 前記形成されたパターンは、前記第1パターンと同一のドット配置条件が適用される請求項23から27のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  29. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、混合比率が小さい液体を混合比率が大きい液体よりも先に吐出させる請求項23から28のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  30. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、表面張力が大きい液体を表面張力が小さい液体よりも先に吐出させる請求項23から29のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  31. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体の少なくともいずれか一方は、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒を含む請求項23から30のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  32. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体の少なくともいずれか一方は、190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含む請求項23から31のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  33. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体の少なくともいずれか一方によりパターンを形成する際に、前記基材は45℃以上75℃以下となるように加熱処理される請求項23から32のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  34. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体の少なくともいずれか一方によるパターン形成において、前記第1インクジェットヘッド又は前記第2インクジェットヘッドから吐出させた前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体の直径Dと、前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体が前記基材上に着弾し、形状が安定した後のドットの直径Dと、前記基材上に形成された前記ドットのドット間ピッチWと、の関係は、次式
    <W<D
    を満たす請求項23から33のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  35. 前記ドット直径Dと、前記ドット間ピッチWと、の関係は、次式
    W≦D/2
    を満たす請求項34に記載の導電性パターン形成方法。
  36. 前記導電性パターンは、前記基材上に形成された電極である請求項23に記載の導電性パターン形成方法。
  37. 前記電極は、前記導電性パターンを構成するドットの直径を超える幅を有する請求項36に記載の導電性パターン形成方法。
  38. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体によるパターン形成において、導電性高分子化合物液体を間歇吐出させて離散的に配置し、
    離散的に配置された前記導電性高分子化合物液体と同じ位置に前記金属微粒子液体を間歇吐出させ、
    さらに、前記金属微粒子液体を間歇吐出させた後に、離散的に配置された前記導電性高分子化合物液体の間を補間するように前記導電性高分子化合物液体を吐出させ、
    さらに、前記導電性高分子化合物液体の間を補間するように前記導電性高分子化合物液体を吐出させた導電性高分子化合物液体と同じ位置に、前記金属微粒子液体を吐出させる請求項36又は37に記載の導電性パターン形成方法。
  39. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体によるパターン形成において、前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドのうち、一方のインクジェットヘッドから吐出させた液体の打滴位置に、他方のインクジェットヘッドから液体を吐出させる請求項36から38のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  40. 前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出前に、補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項36から39のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  41. 前記第1インクジェットヘッドの吐出と前記第2インクジェットヘッドの吐出との間に、補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項36から39のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  42. 前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出後に、補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項36から39のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  43. 前記基材の前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体が付与される面に、改質処理を施す改質処理工程を含み、
    前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体からなるパターンを形成する際に、前記導電性高分子化合物液体の量と金属微粒子液体の量のうち、比率が小さい方を先に吐出させる請求項36から42のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  44. 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体からなるパターンを形成する際に、前記導電性高分子化合物液体の量と前記金属微粒子液体の量のうち、比率が大きい方を先に吐出させる請求項36から43のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  45. 前記基材上において、前記第1インクジェットヘッドから吐出された導電性高分子化合物液体と前記第2インクジェットヘッドから吐出された金属微粒子液体とを拡散混合する拡散混合工程を含む請求項36から44のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
  46. 導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体を吐出させる第1インクジェットヘッドと、
    金属微粒子を含有する金属微粒子液体を吐出させる第2インクジェットヘッドと、
    前記第1インクジェットヘッドから吐出させた導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体、又は前記導電性高分子化合物液体及び第2インクジェットヘッドから吐出させた金属微粒子を含有する金属微粒子液体が所定の混合比率で混合された液体を用いて基材上に形成された第1パターン、前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第1パターンの形成に用いられる液体に対して導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた液体を用いて前記第1パターン上に形成された第2パターン、前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第2パターンの形成に用いられる液体に対して、前記導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた液体を用いて前記第2パターン上に形成された第3パターンを少なくとも含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンを形成するように前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出を制御する吐出制御手段と、
    を備えた導電性パターン形成システム。
  47. 前記第1インクジェットヘッド及び/又は第2インクジェットヘッドと前記基材とを相対移動する移動手段と、
    前記相対移動の向きを9°変更する変更手段と、
    を備え、
    前記移動手段による相対移動時に、前記第1のインクジェットヘッド及び第2のインクジェットヘッドからインク吐出させた後、
    前記変更手段により前記相対移動の向きを90°変更してから再び移動手段による相対移動時にインクを吐出させる請求項46に記載の導電性パターン形成システム。
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