JP5529835B2 - 導電性パターン形成方法及び導電性パターン形成システム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 189
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 838
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 292
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 165
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 157
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 142
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 120
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 120
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 120
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 90
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 70
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 52
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 43
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 36
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 36
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 19
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 254
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 148
- 239000010408 film Substances 0.000 description 117
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 80
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 19
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 13
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 8
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical class CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohex-2-enone Chemical compound O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
(導電性パターン形成方法(システム)の概要)
図1は、本発明の第1実施形態に係る導電性パターン形成方法(システム)の説明図であり、フレキシブルフィルム(フレキシブル基材)1上に形成された有機TFT(Thin Film Transistor)2の電気配線(電極、電極配線)3,4,5の概略構造を示す断面図である。
次に、本発明の第1実施形態に係る導電性パターン形成システム(装置)について説明する。図4は、本発明の第1実施形態に係るパターン形成システムの全体構成図である。
図7は、本発明の実施形態に係る導電性パターン形成方法の流れを示すフローチャートである。同図に示すように、導電性パターン形成方法が開始されると(ステップS10)、基材情報(フレキシブルフィルム1の情報)、機能性液体の情報等の各種情報が取得され(ステップS12)、各種情報に基づいてヒータ44(図4参照)の加熱温度等の各種設定がされる(ステップS14)。
次に、本発明の実施形態に係る導電性パターン形成方法(システム)に適用される機能性液体について詳細に説明する。
なお、Wi=(i番目の溶媒の質量/全溶媒の質量)であり、Tiはi番目の溶媒単体の沸点である。
また、上記溶媒1及び溶媒2と全溶媒の質量に対する質量がW3、単体の沸点がT3の溶媒3が含まれる混合溶媒の沸点Tb123は、次式(3)により求められる。
すなわち、各溶媒の沸点値Tiに、該溶媒の全溶媒中における質量分率Wiを乗じて得た値を求め、それらを足した総和として混合溶媒の沸点が求められる。このようにして得られる値によって、機能性液体中の溶媒の揮発の程度を見積もることができる。
次に、機能性液体による導電性パターン形成における諸条件について詳細に説明する。
インクジェットヘッド:DMC−11610
吐出周波数:4キロヘルツ
吐出速度:6ミリメートル毎秒
機能性液体の調製は以下のとおりである。
アセトニトリル(沸点が82℃の低沸点溶媒):45%
シクロヘキサノン(沸点が156℃の中沸点溶媒):30.95%
プロピレンカーボネート(炭酸プロピレン)(沸点が240℃の高沸点溶媒):19%
界面活性剤(表面張力調整剤):0.05%
ここで、ポリマーの分子量が20000の場合は良好な吐出が実現されるが、ポリマーの分子量が大きくなると吐出特性が悪くなり、分子量が50000を超えると(例えば、分子量60000)、インクジェット方式による吐出が困難になることが実験により明らかになっている。
図10は、基材(図9のフレキシブルフィルム1)の温度とパターン幅との関係を示すグラフである。同図に示すように、基材の温度を室温(25℃)から徐々に上げると、パターン幅が減少することが把握される。
図11は、沸点が異なる複数種類の溶媒が混合された混合溶媒における、質量比から計算された沸点(揮発性、上記式(1)から(3)のいずれかにより計算された沸点)と、導電性パターンの幅との関係を示すグラフである。
次に、ドット間ピッチW(図9参照)について説明する。図12は、ドット間ピッチWとパターン幅との関係を示すグラフであり、図13(a)から(g)は、パターンの平面形状(顕微鏡写真)を示す説明図である。
特に、ドット間ピッチWをドットの直径D2の2分の1以下とすることで(W≦D2/2)、より好ましい微細積層パターンを形成しうる。
次に、ドット(パターン)の平坦化、重ね打ちについて説明する。図14(a)から(c)の上段に示す平面形状は、顕微鏡写真の画像であり、下段に示す立体形状は形状測定マイクロスコープによる画像を模式的に図示したものである。
図16(a)から(e)は、積層化された機能性液体のパターンの平面形状を示す説明図である。
次に、本発明の第2実施形態に係る導電性パターン形成方法(システム)について説明する。
図17は、本発明の第2実施形態に係る導電性パターン形成システムの全体構成図である。なお、図17中、図4と同一又は類似する部分には同一の符号を付し、その説明は、省略する。
図19(a)から(d)は、描画混合法による導電性パターン形成方法の流れを示す説明図であり、フレキシブルフィルム1上の有機TFT2のソース配線3及びドレイン配線4(図1参照)が形成される態様が図示されている。
次に、描画混合法におけるインクジェットヘッド50の吐出制御について詳細に説明する。図20及び図21は、描画混合法におけるインクジェットヘッド50の吐出制御の説明図である。本例に示す描画混合法では、インクジェットヘッド50‐11の吐出量と、インクジェットヘッド50‐12の吐出量とを異ならせ、混合液体の混合比率を異ならせている。
次に、上述した導電性パターン形成方法(システム)を用いて形成された配線構造体の適用例について説明する。図22は、上述した導電性パターン形成方法を用いて形成されたタッチパネル200の断面斜視図である。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図23は、フレキシブルフィルム1(図1参照)の導電性パターンが形成される面の一部を拡大した拡大図であり、電気配線321(図1のソース配線3、ドレイン配線4等に対応)と、該電気配線321に接続されるパッド322及びランド323が図示されている。なお、同図には、有機TFT2は図示されていない(図2参照)。
インク混合法によるパッド322の形成におけるシステム(装置)構成は、図4から図6の構成を適用することができる。また、パッド322の形成方法は、図7のフローチャート、図8の形成方法を適用することができるので、ここでは詳細な説明は省略する。
描画混合法によるパッド322の形成におけるシステム(装置)構成は、図6及び図17、図18の構成を適用することができる。また、パッド322の形成方法は、図7のフローチャート、図19の形成方法を適用することができるので、ここでは詳細な説明は省略する。
描画混合法におけるパッド形成では、先に吐出させた液体を着弾させた位置に、後から吐出させた液体を重ねて着弾させるとよい。特に、間歇打ちを行ってドットとドットが離れている場合に、先に吐出させた液体と同じ位置に、先に吐出させた液体が乾燥する前に後から吐出させた液体を着弾させると、それぞれの液体の拡散混合がしやすくなるとともに、混合された液体が良好に濡れ広がる。
図25(a)、(b)は、描画混合法において、量比の少ない成分を先に付与し、量比の多い成分を後に付与する形態の説明図である。
次に、上述した第1、第2実施形態及び他の実施形態に係る応用例について説明する。
描画混合法において、インクジェットヘッド50‐11及びインクジェットヘッド50‐12から、同時に導電性ポリマー液体及び金属ナノ粒子液体を吐出させて各層を形成してもよいし、導電性ポリマー液体、金属ナノ粒子液体の順に吐出させてもよい。
各混合液体による層(パッド)の形成が終わった後に、フレキシブルフィルム1のパターンが形成されない領域にダミーパターンを積層し、レーザを用いた光学式変位センサ等によりダミーパターンの高さを測定してもよい。乾燥が進んでおらず、溶媒が残っている状態では、膜厚が高くなることから、ダミーパターンの高さにより乾燥状態を検出することができる。
次に、図26から図29を用いて半乾燥処理について説明する。以下に説明する半乾燥処理は、導電性ポリマー液体と金属ナノ粒子液体とを用いたパッド形成を例に挙げて説明するが、もちろん、導電層ポリマーと金属ナノ粒子を用いた配線(図1のソース配線3、ドレイン配線4等)にも適用可能である。
次に、図30を用いて、撥液処理枠について説明する。
次に、図31を用いて、エッジ枠について説明する。
描画混合法において2つのインクを吐出して混合層を形成する場合には、基材の一辺よりもインクジェットヘッドのヘッドセットの合計長(ヘッド長)が長くなるように構成し(長尺ヘッド)、シングルパスで各層を形成することが好ましい。特に、図26で説明したように2つのインクを順に吐出する場合、後から吐出する方の液体は、シングルパスで形成することが好ましい。後から吐出する方の液体が、インクジェットヘッドを複数回走査して分割して吐出するように構成されていると、1回目の走査と2回目の走査との間で、時間の経過が大きくなり、拡散の程度に違いが生じるという問題点が発生する。このような現象を防止するために、長尺のヘッドを用いてシングルパスで吐出を行う。
次に、図33及び図34を用いて描画跡対策について説明する。
第1、第2実施形態において説明したソース配線3等、及びその他の実施形態において説明したパッド322は、複数の金属ナノ粒子を用いて、これらを傾斜組成としてもよい。通常、Auは酸化しにくく安定した金属であり、柔らかいため、電気配線321やパッド322のトップ面(最表面)に使用される。しかし、価格が高いという欠点がある。
図36は、他の装置構成への応用例に係る導電性パターン形成システム10’の概略構成を示す構成図である。なお、図36において、先に説明した部分と同一又は類似する部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。
上記に詳述した発明の実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書は少なくとも以下に示す態様を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
前記基材と前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかとの1回の相対移動により前記機能性液体を離散的に配置させ、前記基材と前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかとの複数回の相対移動によって離散的に配置された前記機能性液体の間を補間する導電性パターン形成方法。
Claims (30)
- 45℃以上60℃以下に加熱した基材上に、導電性高分子化合物を含有し、又は前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を所定の含有比率で含有する第1機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第1機能性液体を第1インクジェットヘッドから吐出させて、前記基材上に形成されたドットの直径と同一の幅を有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を含有し、前記第1機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第2機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第2機能性液体を第2インクジェットヘッドから吐出させて、前記第1パターン上に前記第1パターンと同一の幅を有する第2パターンを形成する第2パターン形成工程と、
前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子を含有し、前記第2機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第3機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第3機能性液体を第3インクジェットヘッドから吐出させて、前記第2パターン上に前記第2パターンと同一の幅を有する第3パターンを形成する第3パターン形成工程と、
を含み、
少なくとも前記第1パターン、前記第2パターン及び前記第3パターンを含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンから成る電気配線であり、前記第1パターンを構成するドットの直径と同一の幅を有する電気配線を形成する導電性パターン形成方法。 - 前記導電性パターンは、前記第1パターンを構成するドットの直径と同一の幅を有する電気配線を、前記電気配線の幅方向に複数本つなげた構造の電極である請求項1に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記機能性液体によるパターン形成において、前記第1インクジェットヘッド、前記第2インクジェットヘッド、又は前記第3インクジェットヘッドのいずれかから吐出させた前記機能性液体の直径D1と、前記吐出させた機能性液体が基材上に着弾し、形状が安定した後のドットの直径D2と、前記基材上に形成された前記ドットのドット間ピッチWと、の関係は、次式
D1<W<D2
を満たす請求項1又は2に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記ドットの直径D2と、前記ドット間ピッチWと、の関係は、次式
W≦D2/2
を満たす請求項3に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記形成された第1パターン、第2パターン及び第3パターンの少なくともいずれかのパターンを、先に形成されたパターンと後から形成されたパターンとの間で拡散が進む状態である半乾燥にさせる半乾燥工程を含む請求項1から4のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記半乾燥工程は、前記形成された層の乾燥が速い場合には乾燥を遅らせる請求項5に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記形成されたパターンの乾燥の程度を測定する工程を備え、
前記半乾燥工程は、前記測定された乾燥の程度に基づいて半乾燥にさせる請求項5又は6に記載の導電性パターン形成方法。 - 先のパターン形成後であり、次のパターン形成前に、混合液体における前記導電性高分
子化合物と前記金属微粒子との拡散を促進させる機能を有する補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項1から7のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記第1パターンは、導電性高分子化合物を含有し、前記金属微粒子を含有しない第1機能性液体により形成される請求項1から8のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記機能性液体によるパターンの形成後に、該形成されたパターンの外周部を次に吐出される機能性液体に対して撥液化する撥液化工程を含む請求項1から9のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記機能性液体によるパターンの形成後に、該形成されたパターンの外周部に次に吐出される機能性液体を取り囲むための枠を設ける枠生成工程を含む請求項1から10のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記基材の表面を最初に吐出される機能性液体に対して親液化する親液化工程を含む請求項1から11のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記各工程が不活性ガス雰囲気内で行われる請求項1から12のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 導電性高分子化合物を含有し、又は前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を所定の含有比率で含有する第1機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第1機能性液体を吐出させる第1インクジェットヘッドと、
前記導電性高分子化合物及び金属微粒子を含有し、前記第1機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第2機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第2機能性液体を吐出させる第2インクジェットヘッドと、
前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子を含有し、前記第2機能性液体に対して前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた第3機能性液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する第3機能性液体を吐出させる第3インクジェットヘッドと、
を含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体のそれぞれに対応する複数のインクジェットヘッドと、
前記基材を45℃以上60℃以下の温度に加熱する手段と、
前記第1インクジェットヘッドから前記第1機能性液体を吐出させて、前記加熱した基材上に形成された第1パターン、前記第2インクジェットヘッドから前記第2機能性液体を吐出させて、前記第1パターン上に形成された前記第1パターンと同一の幅を有する第2パターン、前記第3インクジェットヘッドから前記第3機能性液体を吐出させて、前記第2パターン上に形成された前記第2パターンと同一の幅を有する第3パターンを少なくとも含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子の含有比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンから成る電気配線であり、前記第1パターンと同一の幅を有する電気配線を形成するように前記複数のインクジェットヘッドの吐出を制御する吐出制御手段と、
を備えた導電性パターン形成システム。 - 45℃以上60℃以下に加熱した基材上に、第1インクジェットヘッドから吐出させた導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する導電性高分子化合物液体を用いて、前記基材上に形成された前記導電性高分子化合物液体のドットの直径と同一の幅を有する第1パターンを形成するか、又は前記第1インクジェットヘッドから吐出させた前記導電性高分子化合物液体及び第2インクジェットヘッドから吐出させた金属微粒子を含有する金属微粒子液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する金属微粒子液体が所定の混合比率で混合された混合液体を用いて、前記基材上に形成された前記導電性高分子化合物液体又は前記混合液体のドットの直径と同一の幅を有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第1パターンの形成に用いられる混合液体に対して前記導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた混合液体を用いて、前記第1パターンと同一の幅を有する第2パターンを、前記第1パターン上に形成する第2パターン形成工程と、
前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第2パターンの形成に用いられる混合液体に対して前記導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた混合液体を用いて、前記第2パターンと同一の幅を有する第3パターンを、前記第2パターン上に形成する第3パターン形成工程と、
を含み、
少なくとも前記第1パターン、前記第2パターン及び前記第3パターンを含み、前記導電性高分子化合物液体と前記金属微粒子液体との混合比率が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物液体の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子液体の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンから成る電気配線であり、前記第1パターンを構成するドットの直径と同一の幅を有する電気配線を形成する導電性パターン形成方法。 - 前記導電性パターンは、前記第1パターンを構成するドットの直径と同一の幅を有する電気配線を、前記電気配線の幅方向に複数本つなげた構造の電極である請求項15に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、先に吐出させた液体は、
隣接するドットが重なるように配置されるとともに、混合比率の小さい液体は、先に吐出させた液体により形成された隣接するドットの中間位置に配置される請求項15又は16に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記形成された電気配線を構成する導電性パターンは、前記第1パターンと同一のドット配置条件が適用される請求項15から17のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、混合比率が小さい液体を混合比率が大きい液体よりも先に吐出させる請求項15から18のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体のうち、表面張力が大きい液体を表面張力が小さい液体よりも先に吐出させる請求項15から19のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体の少なくともいずれか一方によるパターン形成において、前記第1インクジェットヘッド又は前記第2インクジェットヘッドから吐出させた前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体の直径D1と、前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体が前記基材上に着弾し、形状が安定した後のドットの直径D2と、前記基材上に形成された前記ドットのドット間ピッチWと、の関係は、次式
D1<W<D2
を満たす請求項15から20のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記ドットの直径D2と、前記ドット間ピッチWと、の関係は、次式
W≦D2/2
を満たす請求項21に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出前に、前記導電性高分子化合物液体と前記金属微粒子液体との拡散を進行させる機能を有する補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項15から22のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記第1インクジェットヘッドの吐出と前記第2インクジェットヘッドの吐出との間に、前記導電性高分子化合物液体と前記金属微粒子液体との拡散を進行させる機能を有する補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項15から22のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出後に、前記導電性高分子化合物液体と前記金属微粒子液体との拡散を進行させる機能を有する補助液体を付与する補助液体付与工程を含む請求項15から22のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記基材の前記導電性高分子化合物液体又は前記金属微粒子液体が付与される面に、改質処理を施す改質処理工程を含み、
前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体からなるパターンを形成する際に、前記導電性高分子化合物液体の量と金属微粒子液体の量のうち、比率が小さい方を先に吐出させる請求項15から25のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。 - 前記導電性高分子化合物液体及び前記金属微粒子液体からなるパターンを形成する際に、前記導電性高分子化合物液体の量と前記金属微粒子液体の量のうち、比率が大きい方を先に吐出させる請求項15から26のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 前記基材上において、前記第1インクジェットヘッドから吐出された導電性高分子化合物液体と前記第2インクジェットヘッドから吐出された金属微粒子液体とを拡散混合する拡散混合工程を含む請求項15から27のいずれか1項に記載の導電性パターン形成方法。
- 導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する導電性高分子化合物液体を吐出させる第1インクジェットヘッドと、
金属微粒子を含有する金属微粒子液体であり、75℃以上105℃以下の沸点を有する低沸点溶媒、及び190℃以上290℃以下の沸点を有する高沸点溶媒を含有する金属微粒子液体を吐出させる第2インクジェットヘッドと、
前記基材を45℃以上60℃以下の温度に加熱する手段と、
前記第1インクジェットヘッドから吐出させた導電性高分子化合物を含有する導電性高分子化合物液体を用いて形成され、前記加熱した基材上に形成された前記導電性高分子化合物液体のドットの直径と同一の幅を有する第1パターン、又は前記導電性高分子化合物液体及び第2インクジェットヘッドから吐出させた金属微粒子を含有する金属微粒子液体が所定の混合比率で混合された混合液体を用いて形成され、前記基材上に形成された前記導電性高分子化合物液体又は前記混合液体のドットの直径と同一の幅を有する第1パターン、前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第1パターンの形成に用いられる液体に対して導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた混合液体を用いて形成され、前記第1パターンと同一の幅を有する前記第1パターン上に形成された第2パターン、前記第1インクジェットヘッドから前記導電性高分子化合物液体を吐出させるとともに、前記第2インクジェットヘッドから前記金属微粒子液体を吐出させ、前記第2パターンの形成に用いられる液体に対して、前記導電性高分子化合物液体の混合比率を減少させ、前記金属微粒子液体の混合比率を増加させた混合液体を用いて形成され、前記第2パターンと同一の幅を有する前記第2パターン上に形成された第3パターンを少なくとも含み、前記導電性高分子化合物及び前記金属微粒子が異なる3種類以上の機能性液体を用いて、厚み方向について、前記基材から前記導電性高分子化合物の含有比率を減少させつつ、前記金属微粒子の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターンから成る電気配線であり、前記第1パターンを構成するドットの直径と同一の幅を有する電気配線を形成するように前記第1インクジェットヘッド及び前記第2インクジェットヘッドの吐出を制御する吐出制御手段と、
を備えた導電性パターン形成システム。 - 前記第1インクジェットヘッド及び第2インクジェットヘッドの少なくともいずれか一方と前記基材とを相対移動する移動手段と、
前記相対移動の向きを90°変更する変更手段と、
を備え、
前記移動手段による相対移動時に、前記第1インクジェットヘッド及び第2のインクジェットヘッドからインクを吐出させた後、
前記変更手段により前記相対移動の向きを90°変更してから再び移動手段による相対移動時にインクを吐出させる請求項29に記載の導電性パターン形成システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011255279A JP5529835B2 (ja) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 導電性パターン形成方法及び導電性パターン形成システム |
US13/682,553 US20130129916A1 (en) | 2011-11-22 | 2012-11-20 | Conductive pattern forming method and conductive pattern forming system |
CN2012104805015A CN103137556A (zh) | 2011-11-22 | 2012-11-22 | 导电图案形成方法和导电图案形成系统 |
EP12193796.5A EP2597694A3 (en) | 2011-11-22 | 2012-11-22 | Conductive pattern forming method and conductive pattern forming system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011255279A JP5529835B2 (ja) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 導電性パターン形成方法及び導電性パターン形成システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013110315A JP2013110315A (ja) | 2013-06-06 |
JP2013110315A5 JP2013110315A5 (ja) | 2013-10-31 |
JP5529835B2 true JP5529835B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=47290676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011255279A Expired - Fee Related JP5529835B2 (ja) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 導電性パターン形成方法及び導電性パターン形成システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130129916A1 (ja) |
EP (1) | EP2597694A3 (ja) |
JP (1) | JP5529835B2 (ja) |
CN (1) | CN103137556A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2926574C (en) * | 2013-10-15 | 2023-03-28 | 1835963 Alberta Ltd. | Sensing element compositions and sensor system for detecting and monitoring structures for hydrocarbons |
MX2014012688A (es) * | 2013-11-29 | 2015-05-28 | Müller Martini Holding AG | Un metodo para aplicar una sustancia fluida. |
JP6137049B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2017-05-31 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
JP6170238B1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-07-26 | 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 | 3次元積層造形装置、3次元積層造形装置の制御方法および3次元積層造形装置の制御プログラム |
KR101832411B1 (ko) * | 2016-04-20 | 2018-02-26 | 한국과학기술연구원 | 비아홀 형성 방법, 다층 연성 인쇄회로기판, 및 그 제조 방법 |
US10940501B2 (en) * | 2018-01-30 | 2021-03-09 | Ford Motor Company | Composite ultrasonic material applicators with individually addressable micro-applicators and methods of use thereof |
CN110248465B (zh) * | 2019-06-20 | 2024-03-19 | 上海铠琪科技有限公司 | 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法 |
JP7428677B2 (ja) | 2021-03-19 | 2024-02-06 | 東レエンジニアリング株式会社 | 膜パターン形成方法及びインクジェット塗布装置 |
JPWO2023047769A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | ||
WO2023058613A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 膜の形成方法、電子デバイスの製造方法、及び膜形成装置 |
WO2023058612A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 膜の形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JPWO2023058230A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | ||
JPWO2023058227A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | ||
TW202411079A (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-16 | 美商凱特伊夫公司 | 多區段邊緣校正 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693418A (ja) | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Omron Corp | 超微粒子膜パターンの形成方法 |
GB2379083A (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-26 | Seiko Epson Corp | Inkjet printing on a substrate using two immiscible liquids |
JP4269748B2 (ja) | 2003-04-01 | 2009-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2005028275A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | 膜形成方法、デバイス製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP4042737B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成システム |
WO2006076615A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Ink-jet printing of compositionally no-uniform features |
KR101267209B1 (ko) * | 2007-09-10 | 2013-05-24 | 메드트로닉 인코포레이티드 | 프린팅된 전극들의 2차원 이상에서의 특성 제어 |
JP4725577B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-07-13 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-11-22 JP JP2011255279A patent/JP5529835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-20 US US13/682,553 patent/US20130129916A1/en not_active Abandoned
- 2012-11-22 CN CN2012104805015A patent/CN103137556A/zh active Pending
- 2012-11-22 EP EP12193796.5A patent/EP2597694A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130129916A1 (en) | 2013-05-23 |
EP2597694A3 (en) | 2014-10-22 |
CN103137556A (zh) | 2013-06-05 |
EP2597694A2 (en) | 2013-05-29 |
JP2013110315A (ja) | 2013-06-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |