JP2008177207A - 多層配線基板の製造方法、多層配線基板および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な製造工程で精巧な多層配線を形成することを可能とする多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも２層の配線層と、前記配線層間に設けられた層間絶縁膜３と、前記配線層間を導通させる導体ポスト６とを有してなる多層配線基板１の製造方法であって、前記導体ポスト６の周辺部７に第一層間絶縁膜９を液滴吐出法で形成した後、前記第一層間絶縁膜９の周囲８に形成されたに第二層間絶縁膜１０を液滴吐出法で形成することを特徴とする多層配線基板１の製造方法を用いることによって、上記課題を解決できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法、多層配線基板および電子機器に関するものである。

一般的に、多層プリント配線基板は、スルーホールやインタースティシャルビアホール（以下、ＩＶＨ）により上下層の導体回路基板間を接続させている。スルーホールでは、エッチングによりパターン形成した単層基板を数枚重ね合わせ一体化した後、各層の上下配線を接続させる位置に貫通穴をあけ、その貫通穴内部をメッキ処理したり、導電性ペーストを導入したりして、多層プリント配線基板とする。ＩＶＨは、非貫通穴を用いる点がスルーホールとは異なり、感光性樹脂を用いて絶縁層に設けた非貫通穴を金属メッキ処理したり、導電性ペーストで埋めたりすることにより、上下層の導体回路基板間を接続させる。全層をＩＶＨで層間接続できるような、樹脂多層プリント配線基板もすでに実用化されている。しかしながら、前記に示したどちらの方法においても、一旦絶縁層に穴をあけて、その穴の内部をメッキ処理又は導電性ペーストで導電性にするという手法を採っており、製造工程が複雑になるとともに高密度実装基板に用いるのは困難であるいう問題点があった。

近年、貫通穴もしくは非貫通穴を用いて層間接続を試みるのではなく、先に層間接続用導体ポストを形成してから、絶縁膜層を形成し、多層プリント配線基板を製造する方法が検討されている。特許文献１には、まず、フォトリソグラフィ法により、下層配線上に層間接続用導体ポストを形成した後、前記導体ポストの周囲に樹脂を塗布し、さらにホットプレスを行い、前記樹脂を絶縁膜層とした後、上層配線を形成することによって、多層配線を形成する方法が開示されている。さらに、特許文献２には、前記導体ポストを、スタッドバンプ、導電性ボール、金属微粒子の堆積により形成する方法が開示されている。しかしながら、これらの方法では、微細な配線パターンを有する高密度実装基板に用いるのが困難であるという問題があった。

特許文献３には、上記課題を解決する手法として、液滴吐出方式を利用する方法が開示されている。絶縁膜部分および配線パターン部分をそれぞれ、絶縁膜溶液およびシランカップリング剤などのアクティベーターの溶液を液滴吐出方式で選択塗布した後、アクティベーターの塗布部分を無電解メッキ処理することにより配線パターンとし、多層配線基板を作成する。しかしながら、前記方法では、やはりメッキ処理を行うため、精巧なパターンを形成することが困難であるという問題点があるとともに、廃液処理が必要であるなどの問題点もあった。特許文献４には、導電性インクを用いて液滴吐出させることにより配線パターンを形成し、精巧なパターンを形成する方法が開示されている。しかし、全工程をこのように高精度制御した場合、絶縁膜部分は基板面上の広範囲に形成する必要があるので時間的ロスとなり、生産効率を大幅に下げることとなる。一方、精巧な配線パターンの場合、その周囲の絶縁膜層の部分も精巧に形成する必要があり、この絶縁膜層部分を高精度に制御しない場合、導電ポストを覆って絶縁膜層が形成され、層間接続がとれない場合があり、多層配線基板にとって大きな問題となる場合があった。
特公平６−５７４５５号公報 特開平９−４６０４５号公報 特開２０００−２０４４７９号公報 特開２００３−３０９３６９号公報

本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、簡単な製造工程で精巧な多層配線を形成することを可能とする多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、
本発明の多層配線基板の製造方法は、少なくとも２層の配線層と、前記配線層間に設けられた層間絶縁膜と、前記配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法であって、前記導体ポストの周辺部に第一層間絶縁膜を液滴吐出方式で形成した後、前記周辺部の周囲に第二層間絶縁膜を液滴吐出方式で形成することを特徴とする。
本発明の多層配線基板の製造方法は、前記第一層間絶縁膜の表面エネルギーが前記第二層間絶縁膜の表面エネルギーよりも小さいことを特徴とする。
本発明の多層配線基板の製造方法は、前記第一層間絶縁膜の膜厚が前記第二層間絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
本発明の多層配線基板は、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を挟んで絶縁された２層の配線層と、各配線と導通する導体ポストとを少なくとも備えた多層配線基板において、前記層間絶縁膜は前記導体ポストの周辺部に形成された第一層間絶縁膜と、前記第一層間絶縁膜の周囲に形成された第二層間絶縁膜とからなることを特徴とする。
本発明の電子機器は、先に記載の多層配線基板を備えたことを特徴とする。

上記の構成によれば、簡単な製造工程で精巧な多層配線を形成することを可能とする多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器を提供できる。

以下、本発明を実施するための形態を説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施形態である多層配線基板の製造方法に用いる液滴吐出装置ＩＪの一例を示す斜視図であり、図１（ｂ）は前記液滴吐出装置ＩＪに備えられた液滴吐出ヘッド１０１の斜視図である。

図１（ａ）に示すように、Ｘ軸方向駆動軸１０４には、Ｘ軸方向駆動モータ１０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ１０２は、ステッピングモータ等であり、制御装置１０６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸１０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸１０４が回転すると、液滴吐出ヘッド１０１はＸ軸方向に移動する。Ｙ軸方向ガイド軸１０５は、基台１０９に対して動かないように固定されている。ステージ１０７は、Ｙ軸方向駆動モータ１０３を備えている。Ｙ軸方向モータ１０３は、ステッピングモータ等であり、制御装置１０６からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ１０７をＹ軸方向に移動する。制御装置１０６は、液滴吐出ヘッド１０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ１０２に液滴吐出ヘッド１０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ１０３にステージ１０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。以上の機構により、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１０１と基板２０を支持するステージ１０７とを相対的に走査しつつ基板２０に対して液滴を吐出する。クリーニング機構１０８は、液滴吐出ヘッド１０１をクリーニングするものである。クリーニング機構１０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸１０５に沿って移動する。クリーニング機構１０８の移動も制御装置１０６により制御される。ヒーター１１５は、ここではランプアニールにより基板２０を熱処理する手段であり、基板２０上に塗布された液状材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒーター１１５の電源の投入及び遮断も制御装置６により制御される。

図１（ｂ）は液滴吐出ヘッド１０１をノズル面側（基板２０との対向面側）から見た図である。液滴吐出ヘッド１０１は、複数のヘッド部１２１と、これらヘッド部１２１を搭載したキャリッジ部１２２とを備えている。ヘッド部１２１のノズル面１２４には液状材料の液滴を吐出する複数の吐出ノズル１１０が設けられている。ヘッド部１２１（ノズル面１２４）のそれぞれは平面視矩形状であって、吐出ノズル１１０は、ヘッド部１２１の長手方向である略Ｙ軸方向に沿って一定間隔で列状に、且つヘッド部１２１の幅方向である略Ｘ軸方向に間隔をあけて２列でノズル面１２４のそれぞれに複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、ヘッド部１２１は、吐出ノズル１１０を基板２０側に向けるとともに、Ｙ軸に対して所定角度傾いた状態で略Ｙ軸方向に沿って列状に、且つＸ軸方向に所定間隔をあけて２列に配置された状態でキャリッジ部１２２に複数（図２では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。前記液滴吐出ヘッド１０１は、液滴吐出法により液状材料を定量的に吐出可能であり、例えば１〜３００ナノグラムの液状材料を定量的に断続して滴下可能な装置である。液滴吐出ヘッド１０１としては、例えば、市販のプリンター（商品名「ＰＭ９５０Ｃ」）のヘッドを使用することができる。この場合、インク吸入部がプラスチック製であるため、有機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に変更する。

図２は、本発明の実施形態である多層配線基板１の一例を示す概略模式図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
前記多層配線基板１は、基板２の上に第一層配線５を含む配線層が形成され、前記第一層配線５の上に円柱状の導電ポスト６が形成され、さらに前記導電ポスト６に第二層配線４を含む配線層が接続されることによって、概略構成されている。前記第一層配線５と前記第二層配線４との間には層間絶縁層膜３が形成されている。さらに、前記層間絶縁膜３は、前記導電ポスト６の周辺部７に形成する第一層間絶縁膜９と前記第一層間絶縁膜９の周囲８に形成する第二層間絶縁膜１０とから構成されている。前記第一層間絶縁膜９は、第二層間絶縁膜１０に比べて膜厚が薄く形成されている。また、前記第一層間絶縁膜９および前記第二層間絶縁膜１０は、前記液滴吐出装置ＩＪを用いて、液滴吐出法により形成される。

前記導電ポスト６の直径は、前記第一層配線５と前記第二層配線４の幅と等しくなるように形成しても良く、前記第一層配線５と前記第二層配線４の幅より狭くしても良い。たとえば、第一層配線５および第二層配線４をそれぞれ幅９０μｍ、高さ１０μｍで形成し、導電ポスト６の直径９０μｍ、高さ１０μｍで形成すれば良い。
前記導電ポスト６の高さは、多層配線基板における全体的な構成を考慮して設定する。高密度に多層化するためには、導電ポスト６の高さは低い方が良いが、あまり低すぎると、層間絶縁膜３の厚みも薄くなり、絶縁性を確保できなくなり、リークを生ずるおそれがある。
前記導電ポスト６の平面視形状は、導電性が効率よく取れ、かつ液滴吐出法により形成できるものであれば、四角でも、多角形、楕円形状あるいは円形などどのような形でもかまわない。
前記導電ポスト６の構成材料は、導電性のある材料であればよい。金属配線材料と同じ材料を用いるのが一般的であるが、異なる材料であってもかまわない。形成方法は、本実施形態に示す液滴吐出法に限られず、スピンコーティング法など他のウエットプロセスあるいは、蒸着法などのドライプロセスを用いて形成してもかまわない。

前記第一層間絶縁膜９を形成する周辺部７の大きさは、第一層間絶縁膜９を形成する際の液滴吐出量、液滴吐出ヘッドの位置制御精度を考慮して設定する。この設定が十分考慮されなかった場合、第二層間絶縁膜１０形成の際、液滴吐出ノズル１１０の液滴吐出位置がわずかにずれた場合、吐出された液滴が導電ポスト６を覆ってしまい、導通性を確保できなくなることがある。なお、第一層間絶縁膜９（周辺部７）の平面視形状は、円形でも良く、矩形でも良い。たとえば、円形の第一層間絶縁膜９を形成する場合は、導電ポスト６の直径を９０μｍに設定した場合、前記周辺部７の外周を形成する直径は、その２倍の長さである１８０μｍに設定すると良い。
前記第一層間絶縁膜９の厚みは、前記導電ポスト６と同じく、多層配線基板における全体的な構成を考慮して設定する。この設定が十分考慮されず、前記第一層間絶縁膜９を薄く形成した場合、絶縁性を十分確保できず、リークを生ずるおそれがある。逆に、前記第一層間絶縁膜９を厚く形成した場合、導電ポスト６を覆ってしまい、導通性を確保できなくなるおそれがある。たとえば、導電ポスト６の高さを１０μｍで形成し、第一層配線５の膜厚を１０μｍで形成した場合、第一層間絶縁膜９の厚みは、それらの合計の高さである２０μｍの１／２倍の１０μｍに設定すると良い。

周辺部７の周囲８に形成される前記第二層間絶縁膜１０は、第一層間絶縁膜９（周辺部７）の外周に接して形成される。第二層間絶縁膜１０は周辺部７の外周部分に若干重なるように形成されてもかまわない。その場合、第一層間絶縁膜９と第二層間絶縁膜１０の重なる外周部分は、第一層間絶縁膜９（周辺部７）の直径の２０％以下の範囲とすることが好ましい。２０％を超える場合には、第二層間絶縁膜１０形成の際、液滴吐出ノズル１１０の液滴吐出位置がわずかにずれた場合、吐出された液滴が導電ポスト６の一部を覆ってしまい、導通性を確保できなくなることがある。
第二層間絶縁膜１０の厚みは、前記導電ポスト６の高さと第一層配線５の膜厚の合計の値となるように設定する。前記第二層間絶縁膜１０の厚みは、前記合計の値よりも多少薄くなってもかまわないが、あまり薄いと第一層配線５が表面に露出するおそれがあり、厚くなりすぎると、導電ポスト６を覆ってしまい、導通性を確保できなくなるおそれがある。たとえば、導電ポスト６の高さを１０μｍで形成し、第一層配線５の膜厚を１０μｍで形成した場合、周囲８の高さは、それらの合計の高さである２０μｍに設定すると良い。

前記第一層間絶縁膜９および第二層間絶縁膜１０としては、一般に用いられる絶縁材料を用いることができる。ただし、第一層間絶縁膜９の表面エネルギーは第二層間絶縁膜１０の表面エネルギーよりも小さくなくてはならない。すなわち、第一層間絶縁膜９は、第二層間絶縁膜１０の構成材料を含む液状材料に対して撥液性を有する材料であることが望ましい。たとえば、第一層間絶縁膜９をエポキシ材料で形成した場合、第二層間絶縁膜１０は、エポキシ材料よりも表面エネルギーの大きいポリイミド材料で形成する。
第一層間絶縁膜９の表面エネルギーが、第二層間絶縁膜１０の表面エネルギーより小さい場合には、第一層間絶縁膜９に対して第二層間絶縁膜１０の濡れ性が低下し、第一層間絶縁膜９からなる周辺部７上に第二層間絶縁膜１０を構成する液滴が濡れ広がらない。そのため、第二層間絶縁膜１０形成の際、液滴吐出の位置が若干ずれて第一層間絶縁膜９からなる周辺部７に吐出されたとしても、第二層間絶縁膜１０の構成材料を含む液滴が周辺部７から周囲８にはじかれて、導電ポスト６を覆うことがない。

前記第一層配線５および第二層配線４の構成材料は、普通に用いられる配線材料のどのようなものを用いてもかまわない。また、前記配線形成方法は、本実施形態に示す液滴吐出法に限られず、スピンコーティング法など他のウエットプロセスあるいは、蒸着法などのドライプロセスを用いて形成してもかまわない。液滴吐出法を用いて、配線形成を行う場合は、金属粒子を含有した溶液を液滴吐出装置ＩＪに備えて、液滴吐出により金属配線を形成する。

以下、本発明の実施形態である多層配線基板１の製造方法について説明する。
図３は、第一層配線５を形成した基板２から前記多層配線基板１を製造するまでの工程の一例を示す工程図であって、第一層配線５を形成した基板（図３（ａ））に、まず導電ポスト６を形成し（図３（ｂ））、次に第一層間絶縁膜９を形成し（図３（ｃ））、さらに第二層間絶縁膜１０を形成したのち（図３（ｄ））、最後に第二層配線４を形成し（図３（ｅ））、前記多層配線基板１を製造する工程を示している。

第一層配線５および導電ポスト６は、導電性インクを液滴吐出することにより形成する。まず、ＩＰＡ溶液により基板２の洗浄を行った後、前処理として撥インク処理を行う。撥インク処理とは、導電性インクが所定の接触角をなるようにする表面処理のことであり、この処理を行うことにより、導電性インクの位置をより高精度に制御することができる。まず、波長２５４ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ^２の強度で１０分間照射する（紫外線照射洗浄）。次に、この基板２とヘキサデカフルオロ１、１、２、２、テトラヒドロデシルトリエトキシシラン０．１ｇとを容積２リットルの密閉容器に入れて１２０℃で２時間保持し、基板上に撥インク性の単分子膜を形成する。一般的に、この単分子膜を形成した基板表面と導電性インクとの接触角は約７０度となり、配線を形成するためには大きすぎる角度なので、更に、波長２５４ｎｍの紫外線を２分間照射する表面処理を行い、接触角を約３５°とする。なお、撥インク処理の代わりに受容層を形成してもかまわない。
導電性インクとしては、たとえば、直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）をトルエンで希釈し、粘度を３ｍＰａ・ｓに調整した溶液を用いる。
前記撥インク処理を行った基板２を液滴吐出装置ＩＪにセットし、前記導電性インクのパターン吐出を行った後、ヒーター１１５により熱風乾燥という工程を行う。そして、吐出→熱風乾燥→吐出→熱風乾燥という工程を必要な回数だけ繰り返し、第一層配線５および導電ポスト６を形成する。

第一層配線５および導電ポスト６を形成した基板２に層間絶縁膜３を形成するプロセスは、第一層間絶縁膜９形成工程（図３（ｂ）から図３（ｃ）に示す工程）と第二層間絶縁膜１０形成工程（図３（ｃ）から図３（ｄ）に示す工程）の２つのプロセスにより構成される。
液滴吐出法により第一層間絶縁膜９を形成する場合には、絶縁性インクを用いる。たとえば、市販のエポキシ材料を含む液滴材料を用いる。

図４は、第一層間絶縁膜９形成工程（図３（ｂ）から図３（ｃ）に示す工程）の具体的工程の一例を示す図である。
まず、第一層配線５と導電ポスト６を形成した基板２に、前処理として波長２５６ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ^２の強度で５分間照射し、基板２の表面及び第一層配線５上を親インク性とする。この処理を行った基板２を、液滴吐出装置ＩＪのステージ１０７にセットする。
図４（ａ）は、液滴吐出ヘッド１０１の吐出ノズル１１０のＹ軸方向に、基板２のＹ軸方向を合わせてセットした概略図である。液滴吐出ヘッド１０１は長手方向を液滴吐出装置ＩＪのＹ軸方向に一致させて設定してある。ステージ１０７および液滴吐出ヘッド１０１をそれぞれ、Ｘ軸およびＹ軸方向に動かすことによって、基板２上の所望の位置において液滴を吐出することができる。
図４（ｂ）は、液滴吐出ヘッド１０１およびステージ１０７を動かして（１回目の走査）、液滴吐出ヘッド１０１に設けられている吐出ノズル１１０から、ステージ１０７上に設置された基板２に液滴を吐出した際の模式図である。この１回目の走査で吐出された液滴には、「１」を付している。この走査で吐出された絶縁性インクは、ベースドットの役割を担う。ベースドットとは、層間絶縁膜３のアンカーの役目を担うものであり、ベースドット以外の絶縁性インクの着弾径よりも若干広い径で吐出する絶縁性インクのことである。前記絶縁性インクを導電ポスト６の周りに相対的に均等な位置関係になるように４点吐出する。絶縁性インクは、親インク性の基板２表面及び配線５に着弾した後はぬれ広がる。また、セルフレベリング効果によって平坦となる。
図４（ｃ）は、２回目の走査により、吐出ノズル１１０から基板２に液滴を吐出した一例を示す模式図である。前記ベースドット上に絶縁性インクを４点吐出し、円形の絶縁膜（以下、絶縁ドットとよぶ）を形成する。この２回目の走査で吐出された液滴には「２」を付している。
さらに、図４（ｄ）に示すように、前記絶縁ドット間に、絶縁性インクを４点吐出し、次の絶縁ドットを形成する。この３回目の走査で吐出された液滴には「３」を付している。
さらにまた、図４（ｅ）に示すように、前記絶縁ドット間に、絶縁性インクを８点吐出し、次の絶縁ドットを形成する。この４回目の走査で吐出された液滴には「４」を付している。「４」の符号付けた液滴は、「２」および「３」の符号を付けた液滴と周辺部分で重なるように吐出されるので、重なった部分（バルジという）の液滴が吐出されていない部分に広がる。
最後に、この基板２を、ヒーター１１５により３０分間、４００℃で熱処理することによって、溶剤の除去とポリイミドの硬化がなされ、図３（ｃ）および図４（ｆ）に示すように、周辺部７に第一層間絶縁膜９が形成される。
第一層間絶縁膜９として必要とされる膜厚は、液滴吐出ノズル１１０を調整し、液滴吐出量を調整するとともに、液滴吐出位置および間隔、液滴吐出回数を調整して設定する。たとえば、前記第一層間絶縁膜９の形成工程によって形成された第一層間絶縁層の膜厚は６μｍ程度となる。同条件の形成工程を１回繰り返すと第二層間絶縁層の膜厚１２μｍ程度とすることができ、さらに繰り返すと１８μｍ程度とすることができる。
なお、この導電ポスト６の周辺部７に第一層間絶縁膜９は、導電ポスト６を保護する役目を有するので、液滴吐出量、液滴吐出位置および間隔を高精度に制御して形成する必要がある。

図５は、第二層間絶縁膜１０の形成工程（図３（ｃ）から図３（ｄ）に示す工程）の具体的工程の一例を示す図である。
先に述べた工程によって第一層配線５、導電ポスト６および第一層間絶縁膜９を形成した基板２を、第一層間絶縁膜９形成工程と同様に、液滴吐出装置ＩＪのステージ１０７にセットする。
また、絶縁性インクには、第一層間絶縁膜９に用いた絶縁性インクよりも表面エネルギーの大きい絶縁性インクであるポリイミド材料、たとえば、ポリイミドワニス（デュポン社製、製品名「パイルＭＬ」）を溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）で希釈して、粘度が２０ｍＰａ・ｓとなるように調整し、これを液滴吐出ヘッド１０１にセットする。
図５（ａ）は、液滴吐出ヘッド１０１に設けられた吐出ノズル１１０のＹ軸方向に、前記基板２のＹ軸方向を合わせてセットした概略図である。
まず、図５（ｂ）に示すように、第二層間絶縁膜１０を形成する領域全面に相対的に均等な位置関係になるように２４点吐出し、ベースドットとする。この１回目の走査で吐出された液滴には「１」を付している。
次に、図５（ｃ）に示すように、前記ベースドット上に第二層間絶縁膜１０を２４点吐出し、絶縁ドットを形成する。この２回目の走査で吐出された液滴には「２」を付している。
さらに、図５（ｄ）に示すように、前記絶縁ドット間に、第二層間絶縁膜１０を４８点吐出し、次の絶縁ドットを形成する。この３回目の走査で吐出された液滴には「３」を付している。
さらにまた、図５（ｅ）で示すように、前記絶縁ドット間に、第二層間絶縁膜１０を５２点吐出し、次の絶縁ドットを形成する。この４回目の走査で吐出された液滴には「４」を付している。「４」の符号付けた液滴は、「２」および「３」の符号を付けた液滴と周辺部分で重なるように吐出されるので、バルジの液滴が吐出されていない部分に広がる。
最後に、この基板２をヒーター１１５により３０分間、４００℃で熱処理することによって、溶剤の除去とポリイミドの硬化がなされ、図３（ｄ）および図５（ｆ）に示すように、第一層間絶縁膜９の周囲８に第二層間絶縁膜１０が形成される。
第二層間絶縁膜１０形成工程においても、第一層間絶縁膜９形成工程の場合と同様、膜厚を高精度に制御することができるが、第一層間絶縁膜９よりも膜厚を厚くするという条件さえ満たせば、第一層間絶縁膜９形成工程ほど、液滴吐出量、位置および間隔を高精度に制御する必要はなく、逆により効率的に広い面積に第二層間絶縁膜１０を形成するかということがより重要となる。一回あたりの液滴吐出量を増やし、また、多数形成された液滴吐出ノズル１１０を効率的に使うことによって、第二層間絶縁膜１０形成工程を効率化し、生産効率を大幅に上げることができる。

再び、図３に戻り、前記第二層間絶縁膜１０を形成した基板（図３（ｄ））に、図３（ｅ）に示すように第二層配線４を形成し、多層配線基板１を製造する。第二層配線４の形成方法は、第一層配線５の形成方法と同様の方法を用いる。すなわち、紫外線照射洗浄、フッ化アルキルシランによる撥インク化、紫外線照射による接触角の調整、銀微粒子含有インクのパターン吐出、熱風乾燥という各工程を行う。そして、吐出→熱風乾燥→吐出→熱風乾燥という工程を必要な回数だけ繰り返す。

前記工程を繰り返すことによって、更なる多層化を行うことができる。たとえば、３層配線基板を形成する場合は、前記２層配線基板１の第二層配線４上の所定の場所に導電ポスト６を形成したのち、第一層間絶縁膜９、第二層間絶縁膜１０を形成し、第三層配線を形成する。このような工程を必要な回数だけ繰り返すことで、何層でも多層化することができる。

「電子機器」
次に、電子機器の具体例について説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は液晶表示部を示している。この携帯電話本体６００には、図２に示した多層配線基板１が備えられている。
図６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は液晶表示部を示している。この情報処理本体７０３には、図２に示した多層配線基板１が備えられている。
図６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は液晶表示部を示している。この時計本体８００には、図２に示した多層配線基板１が備えられている。

以下、本発明の実施形態の効果について説明する。
本発明の多層配線基板１の製造方法は、まず高精度に液滴吐出制御をして第一層間絶縁膜９を形成したのち、より精度を落として液滴吐出制御を行って第二層間絶縁膜１０を形成することができるので、層間絶縁膜３を１回の液滴吐出で形成する場合のように、全面にわたって高精度で液滴吐出制御を行わなくてはならない場合に比べて、生産効率を上げることができる。

また、本発明の多層配線基板１の製造方法において、第二層間絶縁膜１０の液滴吐出工程において、吐出ノズルの制御に乱れが生じ、液滴吐出設定位置より若干ずれて、周辺部７内に液滴が吐出されたとしても、第一層間絶縁膜９の表面エネルギーが第二層間絶縁膜１０の表面エネルギーよりも小さいので、第二層間絶縁膜１０を形成する液滴が第一層間絶縁膜９上で濡れ広がることがないため、導電ポスト６を第二層間絶縁膜１０で覆うことがなく、導電ポスト６と第二層配線４との導通を確保できる。

また、本発明の多層配線基板１の製造方法は、第一層間絶縁膜９の膜厚が第二層間絶縁膜１０の膜厚よりも薄く形成する構成なので、第一層間絶縁膜９の形成に必要な液滴吐出回数を減らすことができ、高精度な制御を必要とする第一層間絶縁膜９形成工程を簡便化し、全体として生産効率を向上させることができる。

本発明の多層配線基板１の製造方法によって製造する多層配線基板１は、導電ポスト６の周辺部７を形成する第一層間絶縁膜９の膜厚および形状を高精度に制御した構成なので、多層配線の導電性および配線間の絶縁性を十分確保した基板とすることができる。

本発明の電子機器は、前記多層配線基板１を利用することにより、品質と量産性に優れた電子機器とすることができる。

本発明の実施形態である多層配線基板を作成するために用いた装置の一例を示す図であって、（ａ）は液滴吐出装置の概略斜視図であり、（ｂ）は液滴吐出ヘッドの概略斜視図である。 本発明の実施形態である多層配線基板の一例を示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。 本発明の実施形態である多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明の実施形態である多層配線基板の製造方法における第一層間絶縁膜の形成工程の一例を示す平面模式図である。 本発明の実施形態である多層配線基板の製造方法における第二層間絶縁膜の形成工程の一例を示す平面模式図である。 本発明の実施形態である電子機器を示す斜視図である。

符号の説明

１…多層配線基板、２…基板、３…層間絶縁膜、４…第二層配線（配線層）、５…第一層配線（配線層）、６…導電ポスト、７…周辺部、８…周辺部の周囲、９…第一層間絶縁膜、１０…第二層間絶縁膜

Claims (5)

1. 少なくとも２層の配線層と、前記配線層間に設けられた層間絶縁膜と、前記配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法であって、前記導体ポストの周辺部に第一層間絶縁膜を液滴吐出法で形成した後、前記周辺部の周囲に第二層間絶縁膜を液滴吐出法で形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記第一層間絶縁膜の表面エネルギーが前記第二層間絶縁膜の表面エネルギーよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記第一層間絶縁膜の膜厚が前記第二層間絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
4. 層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を挟んで絶縁された２層の配線層と、各配線と導通する導体ポストとを少なくとも備えた多層配線基板において、前記層間絶縁膜は前記導体ポストの周辺部に形成された第一層間絶縁膜と、前記第一層間絶縁膜の周囲に形成された第二層間絶縁膜とからなることを特徴とする多層配線基板。
5. 請求項４に記載の多層配線基板を備えたことを特徴とする電子機器。

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