JP4100385B2 - 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents

多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、液滴吐出装置を用いた多層構造形成方法に関し、特に、配線基板の製造や電子機器の製造に好適な多層構造形成方法に関する。
印刷法によるアディティブプロセス(Additive Process)を用いて配線基板や回路基板を製造する方法が注目されている。薄膜の塗布プロセスとフォトリソグラフィープロセスとを繰り返して、配線基板や回路基板を製造する方法に比べて、アディティブプロセスのコストは低いからである。
このようなアディティブプロセスに利用される技術の一つとして、インクジェット法による導電性パターンの形成技術が知られている(例えば特許文献1)。
特開2004−6578号公報
インクジェット法を用いて樹脂材料や導電性材料の液滴を配置して、絶縁層と、その絶縁層上の配線パターンと、を設ける場合には、配線パターンに断線を生じることがある。
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、インクジェット法を用いて安定な多層構造を形成することである。
本発明の多層構造形成方法は液滴吐出装置を用いる。この多層構造形成方法は、物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、前記第1絶縁層へ導電性材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層上に導電性材料層のパターンを形成するステップ(C)と、前記導電性材料層のパターンを活性化して、前記第1絶縁層上に配線パターンを形成するステップ(D)と、を含んでいる。
上記構成によって得られる効果の一つは、第1絶縁材料層を硬化した後に配線パターンを形成するので、配線パターンの断線が生じないことである。
本発明のある態様によれば、上記多層構造形成方法は、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(E)と、前記第1絶縁層と前記導電層とへ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層と前記導電層とを覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(F)と、前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(G)と、をさらに含んでいる。
上記構成によれば、第1絶縁層の表面を親液化するので、第1絶縁層上に亘って、表面が平坦な第2絶縁層を形成できる。
好ましくは、前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでいる。そして、前記ステップ(E)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる。
上記構成によって得られる効果の一つは、光照射を包含するステップだけで、第1絶縁材料層の硬化と、第1絶縁層の親液化と、を達成できることである。
本発明の多層構造形成方法は液滴吐出装置を用いる。この多層構造形成方法は、物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(C)と、前記第1絶縁層へ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層を覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(D)と、前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(E)と、を含んでいる。
上記構成によれば、第1絶縁層の表面を親液化するので、厚さが均一な第2絶縁層を第1絶縁層上に形成できる。
好ましくは、前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでいる。そして、前記ステップ(C)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる。
上記構成によって得られる効果の一つは、光照射を包含するステップだけで、第1絶縁材料層の硬化と、第1絶縁層の親液化と、を達成できることである。
さらに本発明は、種々の形態で実現することができる。例えば、配線基板の製造方法や電子機器の製造方法の形態で本発明は実現される。
(A.液滴吐出装置の全体構成)
本実施形態の製造装置は、3つの液滴吐出装置を有している。3つの液滴吐出装置は、絶縁材料7A(図1)、導電性材料8A、絶縁材料9Aをそれぞれ吐出する装置である。なお、後述するように、これら絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aは、いずれも液状の材料の一種である。
図1に示す液滴吐出装置1は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置1は、液状の材料111を保持するタンク101と、チューブ110と、グランドステージGSと、吐出ヘッド部103と、ステージ106と、第1位置制御装置104と、第2位置制御装置108と、制御部112と、光照射装置140と、支持部104aと、を備えている。なお、他の2つの液滴吐出装置2、3の構造および機能は、液滴吐出装置1の構造および機能と基本的に同じであり、このため、これら2つの液滴吐出装置2、3の構造および機能の説明は省略する。
吐出ヘッド部103は、ヘッド114(図2)を保持している。このヘッド114は、制御部112からの信号に応じて、液状の材料111の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部103におけるヘッド114は、チューブ110によってタンク101に連結されており、このため、タンク101からヘッド114に液状の材料111が供給される。
ステージ106は基板10Aを固定するための平面を提供している。さらにステージ106は、吸引力を用いて基板10Aの位置を固定する機能も有する。ここで、基板10Aはポリイミドからなるフレキシブル基板であり、その形状はテープ状である。そして、基板10Aの両端は、図示しない一対のリールに固定されている。
第1位置制御装置104は、支持部104aによって、グランドステージGSから所定の高さの位置に固定されている。この第1位置制御装置104は、制御部112からの信号に応じて、吐出ヘッド部103をX軸方向と、X軸方向に直交するZ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第1位置制御装置104は、Z軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部103を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Z軸方向は、鉛直方向(つまり重力加速度の方向)に平行な方向である。
第2位置制御装置108は、制御部112からの信号に応じて、ステージ106をグランドステージGS上でY軸方向に移動させる。ここで、Y軸方向は、X軸方向およびZ軸方向の双方と直交する方向である。
上記のような機能を有する第1位置制御装置104の構成と第2位置制御装置108の構成とは、リニアモータやサーボモータを利用した公知のXYロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第1位置制御装置104および第2位置制御装置108を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
さて上述のように、第1位置制御装置104によって、吐出ヘッド部103はX軸方向に移動する。そして、第2位置制御装置108によって、基板10Aはステージ106と共にY軸方向に移動する。これらの結果、基板10Aに対するヘッド114の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部103、ヘッド114、またはノズル118(図2)は、基板10Aに対して、Z軸方向に所定の距離を保ちながら、X軸方向およびY軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料111を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側(被吐出部)の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
制御部112は、液状の材料111の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部112は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第1位置制御装置104と、第2位置制御装置108と、ヘッド114と、を制御する。なお、吐出データとは、基板10A上に、液状の材料111を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
上記構成を有する液滴吐出装置1は、吐出データに応じて、ヘッド114のノズル118(図2)を基板10Aに対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル118から液状の材料111を吐出する。なお、液滴吐出装置1によるヘッド114の相対移動と、ヘッド114からの液状の材料111の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
本明細書では、液状の材料111の液滴が着弾する部分を「被吐出部」とも表記する。そして、着弾した液滴が濡れ広がる部分を「被塗布部」とも表記する。「被吐出部」および「被塗布部」のどちらも、液状の材料が所望の接触角を呈するように、下地の物体に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物体の表面が、液状の材料に対して所望の撥液性または親液性を呈する(つまり着弾した液状の材料が下地の物体の表面上で望ましい接触角を呈する)場合には、下地の物体の表面そのものが「被吐出部」または「被塗布部」であってもよい。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。
さて、図1に戻って、光照射装置140は、基板10Aに付与された液状の材料111に紫外光を照射する装置である。光照射装置140の紫外光の照射のON・OFFも制御部112によって制御される。
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、上述のような液滴吐出装置1を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
(B.ヘッド)
図2(a)および(b)に示すように、液滴吐出装置1におけるヘッド114は、複数のノズル118を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド114は、振動板126と、ノズル118の開口を規定するノズルプレート128と、を備えている。そして、振動板126と、ノズルプレート128と、の間には、液たまり129が位置しており、この液たまり129には、図示しない外部タンクから孔131を介して供給される液状の材料111が常に充填される。
また、振動板126と、ノズルプレート128と、の間には、複数の隔壁122が位置している。そして、振動板126と、ノズルプレート128と、一対の隔壁122と、によって囲まれた部分がキャビティ120である。キャビティ120はノズル118に対応して設けられているため、キャビティ120の数とノズル118の数とは同じである。キャビティ120には、一対の隔壁122間に位置する供給口130を介して、液たまり129から液状の材料111が供給される。なお、本実施形態では、ノズル118の直径は、約27μmである。
さて、振動板126上には、それぞれのキャビティ120に対応して、それぞれの振動子124が位置する。振動子124のそれぞれは、ピエゾ素子124Cと、ピエゾ素子124Cを挟む一対の電極124A、124Bと、を含む。制御部112が、この一対の電極124A、124Bの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル118から液状の材料111の液滴Dが吐出される。ここで、ノズル118から吐出される材料の体積は、0pl以上42pl(ピコリットル)以下の間で可変である。なお、ノズル118からZ軸方向に液状の材料111の液滴Dが吐出されるように、ノズル118の形状が調整されている。
本明細書では、1つのノズル118と、ノズル118に対応するキャビティ120と、キャビティ120に対応する振動子124と、を含んだ部分を「吐出部127」と表記することもある。この表記によれば、1つのヘッド114は、ノズル118の数と同じ数の吐出部127を有する。吐出部127は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部127は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
(C.制御部)
次に、制御部112の構成を説明する。図3に示すように、制御部112は、入力バッファメモリ200と、記憶装置202と、処理部204と、光源駆動部205と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208と、を備えている。入力バッファメモリ200と処理部204とは相互に通信可能に接続されている。処理部204と、記憶装置202と、光源駆動部205と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
光源駆動部205は、光照射装置140と通信可能に接続されている。さらに、走査駆動部206は、第1位置制御装置104および第2位置制御装置108と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部208は、ヘッド114と相互に通信可能に接続されている。
入力バッファメモリ200は、液滴吐出装置1の外部に位置する外部情報処理装置(不図示)から、液状の材料111の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ200は、吐出データを処理部204に供給し、処理部204は吐出データを記憶装置202に格納する。図3では、記憶装置202はRAMである。
処理部204は、記憶装置202内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル118の相対位置を示すデータを走査駆動部206に与える。走査駆動部206はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第1位置制御装置104および第2位置制御装置108に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部103の相対位置が変わる。一方、処理部204は、記憶装置202に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料111の吐出に必要な吐出信号をヘッド114に与える。この結果、ヘッド114における対応するノズル118から、液状の材料111の液滴Dが吐出される。
また、処理部204は、記憶装置202内の吐出データに基づいて、光照射装置140をON状態およびOFF状態のどちらかの状態にする。具体的には、光源駆動部205が光照射装置140の状態を設定できるように、処理部204は、ON状態またはOFF状態を示すそれぞれの信号を光源駆動部205へ供給する。
制御部112は、CPU、ROM、RAM、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部112の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部112は、専用の回路(ハードウェア)によって実現されてもよい。
(D.液状の材料)
上述の「液状の材料111」とは、ヘッド114のノズル118から液滴Dとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料111が水性であると油性であるとを問わない。ノズル118から吐出可能な流動性(粘度)を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料111の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であるのが好ましい。粘度が1mPa・s以上である場合には、液状の材料111の液滴Dを吐出する際にノズル118の周辺部が液状の材料111で汚染されにくい。一方、粘度が50mPa・s以下である場合は、ノズル118における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Dの吐出を実現できる。
後述する導電性材料8A(図4(d))は、上述の液状の材料111の一種である。本実施形態の導電性材料8Aは、平均粒径が10nm程度の銀粒子と、分散媒と、を含む。そして導電性材料8Aにおいて、銀粒子は分散媒中に安定して分散されている。なお、銀粒子はコーティング剤によって被覆されていてもよい。ここで、コーティング剤とは、銀原子に配位可能な化合物である。
このようなコーティング剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、コーティング剤として、2−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、2−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールを用いることができる。
分散媒(または溶媒)としては、銀のナノ粒子などの導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
なお、平均粒径が1nm程度から数100nmまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、導電性材料8Aは銀のナノ粒子を含んでいる。
さらに、後述する絶縁材料7A(図4)および絶縁材料9A(図6)も、液状の材料111である。絶縁材料7Aおよび絶縁材料9Aは、感光性樹脂を含んでいる。そして、本実施形態の感光性樹脂は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび/またはオリゴマ−と、を含んでいる。本実施形態のアクリル系の感光性樹脂が、本発明の「第1感光性樹脂」および「第2感光性樹脂」に対応する。このように、本実施形態では「第1感光性樹脂」と「第2感光性樹脂」とは互いに同じである。
以下では、本実施形態の多層構造形成方法を利用した配線基板の製造方法を説明する。
(E.製造方法)
まず、基板10Aの1つの表面SをUV洗浄する。UV洗浄によって、表面Sが洗浄されるだけでなく、後述する液状の絶縁材料7Aに対して表面Sが適切な親液性を呈するようになる。このため、本実施形態では、UV洗浄後の表面Sが、上述の被吐出部および被塗布部になる。また本実施形態では、表面Sが本発明の「物体表面」の一例である。
次に、図4(a)に示すように、液滴吐出装置1を用いて、表面Sの全面に絶縁材料層7Bを形成する。具体的には、まず、基板10Aを液滴吐出装置1のステージ106上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置1は、表面Sに対するノズル118の相対位置を2次元的(つまりX軸方向およびY軸方向)に変化させる。そして、液滴吐出装置1は、第1吐出データに応じて、表面Sに向けて液状の絶縁材料7Aの液滴Dを所定の周期でノズル118から吐出する。そうすると、表面Sの全域に亘って所定ピッチで複数の液滴Dが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Dが濡れ広がると、表面Sを覆う絶縁材料層7Bが得られる。なお、吐出される絶縁材料7Aの液滴Dの体積と数とは、後述する硬化工程後に得られる絶縁層7(図4(c))の厚さが約10μmになるように、設定されている。
ここで、液滴吐出装置1のヘッド114におけるノズル118は「第1ノズル」とも表記される。
なお、本実施形態では、基板10Aと、基板10A上に設けられた一つ以上の層と、をまとめて「基体10B」とも表記する。
絶縁材料層7Bを形成した後で、図4(b)および(c)に示すように、得られた絶縁材料層7Bを硬化して、絶縁層7を形成する。具体的には、光照射装置140から紫外域に属する第1波長を有する光を約60秒間、絶縁材料層7Bに照射して、絶縁層7を得る。本実施形態では、絶縁材料層7Bに照射する光の波長は365nmである。
このように、後述する導電性材料層8Bのパターン(図4(d))を形成する前に、その下地となる絶縁材料層7Bを硬化するので、導電性材料層8Bのパターンにおいて断線が生じない。
次に、図4(d)に示すように、液滴吐出装置2を用いて、絶縁層7上に導電性材料層8Bのパターンを形成する。具体的には、まず、基板10Aを液滴吐出装置2のステージ106上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置2は、絶縁層7の表面に対するノズル118の相対位置を2次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置2は、第2吐出データに応じて、導電性材料層8Bのパターンに対応する位置にノズル118が達する毎に、絶縁層7の表面に向けて液状の導電性材料8Aの液滴Dをノズル118から吐出する。そうすると、絶縁層7上に複数の液滴Dが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Dが濡れ広がると、絶縁層7上に導電性材料層8Bのパターンが形成される。なお、吐出される導電性材料8Aの液滴Dの体積と数とは、後述する加熱工程後に得られる導電層8(図5(b))の厚さが約4μmになるように、設定されている。
ここで、液滴吐出装置2のヘッド114におけるノズル118は「第2ノズル」とも表記される。
なお、本実施形態では、図5(a)に示すように、導電性材料層8Bのパターンは、互いに平行な2つのストライプ部を含む。2つのストライプ部のそれぞれは、絶縁層7の一部分上に位置している。また、2つのストライプ部のそれぞれの幅は約50μmであり、その長手方法は図5(a)の紙面に垂直な方向に延びている。
次に、図5(a)に示すように導電性材料層8Bのパターンを活性化して、図5(b)に示す導電層8のパターンを形成する。具体的には、クリーンヒータを用いて、150℃の温度で30分間、導電性材料層8Bのパターンを焼成(加熱)する。そうすると、導電性材料層8Bにおける銀粒子が燒結または融着して、導電層8のパターンが得られる。ここで、導電層8のパターンは、本発明の「配線パターン」に対応する。なお、本明細書では、導電層8のパターンを「導電パターン」とも表記する。
このように、本実施形態では、絶縁層7と配線パターンとを覆う絶縁材料層9B(後述)を設ける前に、予め導電性材料層8Bを焼成して導電層8を形成しておく。そうすると、得られる導電層8が、絶縁材料層9Bの硬化による応力よって変形する可能性がより低くなる。絶縁層7と導電層8との間の密着力が、絶縁層7と導電性材料層8B(活性化される前の導電層8)との間の密着力よりも強いからである。
配線パターン(導電層8のパターン)を形成した後で、図5(c)に示すように、絶縁層7の表面と、配線パターンの表面とを親液化する。具体的には、上述の第1波長とは異なる第2波長の光を約60秒、絶縁層7の表面と導電層8の表面とに均一に照射する。本実施形態では、第2波長は172nmである。そうすると、絶縁層7の表面と、配線パターンの表面とは、後述する液状の絶縁材料9A(図6(a))に対して親液性を呈するようになる。ここで、親液性の程度を表す指標の一つは、「接触角」である。本実施形態では、親液化された絶縁層7の表面または配線パターンの表面に絶縁材料9Aの液滴Dが接触した場合、それらの表面と液滴Dとがなす接触角は、20度以下である。
絶縁層7の表面と配線パターンの表面とを親液化する理由は次の通りである。絶縁層7を得るための硬化工程、または配線パターンを得るための焼成(加熱)工程を経ると、これらの表面は、液状の絶縁材料9Aに対して撥液性を呈するようになる。ここで、物体表面が撥液性を呈する場合には、広い面積に亘って均一な層を形成することが困難になる。これに対して、本実施形態では、焼成工程の後で絶縁層7の表面および配線パターンの表面が親液化されるので、絶縁材料9Aの液滴が濡れ広がる程度(親液性の程度)が、絶縁層7の表面および配線パターン25の表面に亘って再び大きくなる。このため、これら表面上に亘って、平坦な表面を有する絶縁層9を形成できる。しかも、絶縁層7上および配線パターン上のそれぞれで、絶縁層9の厚さは均一になる。
上述の親液化を行った後で、図6(a)に示すように、液滴吐出装置3を用いて、絶縁層7と、導電層8のパターンと、を覆う絶縁材料層9Bを形成する。具体的には、基板10Aを液滴吐出装置3のステージ106上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置3は、絶縁層7と、導電層8のパターンと、に対するノズル118の相対位置を2次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置3は、第3吐出データに応じて、絶縁層7と、導電層8のパターンとに向けて、液状の絶縁材料9Aの液滴Dを所定の周期でノズル118から吐出する。そうすると、絶縁層7と、導電層8のパターンと、の全域に亘って所定ピッチで複数の液滴Dが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Dが濡れ広がると、絶縁層7と、導電層8のパターンと、を覆う絶縁材料層9Bが得られる。なお、吐出される絶縁材料9Aの液滴Dの体積と数とは、後述する加熱工程後に得られる絶縁層9(図6(d))の厚さが約10μmになるように、設定されている。
ここで、液滴吐出装置3のヘッド114におけるノズル118は「第3ノズル」とも表記される。
絶縁材料層9Bを形成した後で、図6(b)に示すように、得られた絶縁材料層9Bを半硬化して、絶縁材料層9B’を形成する。具体的には、光照射装置140から紫外域の波長を有する光を約4秒間、絶縁材料層9Bに照射して、半硬化状態にある絶縁材料層9B’を得る。本実施形態では、絶縁材料層9Bに照射する光の波長は365nmである。
ここで、絶縁材料層または絶縁材料が半硬化するとは、絶縁材料層を構成する感光性樹脂の状態が、吐出時の状態と、光照射による実質的な硬化状態と、の間の状態になることを意味する。本実施形態では、このような中間の状態が上述の「半硬化状態」である。なお、吐出時の状態とは、感光性樹脂(絶縁材料7A)がノズル118から吐出されうる粘性を有している状態である。
なお、絶縁材料層9Bを半硬化する代わりに、絶縁材料層9Bに光を照射する時間をより長くして(例えば60秒)、絶縁材料層9Bを実質的に硬化してもよい。
半硬化状態にある絶縁材料層9B’を得た後で、図6(c)に示すように、基体10Bを加熱し、熱量Qを与える。本実施形態では、クリーンオーブンを用いて、150度の温度で約60分間、基体10Bを加熱する。この加熱によって、絶縁材料層9B’における感光性樹脂の重合反応がさらに進み、絶縁材料層9B’が硬化する。この結果、絶縁材料層9B’が絶縁層9になる。なお、絶縁材料層9Bが光照射によって硬化されている場合でも、このような加熱工程を行うことは好ましい。
ここで、先に形成された絶縁層7において重合反応が未完全なモノマーやオリゴマ−が存在している場合であっても、絶縁材料層9B’を硬化するための加熱工程によって、絶縁層7における重合反応は確実に終了する。同様に、この加熱工程によって、導電層8における銀のナノ粒子の燒結または融着が完全に進行するので、導電層8における電気的導通がより確実になる。
以上の工程によって、図6(d)に示すように、基板10Aを覆う絶縁層7と、絶縁層7上に位置する導電層8のパターンと、絶縁層7と導電層8のパターンとを覆う絶縁層9と、からなる多層構造が得られる。本実施形態では、絶縁層7および絶縁層9はアクリル樹脂であり、導電層8は銀配線である。なお、導電層8が設けられた基板10Aを「配線基板10」とも表記する。
(F.実装工程)
次に、図7に示すように、配線基板10に、液晶パネル32と半導体素子25とを実装する。具体的には、配線基板10の一部に、導電層8のパターンが絶縁層9に覆われていない部分を形成する。そして、露出した導電層8のパターンに、液晶パネルのパッド、または半導体素子25の対応するパッドを接合する。このようにして、液晶表示装置34が得られる。このように、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置34の製造に適用できる。なお、本実施形態では、半導体素子25は液晶ドライバ回路である。
さらに、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用される。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化(いわゆる電気光学効果)を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。
具体的には、電気光学装置とは、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ(SED:Surface−Conduction Electron−Emitter Display)、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)などを含む用語である。
さらに、本実施形態の多層構造形成方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図8に示すような、電気光学装置520を備えた携帯電話機500の製造方法や、図9に示すような、電気光学装置620を備えたパーソナルコンピュータ600の製造方法にも、本実施形態の製造方法が適用される。
(変形例1)
上記実施形態によれば、3つの異なる液滴吐出装置1、2、3が、それぞれ絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aを吐出する。このような構成に代えて、1つの液滴吐出装置(例えば液滴吐出装置1)が、上述の絶縁材料7A、導電性材料8A、および絶縁材料9Aをすべて吐出してもよい。この場合、これら絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aは、液滴吐出装置1における別々のノズル118から吐出されてもよいし、液滴吐出装置1における1つのノズル118から吐出されてもよい。1つのノズル118からこれら3つの液状の材料が吐出される場合には、液状の材料を切り換える際に、タンク101からノズル118までの経路を洗浄する工程を追加すればよい。
ここで、1つのノズルからこれら3つの液状の材料が吐出される場合には、上述の「第1ノズル」と、「第2ノズル」と、「第3ノズル」とは、1つの同じノズル118に対応する。
(変形例2)
上記実施形態では、ポリイミドからなる基板10A上に多層構造が設けられる。しかしながら、このような基板10Aに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。
(変形例3)
上記実施形態の導電性材料8Aには、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか1つが利用されてもよいし、または、いずれか2つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料8Aを利用することは好ましい。
また、導電性材料8Aが、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金(I)、クロロトリメチルホスフィン金(I)、クロロトリフェニルフォスフィン金(I)、銀(I)2,4−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン(ヘキサフルオロアセチルアセトナート)銀(I)錯体、銅(I)ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
このように、液状の導電性材料8Aに含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
さらに、導電性材料8Aは、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンなどの高分子系の可溶性材料を含んでいてもよい。
(変形例4)
上記実施形態では、絶縁層7と絶縁層9とは互い同じ材料からなる。ただし、絶縁層7と絶縁層9とが互いに異なる材料からなってもよい。たとえば、絶縁層7がアクリル樹脂であり、絶縁層9がポリイミド樹脂であってもよい。この場合には、絶縁材料7Aが、感光性アクリル樹脂のモノマーまたはオリゴマーを含んだ液状の材料であり、絶縁材料9Aが、感光性のポリイミド前駆体を含んだ液状の材料であればよい。つまり、この場合には、本発明の「第1感光性樹脂」および「第2感光性樹脂」が互いに異なる。
(変形例5)
上記実施形態によれば、絶縁層7上に導電層8のパターンが形成される。しかしながら、上記実施形態の多層構造形成方法はこのような構造の形成に限定されない。具体的には、絶縁層7上の導電層8のパターンが省略されてもよい。そして、積層された複数の絶縁層の厚さの合計が所望の値になるように、液滴吐出装置を用いて絶縁材料層を形成することと、形成された絶縁材料層を硬化して絶縁層を得ることと、絶縁層の表面を親液化することと、親液化された絶縁層上に液滴吐出装置を用いて再び絶縁材料層を形成することと、を繰り返してもよい。
吐出によって形成された絶縁材料層から1回の硬化工程によって所望の厚さの絶縁層を得るよりも、絶縁材料層の形成と親液化と硬化工程とを繰り返すことで、所望の厚さの絶縁層を形成する方が、合計の乾燥時間が短く、かつ、最終的な絶縁層の厚さを均一にすることが容易である。
(変形例6)
上記実施形態によれば、紫外域の波長の光を照射して、絶縁層7の表面および配線パターンの表面を親液化した。しかしながら、このような親液化に代えて、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするO2プラズマ処理を施しても、絶縁層7の表面および配線パターンの表面を親液化できる。O2プラズマ処理は、基板10A(基体10B)に対して、図示しないプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する処理である。O2プラズマ処理の条件は、プラズマパワーが50〜1000W、酸素ガス流量が50〜100mL/min、プラズマ放電電極に対する基体10の相対移動速度が0.5〜10mm/sec、基体温度が70〜90℃であればよい。
本実施形態の液滴吐出装置を示す模式図。 (a)および(b)は液滴吐出装置におけるヘッドを示す模式図。 液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。 (a)から(d)は本実施形態の配線基板の製造方法を説明する図。 (a)から(c)は本実施形態の配線基板の製造方法を説明する図。 (a)から(d)は本実施形態の配線基板の製造方法を説明する図。 本実施形態の液晶表示装置の模式図。 本実施形態の携帯電話機を示す模式図。 本実施形態のパーソナルコンピュータを示す模式図。
符号の説明
7…絶縁層7A…第1絶縁材料、7B…第1絶縁材料層、8…導電層、8A…導電性材料、8B…導電性材料層、9…第1絶縁層、9A…第2絶縁材料、9B…第2絶縁材料層、10…配線基板、10A…基板、10B…基体、25…半導体素子、32…液晶パネル、34…液晶表示装置、1、2、3…液滴吐出装置、104…第1位置制御装置、106…ステージ、108…第2位置制御装置、112…制御部、114…ヘッド、118…ノズル、140…光照射装置、500…携帯電話機、520…電気光学装置、600…パーソナルコンピュータ、620…電気光学装置。

Claims (6)

  1. 液滴吐出装置を用いた多層構造形成方法であって、
    物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、
    前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、
    前記第1絶縁層へ導電性材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層上に導電性材料層のパターンを形成するステップ(C)と、
    前記導電性材料層のパターンを活性化して、前記第1絶縁層上に配線パターンを形成するステップ(D)と、
    前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(E)と、
    前記第1絶縁層と前記導電層とへ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層と前記導電層とを覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(F)と、
    前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(G)と、
    を含んだ多層構造形成方法。
  2. 請求項1記載の多層構造形成方法であって、
    前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでおり、
    前記ステップ(E)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる、
    多層構造形成方法。
  3. 液滴吐出装置を用いた多層構造形成方法であって、
    物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、
    前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、
    前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(C)と、
    前記第1絶縁層へ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層を覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(D)と、
    前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(E)と、
    を含んだ多層構造形成方法。
  4. 請求項3記載の多層構造形成方法であって、
    前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでおり、
    前記ステップ(C)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる、
    多層構造形成方法。
  5. 請求項1から4のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した配線基板の製造方法。
  6. 請求項1から4のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した電子機器の製造方法。
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