JP4100385B2 - 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の製造装置は、3つの液滴吐出装置を有している。3つの液滴吐出装置は、絶縁材料7A(図1)、導電性材料8A、絶縁材料9Aをそれぞれ吐出する装置である。なお、後述するように、これら絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aは、いずれも液状の材料の一種である。
図2(a)および(b)に示すように、液滴吐出装置1におけるヘッド114は、複数のノズル118を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド114は、振動板126と、ノズル118の開口を規定するノズルプレート128と、を備えている。そして、振動板126と、ノズルプレート128と、の間には、液たまり129が位置しており、この液たまり129には、図示しない外部タンクから孔131を介して供給される液状の材料111が常に充填される。
次に、制御部112の構成を説明する。図3に示すように、制御部112は、入力バッファメモリ200と、記憶装置202と、処理部204と、光源駆動部205と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208と、を備えている。入力バッファメモリ200と処理部204とは相互に通信可能に接続されている。処理部204と、記憶装置202と、光源駆動部205と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
上述の「液状の材料111」とは、ヘッド114のノズル118から液滴Dとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料111が水性であると油性であるとを問わない。ノズル118から吐出可能な流動性(粘度)を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料111の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であるのが好ましい。粘度が1mPa・s以上である場合には、液状の材料111の液滴Dを吐出する際にノズル118の周辺部が液状の材料111で汚染されにくい。一方、粘度が50mPa・s以下である場合は、ノズル118における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Dの吐出を実現できる。
まず、基板10Aの1つの表面SをUV洗浄する。UV洗浄によって、表面Sが洗浄されるだけでなく、後述する液状の絶縁材料7Aに対して表面Sが適切な親液性を呈するようになる。このため、本実施形態では、UV洗浄後の表面Sが、上述の被吐出部および被塗布部になる。また本実施形態では、表面Sが本発明の「物体表面」の一例である。
次に、図7に示すように、配線基板10に、液晶パネル32と半導体素子25とを実装する。具体的には、配線基板10の一部に、導電層8のパターンが絶縁層9に覆われていない部分を形成する。そして、露出した導電層8のパターンに、液晶パネルのパッド、または半導体素子25の対応するパッドを接合する。このようにして、液晶表示装置34が得られる。このように、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置34の製造に適用できる。なお、本実施形態では、半導体素子25は液晶ドライバ回路である。
上記実施形態によれば、3つの異なる液滴吐出装置1、2、3が、それぞれ絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aを吐出する。このような構成に代えて、1つの液滴吐出装置(例えば液滴吐出装置1)が、上述の絶縁材料7A、導電性材料8A、および絶縁材料9Aをすべて吐出してもよい。この場合、これら絶縁材料7A、導電性材料8A、絶縁材料9Aは、液滴吐出装置1における別々のノズル118から吐出されてもよいし、液滴吐出装置1における1つのノズル118から吐出されてもよい。1つのノズル118からこれら3つの液状の材料が吐出される場合には、液状の材料を切り換える際に、タンク101からノズル118までの経路を洗浄する工程を追加すればよい。
上記実施形態では、ポリイミドからなる基板10A上に多層構造が設けられる。しかしながら、このような基板10Aに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。
上記実施形態の導電性材料8Aには、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか1つが利用されてもよいし、または、いずれか2つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料8Aを利用することは好ましい。
上記実施形態では、絶縁層7と絶縁層9とは互い同じ材料からなる。ただし、絶縁層7と絶縁層9とが互いに異なる材料からなってもよい。たとえば、絶縁層7がアクリル樹脂であり、絶縁層9がポリイミド樹脂であってもよい。この場合には、絶縁材料7Aが、感光性アクリル樹脂のモノマーまたはオリゴマーを含んだ液状の材料であり、絶縁材料9Aが、感光性のポリイミド前駆体を含んだ液状の材料であればよい。つまり、この場合には、本発明の「第1感光性樹脂」および「第2感光性樹脂」が互いに異なる。
上記実施形態によれば、絶縁層7上に導電層8のパターンが形成される。しかしながら、上記実施形態の多層構造形成方法はこのような構造の形成に限定されない。具体的には、絶縁層7上の導電層8のパターンが省略されてもよい。そして、積層された複数の絶縁層の厚さの合計が所望の値になるように、液滴吐出装置を用いて絶縁材料層を形成することと、形成された絶縁材料層を硬化して絶縁層を得ることと、絶縁層の表面を親液化することと、親液化された絶縁層上に液滴吐出装置を用いて再び絶縁材料層を形成することと、を繰り返してもよい。
上記実施形態によれば、紫外域の波長の光を照射して、絶縁層7の表面および配線パターンの表面を親液化した。しかしながら、このような親液化に代えて、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするO2プラズマ処理を施しても、絶縁層7の表面および配線パターンの表面を親液化できる。O2プラズマ処理は、基板10A(基体10B)に対して、図示しないプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する処理である。O2プラズマ処理の条件は、プラズマパワーが50〜1000W、酸素ガス流量が50〜100mL/min、プラズマ放電電極に対する基体10の相対移動速度が0.5〜10mm/sec、基体温度が70〜90℃であればよい。
Claims (6)
- 液滴吐出装置を用いた多層構造形成方法であって、
物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、
前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、
前記第1絶縁層へ導電性材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層上に導電性材料層のパターンを形成するステップ(C)と、
前記導電性材料層のパターンを活性化して、前記第1絶縁層上に配線パターンを形成するステップ(D)と、
前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(E)と、
前記第1絶縁層と前記導電層とへ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層と前記導電層とを覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(F)と、
前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(G)と、
を含んだ多層構造形成方法。 - 請求項1記載の多層構造形成方法であって、
前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでおり、
前記ステップ(E)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる、
多層構造形成方法。 - 液滴吐出装置を用いた多層構造形成方法であって、
物体表面へ第1感光性樹脂を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記物体表面を覆う第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、
前記第1絶縁材料層を硬化して、第1絶縁層を得るステップ(B)と、
前記第1絶縁層の表面を親液化するステップ(C)と、
前記第1絶縁層へ第2感光性樹脂を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記第1絶縁層を覆う第2絶縁材料層を形成するステップ(D)と、
前記第2絶縁材料層を硬化するステップ(E)と、
を含んだ多層構造形成方法。 - 請求項3記載の多層構造形成方法であって、
前記ステップ(B)は、前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を硬化するステップを含んでおり、
前記ステップ(C)は、前記第1絶縁層の表面に、前記第1波長とは異なる第2波長の光を照射して、前記第1絶縁層の表面を親液化するステップを含んでいる、
多層構造形成方法。 - 請求項1から4のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した配線基板の製造方法。
- 請求項1から4のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した電子機器の製造方法。
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TWI277373B (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-21 | Foxconn Advanced Tech Inc | Method of continuous producing flexible printed circuit board |
CN102717596B (zh) * | 2007-02-21 | 2015-05-27 | 武藏工业株式会社 | 喷墨制膜方法 |
KR100946374B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2010-03-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
CN101752234B (zh) * | 2008-12-08 | 2011-12-07 | 财团法人工业技术研究院 | 具导通孔的电子元件及薄膜晶体管元件的制造方法 |
JP5615002B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-10-29 | 株式会社ミマキエンジニアリング | プリンタ装置およびその印刷方法 |
JP2012091454A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Canon Inc | 転写型インクジェット記録方法 |
CN103660540B (zh) * | 2012-09-25 | 2016-09-28 | 中国科学院理化技术研究所 | 电子器件印刷装置 |
JP5875496B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-03-02 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、およびパターン形成装置 |
JP2014107474A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板製造装置及び基板製造方法 |
KR20230169406A (ko) | 2012-12-27 | 2023-12-15 | 카티바, 인크. | 정밀 공차 내로 유체를 증착하기 위한 인쇄 잉크 부피 제어를 위한 기법 |
US11673155B2 (en) | 2012-12-27 | 2023-06-13 | Kateeva, Inc. | Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy |
JP2015026655A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 住友重機械工業株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
KR20160098376A (ko) | 2013-12-12 | 2016-08-18 | 카티바, 인크. | 두께를 제어하기 위해 하프토닝을 이용하는 잉크-기반 층 제조 |
JP5741759B1 (ja) * | 2014-11-06 | 2015-07-01 | 富士ゼロックス株式会社 | 配線部材、その製造方法及び設計方法、並びに電子機器 |
US9576699B2 (en) * | 2014-11-06 | 2017-02-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Wiring member, method of manufacturing the same, method of designing the same, and electronic apparatus |
CN104735917B (zh) * | 2015-03-30 | 2018-02-02 | 中国科学院化学研究所 | 一种柱状嵌入式柔性电路的制备方法及应用 |
JP6631052B2 (ja) * | 2015-07-02 | 2020-01-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
KR102454738B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2022-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 잉크젯 방식으로 배선을 제조하는 방법 및 장치 |
KR101983109B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2019-05-29 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 배경 인쇄제 인쇄 |
EP3569040A4 (en) * | 2017-01-11 | 2021-02-17 | Nano-Dimension Technologies Ltd. | MANUFACTURE OF RIGID-FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARDS BY INKJET PRINTING |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7078859B2 (en) * | 1995-03-31 | 2006-07-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Coating composition and use thereof |
JP3441047B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2003-08-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6337222B1 (en) * | 1998-02-18 | 2002-01-08 | Seiko Epson Corporation | Methods for fabricating distributed reflection multi-layer film mirrors |
JP2000158639A (ja) | 1998-11-30 | 2000-06-13 | Canon Inc | 画像形成装置及び画像形成方法 |
JP2003084123A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP4042497B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
JP3925283B2 (ja) | 2002-04-16 | 2007-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子機器の製造方法 |
JP2003311196A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-05 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、圧電体素子、並びにインクジェット式記録ヘッド |
JP4068883B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜配線の形成方法、膜構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
JP2004064039A (ja) | 2002-06-07 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
JP2004027145A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Tamura Kaken Co Ltd | 塗工用硬化性樹脂組成物、多層プリント配線板、プリント配線板及びドライフィルム |
JP2004055965A (ja) | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 配線基板及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP4138448B2 (ja) | 2002-10-28 | 2008-08-27 | トッパン・フォームズ株式会社 | 導電回路の形成方法 |
JP3801158B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 多層配線基板の製造方法、多層配線基板、電子デバイス及び電子機器 |
JP4479175B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2010-06-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | ハードコートフィルム、その製造方法、偏光板及び表示装置 |
JP3897006B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 多層配線の形成方法 |
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