KR100662837B1 - 다층 구조 형성 방법, 배선 기판의 제조 방법, 및 전자기기의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 잉크젯 법을 사용하여 안정된 다층 구조를 형성하는 것을 과제로 한다.
다층 구조 형성 방법은, 물체 표면에 제1 노즐로부터 제1 감광성 수지를 포함한 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과, 상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과, 상기 제1 절연층에 제2 노즐로부터 도전성 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층 상에 도전성 재료층의 패턴을 형성하는 스텝(Ｃ)과, 상기 도전성 재료층의 패턴을 활성화하여 상기 제1 절연층 상에 배선 패턴을 형성하는 스텝(Ｄ)을 포함하고 있다.
다층 구조 형성 방법, 감광성 수지, 절연 재료층, 도전성 재료

Description

다층 구조 형성 방법, 배선 기판의 제조 방법, 및 전자 기기의 제조 방법{METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC APPARATUS}
도 1은 본 실시 형태의 액체 방울 토출 장치를 나타내는 모식도.
도 2의 (ａ) 및 (ｂ)는 액체 방울 토출 장치에서의 헤드를 나타내는 모식도.
도 3은 액체 방울 토출 장치에서의 제어부의 기능 블럭도.
도 4의 (ａ) ~ (ｄ)는 본 실시 형태의 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 5의 (ａ) ~ (ｃ)는 본 실시 형태의 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 6의 (ａ) ~ (ｄ)는 본 실시 형태의 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 7은 본 실시 형태의 액정 표시 장치의 모식도.
도 8은 본 실시 형태의 휴대 전화기를 나타내는 모식도.
도 9는 본 실시 형태의 퍼스널 컴퓨터를 나타내는 모식도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
7 … 절연층
7Ａ … 제1 절연 재료,
7Ｂ … 제1 절연 재료층,
8 … 도전층,
8Ａ … 도전성 재료,
8Ｂ … 도전성 재료층,
9 … 제1 절연층,
9Ａ … 제2 절연 재료,
9Ｂ … 제2 절연 재료층,
10 … 배선 기판,
10Ａ … 기판,
10Ｂ … 기체,
25 … 반도체 소자,
32 … 액정 패널,
34 … 액정 표시 장치,
1, 2, 3 … 액체 방울 토출 장치,
104 … 제1 위치 제어 장치,
106 … 스테이지,
108 … 제2 위치 제어 장치,
112 … 제어부,
114 … 헤드,
118 … 노즐,
140 … 광 조사 장치,
500 … 휴대 전화기,
520 … 전기 광학 장치,
600 … 퍼스널 컴퓨터,
620 … 전기 광학 장치.
본 발명은, 액체 방울 토출 장치를 사용한 다층 구조 형성 방법에 관한 것으로, 특히 배선 기판의 제조나 전자 기기의 제조에 매우 적합한 다층 구조 형성 방법에 관한 것이다.
인쇄법에 따른 애디티브 프로세스(Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ)를 사용해 배선 기판이나 회로 기판을 제조하는 방법이 주목받고 있다. 박막의 도포 프로세스와 포트리소그래피 프로세스를 반복하여 배선 기판이나 회로 기판을 제조하는 방법에 비해, 애디티브 프로세스의 코스트는 낮기 때문이다.
이러한 애디티브 프로세스에 이용되는 기술의 하나로서, 잉크젯 법에 의한 도전성 패턴의 형성 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
[특허문헌 1] 일본공개특허 2004-6578호 공보
잉크젯 법을 사용해 수지 재료나 도전성 재료의 액체 방울을 배치하고, 절연층과, 그 절연층 상의 배선 패턴을 설치하는 경우에는 배선 패턴에 단선을 일으키는 경우가 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적의 하나는 잉크젯 법을 사용해 안정된 다층 구조를 형성하는 것이다.
본 발명의 다층 구조 형성 방법은 액체 방울 토출 장치를 사용한다. 이 다층 구조 형성 방법은, 물체 표면에 제1 감광성 수지를 포함한 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과, 상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과, 상기 제1 절연층에 도전성 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층 상에 도전성 재료층의 패턴을 형성하는 스텝(Ｃ)과, 상기 도전성 재료층의 패턴을 활성화하여 상기 제1 절연층 상에 배선 패턴을 형성하는 스텝(Ｄ)을 포함하고 있다.
상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 제1 절연 재료층을 경화한 후에 배선 패턴을 형성하므로, 배선 패턴의 단선이 생기지 않는 것이다.
본 발명의 어느 태양에 의하면, 상기 다층 구조 형성 방법은 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝(Ｅ)과, 상기 제1 절연층과 상기 도전층에 제2 감광성 수지를 포함한 제2 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층과 상기 도전층을 덮는 제2 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ｆ)과, 상기 제2 절연 재료층을 경화하는 스텝(Ｇ)을 더 포함하고 있다.
상기 구성에 의하면, 제1 절연층의 표면을 친액화하므로, 제1 절연층 상에 걸쳐서 표면이 평탄한 제2 절연층을 형성할 수 있다.
바람직하게는, 상기 스텝(Ｂ)은, 상기 제1 절연 재료층에 제1 파장의 광을 조사하여, 상기 제1 절연 재료층을 경화하는 스텝을 포함하고 있다. 그리고, 상기 스텝(Ｅ)은 상기 제1 절연층의 표면에 상기 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 조사하여 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝을 포함하고 있다.
상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 광 조사를 포함하는 스텝만으로 제1 절연 재료층의 경화와 제1 절연층의 친액화를 달성할 수 있는 것이다.
본 발명의 다층 구조 형성 방법은 액체 방울 토출 장치를 사용한다. 이 다층 구조 형성 방법은, 물체 표면에 제1 감광성 수지를 포함한 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과, 상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과, 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝(Ｃ)과, 상기 제1 절연층에 제2 감광성 수지를 포함한 제2 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층을 덮는 제2 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ｄ)과, 상기 제2 절연 재료층을 경화하는 스텝(Ｅ)을 포함하고 있다.
상기 구성에 의하면, 제1 절연층의 표면을 친액화하므로, 두께가 균일한 제2 절연층을 제1 절연층 상에 형성할 수 있다.
바람직하게는, 상기 스텝(Ｂ)은 상기 제1 절연 재료층에 제1 파장의 광을 조사하여, 상기 제1 절연 재료층을 경화하는 스텝을 포함하고 있다. 그리고, 상기 스 텝(Ｃ)은 상기 제1 절연층의 표면에 상기 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 조사하여 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝을 포함하고 있다.
상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 광 조사를 포함하는 스텝만으로, 제1 절연 재료층의 경화와 제1 절연층의 친액화를 달성할 수 있는 것이다.
또한 본 발명은, 여러 가지의 형태로 실현될 수 있다. 예를 들면, 배선 기판의 제조 방법이나 전자 기기의 제조 방법의 형태로 본 발명은 실현된다.
(Ａ. 액체 방울 토출 장치의 전체 구성)
본 실시 형태의 제조 장치는, 3개의 액체 방울 토출 장치를 가지고 있다. 3개의 액체 방울 토출 장치는 절연 재료(7Ａ)(도 1), 도전성 재료(8Ａ), 절연 재료(9Ａ)를 각각 토출하는 장치이다.
또한 후술하는 바와 같이, 이들 절연 재료(7Ａ), 도전성 재료(8Ａ), 절연 재료(9Ａ)는 모두 액상 재료의 일종이다.
도 1에 나타내는 액체 방울 토출 장치(1)는 기본적으로는 잉크젯 장치이다. 보다 구체적으로는, 액체 방울 토출 장치(1)는 액상 재료(111)를 유지하는 탱크(101)와, 튜브(110)와, 그랜드 스테이지(ＧＳ)와, 토출 헤드부(103)와, 스테이지(106)와, 제1 위치 제어 장치(104)와, 제2 위치 제어 장치(108)와, 제어부(112)와, 광 조사 장치(140)와, 지지부(104ａ)를 구비하고 있다. 또한 다른 2개의 액체 방울 토출 장치(2, 3)의 구조 및 기능은, 액체 방울 토출 장치(1)의 구조 및 기능과 기본적으로 같고, 이 때문에 이들 2개의 액체 방울 토출 장치(2, 3)의 구조 및 기능의 설명은 생략한다.
토출 헤드부(103)는 헤드(114)(도 2)를 유지하고 있다. 이 헤드(114)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라 액상 재료(111)의 액체 방울을 토출한다. 또한, 토출 헤드부(103)에서의 헤드(114)는 튜브(110)에 의해서 탱크(101)에 연결되어 있고, 이 때문에, 탱크(101)로부터 헤드(114)에 액상 재료(111)가 공급된다.
스테이지(106)는 기판(10Ａ)을 고정하기 위한 평면을 제공하고 있다. 스테이지(106)는 흡인력을 사용해 기판(10Ａ)의 위치를 고정하는 기능도 가진다. 여기서, 기판(10Ａ)은 폴리이미드로 이루어지는 플렉시블 기판이며, 그 형상은 테이프 형상이다. 그리고, 기판(10Ａ)의 양단(兩端)은 도시하지 않는 한 쌍의 릴에 고정되어 있다.
제1 위치 제어 장치(104)는 지지부(104ａ)에 의해서 그랜드 스테이지(ＧＳ)로부터 소정의 높이의 위치에 고정되어 있다. 이 제1 위치 제어 장치(104)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 토출 헤드부(103)를 Ｘ축 방향과, Ｘ축 방향에 직교하는 Ｚ축 방향에 따라서 이동시키는 기능을 가진다. 또한, 제1 위치 제어 장치(104)는 Ｚ축에 평행한 축의 회전으로 토출 헤드부(103)를 회전시키는 기능도 가진다. 여기서, 본 실시 형태에서는, Ｚ축 방향은 연직 방향(즉, 중력가속도의 방향)에 평행한 방향이다.
제2 위치 제어 장치(108)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 스테이지(106)를 그랜드 스테이지(ＧＳ)상에서 Ｙ축 방향으로 이동시킨다. 여기서, Ｙ축 방향은 Ｘ축 방향 및 Ｚ축 방향의 쌍방과 직교하는 방향이다.
상기와 같은 기능을 가지는 제1 위치 제어 장치(104)의 구성과 제2 위치 제 어 장치(108)의 구성은, 리니어 모터(linear motor)나 써보 모터(servomotor)를 이용한 공지의 ＸＹ 로봇을 사용해서 실현할 수 있다. 이 때문에, 여기에서는 그들의 상세한 구성의 설명을 생략한다. 또한 본 명세서에서는, 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)를 「로봇」또는「주사부」라고도 표기한다.
그런데 위에서 설명한 바와 같이, 제1 위치 제어 장치(104)에 의해서 토출 헤드부(103)는 Ｘ축 방향으로 이동한다. 그리고, 제2 위치 제어 장치(108)에 의해서 기판(10Ａ)은 스테이지(106)과 함께 Ｙ축 방향으로 이동한다. 이들의 결과, 기판(10Ａ)에 대한 헤드(114)의 상대 위치가 바뀐다. 보다 구체적으로는, 이들 동작에 의해서, 토출 헤드부(103), 헤드(114), 또는 노즐(118)(도 2)은 기판(10Ａ)에 대해서 Ｚ축 방향으로 소정의 거리를 유지하면서, Ｘ축 방향 및 Ｙ축 방향으로 상대적으로 이동, 즉 상대적으로 주사한다.「상대 이동」또는「상대 주사」란, 액상 재료(111)를 토출하는 측과, 거기로부터의 토출물이 착탄하는 측(피토출부)이 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동하는 것을 의미한다.
제어부(112)는, 액상 재료(111)의 액체 방울을 토출해야 할 상대 위치를 나타내는 토출 데이터를 외부 정보 처리 장치로부터 받도록 구성되어 있다. 제어부(112)는 받은 토출 데이터를 내부 기억 장치에 저장하는 동시에, 저장된 토출 데이터에 따라, 제1 위치 제어 장치(104)와, 제2 위치 제어 장치(108)와, 헤드(114)를 제어한다. 또한, 토출 데이터는 기판(10Ａ) 상에 액상 재료(111)를 소정 패턴으로 부여하기 위한 데이터이다. 본 실시 형태에서는, 토출 데이터는 비트 맵 데이터의 형태를 가지고 있다.
상기 구성을 가지는 액체 방울 토출 장치(1)는, 토출 데이터에 따라 헤드(114)의 노즐(118)(도 2)을 기판(10Ａ)에 대해서 상대 이동시키는 동시에, 피토출부를 향하여 노즐(118)로부터 액상 재료(111)를 토출한다. 또한, 액체 방울 토출 장치(1)에 의한 헤드(114)의 상대 이동과, 헤드(114)로부터의 액상 재료(111)의 토출을 한데 모아 「도포 주사」또는 「토출 주사」라고 표기하기도 한다.
본 명세서에서는, 액상 재료(111)의 액체 방울이 착탄하는 부분을 「피토출부」라고도 표기한다.
그리고, 착탄한 액체 방울이 젖어 퍼지는 부분을 「피도포부」라고도 표기한다. 「피토출부」 및 「피도포부」 모두, 액상 재료가 원하는 접촉각을 나타내도록, 하지(下地)의 물체에 표면 개질 처리가 실시됨으로써 형성된 부분이기도 하다. 다만, 표면 개질 처리를 행하지 않아도 하지의 물체의 표면이 액상 재료에 대해서 원하는 발액성 또는 친액성을 나타내는(즉, 착탄한 액상 재료가 하지의 물체의 표면 위에서 바람직한 접촉각을 나타낸다) 경우에는, 하지의 물체의 표면 그 자체가 「피토출부」또는 「피도포부」이어도 좋다. 또한, 본 명세서에서는, 「피토출부」를 「타겟」또는「수용부」라고도 표기한다.
그런데, 도 1로 돌아가서, 광 조사 장치(140)는 기판(10Ａ)에 부여된 액상 재료(111)에 자외광을 조사하는 장치이다. 광 조사 장치(140)의 자외광 조사의 ＯＮ·ＯＦＦ도 제어부(112)에 의해 제어된다.
또한 잉크젯 법으로 층, 막, 또는 패턴을 형성한다는 것은, 상술한 바와 같은 액체 방울 토출 장치(1)를 사용하여 소정의 물체 위에 층, 막, 또는 패턴을 형 성하는 것이다.
(Ｂ. 헤드)
도 2(ａ) 및 (ｂ)에 나타내는 바와 같이, 액체 방울 토출 장치(1)에서의 헤드(114)는, 복수의 노즐(118)을 가지는 잉크젯 헤드이다. 구체적으로는, 헤드(114)는 진동판(126)과, 노즐(118)의 개구(開口)를 규정하는 노즐 플레이트(128)를 구비하고 있다. 그리고, 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에는, 액체 뱅크(129)가 위치하고 있고, 이 액체 뱅크(129)에는 도시하지 않은 외부 탱크로부터 구멍(131)을 통하여 공급되는 액상 재료(111)가 항상 충전된다.
또, 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에는, 복수의 격벽(122)이 위치하고 있다. 그리고, 진동판(126)과, 노즐 플레이트(128)와, 한 쌍의 격벽(122)에 의해서 둘러싸인 부분이 캐비티(120)이다. 캐비티(120)는 노즐(118)에 대응하여 설치되어 있기 때문에, 캐비티(120)의 수와 노즐(118)의 수는 같다. 캐비티(120)에는, 한 쌍의 격벽(122) 간에 위치하는 공급구(130)를 통하여 액체 뱅크(129)로부터 액상 재료(111)가 공급된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 노즐(118)의 직경은 약 27μｍ이다.
그런데, 진동판(126) 상에는 각각의 캐비티(120)에 대응하여 각각의 진동자(124)가 위치한다. 진동자(124)의 각각은 피에조 소자(124)(Ｃ)와, 피에조 소자(124)(Ｃ)를 사이에 끼우는 한 쌍의 전극(124Ａ, 124Ｂ)을 포함한다. 제어부(112)가 이 한 쌍의 전극(124Ａ, 124Ｂ) 사이에 구동 전압을 줌으로써, 대응하는 노즐(118)로부터 액상 재료(111)의 액체 방울(Ｄ)이 토출된다. 여기서, 노즐(118)로부 터 토출되는 재료의 체적은, 0ｐｌ 이상 42ｐｌ(피코 리터) 이하의 사이에서 가변이다. 또한, 노즐(118)로부터 Ｚ축 방향으로 액상 재료(111)의 액체 방울(Ｄ)이 토출되도록 노즐(118)의 형상이 조정되어 있다.
본 명세서에서는, 1개의 노즐(118)과, 노즐(118)에 대응하는 캐비티(120)와, 캐비티(120)에 대응하는 진동자(124)를 포함한 부분을 「토출부(127)」라고 표기하기도 한다. 이 표기에 의하면, 1개의 헤드(114)는 노즐(118)의 수와 같은 수의 토출부(127)를 가진다. 토출부(127)는 피에조 소자 대신에 전기 열 변환 소자를 가져도 좋다. 즉, 토출부(127)는 전기 열 변환 소자에 의한 재료의 열 팽창을 이용하여 재료를 토출하는 구성을 가지고 있어도 좋다.
(Ｃ. 제어부)
다음에, 제어부(112)의 구성을 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어부(112)는 입력 버퍼 메모리(200)와, 기억 장치(202)와, 처리부(204)와, 광원 구동부(205)와, 주사 구동부(206)와, 헤드 구동부(208)를 구비하고 있다. 입력 버퍼 메모리(200)와 처리부(204)는 서로 통신 가능하게 접속되어 있다. 처리부(204)와, 기억 장치(202)와, 광원 구동부(205)와, 주사 구동부(206)와, 헤드 구동부(208)는 도시하지 않은 버스(bus)에 의해서 서로 통신 가능하게 접속되어 있다.
광원 구동부(205)는 광 조사 장치(140)와 통신 가능하게 접속되어 있다. 또한 주사 구동부(206)는 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)와 서로 통신 가능하게 접속되어 있다. 마찬가지로, 헤드 구동부(208)는 헤드(114)와 서로 통신 가능하게 접속되어 있다.
입력 버퍼 메모리(200)는, 액체 방울 토출 장치(1)의 외부에 위치하는 외부 정보 처리 장치(도시 생략)로부터 액상 재료(111)의 액체 방울을 토출하기 위한 토출 데이터를 받는다. 입력 버퍼 메모리(200)는, 토출 데이터를 처리부(204)에 공급하고, 처리부(204)는 토출 데이터를 기억 장치(202)에 저장한다. 도 3에서는, 기억 장치(202)는 ＲＡＭ이다.
처리부(204)는, 기억 장치(202) 내의 토출 데이터에 의거하여 피토출부에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 나타내는 데이터를 주사 구동부(206)에 준다. 주사 구동부(206)는 이 데이터와, 토출 주기에 따른 스테이지 구동 신호를 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)에 부여한다. 이 결과, 피토출부에 대한 토출 헤드부(103)의 상대 위치가 바뀐다. 한편, 처리부(204)는, 기억 장치(202)에 기억된 토출 데이터에 의거하여 액상 재료(111)의 토출에 필요한 토출 신호를 헤드(114)에 준다. 이 결과, 헤드(114)에서의 대응하는 노즐(118)로부터 액상 재료(111)의 액체 방울(Ｄ)이 토출된다.
또, 처리부(204)는, 기억 장치(202) 내의 토출 데이터에 의거하여 광 조사 장치(140)를 ＯＮ 상태 및 ＯＦＦ 상태 중 어느 한쪽의 상태로 한다. 구체적으로는, 광원 구동부(205)가 광 조사 장치(140)의 상태를 설정할 수 있도록, 처리부(204)는 ＯＮ 상태 또는 ＯＦＦ 상태를 나타내는 각각의 신호를 광원 구동부(205)에 공급한다.
제어부(112)는, ＣＰＵ, ＲＯＭ, ＲＡＭ, 버스를 포함한 컴퓨터이다. 따라서, 제어부(112)의 상기 기능은 컴퓨터에 의해서 실행되는 소프트웨어 프로그램에 의해서 실현된다. 물론, 제어부(112)는, 전용 회로(하드웨어)에 의해 실현되어도 좋다.
(Ｄ. 액상 재료)
상술한 「액상 재료(111)」란, 헤드(114)의 노즐(118)로부터 액체 방울(Ｄ)로서 토출될 수 있는 점도를 가지는 재료를 말한다. 여기서, 액상 재료(111)가 수성인지 유성인지는 상관 없다. 노즐(118)로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입해 있어도 전체적으로 유동체이면 된다. 여기서, 액상 재료(111)의 점도는 1ｍＰａ·ｓ 이상 50ｍＰａ·ｓ 이하인 것이 바람직하다. 점도가 1ｍＰａ·ｓ 이상인 경우에는, 액상 재료(111)의 액체 방울(Ｄ)을 토출할 때에 노즐(118)의 주변부가 액상 재료(111)에 오염되기 어렵다. 한편, 점도가 50 ｍＰａ·ｓ 이하인 경우는, 노즐(118)에서의 막힘 빈도가 작고, 이 때문에 원활한 액체 방울(Ｄ)의 토출을 실현할 수 있다.
후술하는 도전성 재료(8Ａ)(도 4(ｄ))는, 상술한 액상 재료(111)의 일종이다. 본 실시 형태의 도전성 재료(8Ａ)는, 평균 입경이 10ｎｍ 정도의 은 입자와, 분산매를 포함한다. 그리고 도전성 재료(8Ａ)에서 은 입자는 분산매 중에 안정되게 분산되어 있다. 또한, 은 입자는 코팅제에 의해 피복되어 있어도 좋다. 여기서, 코팅제란 은 원자에 배위 가능한 화합물이다.
이러한 코팅제로서, 아민, 알코올, 티올 등이 알려져 있다. 보다 구체적으로는, 코팅제로서 2-메틸 아미노 에탄올, 디에탄올 아민, 디에틸 메틸 아민, 2-디메틸 아미노 에탄올, 메틸 디에탄올 아민 등의 아민 화합물, 알킬 아민류, 에틸렌 디 아민, 알킬 알코올류, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 알킬 티올류, 에탄 디티올을 사용할 수 있다.
분산매(또는 용매)로서는, 은 나노 입자 등의 도전성 미립자를 분산시킬 수 있는 것으로, 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, ｎ-헵탄, ｎ-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라 데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜틴, 테트라히드로 나프탈렌, 데카히드로 나프탈렌, 시클로헥실 벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌글리콜 메틸 에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸 에틸 에테르, 1, 2-디메톡시 에탄, 비스(2-메톡시 에틸) 에테르, ｐ-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한, 프로필렌 카보네이트, γ-부티롤락톤, Ｎ-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 포름 아미드, 디메틸 설폭사이드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 도전성 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또 액체 방울 토출법에의 적용의 용이점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로서는, 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.
또한, 평균 입경이 1ｎｍ 정도부터 수 100ｎｍ까지의 입자는, 「나노 입자」라고도 표기된다. 이 표기에 의하면, 도전성 재료(8Ａ)는 은 나노 입자를 포함하고 있다.
또한, 후술하는 절연 재료(7Ａ)(도 4) 및 절연 재료(9Ａ)(도 6)도, 액상 재 료(111)이다. 절연 재료(7Ａ) 및 절연 재료(9Ａ)는, 감광성 수지를 포함하고 있다. 그리고, 본 실시 형태의 감광성 수지는, 광중합 개시제와, 아크릴산의 모노머(monomer) 및/또는 올리고머를 포함하고 있다. 본 실시 형태의 아크릴계의 감광성 수지가, 본 발명의 「제1 감광성 수지」 및 「제2 감광성 수지」에 대응한다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는 「제1 감광성 수지」와「제2 감광성 수지」는 서로 같다.
이하에서는, 본 실시 형태의 다층 구조 형성 방법을 이용한 배선 기판의 제조 방법을 설명한다.
(Ｅ. 제조 방법)
우선, 기판(10Ａ)의 1개의 표면(Ｓ)을 ＵＶ 세정한다. ＵＶ 세정에 의해서, 표면(Ｓ)이 세정될 뿐만 아니라, 후술하는 액상의 절연 재료(7Ａ)에 대해서 표면(Ｓ)이 적절한 친액성을 나타내게 된다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는 ＵＶ 세정 후의 표면(Ｓ)이 상술한 피토출부 및 피도포부가 된다. 또, 본 실시 형태에서는 표면(Ｓ)이 본 발명의 「물체 표면」의 일례이다.
다음에, 도 4(ａ)에 나타내는 바와 같이, 액체 방울 토출 장치(1)를 사용하여 표면(Ｓ)의 전체면에 절연 재료층(7Ｂ)을 형성한다. 구체적으로는, 우선, 기판(10Ａ)을 액체 방울 토출 장치(1)의 스테이지(106) 상에 위치 결정한다. 그러면, 액체 방울 토출 장치(1)는, 표면(Ｓ)에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 2차원적(즉, Ｘ축 방향 및 Ｙ축 방향)으로 변화시킨다. 그리고, 액체 방울 토출 장치(1)는 제1 토출 데이터에 따라 표면(Ｓ)을 향해서 액상의 절연 재료(7Ａ)의 액체 방울(Ｄ)을 소정의 주기로 노즐(118)로부터 토출한다. 그러면, 표면(Ｓ)의 전역에 걸쳐 소정 피치로 복수의 액체 방울(Ｄ)이 착탄해 젖어 퍼진다. 그리고, 착탄된 복수의 액체 방울(Ｄ)이 젖어 퍼지면, 표면(Ｓ)을 덮는 절연 재료층(7Ｂ)을 얻을 수 있다. 또한, 토출되는 절연 재료(7Ａ)의 액체 방울(Ｄ)의 체적과 수는, 후술하는 경화 공정 후에 얻어지는 절연층(7)(도 4(ｃ))의 두께가 약 10μｍ가 되도록 설정되어 있다.
여기서, 액체 방울 토출 장치(1)의 헤드(114)에서의 노즐(118)은 「제1 노즐」이라고도 표기된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 기판(10Ａ)과, 기판(10Ａ) 상에 설치된 하나 이상의 층을 한데 모아 「기체(10Ｂ)」라고도 표기한다.
절연 재료층(7Ｂ)을 형성한 후에, 도 4(ｂ) 및 (ｃ)에 나타내는 바와 같이, 얻어진 절연 재료층(7Ｂ)을 경화하여 절연층(7)을 형성한다. 구체적으로는, 광 조사 장치(140)로부터 자외선 영역에 속하는 제1 파장을 가지는 광을 약 60초간 절연 재료층(7Ｂ)에 조사하여 절연층(7)을 얻는다. 본 실시 형태에서는, 절연 재료층(7Ｂ)에 조사하는 광의 파장은 365ｎｍ이다.
이와 같이, 후술하는 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴(도 4(ｄ))을 형성하기 전에, 그 하지가 되는 절연 재료층(7Ｂ)을 경화하므로, 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴에서 단선이 생기지 않는다.
다음에, 도 4(ｄ)에 나타내는 바와 같이, 액체 방울 토출 장치(2)를 사용하여 절연층(7) 상에 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴을 형성한다. 구체적으로는, 우선, 기판(10Ａ)을 액체 방울 토출 장치(2)의 스테이지(106) 상에 위치 결정한다. 그러 면, 액체 방울 토출 장치(2)는 절연층(7)의 표면에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 2차원적으로 변화시킨다. 그리고, 액체 방울 토출 장치(2)는, 제2 토출 데이터에 따라 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴에 대응하는 위치에 노즐(118)이 도달할 때마다, 절연층(7)의 표면을 향해서 액상의 도전성 재료(8Ａ)의 액체 방울(Ｄ)을 노즐(118)로부터 토출한다. 그러면, 절연층(7) 상에 복수의 액체 방울(Ｄ)이 착탄하여 젖어 퍼진다. 그리고, 착탄된 복수의 액체 방울(Ｄ)이 젖어 퍼지면, 절연층(7) 상에 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴이 형성된다. 또한, 토출되는 도전성 재료(8Ａ)의 액체 방울(Ｄ)의 체적과 수는, 후술하는 가열 공정 후에 얻어지는 도전층(8)(도 5(ｂ))의 두께가 약 4μｍ가 되도록 설정되어 있다.
여기서, 액체 방울 토출 장치(2)의 헤드(114)에서의 노즐(118)은 「제2 노즐」이라고도 표기된다.
또한, 본 실시 형태에서는 도 5(ａ)에 나타내는 바와 같이, 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴은, 서로 평행한 2개의 스트라이프부를 포함한다. 2개의 스트라이프부의 각각은, 절연층(7)의 일부분 상에 위치하고 있다. 또, 2개의 스트라이프부의 각각의 폭은 약 50μｍ이며, 그 길이 방향은 도 5(ａ)의 지면에 수직인 방향으로 연장하고 있다.
다음에, 도 5(ａ)에 나타내는 바와 같이, 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴을 활성화하여, 도 5(ｂ)에 나타내는 도전층(8)의 패턴을 형성한다. 구체적으로는, 크린 히터를 사용하여 150℃의 온도로 30분간, 도전성 재료층(8Ｂ)의 패턴을 소성(가열)한다. 그러면, 도전성 재료층(8Ｂ)에서의 은 입자가 소결 또는 융착하여 도전층(8) 의 패턴을 얻을 수 있다. 여기서, 도전층(8)의 패턴은, 본 발명의 「배선 패턴」에 대응한다. 또한, 본 명세서에서는 도전층(8)의 패턴을 「도전 패턴」이라고도 표기한다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 절연층(7)과 배선 패턴을 덮는 절연 재료층(9Ｂ)(후술)을 설치하기 전에, 미리 도전성 재료층(8Ｂ)을 소성하여 도전층(8)을 형성해 둔다. 그러면, 얻어지는 도전층(8)이 절연 재료층(9Ｂ)의 경화에 의한 응력에 의해 변형될 가능성이 보다 낮아진다. 절연층(7)과 도전층(8) 사이의 밀착력이, 절연층(7)과 도전성 재료층(8Ｂ)(활성화되기 전의 도전층(8)) 사이의 밀착력보다 강하기 때문이다.
배선 패턴(도전층(8)의 패턴)을 형성한 다음에, 도 5(ｃ)에 나타내는 바와 같이, 절연층(7)의 표면과, 배선 패턴의 표면을 친액화한다. 구체적으로는, 상술한 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 약 60초, 절연층(7)의 표면과 도전층(8)의 표면에 균일하게 조사한다. 본 실시 형태에서는, 제2 파장은 172ｎｍ이다. 그러면, 절연층(7)의 표면과 배선 패턴의 표면은, 후술하는 액상의 절연 재료(9Ａ)(도 6(ａ))에 대해서 친액성을 나타내게 된다. 여기서, 친액성의 정도를 나타내는 지표의 하나는, 「접촉각」이다. 본 실시 형태에서는, 친액화된 절연층(7)의 표면 또는 배선 패턴의 표면에 절연 재료(9Ａ)의 액체 방울(Ｄ)이 접촉했을 경우, 그들 표면과 액체 방울(Ｄ)이 이루는 접촉각은 20도 이하이다.
절연층(7)의 표면과 배선 패턴의 표면을 친액화하는 이유는 다음과 같다. 절연층(7)을 얻기 위한 경화 공정, 또는 배선 패턴을 얻기 위한 소성(가열) 공정을 거치면, 이들 표면은, 액상의 절연 재료(9Ａ)에 대해서 발액성을 나타내게 된다. 여기서, 물체 표면이 발액성을 나타내는 경우에는, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 층을 형성하는 것이 곤란하게 된다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 소성 공정 후에 절연층(7)의 표면 및 배선 패턴의 표면이 친액화되므로, 절연 재료(9Ａ)의 액체 방울이 젖어 퍼지는 정도(친액성의 정도)가, 절연층(7)의 표면 및 배선 패턴(25)의 표면에 걸쳐 다시 커진다. 이 때문에, 이들 표면상에 걸쳐, 평탄한 표면을 가지는 절연층(9)을 형성할 수 있다. 또한, 절연층(7) 상 및 배선 패턴 상의 각각에서, 절연층(9)의 두께는 균일하게 된다.
상술한 친액화를 행한 후에, 도 6(ａ)에 나타내는 바와 같이, 액체 방울 토출 장치(3)를 사용하고, 절연층(7)과, 도전층(8)의 패턴을 덮는 절연 재료층(9Ｂ)을 형성한다. 구체적으로는, 기판(10Ａ)을 액체 방울 토출 장치(3)의 스테이지(106) 상에 위치 결정한다. 그러면, 액체 방울 토출 장치(3)는, 절연층(7)과 도전층(8)의 패턴에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 2차원적으로 변화시킨다. 그리고, 액체 방울 토출 장치(3)는, 제3 토출 데이터에 따라 절연층(7)과 도전층(8)의 패턴을 향해서, 액상의 절연 재료(9Ａ)의 액체 방울(Ｄ)을 소정의 주기로 노즐(118)로부터 토출한다. 그러면, 절연층(7)과 도전층(8)의 패턴 전역에 걸쳐 소정 피치로 복수의 액체 방울(Ｄ)이 착탄해 젖어 퍼진다. 그리고, 착탄된 복수의 액체 방울(Ｄ)이 젖어 퍼지면, 절연층(7)과, 도전층(8)의 패턴을 덮는 절연 재료층(9Ｂ)을 얻을 수 있다. 또한, 토출되는 절연 재료(9Ａ)의 액체 방울(Ｄ)의 체적과 수는, 후술하는 가열 공정 후에 얻어지는 절연층(9)(도 6(ｄ))의 두께가 약 10μｍ가 되도록 설정되어 있다.
여기서, 액체 방울 토출 장치(3)의 헤드(114)에서의 노즐(118)은 「제3 노즐」이라고도 표기된다.
절연 재료층(9Ｂ)을 형성한 후에, 도 6(ｂ)에 나타내는 바와 같이, 얻어진 절연 재료층(9Ｂ)을 반경화하여 절연 재료층(9Ｂ＇)을 형성한다. 구체적으로는, 광 조사 장치(140)로부터 자외선 영역의 파장을 가지는 광을 약 4초간, 절연 재료층(9Ｂ)에 조사하여 반경화 상태에 있는 절연 재료층(9Ｂ＇)을 얻는다. 본 실시 형태에서는, 절연 재료층(9Ｂ)에 조사하는 광의 파장은 365ｎｍ이다.
여기서, 절연 재료층 또는 절연 재료가 반경화한다는 것은, 절연 재료층을 구성하는 감광성 수지의 상태가, 토출시의 상태와 광 조사에 의한 실질적인 경화 상태 사이 상태가 되는 것을 의미한다. 본 실시 형태에서는, 이러한 중간 상태가 상술하는 「반경화 상태」이다. 또한, 토출시의 상태란, 감광성 수지(절연 재료(7Ａ))가 노즐(118)로부터 토출될 수 있는 점성을 가지고 있는 상태이다.
또한, 절연 재료층(9Ｂ)을 반경화하는 대신에, 절연 재료층(9Ｂ)에 광을 조사하는 시간을 보다 길게 하여(예를 들면 60초), 절연 재료층(9Ｂ)을 실질적으로 경화해도 좋다.
반경화 상태에 있는 절연 재료층(9Ｂ＇)을 얻은 후에, 도 6(ｃ)에 나타내는 바와 같이, 기체(10Ｂ)를 가열하여 열량(Ｑ)를 부여한다. 본 실시 형태에서는, 크린 오븐을 사용하여 150도의 온도로 약 60분간 기체(10Ｂ)를 가열한다. 이 가열에 의해 절연 재료층(9Ｂ＇)에서의 감광성 수지의 중합 반응이 더 진행되어 절연 재료 층(9Ｂ＇)이 경화한다. 이 결과, 절연 재료층(9Ｂ＇)이 절연층(9)으로 된다. 또한, 절연 재료층(9Ｂ)이 광 조사에 의해서 경화되고 있는 경우에서도, 이러한 가열 공정을 실시하는 것은 바람직하다.
여기서, 먼저 형성된 절연층(7)에, 중합 반응이 완전치 못한 모노머나 올리고머가 존재하고 있는 경우에도, 절연 재료층(9Ｂ＇)을 경화하기 위한 가열 공정에 의해서, 절연층(7)에서의 중합 반응은 확실히 종료한다. 마찬가지로, 이 가열 공정에 의해서, 도전층(8)에서의 은 나노 입자의 소결 또는 융착이 완전하게 진행하므로, 도전층(8)에서의 전기적 도통이 보다 확실하게 이루어진다.
이상의 공정에 의해서, 도 6(ｄ)에 나타내는 바와 같이, 기판(10Ａ)을 덮는 절연층(7)과, 절연층(7) 상에 위치하는 도전층(8)의 패턴과, 절연층(7)과 도전층(8)의 패턴을 덮는 절연층(9)으로 이루어지는 다층 구조를 얻을 수 있다. 본 실시 형태에서는, 절연층(7) 및 절연층(9)은 아크릴 수지이며, 도전층(8)은 은 배선이다. 또한, 도전층(8)이 설치된 기판(10Ａ)을 「배선 기판(10)」이라고도 표기한다.
(Ｆ. 실장 공정)
다음에, 도 7에 나타내는 바와 같이, 배선 기판(10)에 액정 패널(32)과 반도체 소자(25)를 실장한다. 구체적으로는, 배선 기판(10)의 일부에, 도전층(8)의 패턴이 절연층(9)으로 덮이지 않는 부분을 형성한다. 그리고, 노출된 도전층(8)의 패턴에, 액정 패널의 패드, 또는 반도체 소자(25)의 대응하는 패드를 접합한다. 이와 같이 하여, 액정 표시 장치(34)를 얻을 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 제조 방법은, 액정 표시 장치(34)의 제조에 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 반도체 소자(25)는 액정 드라이버 회로이다.
또한, 본 실시 형태의 제조 방법은, 액정 표시 장치의 제조뿐만 아니라, 여러 가지의 전기 광학 장치의 제조에도 적용된다. 여기서 말하는 「전기 광학 장치」란, 복굴절성의 변화나, 선광성(旋光性)의 변화나, 광산란성의 변화 등의 광학적 특성의 변화(이른바, 전기 광학 효과)를 이용하는 장치에 한정되지 않고, 신호 전압의 인가에 따라 광을 사출, 투과, 또는 반사하는 장치 전반을 의미한다.
구체적으로는, 전기 광학 장치는 액정 표시 장치, 일렉트로루미네선스 표시장치, 플라즈마 표시장치, 표면 전도형 전자 방출 소자를 사용한 디스플레이(ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ-Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ-Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｄｉｓｐｌａｙ), 전계 방출 디스플레이(ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ) 등을 포함한 용어이다.
또한, 본 실시 형태의 다층 구조 형성 방법은, 여러 가지 전자 기기의 제조 방법에 적용될 수 있다. 예를 들면, 도 8에 나타내는, 전기 광학 장치(520)를 구비한 휴대 전화기(500)의 제조 방법이나, 도 9에 나타내는, 전기 광학 장치(620)를 구비한 퍼스널 컴퓨터(600)의 제조 방법에도, 본 실시 형태의 제조 방법이 적용된다.
(변형예 1)
상기 실시 형태에 의하면, 3개의 다른 액체 방울 토출 장치(1, 2, 3)가, 각각 절연 재료(7Ａ), 도전성 재료(8Ａ), 절연 재료(9Ａ)를 토출한다. 이러한 구성에 대신하여, 1개의 액체 방울 토출 장치(예를 들면, 액체 방울 토출 장치(1))가, 상 술한 절연 재료(7Ａ), 도전성 재료(8Ａ), 및 절연 재료(9Ａ)를 모두 토출해도 좋다. 이 경우, 이들 절연 재료(7Ａ), 도전성 재료(8Ａ), 절연 재료(9Ａ)는 액체 방울 토출 장치(1)에서의 다른 노즐(118)로부터 토출되어도 좋고, 액체 방울 토출 장치(1)에서의 1개의 노즐(118)로부터 토출되어도 좋다. 1개의 노즐(118)로부터 이들 3개의 액상 재료가 토출되는 경우에는, 액상 재료를 교체할 때에 탱크(101)로부터 노즐(118)까지의 경로를 세정하는 공정을 추가하면 좋다.
여기서, 1개의 노즐로부터 이들 3개의 액상 재료가 토출되는 경우에는, 상술한 「제1 노즐」과, 「제2 노즐」과, 「제3 노즐」은, 1개의 같은 노즐(118)에 대응한다.
(변형예 2)
상기 실시 형태에서는, 폴리이미드로 이루어지는 기판(10Ａ) 상에 다층 구조가 설치된다. 그러나, 이러한 기판(10Ａ)에 대신하여 세라믹 기판이나 유리 기판이나 에폭시 기판이나 유리 에폭시 기판이나 실리콘 기판 등이 사용되어도, 상기 실시 형태에서 설명한 효과와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(변형예 3)
상기 실시 형태의 도전성 재료(8Ａ)에는 은 나노 입자가 포함되어 있다. 그러나, 은 나노 입자에 대신하여 다른 금속의 나노 입자가 사용되어도 좋다. 여기서, 다른 금속으로서, 예를 들면 금, 백금, 구리, 팔라듐, 로듐, 오스뮴, 루테늄, 이리듐, 철, 주석, 아연, 코발트, 니켈, 크롬, 티탄, 탄탈, 텅스텐, 인듐 중 어느 1개가 사용되어도 좋고, 또는, 어느 것이든 2개 이상이 조합된 합금이 이용되어도 좋다. 다만, 은은 비교적 저온에서 환원할 수 있기 때문에 취급이 용이하며, 이 점에서, 액체 방울 토출 장치를 사용하는 경우에는, 은 나노 입자를 포함한 도전성 재료(8Ａ)를 이용하는 것은 바람직하다.
또, 도전성 재료(8Ａ)가, 금속의 나노 입자에 대신하여 유기 금속 화합물을 포함하고 있어도 좋다. 여기서 말하는 유기 금속 화합물은, 가열에 의한 분해에 의해서 금속이 석출하는 화합물이다. 이러한 유기 금속 화합물에는, 클로로트리에틸 포스핀 금(Ｉ), 클로로트리메틸 포스핀 금(Ｉ), 클로로트리페닐 포스핀 금(Ｉ), 은(Ｉ) 2, 4-펜탄디오나트 착체, 트리메틸 포스핀(헥사플루오르 아세틸 아세트네이트) 은(Ｉ) 착체, 구리(Ｉ) 헥사플루오르 펜탄디오나트 시클로 옥타디엔 착체 등이 있다.
이와 같이, 액상의 도전성 재료(8Ａ)에 포함되는 금속의 형태는, 나노 입자로 대표되는 입자의 형태라도 좋고, 유기 금속 화합물과 같은 화합물의 형태라도 좋다.
또한, 도전성 재료(8Ａ)는, 금속에 대신하여 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌 비닐렌 등의 고분자계 가용성 재료를 포함하고 있어도 좋다.
(변형예 4)
상기 실시 형태에서는, 절연층(7)과 절연층(9)은 서로 같은 재료로 이루어진다. 다만, 절연층(7)과 절연층(9)이 서로 다른 재료로 이루어져도 좋다. 예를 들면, 절연층(7)이 아크릴 수지이고, 절연층(9)이 폴리이미드 수지여도 좋다. 이 경우에는, 절연 재료(7Ａ)가 감광성 아크릴 수지의 모노머 또는 올리고머를 포함한 액상 재료이며, 절연 재료(9Ａ)가 감광성의 폴리이미드 전구체를 포함한 액상 재료면 좋다. 즉, 이 경우에는, 본 발명의 「제1 감광성 수지」 및 「제2 감광성 수지」가 서로 다르다.
(변형예 5)
상기 실시 형태에 의하면, 절연층(7) 상에 도전층(8)의 패턴이 형성된다. 그러나, 상기 실시 형태의 다층 구조 형성 방법은 이러한 구조의 형성에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 절연층(7) 상의 도전층(8)의 패턴이 생략되어도 좋다. 그리고, 적층된 복수의 절연층 두께의 합계가 원하는 값이 되도록, 액체 방울 토출 장치를 사용해 절연 재료층을 형성하는 것과, 형성된 절연 재료층을 경화해 절연층을 얻는 것과, 절연층의 표면을 친액화하는 것과, 친액화된 절연층 상에 액체 방울 토출 장치를 사용해 다시 절연 재료층을 형성하는 것을 반복해도 좋다.
토출에 의해서 형성된 절연 재료층으로부터 1회의 경화 공정에 의해서 원하는 두께의 절연층을 얻는 것보다도, 절연 재료층의 형성과 친액화와 경화 공정을 반복하는 것으로 원하는 두께의 절연층을 형성하는 것이 총 건조 시간이 짧고, 또한 최종적인 절연층의 두께를 균일하게 하는 것이 용이하다.
(변형예 6)
상기 실시 형태에 의하면, 자외선 영역의 파장의 광을 조사하여 절연층(7)의 표면 및 배선 패턴의 표면을 친액화하였다. 그러나, 이러한 친액화에 대신하여 대기 분위기 중에서 산소를 처리 가스로 하는 Ｏ₂ 플라즈마 처리를 실시해도, 절연층(7)의 표면 및 배선 패턴의 표면을 친액화할 수 있다. Ｏ₂ 플라즈마 처리는, 기 판(10Ａ)(기체(10Ｂ))에 대해서, 도시하지 않은 플라즈마 방전 전극으로부터 플라즈마 상태의 산소를 조사하는 처리이다. Ｏ₂ 플라즈마 처리의 조건은, 플라즈마 파워가 50 ~ 1000Ｗ, 산소 가스 유량이 50 ~ 100ｍＬ/ｍｉｎ, 플라즈마 방전 전극에 대한 기체(10)의 상대 이동 속도가 0.5 ~ 10ｍｍ/ｓｅｃ, 기체 온도가 70 ~ 90℃면 좋다.
본 발명에 의하면 물체 표면에 제1 노즐로부터 제1 감광성 수지를 포함한 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과, 상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과, 상기 제1 절연층에 제2 노즐로부터 도전성 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층 상에 도전성 재료층의 패턴을 형성하는 스텝(Ｃ)과, 상기 도전성 재료층의 패턴을 활성화하여 상기 제1 절연층 상에 배선 패턴을 형성하는 스텝(Ｄ)을 포함하는 잉크젯 방법에 의해 안정된 다층 구조를 형성할 수 있다.

Claims (7)

  1. 액체 방울 토출 장치를 사용한 다층 구조 형성 방법으로서,
    물체 표면에 제1 감광성 수지를 포함하는 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과,
    상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과,
    상기 제1 절연층에 도전성 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층 상에 도전성 재료층의 패턴을 형성하는 스텝(Ｃ)과,
    상기 도전성 재료층의 패턴을 활성화하여 상기 제1 절연층 상에 배선 패턴을 형성하는 스텝(Ｄ)을 포함한 다층 구조 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 표면을 친액화(親液化)하는 스텝(Ｅ)과,
    상기 제1 절연층과 상기 도전층에 제2 감광성 수지를 포함하는 제2 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층과 상기 도전층을 덮는 제2 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ｆ)과,
    상기 제2 절연 재료층을 경화하는 스텝(Ｇ)을 더 포함한 다층 구조 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스텝(Ｂ)은 상기 제1 절연 재료층에 제1 파장의 광을 조사하여 상기 제1 절연 재료층을 경화하는 스텝을 포함하고 있고,
    상기 스텝(Ｅ)은 상기 제1 절연층의 표면에 상기 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 조사하여 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝을 포함하고 있는 다층 구조 형성 방법.
  4. 액체 방울 토출 장치를 사용한 다층 구조 형성 방법으로서,
    물체 표면에 제1 감광성 수지를 포함하는 제1 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 물체 표면을 덮는 제1 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ａ)과,
    상기 제1 절연 재료층을 경화하여 제1 절연층을 얻는 스텝(Ｂ)과,
    상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝(Ｃ)과,
    상기 제1 절연층에 제2 감광성 수지를 포함하는 제2 절연 재료의 액체 방울을 토출하여 상기 제1 절연층을 덮는 제2 절연 재료층을 형성하는 스텝(Ｄ)과,
    상기 제2 절연 재료층을 경화하는 스텝(Ｅ)을 포함하는 다층 구조 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스텝(Ｂ)은 상기 제1 절연 재료층에 제1 파장의 광을 조사하여 상기 제1 절연 재료층을 경화하는 스텝을 포함하고 있고,
    상기 스텝(Ｃ)은 상기 제1 절연층의 표면에 상기 제1 파장과는 다른 제2 파 장의 광을 조사하여 상기 제1 절연층의 표면을 친액화하는 스텝을 포함하고 있는 다층 구조 형성 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 다층 구조 형성 방법을 포함 한 배선 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 다층 구조 형성 방법을 포함 한 전자 기기의 제조 방법.
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