KR20070030133A

KR20070030133A - 층 형성 방법

Info

Publication number: KR20070030133A
Application number: KR1020060087214A
Authority: KR
Inventors: 츠요시 신타테; 고이치 미즈가키; 준 야마다
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2005-09-12
Filing date: 2006-09-11
Publication date: 2007-03-15
Also published as: TWI306785B; CN1931591A; TW200714373A; KR100780856B1; US20070057992A1; JP2007075676A; US7541063B2; JP4487889B2; CN100493918C

Abstract

본 발명은 액적 토출 장치를 이용하여 양호한 솔리드 패턴을 형성하는 것을 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은 복수의 노즐을 구비한 헤드에 대하여, 표면을 제1 방향으로 상대 이동시키면서 상기 복수의 노즐로부터 액적을 토출하는 액적 토출 장치가 사용되는 경우에, 층 형성 방법은 상기 표면상의 2개의 기준 영역의 각각에 제1 액적을 각각 배치하여, 상기 2개의 기준 영역에 대응하여 고립된 2개의 패턴을 설치하는 제1 공정과, 상기 2개의 패턴을 고정하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에 상기 표면을 친액화하는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후에 상기 2개의 기준 영역 사이에 제2 액적을 배치하여, 상기 2개의 패턴을 연결하는 제4 공정을 포함하고 있다.

액적 토출 장치, 층 형성 방법, 솔리드 패턴

Description

층 형성 방법{METHOD FOR FORMING LAYER}

도 1은 본 실시 형태의 액적 토출 장치를 나타낸 모식도.

도 2는 액적 토출 장치의 헤드에 있어서의 노즐 열(nozzle row)을 나타낸 모식도.

도 3은 헤드의 구조를 나타낸 모식도.

도 4는 액적 토출 장치의 제어부를 나타낸 기능도.

도 5(a)는 제어부에 있어서의 헤드 구동부를 나타내는 모식도, (b)는 선택 신호와 구동 신호와 토출 신호를 나타낸 타이밍 차트.

도 6은 기판의 표면에 대응시킨 블록을 나타낸 모식도.

도 7은 블록에 액적을 배치하는 순서를 나타낸 도면.

도 8은 C11에 액적을 배치하는 공정을 설명하는 도면.

도 9는 C31에 액적을 배치하는 공정을 설명하는 도면.

도 10은 C31에 액적이 배치된 후에 얻어지는 선형 패턴을 나타낸 모식도.

도 11은 C13에 액적을 배치하는 공정을 설명하는 도면.

도 12는 C13에 액적이 배치된 후에 얻어지는 격자형 패턴을 나타낸 모식도.

도 13은 C33에 액적을 배치하는 공정을 설명하는 도면.

도 14는 C33에 액적이 배치된 후에 얻어지는 솔리드 패턴을 나타낸 모식도.

도 15는 도 14의 솔리드 패턴을 활성화하여 얻어지는 도전층을 나타낸 모식도.

도 16은 블록에 액적을 배치하는 다른 순서를 나타낸 도면.

도면 부호의 설명

D…액적, U…합성 방향, 1…블록, 1G…블록군, 4…도트형 패턴, 5…선형 패턴, 6…격자형 패턴, 7…솔리드 패턴, 8…도전층, 100…액적 토출 장치, 106…스테이지, 111…기능액, 114…헤드, 116…노즐 열, 118…노즐

본 발명은 잉크젯 프로세스에 의한 층 형성 방법에 관한 것이다.

액적 토출 장치를 이용하여 선형 패턴을 형성하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1).

<특허문헌 1> 일본 특개 2005-34837호 공보

잉크젯 프로세스는 액적 토출 장치를 이용하여 기능액이라고 불리는 액상 재료를 물체 표면에 배치하는 공정을 포함하고 있다. 이 액적 토출 장치는, 통상 기능액을 액적으로서 토출하는 헤드와, 대상이 되는 표면에 대하여 그 헤드를 2차원적으로 상대 이동시키는 기구(機構)를 구비하고 있으며, 이러한 구성 때문에 표면의 임의의 위치에 기능액으로 이루어지는 액적을 배치할 수 있다.

이와 같은 잉크젯 프로세스를 이용하여, 1개의 액적이 젖어 퍼지는 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 기능액으로 틈새 없이 덮는 경우에는, 그 표면상에서 젖어 퍼지는 범위가 서로 겹치도록 복수의 액적을 배치한다. 그렇게 하면, 그 표면을 틈새 없이 덮는 패턴이 얻어진다. 그렇지만, 그 표면이 기능액에 대하여 발액성(撥液性)을 갖고 있는 경우에는, 표면과 액적이 서로 끌어당기는 힘보다도, 서로 접하는 액적끼리가 표면장력에 의해 끌어당기는 힘 쪽이 강하므로, 기능액이 국소적으로 집중할 수 있다. 이와 같은 집중이 생기면, 표면이 기능액으로 균일하게 덮히지 않으며, 최악의 경우에는 표면의 일부가 기능액의 결여 때문에 노출되어 버린다.

또한, 액적 토출 장치에 있어서의 헤드에는 복수의 노즐이 설치되어 있다. 그리고 이들 복수의 노즐로부터 토출되는 액적의 각각의 비행 경로는 제조 오차에 의해 노즐 사이에서 변동이 있는 경우가 있다. 여기서, 액적 토출 장치를 이용하여 솔리드 패턴을 설치하는 경우에는, 주사 방향에 직교하는 방향에서의 비행 경로의 변동이 솔리드 패턴 형성의 성공 여부에 영향을 미치는 경우가 있다.

본 발명은 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로서, 그 목적의 하나는 액적 토출 장치를 이용하여 양호한 솔리드 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 층 형성 방법에 의하면, 복수의 노즐을 구비한 헤드에 대하여, 표면을 제1 방향으로 상대 이동시키면서 상기 복수의 노즐로부터 액적을 토출하는 액 적 토출 장치가 사용된다. 그리고 상기 층 형성 방법은 상기 표면상의 2개의 기준 영역의 각각에 제1 액적을 각각 배치하여, 상기 2개의 기준 영역에 대응하여 고립된 2개의 패턴을 설치하는 제1 공정과, 상기 2개의 패턴을 고정하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에 상기 표면을 친액화하는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후에 상기 2개의 기준 영역 사이에 제2 액적을 배치하여, 상기 2개의 패턴을 연결하는 제4 공정을 포함하고 있다. 또한, 어떤 태양에서는 상기 제3 공정은 고정된 상기 2개의 패턴 각각의 위에 제3 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또한, 다른 태양에서는 상기 제3 공정은 상기 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출하는 공정을 포함하고 있어도 된다.

상기 특징에 의하면, 제1 액적이 표면에 대하여 고정된다. 이 때문에, 예를 들어, 표면이 제1 액적에 대하여 발액성을 갖더라도, 제2 액적 및 제3 액적이 제1 액적에 겹칠 때 제1 액적이 이동하지 않는다.

본 발명의 다른 태양에서는, 상기 층 형성 방법은 상기 제4 공정 후에, 연결된 상기 패턴을 활성화시키는 제5 공정을 더 포함하고 있다.

상기 특징에 의하면, 액적의 배치에 의해 생기는 패턴으로부터 최종적으로 얻어지는 층에 구멍이 생길 가능성이 적다.

또한, 상기 층 형성 방법에 있어서, 상기 제2 액적의 1개당 체적과, 상기 제3 액적의 1개당 체적의 적어도 1개는 상기 제1 액적의 1개당 체적과 달라도 된다.

본 발명의 층 형성 방법에 의하면, 복수의 노즐을 구비한 헤드에 대하여, 표면을 제1 방향으로 상대 이동시키면서 상기 복수의 노즐로부터 액적을 토출하는 액 적 토출 장치가 사용된다. 상기 층 형성 방법은 상기 표면상에서 상기 제1 방향과 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 결정되는 배열형으로 늘어선 복수의 기준 영역의 각각에 제1 액적을 배치하여, 상기 복수의 기준 영역에 대응하여 각각 고립된 복수의 패턴을 설치하는 제1 공정과, 상기 복수의 패턴을 고정시키는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에 상기 제2 방향으로 늘어선 복수의 상기 기준 영역 각각의 사이에 제2 액적을 배치하여, 상기 복수의 패턴을 상기 제2 방향으로 연결하는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후에 상기 제1 방향으로 늘어선 복수의 상기 기준 영역 각각의 사이에 제3 액적을 배치하여, 상기 복수의 패턴을 상기 제1 방향으로 연결하는 제4 공정과, 상기 제4 공정 후에 상기 제1 방향과 상기 제2 방향의 합성 방향으로 늘어선 상기 복수의 기준 영역 각각의 사이에 제4 액적을 배치하는 제5 공정을 포함하고 있다.

상기 특징에 의하면, 복수의 패턴의 각각이 각각의 기준 영역에 대하여 고정된다. 이 결과, 예를 들어 표면이 제1 액적에 대하여 발액성을 갖더라도, 제2 액적 및 제3 액적이 제1 액적에 겹칠 때 제1 액적이 이동하지 않는다.

바람직하게는, 상기 층 형성 방법이 상기 제2 공정과 상기 제3 공정 사이에 상기 표면을 친액화하는 제6 공정을 더 포함하고 있다. 여기서, 상기 제6 공정은 상기 복수의 패턴 각각의 위에 제5 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또는, 상기 제6 공정은 상기 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출하는 공정을 포함하고 있어도 된다.

상기 특징에 의해 얻어지는 효과의 하나는, 이미 형성된 복수의 패턴에 제2 액적이 겹쳐도, 제2 액적이 복수의 패턴 측으로 끌어 당겨지지 않는다는 것이다.

본 발명의 다른 태양에서는, 상기 층 형성 방법이 상기 제5 공정 후에 상기 패턴을 활성화시키는 제7 공정을 더 포함하고 있다.

또한, 상기 층 형성 방법에 있어서, 상기 제2 액적의 1개당 체적과, 상기 제3 액적의 1개당 체적과, 상기 제4 액적의 1개당 체적과, 상기 제5 액적의 1개당 체적의 적어도 1개는 상기 제1 액적의 1개당 체적과 달라도 된다.

[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]

이하에서는 본 실시 형태의 층 형성 방법을 설명하기 전에, 층 형성 방법에서 사용되는 액적 토출 장치에 대하여 구성과 기능을 설명한다.

(1. 액적 토출 장치의 전체 구성)

도 1에 나타낸 액적 토출 장치(100)는 기본적으로는 잉크젯 장치이다. 보다 구체적으로는, 액적 토출 장치(100)는 기능액(111)을 보유하는 탱크(101)와, 튜브(110)와, 그라운드 스테이지(GS)와, 토출 헤드부(103)와, 스테이지(106)와, 제1 위치 제어 장치(104)와, 제2 위치 제어 장치(108)와, 제어부(112)와, 지지부(104a)를 구비하고 있다.

토출 헤드부(103)는 헤드(114)(도 2)를 갖고 있다. 이 헤드(114)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 기능액(111)의 액적을 토출한다. 또한, 토출 헤드부(103)에 있어서의 헤드(114)는 튜브(110)에 의해 탱크(101)에 연결되어 있어, 이 때문에 탱크(101)로부터 헤드(114)로 기능액(111)이 공급된다.

스테이지(106)는 기판(10A)을 고정하기 위한 평면을 갖고 있다. 또한, 스테이지(106)는 흡인력을 이용하여 기판(10A)의 위치를 고정하는 기능도 갖는다. 여기서, 후술하는 바와 같이 기판(10A)은 폴리이미드로 이루어지는 플렉시블 기판이며, 그 형상은 테이프형이다. 또한, 기판(10A)의 양단은 도면에 나타나 있지 않은 한 쌍의 릴(reel)에 고정되어 있다.

제1 위치 제어 장치(104)는 지지부(104a)에 의해, 그라운드 스테이지(GS)로부터 소정의 높이의 위치에 고정되어 있다. 이 제1 위치 제어 장치(104)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 토출 헤드부(103)를 X축 방향과, X축 방향에 직교하는 Z축 방향을 따라 이동시키는 기능을 갖는다. 또한, 제1 위치 제어 장치(104)는 Z축에 평행한 축의 둘레로 토출 헤드부(103)를 회전시키는 기능도 갖는다. 여기서, 본 실시 형태에서는 Z축 방향은 연직 방향(즉, 중력가속도의 방향)에 평행한 방향이다.

제2 위치 제어 장치(108)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 스테이지(106)를 그라운드 스테이지(GS) 위에서 Y축 방향으로 이동시킨다. 여기서, Y축 방향은 X축 방향 및 Z축 방향의 쌍방과 직교하는 방향이다.

상기와 같은 기능을 갖는 제1 위치 제어 장치(104)의 구성과 제2 위치 제어 장치(108)의 구성은 리니어 모터나 서보 모터를 이용한 공지의 XY 로봇을 이용하여 실현할 수 있다. 따라서 여기서는 그들의 상세한 구성의 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서에서는 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)를 「로봇」 또는 「주사부」라고도 표기한다.

그런데, 상술한 바와 같이, 제1 위치 제어 장치(104)에 의해, 토출 헤드부(103)는 X축 방향으로 이동한다. 그리고 제2 위치 제어 장치(108)에 의해, 기판(10A)은 스테이지(106)와 함께 Y축 방향으로 이동한다. 이들의 결과, 기판(10A)에 대한 헤드(114)의 상대 위치가 바뀐다. 보다 구체적으로는, 이들의 동작에 의해, 토출 헤드부(103), 헤드(114), 또는 노즐(118)(도 2)은 기판(10A)에 대하여, Z축 방향으로 소정의 거리를 유지하면서 X축 방향 및 Y축 방향으로 상대적으로 이동, 즉 상대적으로 주사한다. 「상대 이동」 또는 「상대 주사」란 기능액(111)을 토출하는 측과, 토출된 기능액(111)이 착탄(着彈)하는 측의 적어도 한쪽을 다른 쪽에 대하여 상대 이동하는 것을 의미한다.

여기서, 본 실시 형태에서는 Y축 방향이 「주사 방향」이다. 「주사 방향」은 헤드(114) 및 스테이지(106)의 적어도 한쪽이 다른 쪽에 대하여 상대 이동하는 방향으로서, 후술의 「노즐 열 방향(ND)(도 2)」과는 다른 방향으로 정의된다. 또한, 이 정의에 의하면, 노즐 열 방향(ND)의 방향과 상기의 주사부의 구성에 따라서는 X축 방향이 「주사 방향」이 될 수 있고, X축 방향 및 Y축 방향의 각각이 「주사 방향」이 되는 경우도 있다.

제어부(112)는 기능액(111)의 액적(D)(도 3)을 토출해야 할 상대 위치를 나타내는 토출 데이터를 외부 정보 처리 장치로부터 받도록 구성되어 있다. 제어부(112)는 받은 토출 데이터를 내부의 기억장치에 저장하는 동시에, 저장된 토출 데이터에 따라, 제1 위치 제어 장치(104)와, 제2 위치 제어 장치(108)와, 헤 드(114)를 제어한다. 본 실시 형태에서는, 토출 데이터는 비트맵 데이터의 형태를 갖고 있다.

상기 구성을 갖는 액적 토출 장치(100)는 토출 데이터에 따라 헤드(114)의 노즐(118)(도 2)을 기판(10A)에 대하여 상대 이동시키는 동시에, 기판(10A)을 향해노즐(118)로부터 기능액(111)을 토출한다. 또한, 액적 토출 장치(100)에 의한 헤드(114)의 상대 이동과, 헤드(114)로부터의 기능액(111)의 토출을 합하여 「토출 주사」라고 표기하는 경우도 있다.

(B. 헤드)

도 2에 나타낸 헤드(114)는 토출 헤드부(103)가 갖는 복수의 헤드(114)의 하나이다. 도 2는 스테이지(106) 측에서 헤드(114)를 바라본 도면이며, 헤드(114)의 바닥면을 나타내고 있다. 헤드(114)는 X축 방향으로 뻗은 노즐 열(116)을 갖고 있다. 노즐 열(116)은 X축 방향으로 거의 균등하게 늘어선 복수의 노즐(118)로 이루어진다. 이들 복수의 노즐(118)은 X축 방향의 노즐 피치(HXP)가 약 70μm가 되도록 배치되어 있다. 여기서, 「X축 방향의 노즐 피치(HXP)」는 헤드(114)에 있어서의 노즐(118)의 전부를 X축 방향에 직교하는 방향으로부터 X축상에 사상하여 얻어진 복수의 노즐상(像) 사이의 피치에 상당한다.

여기서, 노즐 열(116)이 뻗은 방향을 「노즐 열 방향(ND)」이라고 표기한다. 본 실시 형태의 노즐 열 방향(ND)은 X축 방향에 평행하고, 따라서 Y축 방향에 직교한다. 단, 다른 실시 형태에서는 노즐 열 방향(ND)은 X축 방향과도 Y축 방향과도 다를 수 있다. 또한, 노즐 열(116)에 있어서의 노즐(118)의 수는 180개이다. 단, 1개의 헤드(114)에 있어서의 노즐(118)의 수는 180개에 한정되지 않는다. 예를 들면, 1개의 헤드(114)에 360개의 노즐이 설치되어 있어도 된다.

도 3(a) 및 (b)에 나타낸 바와 같이, 각각의 헤드(114)는 잉크젯 헤드이다. 보다 구체적으로는, 각각의 헤드(114)는 진동판(126)과, 복수의 노즐이 설치된 노즐 플레이트(128)와, 액 저장소(129)와, 복수의 격벽(122)과, 복수의 캐비티(120)와, 복수의 진동자(124)를 구비하고 있다. 액 저장소(129)는 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에 위치하고 있어서, 액 저장소(129)에는 탱크(101)(도 1)로부터 구멍(131)을 통하여 공급되는 기능액(111)이 항상 충전된다.

또한, 복수의 격벽(122)은 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에 위치하고 있다. 그리고 1쌍의 격벽(122)과, 진동판(126)과, 노즐 플레이트(128)에 의하여 둘러싸인 부분이 캐비티(120)이다. 캐비티(120)는 노즐(118)에 대응하여 설치되어 있기 때문에, 캐비티(120)의 수와 노즐(118)의 수는 동일하다. 캐비티(120)에는 1쌍의 격벽(122) 사이에 위치하는 공급구(130)를 통하여 액 저장소(129)로부터 기능액(111)이 공급된다.

진동자(124)는 각각의 캐비티(120)에 대응하도록 진동판(126) 위에 위치한다. 도 3(b)에 나타낸 바와 같이, 진동자(124)는 피에조 소자(124C)와, 피에조 소자(124C)를 끼우는 1쌍의 전극(124A, 124B)을 포함한다. 그리고 이 1쌍의 전극(124A, 124B) 사이에 구동 전압을 인가함으로써 대응하는 노즐(118)로부터 기능액(111)이 토출된다. 또한, 노즐(118)로부터 Z축 방향으로 기능액(111)이 토출되도록 노즐(118)의 형상이 조정되어 있다.

본 명세서에서는 1개의 노즐(118)과, 노즐(118)에 대응하는 캐비티(120)와, 캐비티(120)에 대응하는 진동자(124)를 포함한 부분을 「토출부(127)」라고 표기하는 경우도 있다. 이 표기에 의하면, 1개의 헤드(114)는 노즐(118)의 수와 동일한 수의 토출부(127)를 갖는다. 토출부(127)는 피에조 소자 대신에 전기열 변환 소자를 가져도 된다. 즉, 토출부(127)는 전기열 변환 소자에 의한 재료의 열팽창을 이용하여 기능액(111)을 토출하는 구성을 가져도 된다.

(C. 제어부)

다음에, 도 4를 참조하면서, 제어부(112)의 구성을 설명한다. 제어부(112)는 입력 버퍼 메모리(200)와, 기억장치(202)와, 처리부(204)와, 주사 구동부(206)와, 헤드 구동부(208)를 구비하고 있다. 이들 입력 버퍼 메모리(200)와, 처리부(204)와, 기억장치(202)와, 주사 구동부(206)와, 헤드 구동부(208)는 도면에 나타나 있지 않은 버스에 의해 상호 통신 가능하게 접속되어 있다. 또한, 주사 구동부(206)는 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)와 상호 통신 가능하게 접속되어 있다. 마찬가지로 헤드 구동부(208)는 복수의 헤드(114)의 각각과 상호 통신 가능하게 접속되어 있다.

입력 버퍼 메모리(200)는 액적 토출 장치(100)의 외부에 위치하는 컴퓨터(도면에 나타나지 않음)로부터, 기능액(111)의 액적(D)을 토출하기 위한 토출 데이터를 받는다. 입력 버퍼 메모리(200)는 토출 데이터를 처리부(204)에 공급하고, 처리부(204)는 토출 데이터를 기억장치(202)에 저장한다. 도 4에서 기억장치(202)는 RAM이다.

처리부(204)는 기억장치(202) 내의 토출 데이터에 의거하여 기판(10A)에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 나타내는 데이터를 주사 구동부(206)에 준다. 주사 구동부(206)는 이 데이터와 후술하는 토출 주기(EP)(도 5(b))에 따른 스테이지 구동 신호를 제2 위치 제어 장치(108)에 준다. 이 결과, 기판(10A)에 대하여 헤드(114)가 상대 주사한다. 한편, 처리부(204)는 기억장치(202)에 기억된 토출 데이터에 의거하여 선택 신호(SC(i))(도 5(b))를 헤드 구동부(208)에 준다. 그렇게 하면, 헤드(114)에 있어서의 대응하는 노즐(118)로부터 기능액(111)의 액적(D)이 토출된다.

제어부(112)는 CPU와, ROM과, RAM과, 외부 인터페이스부와, 그들을 상호 통신 가능하게 접속하는 버스를 포함한 컴퓨터이다. 따라서 제어부(112)의 상기 기능은 ROM 또는 RAM에 저장된 소프트웨어 프로그램이 CPU에 의해 실행됨으로써 실현된다. 물론, 제어부(112)는 전용의 회로(하드웨어)에 의해 실현해도 된다.

다음에, 도 5(a) 및 (b)를 참조하면서, 제어부(112)에 있어서의 헤드 구동부(208)의 구성과 기능을 설명한다.

도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 헤드 구동부(208)는 1개의 구동 신호 생성부(203)와, 복수의 아날로그 스위치(AS)를 갖는다. 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 구동 신호 생성부(203)는 구동 신호(DS)를 생성한다. 구동 신호(DS)의 전위는 기준 전위(L)에 대하여 시간적으로 변화한다. 구체적으로는, 구동 신호(DS)는 토출 주기(EP)로 반복되는 복수의 토출 파형(P)을 포함한다. 여기서, 토출 파형(P)은 노즐(118)로부터 1개의 액적(D)을 토출하기 때문에, 대응하는 진동자(124)(도 3)에 인가되어야 할 구동 전압의 파형에 대응한다.

구동 신호(DS)는 아날로그 스위치(AS)의 각각의 입력 단자에 공급된다. 여기서, 아날로그 스위치(AS)의 각각은 토출부(127) 각각에 대응하여 설치되어 있다.

처리부(204)(도 4)는 노즐(118)의 온·오프를 나타내는 선택 신호(SC(i))를 아날로그 스위치(AS)의 각각에 준다. 여기서, 선택 신호(SC(i))는 아날로그 스위치(AS)마다 독립적으로 고레벨 및 저레벨의 어느 상태를 취할 수 있다. 한편, 아날로그 스위치(AS)는 구동 신호(DS)와 선택 신호(SC(i))에 따라, 진동자(124)의 전극(124A)으로 토출 신호(ES(i))를 공급한다. 구체적으로는, 선택 신호(SC(i))가 고레벨의 경우에는, 아날로그 스위치(AS)는 전극(124A)에 토출 신호(ES(i))로서 구동 신호(DS)를 전파한다. 한편, 선택 신호(SC(i))가 저레벨의 경우에는, 아날로그 스위치(AS)가 출력하는 토출 신호(ES(i))의 전위는 기준 전위(L)가 된다. 진동자(124)의 전극(124A)에 구동 신호(DS)가 주어지면, 그 진동자(124)에 대응하는 노즐(118)로부터 기능액(111)이 토출된다. 또한, 각각의 진동자(124)의 전극(124B)에는 기준 전위(L)가 주어져 있다.

도 5(b)에 나타낸 예에서는, 2개의 토출 신호(ES(1), ES(2))의 각각에서, 토출 주기(EP)의 2배의 주기(2EP)로 토출 파형(P)이 나타나도록, 2개의 선택 신호(SC(1), SC(2))의 각각에서 고레벨의 기간과 저레벨의 기간이 설정되어 있다. 이에 의하여, 대응하는 2개의 노즐(118)의 각각으로부터, 주기 2EP로 기능액(111)이 토출된다. 여기서, 이들 2개의 노즐(118)에 대응하는 진동자(124)의 각각에는 공통의 구동 신호 생성부(203)로부터의 공통의 구동 신호(DS)가 주어져 있다. 이 때문에, 2개의 노즐(118)로부터 거의 동일한 타이밍에 기능액(111)이 토출된다. 또한, 도 5(b)에 있어서의 토출 신호(ES(3))에는, 아무런 구동 파형(P)이 나타나지 않도록 대응하는 선택 신호(SC(3))는 저레벨로 유지되어 있다.

이상의 구성에 의해, 액적 토출 장치(100)는 제어부(112)에 주어진 토출 데이터에 따라, 기판(10A)의 표면에 기능액(111)으로 이루어지는 액적(D)을 배치한다.

(D. 층 형성 방법)

본 실시 형태의 층 형성 방법을 구체적으로 설명한다. 이하에 설명하는 층 형성 방법에 의하면, 기판(10A)의 표면(도 6)에 액적(D)이 배치되어, 솔리드 패턴(7)(도 14)이 설치된다. 또한, 솔리드 패턴(7)이 활성화되어 최종적으로 솔리드 도전층(8)(도 15)이 얻어진다. 여기서, 층 형성 방법에 있어서 액적(D)을 배치하는 공정은 상기의 액적 토출 장치(100)에 의해 실행된다.

(1. 블록)

우선, 도 6에 나타낸 바와 같이, 기판(10A)의 표면 중, 적어도 도전층(8)(도 15)이 형성되는 범위에 가상적인 복수의 블록(1)을 대응시킨다. 이들 복수의 블록(1)은 X축 방향과 Y축 방향으로 결정되는 배열형으로 늘어서 있다. 여기서는, 복수의 블록(1) 각각의 X축 방향에 따른 길이는 각각 11μm이며, Y축 방향에 따른 길이는 각각 15μm이다. 또한, 이하에서는 도전층(8)이 형성되어야 할 범위를 「층 형성 범위」라고도 표기한다.

복수의 블록(1)의 각각은, 액적(D)이 배치될 수 있는 영역이다. 본 실시 형 태에서는 어떤 1개의 블록(1)에 액적(D)이 배치되는 경우에는, 그 블록(1)의 중심과, 배치되는 액적(D)의 중심이 거의 일치하도록 액적(D)이 배치된다. 여기서, 복수의 블록(1)의 X축 방향의 피치는 X축 방향으로 서로 인접하는 2개의 액적(D)의 최소 중심 간 거리에 대응한다. 마찬가지로, 복수의 블록(1)의 Y축 방향의 피치는 Y축 방향으로 서로 인접하는 2개의 액적(D)의 최소 중심 간 거리에 대응한다. 또한, 도 6에서는 설명의 편의상 144개(12×12)의 블록(1)이 그려져 있지만, 실제의 블록(1)의 수는 이 수에 한정되지 않는다.

그런데, 4블록×4블록으로 결정되는 16개의 블록(1)의 집합마다 블록군(1G)이 정의되어 있다. 그리고 1개의 블록군(1G)에 있어서의 16개의 블록(1)의 각각을 식별한다는 목적에서, 그들 16개의 블록(1)의 각각은 문자 「C」와 2자리의 첨자로 이루어지는 부호(예를 들면, C11)로 표기되어 있다. 여기서, 첨자의 오른쪽 수치는 블록군(1G)에 있어서의 Y축 방향에 따른 위치를 나타내고 있으며, 1부터 4까지의 정수이다. 한편, 첨자의 왼쪽 수치는 블록군(1G)에 있어서의 X축 방향의 위치를 나타내고 있으며, 1부터 4까지의 정수이다.

그리고 복수의 C11에 착안하면, 기판(10A)의 표면상에서는 복수의 C11이 X축 방향 및 Y축 방향으로 결정되는 배열형으로 늘어서 있다. 즉, 복수의 C11은 배열을 구성하고 있다. 구체적으로는, 복수의 C11이 X축 방향으로도, Y축 방향으로도, 그들의 합성 방향(U)으로도 주기적으로 위치하고 있다. 본 실시 형태에서는 X축 방향으로 서로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심 간 거리는 어느 것이나 44.0μm이다. 또한, Y축 방향으로 서로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심 간 거리는 어 느 것이나 60.0μm이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향(U)으로 서로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심 간 거리는 어느 것이나 74.4μm이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향(U)은 블록(1)의 대각선 방향이다.

복수의 C31도 복수의 C11과 마찬가지로, X축 방향 및 Y축 방향으로 결정되는 배열형으로 늘어서 있다. 다른 종류의 블록(1)(즉, C13, C33)도 C11과 마찬가지이다. 요컨대, 층 형성 범위는 복수의 C11로 이루어지는 배열과, 복수의 C31로 이루어지는 배열과, 복수의 C13으로 이루어지는 배열과, 복수의 C33로 이루어지는 배열을 포함하고 있다.

(2. 기능액)

여기서, 도전층(8)을 설치하는 공정은 기능액(111)의 액적(D)을 배치하는 공정을 포함하고 있다. 「기능액」이란, 액적 토출 장치(100)의 노즐(118)로부터 액적(D)으로서 토출될 수 있는 점도를 갖는 액상 재료를 말한다. 「기능액」이 수성이든 유성이든 상관 없다. 노즐(118)로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입되어 있어도 전체로서 유동체이면 된다. 「기능액」의 점도는 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 점도가 1mPa·s 이상인 경우에는, 「기능액」의 액적(D)을 토출할 때 노즐(118)의 주변부가 「기능액」으로 오염되기 어렵다. 한편, 점도가 50mPa·s 이하인 경우에는, 노즐(118)에 있어서의 막힘 빈도가 작고, 따라서 원활한 액적(D)의 토출을 실현할 수 있다.

본 실시 형태의 기능액(111)은 분산매와, 도전 재료로서의 은을 함유한다. 여기서, 기능액(111)에 있어서의 은은 은입자 형태를 하고 있고, 그 은입자의 평균 입경은 10nm 정도이다. 그리고 기능액에 있어서, 은입자는 코팅제로 피복되어 있으며, 코팅제로 피복된 은입자는 분산매 중에 안정하게 분산되어 있다. 또한, 평균 입경이 1nm 정도에서 수 100nm까지의 입자는 「나노 입자」라고도 표기된다. 이 표기에 의하면, 기능액은 은의 나노 입자를 포함하고 있다.

분산매(또는 용매)로서는 은입자 등의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 물 이외에 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듈렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌 카르보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 시클로헥산온 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중 도전성 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또 잉크젯 프로세스에 대한 적용의 용이성의 점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.

또한, 상기의 코팅제는 은원자에 배위 가능한 화합물이다. 코팅제로는 아민, 알코올, 티올 등이 알려져 있다. 보다 구체적으로는, 코팅제로서 2-메틸아미노에탄올, 디에탄올아민, 디에틸메틸아민, 2-디메틸아미노에탄올, 메틸디에탄올아 민 등의 아민 화합물, 알킬아민류, 에틸렌디아민, 알킬알코올류, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 알킬티올류, 에탄디티올 등이 있다. 코팅제로 피복된 은의 나노 입자는 분산매 중에서 보다 안정하게 분산될 있다.

(3. 액적의 배치 순서)

이하에서는 도 7의 오른쪽 위의 블록(1)을 기준으로 9블록×9블록에 대응하는 층 형성 범위에, X축 방향으로도 Y축 방향으로도 합성 방향(U)으로도 연속한 솔리드 패턴을 설치한다. 여기서의 「솔리드 패턴」이란, 후술하는 활성화 공정을 거쳐, 도전층(8)이 되는 층이다. 또한, 배치된 액적은 표면상에서 약간 젖어 퍼지므로, 9블록×9블록에 대응하는 층 형성 범위의 면적은 9블록×9블록의 면적보다도 약간 크다.

물론, 다른 실시 형태에서는 층 형성 범위가 9블록×9블록 이외에 대응해도 된다. 예를 들면, 층 형성 범위가 100블록×100블록에 대응하는 범위여도 되고, 1블록×5블록에 대응하는 범위여도 된다. 단, 층 형성 범위는 1) C11을 포함하는 로우(row) 또는 칼럼(column)이 층 형성 범위의 가장 외측에 대응하고, 및/ 또는 2) C11이 층 형성 범위의 모퉁이에 대응하도록 설정된다. 또한, 여기서의 「로우」란, X축 방향으로 일렬로 늘어선 블록(1)의 집합을 의미하고, 「칼럼」이란, Y축 방향으로 일렬로 늘어선 블록(1)의 집합을 의미한다.

도 7을 참조하면서, 층 형성 범위에 액적(D)을 배치하는 공정을 설명한다. 여기서, 복수의 블록군(1G)(도 6) 중 어느 것에서도, 액적(D)을 배치시키는 순서는 동일하다. 구체적으로는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 복수의 블록군(1G)의 각각에 서, 액적(D)을 배치하는 순서는 C11, C31, C13, C33의 순서이다.

단, 도 7의 왼쪽 위에 위치하는 블록군(1G)과, 왼쪽 중앙에 위치하는 블록군(1G)에 있어서, C11, C13은 층 형성 범위에 대응하지만, C31, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이들 블록군(1G)에서는 C31, C33에의 액적의 배치는 스킵(skip)된다. 마찬가지로, 도 7의 왼쪽 아래의 블록군(1G)에 있어서, C11은 층 형성 범위에 대응하지만, C31, C13, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이 블록군(1G)에 대해서는, C31, C13, C33에의 액적의 배치가 스킵된다. 또한, 도 7의 중앙 아래에 위치하는 블록군(1G)과, 오른쪽 아래에 위치하는 블록군(1G)에 있어서, C11, C31은 층 형성 범위에 대응하지만, C13, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이들 블록군(1G)에 대해서는, C13, C33에의 액적의 배치가 스킵된다.

(3A. 기본 도트의 배치 공정)

우선, 배치된 액적(D)이 주사 방향에 직교하는 방향(X축 방향)으로 연결되어 선형 패턴(5)(도 10)이 얻어지도록, 블록(1)의 크기와, 블록군(1G)에 포함되는 블록(1)의 수와, 액적(D)의 착탄 직경의 적어도 1개를 조정한다. 본 실시 형태에서는 이 조정 결과, 상기한 바와 같이, 블록(1)의 크기가 11μm×15μm의 크기로 설정되어 있으며, 1개의 블록군(1G)에 포함되는 블록(1)의 수가 16개로 설정되어 있다.

이와 같은 블록(1) 및 블록군(1G)에 대하여, 액적(D)의 착탄 직경을 30μm로 설정한다. 착탄 직경이란, 기판(10A)에 배치된 액적(D)이 기판(10A) 위에서 젖어 퍼지는 범위의 직경이라고도 말할 수 있다. 여기서, 노즐(118)로부터 토출된 직후의 액적(D)의 형상은 토출 방향에 대하여 거의 축대칭으므로, 기판(10A)에 착탄 후의 액적(D) 범위의 형상은 거의 원형이 된다. 본 명세서에서는 기판(10A) 위에 착탄된 액적(D) 또는 액적(D)의 범위를 「도트」라고도 표기한다.

다음에, 도 8에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C11의 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 즉, 복수의 블록군(1G)의 각각에서, 네 모퉁이에 대응하는 4개의 블록(1)의 1개에 액적(D)을 배치한다. 이때, C11의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 또한, 1개의 블록군(1G)에 대응하는 범위에서, 최초로 배치된 액적(D)을 「기본 도트」라고도 표기한다.

C11에 액적(D)을 배치하는 공정의 보다 상세한 것은 이하와 같다.

본 실시 형태에서는 노즐 열(116)에 있어서의 복수의 노즐(118)을 이용하여, 층 형성 범위 내의 C11의 전부에 액적(D)을 배치한다. 보다 구체적으로는, 어떤 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 어떤 1개의 칼럼에 있어서의 C11의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 스테이지(106)에 대하여 위치 결정한다. 예를 들면, 다시 도 6을 참조하면, 지면의 가장 오른쪽 노즐(118)의 X좌표와, 가장 오른쪽 칼럼의 C11의 X좌표를 일치시킨다. 그리고 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동한다. 그렇게 하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C11의 각각에 그 1개의 노즐(118)이 대면한다. 거기서, 적절한 타이밍에 노즐(118)로부터 액적(D)을 토출하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C11에 액적(D)이 배치된다. 또한, 여기서의 「칼럼」이란, 주사 방향(Y축 방향)으로 일렬로 늘어선 블록(1)의 집합이다.

다음에, 다른 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 다른 칼럼에 있어서의 C11의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 X축 방향으로 상대 이동한다. 예를 들면, 도 6의 오른쪽으로부터 2번째 노즐(118)의 X좌표와, 왼쪽으로부터 4번째 칼럼의 C11의 X좌표를 일치시킨다(도 6에서는 그들은 아직 일치하지 않음). 그리고 앞의 칼럼과 마찬가지로, 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동시킨다. 그렇게 하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C11의 각각에 그 1개의 노즐(118)이 대면한다. 거기서, 적절한 타이밍에 노즐(118)로부터 액적(D)을 토출하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C11에 액적(D)이 배치된다.

이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, C11에 액적(D)을 배치할 때, C11로 이루어지는 배열에 있어서, 동일한 칼럼에 속하는 복수의 C11의 전부에 동일한 노즐(118)이 할당된다. 그러나 칼럼이 바뀌면, 할당되는 노즐(118)이 바뀔 수 있다.

도 8로 되돌아가면, 상기한 바와 같이, 액적(D)의 착탄 직경이 30μm으므로 C11에 액적(D)이 배치되면, C11의 중심으로부터 15μm 범위로 액적(D)이 퍼진다. 그리고 이 결과, 도트형 패턴(4)이 얻어진다. 여기서, X축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심 간 거리는 44μm이며, 그리고 Y축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심 간 거리는 60μm이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향(U)으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심 간 거리는 약 74.4μm이다. 따라서 임의의 C11 위의 도트형 패턴(4)은 어느 것이나 인접한 C11 위의 도트형 패턴(4)에 접하지 않는다. 즉, 임의의 C11 위의 도트형 패턴(4)은 어느 것이나 인접한 C11 위 의 도트형 패턴(4)으로부터 고립되어 있다.

이상과 같은 공정의 결과, 기판(10A)의 표면상에서, 복수의 도트형 패턴(4)이 X축 방향과 Y축 방향으로 결정되는 배열형으로 또 각각 고립되어 늘어선다. 또한, 복수의 C11과 복수의 도트형 패턴(4)은 대응하고 있으므로, C11의 수와 도트형 패턴(4)의 수는 동일하다.

또한, C11이 본 발명의 「기준 영역」의 일례이다.

(3B. 기본 도트의 고정 공정)

층 형성 범위 내의 C11의 전부에 액적(D)을 배치한 후에, 복수의 C11의 각각에 배치된 액적(D)을 고정한다. 즉, 복수의 도트형 패턴(4)을 대응하는 C11에 고정한다. 구체적으로는, 도트형 패턴(4)을 구성하는 기능액(111)으로부터 용매(또는 분산매)가 기화할 정도로 도트형 패턴(4)을 건조시킨다. 본 실시 형태에서는 드라이어로부터 열풍을 도트형 패턴(4)에 세차게 불어준다. 통상, 발액성을 갖는 표면상에서 기능액(111)은 이동하기 쉽다. 그러나 본 실시 형태에서는 기능액(111)으로 이루어지는 도트형 패턴(4)을 이와 같이 건조시키므로 도트형 패턴(4)이 유동성을 잃는다. 그리고 그 때문에 도트형 패턴(4)이 C11에 고정된다. 이 결과, C11 위의 도트형 패턴(4)이, 후에 C31, C13, 및 C33에 배치되는 각각의 액적(D)에 접해도, C31, C13, 또는 C33으로 끌어 당겨질 가능성이 낮아진다. 그리고 이 때문에, 최종적으로 얻어지는 도전층(8)(도 15)에 구멍이 생길 가능성이 낮아진다.

(3C. 친액화)

다음에, 도면에 나타내지는 않았지만, 기판(10A)의 표면을 친액화한다. 본 실시 형태에서는 고정된 도트형 패턴(4) 위에 액적(D)을 배치한다. 즉, 복수의 C11의 각각에 다시 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 그렇게 하면, 후에 C31에 배치되는 액적(D)에 대하여 C31이 친액성을 나타내게 된다. 이 결과, C31에 배치된 액적(D)이 C11 위의 도트형 패턴(4)에 접해도, C31에 배치된 액적(D)이 C11으로 끌어 당겨질 가능성이 낮아진다. 그리고 이 때문에, 최종적으로 얻어지는 도전층(8)에 구멍이 생길 가능성이 낮아진다. 또한, C11에 다시 액적(D)을 배치함으로써 기판(10A)의 표면(C31)이 친액성을 나타내는 메커니즘은 충분히 이해되지 않는다. 단, 현시점에서 발명자들은 재배치된 액적(D)이 일으키는 용매 분위기가 기판(10A) 또는 C31에서의 친액성의 발현에 기여하고 있다고 추측되고 있다.

여기서, C11에 재배치되는 액적(D)의 체적은 C11에 최초로 배치된 액적(D)의 체적보다 작아도 된다. 구체적으로는, C31이 친액성을 발현하는 동시에, C11 위의 도트형 패턴(4)이 인접한 C11의 도트형 패턴(4)으로부터 계속 고립되는 정도의 체적의 액적(D)을 C11에 재배치해도 된다. 물론, C11에 재배치되는 액적(D)의 체적은 C11에 최초로 배치된 액적(D)의 체적 이상이어도 된다.

또한, 기능액(111)에 대하여 기판(10A)이 어느 정도 친액성을 나타내는 경우에는, 상기의 친액화 공정은 생략해도 된다.

(3D. 제1 접속 도트의 배치 공정)

다음에, 액적 토출 장치(100)로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32μm로 설정한다. 즉, C11에 배치된 액적(D)의 체적보다도 큰 체적의 액적(D)을 토출 하도록, 액적 토출 장치(100)의 구동 신호(DS)(도 5(b))를 바꾼다. 또한, 구동 신호(DS)를 바꾸는 기술(이른바 배리어블(variable) 도트를 실현하는 기술)의 상세한 것은 일본 특개 2001-58433호 공보의 도 5∼도 8에 설명되어 있으므로, 여기서는 그 설명을 생략한다.

그리고 도 9에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C31의 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이때, C31의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C31은 X축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중간에 있다. 이 때문에 C31과 C31에 가장 가까운 C11 사이의 거리는 22μm이다. 그리고 C11 위의 도트형 패턴(4)은 C11의 중심으로부터 15μm 범위로 퍼져 있다. 한편, C31 위에서는 액적(D)이 C31의 중심으로부터 16μm 범위로 퍼지므로, C31에 배치된 액적(D)은 C11 위의 도트형 패턴(4)에 접한다. 또한, 본 명세서에서는 C31, C13, C33에 배치되는 액적(D)을 「접속 도트」라고도 표기한다.

C31에 액적(D)을 배치하는 공정의 보다 상세한 것은 이하와 같다.

본 실시 형태에서는 노즐 열(116)에 있어서의 복수의 노즐(118)을 이용하여, 층 형성 범위 내의 C31의 전부에 액적(D)을 배치한다. 보다 구체적으로는, 상기의 C11에의 액적의 배치 공정과 마찬가지로, 어떤 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 어떤 칼럼에 있어서의 C31의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 스테이지(106)에 대하여 위치 결정한다. 그리고 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동한다. 그렇게 하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C31의 각각에 그 1개의 노즐(118)이 대면한다. 거기서, 적절한 타이밍에 노즐(118)로부 터 액적(D)을 토출하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C31의 각각에 액적(D)이 배치된다.

다음에, 다른 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 다른 칼럼에 있어서의 C31의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 X축 방향으로 상대 이동한다. 그리고 앞의 칼럼과 마찬가지로, 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동하여, 그 칼럼의 복수의 C31의 각각에 각각의 액적(D)을 배치한다.

이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, C31에 액적(D)을 배치할 때, C31로 이루어지는 배열에 있어서, 동일한 칼럼에 속하는 복수의 C31의 전부에 동일한 노즐(118)이 할당된다. 그러나 칼럼이 바뀌면, 할당되는 노즐(118)이 바뀔 수 있다.

이와 같이 이 공정에서는, C11에 대하여 X축 방향에 위치하는 C31에 액적(D)을 배치한다. 그리고 이로써 도트형 패턴(4)이 X축 방향으로 뻗는다. 또한, 이 공정에서는, X축 방향으로 늘어선 복수의 도트형 패턴(4)이 X축 방향으로 연결된다. 그리고 층 형성 범위 내의 C31의 전부에 액적(D)의 배치를 끝내면, 도 10에 나타낸 바와 같이, C11에 배치된 액적(D)과, C31에 배치된 액적(D)으로 구성되는 복수의 선형 패턴(5)이 나타난다. 이들 복수의 선형 패턴(5)의 각각은 X축 방향으로 뻗음과 동시에 서로 고립되어 있다.

(3E. 제2 접속 도트의 배치 공정)

층 형성 범위 내의 C31의 전부에 액적(D)을 배치한 후에, 액적 토출 장치(100)로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32μm로 설정한다. 그리고 도 11 에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C13의 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이때, C13의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C13은 Y축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중간에 있다. 이 때문에, C13과 C13에 가장 가까운 C11 사이의 거리는 30μm이다. 그리고 C11에 배치된 액적(D)은 C11의 중심으로부터 15μm 범위로 퍼져 있다. 한편, C13 위에서는, 액적(D)이 C13의 중심으로부터 16μm 범위로 퍼지므로, C13에 배치된 액적(D)은 선형 패턴(5)에 접한다.

C13에 액적(D)을 배치하는 공정의 보다 상세한 것은 이하와 같다.

본 실시 형태에서는 노즐 열(116)에 있어서의 복수의 노즐(118)을 이용하여, 층 형성 범위 내의 C13의 전부에 액적(D)을 배치한다. 보다 구체적으로는, 상기의 C11에의 액적(D)의 배치 공정과 마찬가지로, 어떤 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 어떤 칼럼에 있어서의 C13의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 스테이지(106)에 대하여 위치 결정한다. 그리고 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동한다. 그렇게 하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C13의 각각에 그 1개의 노즐(118)이 대면한다. 거기서, 적절한 타이밍에 노즐(118)로부터 액적(D)을 토출하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C13의 각각에 액적(D)이 배치된다.

다음에, 다른 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 다른 칼럼에 있어서의 C13의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 X축 방향으로 상대 이동한다. 그리고 앞의 칼럼과 마찬가지로, 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방 향)으로 상대 이동하여, 그 칼럼의 복수의 C13의 각각에 각각의 액적(D)을 배치한다.

이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, C13에 액적(D)을 배치할 때, C13으로 이루어지는 배열에 있어서, 동일한 칼럼에 속하는 복수의 C13의 전부에 동일한 노즐(118)이 할당된다. 그러나 칼럼이 바뀌면, 할당되는 노즐(118)이 바뀔 수 있다.

이와 같이 이 공정에서는, C11에 대하여 Y축 방향에 위치하는 C13에 액적(D)을 배치한다. 그리고 이로써 복수의 선형 패턴(5)의 각각이 Y축 방향으로 뻗는다. 또한, 이 공정에서는 이들 복수의 선형 패턴(5)이 Y축 방향으로 연결된다. 그리고 도 12에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 C13의 전부에 액적(D)의 배치를 끝내면, C11에 배치된 액적(D)과, C31에 배치된 액적(D)과, C13에 배치된 액적(D)으로 구성되는 격자형 패턴(6)이 나타난다.

(3F. 제3 접속 도트의 배치 공정)

층 형성 범위 내의 C13의 전부에 액적(D)을 배치한 후에, 액적 토출 장치(100)로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32μm로 설정한다. 그리고 도 13에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C33의 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이때, C33의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C33은 X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향(U)으로 서로 인접한 2개의 C11의 중간에 있다. 그리고 C33에 배치되는 액적(D)은 이미 배치된 액적(D)으로 구성되는 격자형 패턴(6)의 구멍을 메운다. 그리고 이 때문에, C33에의 액적(D)의 배치에 의해, 이미 배치된 액적(D)으로 구성된 격자형 패턴(6)은 합성 방향(U)으 뻗는다.

C33에 액적(D)을 배치하는 공정의 보다 상세한 것은 이하와 같다.

본 실시 형태에서는 노즐 열(116)에 있어서의 복수의 노즐(118)을 이용하여, 층 형성 범위 내의 C33의 전부에 액적(D)을 배치한다. 구체적으로는, 상기의 C11에의 액적(D)의 배치 공정과 마찬가지로, 어떤 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 어떤 칼럼에 있어서의 C33의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 스테이지(106)에 대하여 위치 결정한다. 그리고 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동한다. 그렇게 하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C33의 각각에 그 1개의 노즐(118)이 대면한다. 거기서, 적절한 타이밍에 노즐(118)로부터 액적(D)을 토출하면, 그 칼럼에 있어서의 복수의 C33의 각각에 액적(D)이 배치된다.

다음에, 다른 1개의 노즐(118)의 X좌표와, 다른 칼럼에 있어서의 C33의 X좌표가 일치하도록, 헤드(114)를 X축 방향으로 상대 이동한다. 그리고 앞의 칼럼과 마찬가지로, 헤드(114)의 X좌표를 유지한 채, 스테이지(106)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동하여, 그 칼럼의 복수의 C33의 각각에 각각의 액적(D)을 배치한다.

이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, C33에 액적(D)을 배치할 때, C33으로 이루어지는 배열에 있어서, 동일한 칼럼에 속하는 복수의 C33의 전부에 동일한 노즐(118)이 할당된다. 그러나 칼럼이 바뀌면, 할당되는 노즐(118)이 바뀔 수 있 다.

층 형성 범위 내의 C33의 전부에 액적(D)의 배치를 끝내면, 도 14에 나타낸 바와 같이, C11에 배치된 액적(D)과, C31에 배치된 액적(D)과, C13에 배치된 액적(D)과, C33에 배치된 액적(D)으로 구성되는 솔리드 패턴(7)이 나타난다. 본 실시 형태에서는, 기판(10A) 표면상의 9블록×9블록에 대응하는 층 형성 범위는 틈새 없이 솔리드 패턴(7)으로 덮인다. 또한, 상기한 바와 같이, 액적(D)은 표면상에서 퍼지므로, 솔리드 패턴(7)이 덮는 면적(층 형성 범위의 면적)은 9블록×9블록의 면적보다도 약간 커진다.

이와 같이, 복수의 블록군(1G)의 각각에서, C11, C31, C13, C33에 이 순서로 각각의 액적(D)을 배치한다. 그렇게 하면, 예를 들어, 기판(10A)의 표면이 발액성을 갖더라도, 이들 4개의 블록(1)에 배치된 액적(D)에 의해, C11로부터 X축 방향, Y축 방향, 및 합성 방향(U)의 각각에 연속한 솔리드 패턴(7)을 형성할 수 있다. 즉, 구멍이 없는 솔리드 패턴(7)이 형성된다.

(3G. 활성화 공정)

다음에, 솔리드 패턴(7)을 활성화한다. 구체적으로는, 솔리드 패턴(7)에 있어서의 은입자가 소결 또는 융착하도록 솔리드 패턴(7)을 가열한다. 그렇게 하면, 소결 또는 융착한 은입자에 의해 솔리드 패턴(7)에 있어서 도전성이 발현되고, 그리고 이 결과, 도 15에 나타나 있는 바와 같은 도전층(8)이 얻어진다.

여기서, 얻어지는 도전층(8)의 두께의 균일성이 충분하지 않을 경우에는, 활성화에 앞서, 도 16에 나타낸 바와 같이, 각각의 블록군(1G)에 있어서, 12개의 액 적(D)을 더 배치해도 된다. 구체적으로는, C11, C31, C13, C33의 4개의 블록(1)에 더하여, C21, C41, C23, C43, C12, C32, C14, C34, C22, C42, C24, C44의 12개의 블록(1)의 각각에 이 순서로 액적(D)을 배치해도 된다. 즉, 블록군(1G)에 있어서의 블록(1)의 전부에 액적(D)을 배치해도 된다. 그렇게 하면, 보다 균일한 두께의 도전층(8)이 얻어진다. 또한, 추가로 배치되는 12개의 액적(D)의 체적은 먼저 배치된 4개의 액적(D)의 체적보다 작아도 된다.

이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 우선 기판(10A) 위에 복수의 도트형 패턴(4)이 배치된다. 그 후, X축 방향으로 뻗은 복수의 선형 패턴(5)이 나타난다. 그 다음에, 복수의 선형 패턴(5)이 Y축 방향으로 연결되고, 격자형 패턴(6)이 나타난다. 마지막으로, 남은 스페이스에 액적(D)이 배치되어, 2차원적으로 연속한 솔리드 패턴(7)이 형성된다. 그리고 솔리드 패턴(7)을 활성화함으로써 구멍이 없는 도전층(8)이 얻어진다.

그런데, 블록군(1G) 내의 액적(D)의 배치 순서가 상기의 순서인 한, 복수의 블록군(1G) 간의 순서에 아무런 제한이 없다. 예를 들면, X축 방향으로 뻗은 1개의 열을 구성하는 복수의 블록군(1G)이 거의 동시에 처리되어도 된다. 마찬가지로, Y축 방향으로 뻗은 1개의 열을 구성하는 복수의 블록군(1G)이 거의 동시에 처리되어도 된다. 또한, 1개의 블록군(1G)씩 순서대로 처리해도 된다.

이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, 본 실시 형태의 층 형성 방법에서는, 최초의 2종류의 블록(1)에 액적(D)이 배치되어 끝낸 시점에서, X축 방향으로 뻗은 복수의 고립된 선형 패턴(5)이 나타난다. 구체적으로는, 이와 같은 선형 패 턴(5)이 얻어지도록, 1) 액적(D)의 배치 순서와, 2) 블록(1)의 크기와, 3) 블록군(1G)에 포함되는 블록(1)의 수와, 4) 액적(D)의 착탄 직경의 적어도 1개가 설정되어 있다. 발명자들에 의한 실험에서는, 이와 같이 주사 방향으로 직교하는 방향(X축 방향)으로 뻗은 복수의 고립된 선형 패턴(5)이 얻어지면, 양호한 솔리드 패턴(7)이 얻어질 가능성이 높다. 또한, 본 실시 형태에서는, 최초의 2종류의 블록(1)은 C11과 C31이다.

상기한 바와 같이, 1개의 칼럼에 있어서의 복수의 블록(1)에 액적(D)을 배치하는 경우, 1개의 칼럼에 대하여 1개의 노즐(118)이 할당된다. 이 때문에, 예를 들어 복수의 노즐(118) 사이에서 비행 경로의 변동이 있어도, 배치된 액적(D)의 주사 방향에 따른 간격은 일정해진다. 또한, 이 경우, 배치된 액적(D)의 주사 방향에 따른 간격은 토출 주기(EP)(도 5(b))와 스테이지(106)의 상대 이동 속도의 곱의 정수배로결정된다.

한편, 1개의 로우에 있어서의 복수의 블록(1)에 액적(D)을 배치하는 경우, 1개의 로우에 대하여 복수의 노즐(118)이 할당된다. 여기서의 「로우」란, X축 방향으로 일렬로 늘어선 블록(1)의 집합이다. 이와 같이 복수의 노즐(118)이 할당되므로, 복수의 노즐(118) 사이에 비행 경로의 변동이 있다면, 배치된 액적(D)의 X축 방향의 간격이 일정해지지 않는 경우가 있다. 물론, X축 방향에서의 이러한 비행 경로의 변동이 허용 범위 내에 있도록 헤드(114)는 조정되어 있다. 그런데도, X축 방향의 비행 경로의 변동은 노즐(118) 내에서의 기능액(111)의 부착 등에 의해, 시간과 함께 변화할 수 있고, 우발적인 비행 경로의 구부러짐이 생길지도 모른다. X 축 방향에서의 그와 같은 비행 경로의 변동이 있다면, 배치된 액적(D)에 의해 얻어지는 도트가 X축 방향으로 연결되지 않는 경우가 있으므로, 선형 패턴(5)이 얻어지지 않을 가능성이 있다.

따라서 솔리드 패턴(7)을 형성하는 과정에서는, X축 방향으로 뻗은 복수의 고립된 선형 패턴(5)이 얻어지는 것을 확인할 수 있는 쪽이 좋다. 본 실시 형태의 층 형성 방법에 의하면, 최초의 2종류의 블록(1)에 액적(D)의 배치를 끝낸 시점에서, X축 방향으로 뻗은 선형 패턴(5)이 얻어진다. 만약, 최초의 2종류의 블록(1)에 액적(D)의 배치를 끝낸 시점에서, 선형 패턴(5)이 얻어지지 않는 경우에는, 그 기판(10A)은 불량품으로 표시된다. 그러나 선형 패턴(5)이 얻어지지 않기 때문에 불량품이 되는 경우에도, 나머지 2종류의 블록(1)에의 액적(D)의 배치는 아직 실시되지 않았으므로, 기능액(111)의 낭비를 막을 수 있다.

(변형예 1)

상기 실시 형태에서는 C11 위의 도트형 패턴(4)을 건조한 후에, C11에 재차 액적(D)을 배치함으로써 C31의 표면을 친액화했다. 그러나 본 발명은 이와 같은 형태에 한정되지 않는다. 구체적으로는, C11 위의 액적(D)을 건조한 후에, 기판(10A)의 표면을 산소 플라스마에 노출함으로써 C31을 친액화해도 되고, 기판(10A)의 표면에 자외역의 파장을 조사함으로써 C31을 친액화해도 된다.

(변형예 2)

상기 실시 형태의 기능액에는 은의 나노 입자가 포함되어 있다. 그러나 은의 나노 입자 대신에, 다른 금속의 나노 입자를 이용해도 된다. 여기서, 다른 금 속으로서, 예를 들면 금, 백금, 구리, 팔라듐, 로듐, 오스뮴, 루테늄, 이리듐, 철, 주석, 아연, 코발트, 니켈, 크롬, 티탄, 탄탈, 텅스텐, 인듐의 어느 1개를 이용해도 되고, 또는 어느 2개 이상이 조합된 합금을 이용해도 된다. 단, 은은 비교적 저온에서 환원할 수 있기 때문에, 취급이 용이하며, 이 점에서 액적 토출 장치를 이용하는 경우에는, 은의 나노 입자를 함유하는 기능액을 이용하는 것이 바람직하다.

또한, 기능액이 금속의 나노 입자 대신에, 유기 금속 화합물을 포함하고 있어도 된다. 여기서 말하는 유기 금속 화합물은 가열에 의한 분해에 의해 금속이 석출되는 화합물이다. 이와 같은 유기 금속 화합물에는 클로로트리에틸포스핀금(I), 클로로트리메틸포스핀금(I), 클로로트리페닐포스핀금(I), 은(I) 2,4-펜탄디오네이트 착체, 트리메틸포스핀(헥사플루오로아세틸아세토네이토)은(I) 착체, 구리(I) 헥사플루오로펜탄디오네이트 시클로옥타디엔 착체 등이 있다.

이와 같이, 기능액에 포함되는 금속의 형태는 나노 입자로 대표되는 입자의 형태여도 되고, 유기 금속 화합물과 같은 화합물의 형태여도 된다.

또한, 기능액은 금속 대신에 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 도전성 고분자의 가용성 재료를 포함하고 있어도 된다.

(변형예 3)

상기 실시 형태에서는 솔리드 도전층(8)이 형성된다. 그러나 본 발명은 이와 같은 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 솔리드 절연층의 형성 방법으로서 본 발명을 적용해도 된다. 솔리드 절연층을 형성하는 경우에는, 절연 재료를 함유하는 기능액을 준비하면 된다. 여기서, 이와 같은 기능액은, 적합하게는 절연 재료로서 광경화성의 절연 수지와, 이 절연 수지를 용해하는 유기 용매를 함유하고 있다. 그리고 기능액이 이와 같은 절연 재료를 함유하는 경우에는, 상기의 고정 공정과 활성화 공정은 어느 것도 절연 수지가 경화하도록, 기능액으로 이루어지는 도트형 패턴 또는 솔리드 패턴에 광을 조사하는 공정, 또는 이들 도트형 패턴 또는 솔리드 패턴을 가열하는 공정이다.

(변형예 4)

상기 실시 형태에 의하면, 폴리이미드로 이루어지는 기판(10A) 위에 액적(D)이 배치된다. 그러나 이와 같은 기판(10A) 대신에, 세라믹 기판, 유리 기판, 에폭시 기판, 유리 에폭시 기판, 또는 실리콘 기판 등을 이용해도, 상기 실시 형태에서 설명한 효과와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 액적(D)이 배치되는 표면은 기판의 표면에 한정되지 않는다. 거의 평탄한 절연층의 표면 또는 거의 평탄한 도전층의 표면이어도 된다.

(변형예 5)

상기 실시 형태에 있어서의 블록(1)의 크기, 블록군(1G)에 포함되는 블록(1)의 수, 및 액적(D)의 착탄 직경은 본 실시 형태의 값에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 임의의 C11 위의 도트형 패턴(4)이 어느 것이나 인접하는 C11 위의 도트형 패턴(4)으로부터 고립되도록, 블록(1)의 크기, 블록군(1G)에 포함되는 블록(1)의 수, 및 액적(D)의 착탄 직경의 적어도 하나를 설정하면 된다.

(변형예 6)

상기 실시 형태에 의하면, C31에 배치되는 액적(D)의 착탄 직경과, C13에 배치되는 액적(D)의 착탄 직경과, C33에 배치되는 액적의 착탄 직경은 어느 것이나 동일하다. 단, 이와 같은 구성 대신에, 보다 균일한 두께의 도전층(8)이 얻어지도록, 이들의 착탄 직경을 다르게 해도 된다. 또한, 액적(D)의 착탄 직경을 다르게 할 때에는, 토출되는 액적(D)의 체적를 바꾸면 된다.

(변형예 7)

C11, C31, C13, C33에의 액적의 배치에 앞서, 하지(下地)가 되는 표면의 발액성의 정도가 상승하도록, 기판(10A)의 표면에 표면 개질 처리를 실시해도 된다. 그렇게 하면, 솔리드 패턴(7)의 가장자리 형상이 보다 예리해진다. 또한, 표면의 발액성을 향상시키는 처리로서, 기판(10A)의 표면에 플루오로알킬실란(FAS)막을 형성하는 것이 알려져 있다. 또한, 불소를 함유하는 처리 가스를 이용한 대기압 플라스마법에 따라서 처리 가스에 표면을 노출해도, 표면의 발액성을 향상시킬 수 있다.

본 발명은 액적 토출 장치를 이용하여 양호한 솔리드 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공할 수 있다.

Claims

복수의 노즐을 구비한 헤드에 대하여, 표면을 제1 방향으로 상대 이동시키면서 상기 복수의 노즐로부터 액적을 토출하는 액적 토출 장치가 사용되는 층 형성 방법으로서,

상기 표면상의 2개의 기준 영역의 각각에 제1 액적을 각각 배치하여, 상기 2개의 기준 영역에 대응하여 고립된 2개의 패턴을 설치하는 제1 공정과,

상기 2개의 패턴을 고정하는 제2 공정과,

상기 제2 공정 후에, 상기 표면을 친액화하는 제3 공정과,

상기 제3 공정 후에, 상기 2개의 기준 영역 사이에 제2 액적을 배치하여, 상기 2개의 패턴을 연결하는 제4 공정을 포함하는 층 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 제3 공정은 고정된 상기 2개의 패턴 각각의 위에 제3 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 제3 공정은 상기 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제4 공정 후에, 연결된 상기 패턴을 활성화시키는 제5 공정을 더 포함하는 층 형성 방법.
제2항에 있어서,

상기 제2 액적의 1개당 체적과, 상기 제3 액적의 1개당 체적의 적어도 1개는 상기 제1 액적의 1개당 체적과 다른 층 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 제2 액적의 1개당 체적은 상기 제1 액적의 1개당 체적과 다른 층 형성 방법.
복수의 노즐을 구비한 헤드에 대하여, 표면을 제1 방향으로 상대 이동시키면서 상기 복수의 노즐로부터 액적을 토출하는 액적 토출 장치가 사용되는 층 형성 방법으로서,

상기 표면상에서 상기 제1 방향과 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 결정되는 배열형으로 늘어선 복수의 기준 영역의 각각에 제1 액적을 배치하여, 상기 복수의 기준 영역에 대응하여 각각 고립된 복수의 패턴을 설치하는 제1 공정과,

상기 복수의 패턴을 고정시키는 제2 공정과,

상기 제2 공정 후에 상기 제2 방향으로 늘어선 복수의 상기 기준 영역 각각 의 사이에 제2 액적을 배치하여, 상기 복수의 패턴을 상기 제2 방향으로 연결하는 제3 공정과,

상기 제3 공정 후에 상기 제1 방향으로 늘어선 복수의 상기 기준 영역 각각의 사이에 제3 액적을 배치하여, 상기 복수의 패턴을 상기 제1 방향으로 연결하는 제4 공정과,

상기 제4 공정 후에 상기 제1 방향과 상기 제2 방향의 합성 방향으로 늘어선 상기 복수의 기준 영역 각각의 사이에 제4 액적을 배치하는 제5 공정을 포함하는 층 형성 방법.
제7항에 있어서,

상기 제2 공정과 상기 제3 공정 사이에 상기 표면을 친액화하는 제6 공정을 더 포함하는 층 형성 방법.
제8항에 있어서,

상기 제6 공정은 상기 복수의 패턴 각각의 위에 제5 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
제8항에 있어서,

상기 제6 공정은 상기 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
제7항에 있어서,

상기 제5 공정 후에 상기 패턴을 활성화시키는 제7 공정을 더 포함하는 층 형성 방법.
제7항에 있어서,

상기 제2 액적의 1개당 체적과, 상기 제3 액적의 1개당 체적과, 상기 제4 액적의 1개당 체적의 적어도 1개는 상기 제1 액적의 1개당 체적과 다른 층 형성 방법.
제9항에 있어서,

상기 제2 액적의 1개당 체적과, 상기 제3 액적의 1개당 체적과, 상기 제4 액적의 1개당 체적과, 상기 제5 액적의 1개당 체적의 적어도 1개는 상기 제1 액적의 1개당 체적과 다른 층 형성 방법.