KR20070024382A - 층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 다층배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 다층배선 기판의 제조 방법 Download PDF

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가즈아키 사쿠라다
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 하지(下地) 표면에 액적을 배치하여 양호한 전면 형상 패턴을 설치하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
층 형성 방법이, 하지 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과, 상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과, 적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함하고 있다.
액적, 도전층, 개구부, 뱅크, 절연층

Description

층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 다층 배선 기판의 제조 방법{METHOD FOR FORMING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A MULTILAYERED WIRING SUBSTRATE}
도 1은 기판의 표면에 대응된 블록을 나타낸 모식도.
도 2는 블록에 액적을 배치하는 순서를 나타낸 도면.
도 3은 C11에 액적을 배치하는 공정을 나타낸 도면.
도 4는 C31에 액적을 배치하는 공정을 나타낸 도면.
도 5는 C31에 액적이 배치된 후에 얻어지는 라인 형상 패턴을 나타낸 모식도.
도 6은 C13에 액적을 배치하는 공정을 나타낸 도면.
도 7은 C13에 액적이 배치된 후에 얻어지는 격자 형상 패턴을 나타낸 모식도.
도 8은 C33에 액적을 배치하는 공정을 나타낸 도면.
도 9는 C33에 액적이 배치된 후에 얻어지는 전면(全面) 형상 패턴을 나타낸 모식도.
도 10은 도 9의 전면 형상 패턴을 활성화하여 얻어지는 도전층을 나타낸 모식도.
도 11은 블록에 액적을 배치하는 다른 순서를 나타낸 도면.
도 12는 블록에 액적을 배치하는 또 다른 순서를 나타낸 도면.
도 13은 블록에 액적을 배치하는 또 다른 순서를 나타낸 도면.
도 14는 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 일부를 확대한 모식도.
도 15는 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 단면을 나타낸 모식도.
도 16은 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 17은 본 실시예의 다층 배선 기판의 구조를 나타낸 모식도.
도 18은 본 실시예의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 19는 본 실시예의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
D : 액적 1 : 블록
4 : 도트 형상 패턴 5 : 라인 형상 패턴
6 : 격자 형상 패턴 7 : 전면(全面) 형상 패턴
8 : 도전층(導電層) 10A : 기판
20 : 액티브 매트릭스 기판 21 : 기판
30 : TFT 31 : 게이트 절연막
32 : 활성층 33 : 컨택트층
40 : 게이트 배선 41 : 게이트 전극
42 : 소스 배선 43 : 소스 전극
44 : 드레인 전극 45 : 화소 전극
51 : 뱅크 52 : 개구부
61 : 뱅크 62 : 개구부
65 : 절연 재료층 66 : 컨택트 홀
70 : 다층 배선 기판 70A : 기체(基體)
71 : 기판 72 : 도전(導電) 패턴
73 : 도전 포스트(post) 74 : 절연층
75 : 더미(dummy) 포스트 76 : 절연층
77 : 도전층 81 : 서브 절연층
82 : 서브 절연층
본 발명은 액적의 배치 공정을 수반하는 층 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법, 및 다층 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
액적 토출 장치를 이용하여 라인 형상 패턴을 형성하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1).
[특허문헌 1] 일본국 공개특허2005-34837호 공보
잉크젯 프로세스는 액적 토출 장치를 이용하여 기능액이라고 불리는 액상(液狀) 재료를 물체 표면에 배치하는 공정을 포함하고 있다. 이 액적 토출 장치는 통 상 기능액을 액적으로서 토출하는 헤드와, 대상으로 되는 하지 표면에 대하여 그 헤드를 2차원적으로 상대 이동시키는 기구를 구비하고 있으며, 이러한 구성에 의해 하지 표면의 임의의 위치에 기능액으로 이루어지는 액적을 배치할 수 있다.
이러한 잉크젯 프로세스를 이용하여 1개의 액적이 습윤 확장되는 면적보다도 큰 면적을 갖는 하지 표면을 기능액에 의해 빈틈없이 덮을 경우에는, 그 하지 표면 위에서 습윤 확장되는 범위가 서로 중첩되도록 복수의 액적을 배치한다. 이렇게 하면, 그 하지 표면을 빈틈없이 덮는 패턴이 얻어진다. 그런데, 그 하지 표면이 기능액에 대하여 발액성(撥液性)을 갖고 있을 경우에는, 하지 표면과 액적이 서로 끌어당기는 힘보다도 서로 접하는 액적끼리가 표면장력에 의해 서로 끌어당기는 힘이 더 강하기 때문에, 기능액이 국소적으로 집중될 수 있다. 이러한 집중이 생기면, 하지 표면이 기능액에 의해 균일하게 덮이지 않고, 최악의 경우에는, 하지 표면의 일부가 기능액의 결여 때문에 노출된다.
본 발명은 이러한 과제를 감안하여 안출된 것으로서, 하지 표면에 액적을 배치하여 양호한 전면 형상 패턴을 설치하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 층 형성 방법은, 하지 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과, 상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과, 적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함하고 있다. 여기서, 상기 제 3 공정은 고정된 상기 2개의 도트 형상 패턴의 각각 위에 제 3 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, 상기 제 3 공정은 상기 하지 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 하지 표면을 플라스마에 노출시키는 공정을 포함하고 있을 수도 있다.
제 2 공정에 의하면, 2개의 도트 형상 패턴이 하지 표면에 대하여 고정된다. 이 때문에, 제 2 공정에 의해, 하지 표면 위에서 2개의 도트 형상 패턴을 움직이기 어렵게 할 수 있다.
또한, 제 3 공정에 의하면, 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 제 2 액적이 배치되기 전에, 2개의 도트 형상 패턴 사이의 하지 표면이 제 2 액적에 대하여 친액화된다. 이 제 3 공정에 의해 하지 표면에 대하여 제 2 액적을 움직이기 어렵게 할 수 있다.
이상으로부터, 제 2 공정과 제 3 공정에 의해, 하지 표면 위에서 제 4 공정 시에 2개의 도트 형상 패턴과 제 2 액적이 서로 연결되어도, 도트 형상 패턴 및 제 2 액적 모두 하지 표면에 대하여 움직이기 어렵다. 따라서, 기능액의 국소적인 집합이 생기기 어려워지고, 그 결과, 하지 표면 위에 얻어지는 층에 구멍이 생길 가능성이 저하된다.
본 발명의 다른 형태에서는, 상기 층 형성 방법은, 상기 제 4 공정 후에, 연결된 상기 2개의 도트 형상 패턴을 활성화 또는 건조시키는 제 5 공정을 더 포함하 고 있다.
상기 특징에 의하면, 액적의 배치에 의해 생기는 도트 형상 패턴으로부터 최종적으로 얻어지는 층에 구멍이 생길 가능성이 적다.
또한, 상기 층 형성 방법에 있어서, 상기 제 2 액적의 1개당 부피와 상기 제 3 액적의 1개당 부피 중 적어도 하나는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이할 수도 있다.
본 발명의 층 형성 방법은, 하지 표면 위에서 제 1 방향과 상기 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향에 의해 결정되는 어레이 형상으로 나열된 복수의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 복수의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정 후에, 상기 제 1 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 2 액적을 각각 배치하여, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 제 1 방향으로 연결시키는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정 후에, 상기 제 2 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 3 액적을 각각 배치하여, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 제 2 방향으로 연결시키는 제 4 공정과, 상기 제 4 공정 후에, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향의 합성 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 4 액적을 각각 배치하는 제 5 공정을 포함하고 있다.
상기 특징에 의하면, 제 1 액적을 배치하여 얻어지는 복수의 도트 형상 패턴의 각각이 하지 표면의 복수의 부위 각각에 대하여 고정된다. 그 결과, 하지 표면 이 제 1 액적에 대하여 발액성을 갖고 있어도, 제 2 액적 및 제 3 액적이 제 1 액적에 중첩될 때에 제 1 액적이 이동하지 않는다.
바람직하게는, 상기 층 형성 방법이 상기 제 2 공정과 상기 제 3 공정 사이에서 상기 하지 표면을 친액화하는 제 6 공정을 더 포함하고 있다. 여기서, 상기 제 6 공정은 상기 복수의 도트 형상 패턴의 각각 위에 제 5 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, 상기 제 6 공정은 상기 하지 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 하지 표면을 플라스마에 노출시키는 공정을 포함하고 있을 수도 있다.
상기 특징에 의해 얻어지는 효과 중 하나는, 이미 형성된 복수의 도트 형상 패턴에 제 2 액적이 중첩되어도, 제 2 액적이 복수의 도트 형상 패턴 측으로 끌어 당겨지지 않는 것이다.
본 발명의 또 다른 형태에서는, 상기 층 형성 방법이, 상기 제 5 공정 후에 상기 복수의 도트 형상 패턴을 활성화 또는 건조시키는 제 7 공정을 더 포함하고 있다.
상기 특징에 의하면, 액적의 배치에 의해 생기는 도트 형상 패턴으로부터 최종적으로 얻어지는 층에 구멍이 생길 가능성이 적다.
또한, 상기 층 형성 방법에 있어서, 상기 제 2 액적의 1개당 부피와, 상기 제 3 액적의 1개당 부피와, 상기 제 4 액적의 1개당 부피와, 상기 제 5 액적의 1개당 부피 중 적어도 하나는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이할 수도 있다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은, 하지 표면 위에서 서로 고 립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과, 상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과, 적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함하고 있다.
본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법은, 하지 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과, 상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과, 적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함하고 있다.
후술하는 층 형성 방법에 의하면, 하지 표면으로서의 기판(10A)의 표면(도 1)에 액적이 배치됨으로써, 최종적으로 전면 형상의 도전층(8)(도 10)이 설치된다. 그리고, 층 형성 방법에서 액적을 배치하는 공정은, 바람직하게는 액적 토출 장치에 의해 실행된다. 여기서, 액적 토출 장치의 일례는 잉크젯 장치이다.
액적 토출 장치는, 구체적으로는 액적을 토출하는 헤드와, 액적이 배치되는 기판(10A)을 탑재하는 스테이지와, 헤드 및 스테이지 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시킴으로써 기판(10A) 위의 임의의 위치에 헤드를 대면(對面)시키 는 기구를 구비하고 있다. 그리고, 헤드로부터 토출되는 액적의 부피는 1.5pl 이상 42pl(피코리터) 이하의 사이에서 가변한다. 이러한 구성의 액적 토출 장치에 있어서, 헤드가 기판(10A) 위의 소정 위치를 향하여 액적을 토출하면, 그 소정 위치에 액적이 배치된다.
다만, 경우에 따라서는, 액적 토출 장치가 이용되지 않을 수도 있다. 구체적으로는, 기능액이 액적의 형태로 하지 표면에 배치되는 것이라면, 본 발명의 층 형성 방법은 실행될 수 있다. 예를 들어 액적 토출 장치 대신에 마이크로피펫(micropippet)에 의해 액적을 배치할 수도 있다. 그리고, 액적의 부피도 1.5pl보다 작을 수도 있고 42pl보다 클 수도 있다.
이하에서는, 본 실시예의 층 형성 방법을 구체적으로 설명한다.
(1. 블록)
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(10A)의 표면 중 적어도 도전층이 형성되는 범위에 가상적인 복수의 블록(1)을 대응시킨다. 이들 복수의 블록(1)은 X축 방향과 Y축 방향에 의해 결정되는 어레이 형상으로 나열되어 있다. 여기서는, 복수의 블록(1) 각각의 X축 방향에 따른 길이는 11㎛이고, Y축 방향에 따른 길이는 15㎛이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향은 서로 직교하는 방향이다. 그리고, 기판(10A)은 폴리이미드로 이루어지는 기판이며, 테이프 형상의 형상을 갖고 있다. 본 실시예에서는 기판(10A)의 표면이 본 발명의 하지 표면의 일례이다. 이러한 하지 표면 중 도전층이 형성되어야 할 범위를 「층 형성 범위」라고도 표기한다.
복수의 블록(1) 각각은 액적이 배치될 수 있는 영역, 즉, 부위(部位)이다. 본 실시예에서는, 어느 1개의 블록(1)에 액적이 배치될 경우에는, 그 블록(1)의 중심과 배치되는 액적의 중심이 대략 일치하도록 액적이 배치된다. 또한, 복수의 블록(1)의 X축 방향의 피치는 X축 방향으로 인접하는 2개의 액적의 최소 중심간 거리에 대응한다. 마찬가지로, 복수의 블록(1)의 Y축 방향의 피치는 Y축 방향으로 인접하는 2개의 액적의 최소 중심간 거리에 대응한다. 또한, 도 1에서는 설명의 편의상 144개(12×12)의 블록(1)이 도시되어 있지만, 실제의 블록(1) 수는 이것에 한정되지 않는다.
또한, 4블록×4블록으로 결정되는 16개의 블록(1)의 집합마다 블록 그룹(1G)이 정의되어 있다. 그리고, 1개의 블록 그룹(1G)에서의 16개의 블록(1) 각각을 식별하기 위해, 이들 16개의 블록(1) 각각은 문자 「C」와 두 자릿수의 첨자(suffix)로 이루어지는 부호(예를 들어 C11)로 표기되어 있다. 여기서, 첨자의 우측 수치(數値)는 블록 그룹(1G)에서의 Y축 방향에 따른 위치를 나타내고 있으며, 1 내지 4의 정수이다. 한편, 첨자의 좌측 수치는 블록 그룹(1G)에서의 X축 방향의 위치를 나타내고 있으며, 1 내지 4의 정수이다.
그리고, 복수의 C11에 주목하면, 기판(10A)의 표면 위에서는 복수의 C11이 X축 방향 및 Y축 방향에 의해 결정되는 어레이 형상으로 나열되어 있다. 구체적으로는, 복수의 C11이 X축 방향으로도, Y축 방향으로도, 이들의 합성 방향 U로도 주기적으로 위치하고 있다. 본 실시예에서는, X축 방향으로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심간 거리는 모두 44.0㎛이다. 또한, Y축 방향으로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심간 거리도 모두 60.0㎛이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방 향 U로 인접하는 임의의 2개의 C11의 중심간 거리는 모두 74.4㎛이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향 U는 블록(1)의 대각선 방향이다.
(2. 기능액)
여기서, 도전층(8)을 설치하는 공정은 기능액의 액적을 배치하는 공정을 포함하고 있다. 「기능액」은 액적 토출 장치의 헤드에 설치된 노즐로부터 액적으로서 토출될 수 있는 점도(粘度)를 갖는 액상 재료를 의미한다. 「기능액」이 수성인지 유성인지의 여부는 상관없다. 노즐로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하며, 고체 물질이 혼입(混入)되어 있어도 전체적으로 유동체이면 된다. 「기능액」의 점도는 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 점도가 1mPa·s 이상일 경우에는, 「기능액」의 액적을 토출할 때에 노즐의 주변부가 「기능액」에 의해 오염되기 어렵다. 한편, 점도가 50mPa·s 이하일 경우는, 노즐에서의 막힘 빈도가 적기 때문에 원활한 액적의 토출을 실현할 수 있다.
본 실시예의 기능액은 분산매와 도전 재료로서의 은을 함유한다. 여기서, 기능액에서의 은은 은 입자의 형태를 취하고 있으며, 이 은 입자의 평균 입경은 1O㎚ 정도이다. 그리고, 기능액에 있어서, 은 입자는 코팅제에 의해 피복되어 있어, 코팅제에 의해 피복된 은 입자는 분산매 중에 안정적으로 분산되어 있다. 또한, 평균 입경이 1㎚ 내지 수백㎚인 입자는 「나노 입자」라고도 표기된다. 이 표기에 의하면, 기능액은 은나노 입자를 함유하고 있다.
분산매(또는 용매)로서는, 은 입자 등의 도전성 미립자를 분산시킬 수 있는 것으로서 응집(凝集)을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 물 이외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 시클로헥사논 등의 극성(極性) 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중 도전성 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 잉크젯 프로세스에 대한 적용의 용이성 면에서 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로서는, 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.
또한, 상술한 코팅제는 은 원자로 배위(配位) 가능한 화합물이다. 코팅제로서는, 아민, 알코올, 티올 등이 알려져 있다. 보다 구체적으로는, 코팅제로서, 2-메틸아미노에탄올, 디에탄올아민, 디에틸메틸아민, 2-디메틸아미노에탄올, 메틸디에탄올아민 등의 아민 화합물, 알킬아민류, 에틸렌디아민, 알킬알코올류, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 알킬티올류, 에탄디티올 등이 있다. 코팅제에 의해 피복된 은나노 입자는 분산매 중에서 보다 안정적으로 분산될 수 있다.
(3. 액적의 배치 순서)
이하에서는, 도 2의 좌측 위의 블록(1)을 기준으로 하여 9블록×9블록에 대 응하는 층 형성 범위에 X축 방향으로도, Y축 방향으로도, 합성 방향 U로도 연속된 전면 형상 패턴을 설치한다. 여기서의 「전면 형상 패턴」은 후술하는 활성화 공정을 거쳐 도전층(8)으로 되는 층이다. 또한, 배치된 액적은 표면 위에서 약간 습윤 확장되기 때문에, 9블록×9블록에 대응하는 층 형성 범위의 면적은 9블록×9블록의 면적보다도 약간 크다.
물론, 다른 실시예에서는 층 형성 범위가 9블록×9블록 이외에 대응할 수도 있다. 예를 들어 층 형성 범위가 100블록×100블록에 대응하는 범위일 수도 있고, 1블록×5블록에 대응하는 범위일 수도 있다. 또는, 층 형성 범위는 1) C11을 포함하는 로우(row) 또는 칼럼(column)이 층 형성 범위의 가장 외측에 대응하고, 및/또는 2) C11이 층 형성 범위의 코너에 대응하도록 설정된다. 또한, 여기서의 「로우」는 X축 방향으로 일렬로 나열된 블록(1)의 집합을 의미하고, 「칼럼」은 Y축 방향으로 일렬로 나열된 블록(1)의 집합을 의미한다.
도 2를 참조하면서, 층 형성 범위에 액적을 배치하는 공정을 설명한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수의 블록 그룹(1G)(도 1) 모두에 있어서, 액적을 배치시키는 순서는 동일하다. 구체적으로는, 복수의 블록 그룹(1G) 각각에 있어서, 액적을 배치하는 순서는 C11, C31, C13, C33의 순서이다.
다만, 도 2의 좌측 위에 위치하는 블록 그룹(1G)과 좌측 중앙에 위치하는 블록 그룹(1G)에 있어서, C11, C13은 층 형성 범위에 대응하지만, C31, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이들 블록 그룹(1G)에서는, C31, C33으로의 액적 배치는 스킵(skip)된다. 마찬가지로, 도 2의 좌측 아래의 블록 그룹(1G) 에 있어서, C11은 층 형성 범위에 대응하지만, C31, C13, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이 블록 그룹(1G)에 대해서는 C31, C13, C33으로의 액적 배치가 스킵된다. 또한, 도 2의 중앙 아래에 위치하는 블록 그룹(1G)과 우측 아래에 위치하는 블록 그룹(1G)에 있어서, C11, C31은 층 형성 범위에 대응하지만, C13, C33은 층 형성 범위에 대응하지 않는다. 이 때문에, 이들 블록 그룹(1G)에 대해서는 C13, C33으로의 액적 배치가 스킵된다.
(3A. 기본 도트의 배치 공정)
우선, 액적의 착탄(着彈) 직경을 30㎛로 설정한다. 착탄 직경은 기판(10A)에 배치된 액적이 기판(10A) 위에서 습윤 확장되는 범위의 직경이라고도 할 수 있다. 여기서, 액적 토출 장치의 노즐로부터 토출된 직후의 액적 형상은 토출 방향에 관하여 대략 축 대칭이기 때문에, 기판(10A)에 착탄된 후의 액적의 범위 형상은 대략 원형으로 된다. 본 명세서에서는 기판(10A) 위에 착탄된 액적 또는 액적의 범위를 「도트」라고도 표기한다.
다음으로, 도 3에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C11 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 즉, 복수의 블록 그룹(1G) 각각에 있어서, 4개의 코너에 대응하는 4개의 블록(1) 중 하나에 액적(D)을 배치한다. 이 때, C11의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 또한, 1개의 블록 그룹(1G)에 대응하는 범위에서 최초로 배치된 액적(D)을 「기본 도트」라고도 표기한다.
또한, 상술한 바와 같이, 액적(D)의 착탄 직경이 30㎛이기 때문에, C11에 액 적(D)이 배치되면, C11의 중심으로부터 15㎛의 범위에 액적(D)이 확장된다. 그 결과, 도트 형상 패턴(4)이 얻어진다. 여기서, X축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심간 거리는 44㎛이고, Y축 방향으로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심간 거리는 60㎛이다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향 U로 서로 인접하는 2개의 C11의 중심간 거리는 약 74.4㎛이다. 따라서, 임의의 C11 위의 도트 형상 패턴(4)은 모두 인접하는 C11 위의 도트 형상 패턴(4)에 접하지 않는다. 즉, 임의의 C11 위의 도트 형상 패턴(4)은 모두 인접하는 C11 위의 도트 형상 패턴(4)으로부터 고립되어 있다.
이상과 같은 공정의 결과, 기판(10A)의 표면 위에서 복수의 도트 형상 패턴(4)이 X축 방향과 Y축 방향에 의해 결정되는 어레이 형상으로, 또한 각각 고립되어 나열된다. 또한, 복수의 C11과 복수의 도트 형상 패턴(4)은 대응하고 있기 때문에, C11의 수와 도트 형상 패턴(4)의 수는 동일하다. 또한, C11를 「기준 영역」이라고도 표기한다.
(3B. 기본 도트의 고정 공정)
다음으로, 복수의 C11 각각에 배치된 각각의 액적(D)을 고정시킨다. 즉, 복수의 도트 형상 패턴(4)을 대응하는 C11에 고정시킨다. 구체적으로는, 도트 형상 패턴(4)을 구성하는 기능액으로부터 용매(또는 분산매)가 기화(氣化)될 정도로 도트 형상 패턴(4)을 건조시킨다. 본 실시예에서는 건조기(drier)로부터 열풍(熱風)을 복수의 C11 각각 위의 도트 형상 패턴(4)에 내뿜는다. 통상, 발액성을 갖는 표면 위에서 기능액은 이동하기 쉽다. 그러나, 본 실시예에서는 기능액으로 이루어 지는 도트 형상 패턴(4)을 이와 같이 건조시키기 때문에, 도트 형상 패턴(4)이 유동성을 상실한다. 이 때문에, 도트 형상 패턴(4)이 C11에 고정된다. 그 결과, C11 위의 도트 형상 패턴(4)이 나중에 C31, C13, 및 C33에 배치되는 각각의 액적(D)에 접하여도, C31, C13, 또는 C33으로 끌어 당겨질 가능성이 낮아진다. 이 때문에, 최종적으로 얻어지는 도전층에 구멍이 생길 가능성이 낮아진다.
(3C. 친액화)
다음으로, 도시하고 있지는 않지만, 기판(10A)의 표면을 친액화한다. 본 실시예에서는 고정된 도트 형상 패턴(4) 위에 액적(D)을 배치한다. 즉, 복수의 C11 각각에 다시 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이렇게 하면, 나중에 C31에 배치되는 액적(D)에 대하여 C31이 친액성을 나타내게 된다. 그 결과, C31에 배치된 액적(D)이 C11에 배치된 액적(D) 또는 도트 형상 패턴(4)에 접하여도, C11로 끌어 당겨질 가능성이 낮아진다. 이 때문에, 최종적으로 얻어지는 도전층에 구멍이 생길 가능성이 낮아진다. 또한, C11에 다시 액적(D)을 배치함으로써 기판(10A)의 표면(C31)이 친액성을 나타낸다는 메커니즘은 충분히 이해되지 않는다. 다만, 현시점에서 발명자들은 다시 배치된 액적(D)이 초래하는 용매 분위기가 기판(10A) 또는 C31에서의 친액성 발현에 기여한다고 추측하고 있다.
여기서, C11에 다시 배치되는 액적(D)의 부피는 C11에 최초로 배치된 액적(D)의 부피보다도 작을 수도 있다. 구체적으로는, C31이 친액성을 발현하는 동시에, C11 위의 도트 형상 패턴(4)이 인접하는 C11의 도트 형상 패턴(4)으로부터 계속적으로 고립될 정도의 부피의 액적(D)을 C11에 다시 배치할 수도 있다. 물론, C11에 다시 배치되는 액적(D)의 부피는 C11에 최초로 배치된 액적(D)의 부피 이상일 수도 있다.
또한, 기능액에 대하여 기판(10A)이 어느 정도 친액성을 나타낼 경우에는, 상기 친액화 공정은 생략될 수도 있다.
(3D. 제 1 접속 도트의 배치 공정)
층 형성 범위 내의 C11 전체에 액적(D)을 배치한 후, 액적 토출 장치로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32㎛로 설정한다. 즉, C11에 배치된 액적(D)의 부피보다도 큰 부피의 액적(D)을 토출하도록 액적 토출 장치의 구동 파형을 변화시킨다. 또한, 액적 토출 장치의 구동 파형을 변화시키는 기술(소위 가변(variable) 도트를 실현하는 기술)의 상세(詳細)는 일본국 공개특허2001-58433호 공보의 도 5 내지 도 8에서 설명되어 있기 때문에, 여기서는 그 설명을 생략한다.
그리고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C31 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이 때, C31의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C31은 X축 방향으로 인접하는 2개의 C11의 중간에 있다. 이 때문에, C31과 C31에 가장 가까운 C11 사이의 거리는 22㎛이다. 그리고, C11 위의 도트 형상 패턴(4)은 C11의 중심으로부터 15㎛의 범위에 확장된다. 한편, C31 위에서는 액적(D)이 C31의 중심으로부터 16㎛의 범위에 확장되기 때문에, C31에 배치된 액적(D)은 C11 위의 도트 형상 패턴(4)에 접한다. 또한, 본 명세서에서는 C31, C13, C33에 배치되는 액적(D)을 「접속 도트」라고도 표기한다.
이와 같이, 이 공정에서는 C11에 대하여 X축 방향에 위치하는 C31에 액적(D) 을 배치한다. 이것에 의해, 도트 형상 패턴(4)이 X축 방향으로 연장된다. 또한, 이 공정에서는 X축 방향으로 나열된 복수의 도트 형상 패턴(4)이 X축 방향으로 연결된다. 그리고, 층 형성 범위 내의 C31 전체에 액적(D)을 다 배치하면, 도 5에 나타낸 바와 같이, C11에 배치된 액적(D)과 C31에 배치된 액적(D)으로 구성되는 복수의 라인 형상 패턴(5)이 나타난다. 이들 복수의 라인 형상 패턴(5) 각각은 X축 방향으로 연장되어 있는 동시에, 서로로부터 고립되어 있다.
(3E. 제 2 접속 도트의 배치 공정)
층 형성 범위 내의 C31 전체에 액적(D)을 배치한 후, 액적 토출 장치로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32㎛로 설정한다. 그리고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C13 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이 때, C13 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C13은 Y축 방향으로 인접하는 2개의 C11의 중간에 있다. 이 때문에, C13과 C13에 가장 가까운 C11 사이의 거리는 30㎛이다. 그리고, C11에 배치된 액적(D)은 C11의 중심으로부터 15㎛의 범위에 확장된다. 한편, C13 위에서는 액적(D)이 C13의 중심으로부터 16㎛의 범위에 확장되기 때문에, C13에 배치된 액적(D)은 라인 형상 패턴(5)에 접한다.
이와 같이, 이 공정에서는 C11에 대하여 Y축 방향에 위치하는 C13에 액적(D)을 배치한다. 이것에 의해, 복수의 라인 형상 패턴(5) 각각이 Y축 방향으로 연장된다. 또한, 이 공정에서는 이들 복수의 라인 형상 패턴(5)이 Y축 방향으로 연결된다. 그리고, 도 7에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 C13 전체에 액적(D) 을 다 배치하면, C11에 배치된 액적(D)과, C31에 배치된 액적(D)과, C13에 배치된 액적(D)으로 구성되는 격자 형상 패턴(6)이 나타난다.
(3F. 제 3 접속 도트의 배치 공정)
층 형성 범위 내의 C13 전체에 액적(D)을 배치한 후, 액적 토출 장치로부터 토출되는 액적(D)의 착탄 직경을 32㎛로 설정한다. 그리고, 도 8에 나타낸 바와 같이, 층 형성 범위 내의 복수의 C33 각각에 1개의 액적(D)을 각각 배치한다. 이 때, C33의 중심에 액적(D)의 중심이 위치하도록 액적(D)을 배치한다. 여기서, C33은 X축 방향과 Y축 방향의 합성 방향 U로 인접하는 2개의 C11의 중간에 있다. 그리고, C33에 배치되는 액적(D)은 이미 배치된 액적(D)으로 구성되는 격자 형상 패턴(6)의 구멍을 메운다. 이 때문에, C33으로의 액적(D) 배치에 의해, 이미 배치된 액적(D)으로 구성된 격자 형상 패턴(6)은 합성 방향 U로 연장된다.
또한, 층 형성 범위 내의 C33 전체에 액적(D)을 다 배치하면, 도 9에 나타낸 바와 같이, C11에 배치된 액적(D)과, C31에 배치된 액적(D)과, C13에 배치된 액적(D)과, C33에 배치된 액적(D)으로 구성되는 전면 형상 패턴(7)이 나타난다. 본 실시예에서는, 기판(10A) 표면 위의 9블록×9블록에 대응하는 층 형성 범위는 빈틈없이 전면 형상 패턴(7)으로 덮인다. 또한, 상술한 바와 같이, 액적(D)은 표면 위에서 확장되기 때문에, 전면 형상 패턴(7)이 덮는 면적(층 형성 범위의 면적)은 9블록×9블록의 면적보다도 약간 커진다.
이와 같이, 층 형성 범위에 있어서, C11, C31, C13, C33에 이 순서로 각각의 액적(D)을 배치한다. 이렇게 하면, 기판(10A)의 표면이 발액성을 갖고 있어도, 이 들 4종류의 블록(1)에 배치된 액적(D)에 의해, C11로부터 X축 방향, Y축 방향, 및 합성 방향 U의 각각으로 연속된 전면 형상 패턴(7)을 형성할 수 있다. 즉, 구멍이 없는 전면 형상 패턴(7)이 형성된다.
(3G. 활성화 공정)
다음으로, 전면 형상 패턴(7)을 활성화한다. 본 실시예에서는, 구체적으로는 전면 형상 패턴(7)에서의 은 입자가 소결(燒結) 또는 융착(融着)되도록 전면 형상 패턴(7)을 가열한다. 이렇게 하면, 소결 또는 융착된 은 입자에 의해 전면 형상 패턴(7)에서 도전성이 발현되고, 그 결과, 도 10에 나타낸 바와 같은 도전층(8)이 얻어진다.
여기서, 얻어지는 도전층(8)의 두께 균일성이 충분하지 않을 경우에는, 활성화에 앞서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 각각의 블록 그룹(1G)에서 12개의 액적(D)을 더 배치할 수도 있다. 구체적으로는, C11, C31, C13, C33의 4개의 블록(1)에 더하여, C21, C41, C23, C43, C12, C32, C14, C34, C22, C42, C24, C44의 12개의 블록(1) 각각에 이 순서로 액적(D)을 배치할 수도 있다. 즉, 블록 그룹(1G)에서의 블록(1) 전체에 액적(D)을 배치할 수도 있다. 이렇게 하면, 보다 균일한 두께의 도전층(8)이 얻어진다. 또한, 추가로 배치되는 12개의 액적의 부피는 앞서 배치된 4개의 액적의 부피보다도 작을 수도 있다.
이와 같이, 본 실시예에 의하면, 우선, 기판(10A) 위에 복수의 도트 형상 패턴(4)이 배치된다. 그 후, X축 방향으로 연장되는 복수의 라인 형상 패턴(5)이 나타난다. 그 다음으로, 복수의 라인 형상 패턴(5)이 Y축 방향으로 연결되어 격자 형상 패턴(6)이 나타난다. 마지막으로, 남은 스페이스에 액적(D)이 배치되어 2차원적으로 연속된 전면 형상 패턴(7)이 형성된다. 그리고, 전면 형상 패턴(7)을 활성화함으로써, 구멍이 없는 도전층(8)이 얻어진다.
또한, 블록 그룹(1G) 내의 액적(D)의 배치 순서가 상술한 순서인 한, 복수의 블록 그룹(1G) 사이의 순서에는 어떠한 제한도 없다. 예를 들어 동일한 종류의 블록(1)(예를 들어 C11)에 액적(D)을 배치할 경우에, X축 방향으로 연장된 1개의 열(列)을 구성하는 복수의 블록 그룹(1G)이 대략 동시에 처리될 수도 있다. 마찬가지로, Y축 방향으로 연장된 1개의 열을 구성하는 복수의 블록 그룹(1G)이 대략 동시에 처리될 수도 있다. 또한, 동일한 종류의 블록(1)에 액적(D)을 배치할 경우에, 1개의 블록 그룹(1G)씩이 차례로 처리될 수도 있다.
또한, 블록 그룹(1G) 사이의 순서에 관계없이, 본 실시예의 층 형성 방법에 의하면, 목적으로 하는 도전층(8)을 형성하는 과정에서 X축 방향으로 연장되는 라인 형상 패턴(5)이 격자 형상 패턴(6)보다도 앞서 나타난다. 그러나, 본 발명이 이러한 형태에 한정되지는 않는다. 구체적으로는, Y축 방향으로 연장되는 라인 형상 패턴(5)이 격자 형상 패턴(6)보다도 앞서 나타나도록 액적(D)을 배치할 수도 있다. 구체적으로는, 도 12에 나타낸 바와 같이, C11, C13, C31, C33의 순서로 이들 4개의 블록(1) 각각에 각각의 액적(D)을 배치하는 것이 좋다. 또한, 도 13에 나타낸 바와 같이, 이들 C11, C13, C31, C33에 더하여, C12, C14, C32, C34, C21, C23, C41, C43, C22, C24, C42, C44의 각각에 이 순서로 액적(D)을 배치할 수도 있다. 이렇게 하면, 보다 균일한 두께의 층을 얻는다.
(4. 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법)
본 발명은 액티브 매트릭스 기판을 제조할 때에 적용할 수 있다. 우선, 본 발명을 적용한 액티브 매트릭스 기판의 일례에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판은 스위칭 소자로서 TFT(Thin Film Transistor) 소자를 구비하고 있다.
(4A. 액티브 매트릭스 기판의 예)
도 14는 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 일부를 확대한 모식도이다. 도 15는 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 단면을 나타낸 모식도이다.
액티브 매트릭스 기판(20)은, 도 14에 나타낸 바와 같이, 기판(21)과, 게이트 절연막(31)(도 15 참조)과, 활성층(32)과, 컨택트층(33)과, 게이트 배선(40)과, 게이트 전극(41)과, 소스 배선(42)과, 소스 전극(43)과, 드레인 전극(44)을 구비하고 있다. 그리고, 게이트 절연막(31)과, 활성층(32)과, 컨택트층(33)과, 게이트 전극 (41)과, 소스 전극(43)과, 드레인 전극(44)을 포함하는 부분이 TFT(30)이다. 또한, 본 실시예에서는 액티브 매트릭스 기판(20) 위에 화소 전극(45)이 위치하고 있다.
복수의 게이트 배선(40)은 기판(21) 위에서 X축 방향으로 연장되어 있다. 각각의 게이트 배선(40)은 기판(21) 위의 각각의 게이트 전극(41)에 접속되어 있다. 한편, 게이트 절연막(31)은 복수의 게이트 배선(40)과 복수의 게이트 전극(41)을 덮고 있다. 복수의 소스 전극(41)은 게이트 절연막(31) 위에서 Y축 방향으로 연장되어 있다. 또한, X축 방향과 Y축 방향은 서로 대략 수직이다.
반도체층은 게이트 절연막(31) 위에 위치하고 있다. 여기서, 반도체층 중 반도체층과 1개의 게이트 전극(41)이 서로 중첩되는 부분을 TFT(30)의 활성층(32)이라고 표기한다. 이하에서는, 1개의 TFT(30)에 주목하여 설명을 진행시킨다.
활성층(32) 위에 서로 소정 거리를 두어 이간(離間)되어 있는 2개의 컨택트층(33)이 설치되어 있다. 한쪽 컨택트층(33) 위에는 소스 전극(43)이 위치하고 있으며, 다른쪽 컨택트층(33) 위에는 드레인 전극(44)이 위치하고 있다. 소스 전극(43)은 대응하는 소스 배선(42)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 드레인 전극(44)은 대응하는 화소 전극(45)에 컨택트 홀(65)(후술)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다.
게이트 배선(42)과, 게이트 전극(43)과, 드레인 전극(44)과, 2개의 컨택트층(33)과, 활성층(32)은 층간절연층에 의해 덮여 있다. 층간절연층의 기능 중 하나는 게이트 배선(42), 활성층(32) 등에 기인한 하지(下地)의 요철(凹凸)을 흡수하여 대략 평탄한 표면(S)을 제공하는 것이다. 또한, 후술하지만, 본 실시예의 층간절연층은 복수의 뱅크(61)와 복수의 절연 재료층(65)을 포함하고 있다.
드레인 전극(44) 위에는, 층간절연층을 관통하여 드레인 전극(44)에 이르는 컨택트 홀(66)이 위치하고 있다. 또한, 층간절연층의 표면(S) 위에는 화소 전극(45)이 위치하고 있다. 그리고, 드레인 전극(44)과 화소 전극(45)은 컨택트 홀(66) 내에 설치된 도전체에 의해 접속되어 있다.
(4B. 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법의 예)
이어서, 본 발명을 적용한 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법의 일례에 대해 서 도면을 참조하여 설명한다. 도 16은 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 우선, 기판(21)을 준비한다. 기판(21)의 재료는 유리, 석영 유리, Si 웨이퍼, 플라스틱 필름, 금속판 등 각종의 것을 이용할 수 있다. 또한, 기판(21)은 이들 각종 재료의 표면에 반도체막, 금속막, 유전체막, 유기막 등이 하지 표면층으로서 형성된 것일 수도 있다.
다음으로, 도 16의 (a)에 나타낸 바와 같이, 세정한 기판(21)의 상면에 1화소 피치의 1/20 내지 1/10의 개구부(52)를 설치하기 위한 뱅크(51)를 예를 들어 포토리소그래피법을 이용하여 형성한다. 본 실시예에서는, 뱅크(51)는 형성 후에 광투과성과 발액성을 구비하기 때문에, 그 재료로서, 아크릴, 폴리이미드, 올레핀, 멜라민 등의 고분자 재료가 적합하게 이용된다. 뱅크(51)는 형성 후에 표면의 발액성을 향상시키는 처리를 실시하지만, 그 대신에, 뱅크(51)의 재료 자체에 미리 발액 성분(불소기 등)을 충전하여 둘 수도 있다. 이 경우에는, 표면의 발액성을 향상시키는 처리 등을 생략할 수 있다.
다음으로, 잉크젯 프로세스에 의해, 뱅크(51)에 의해 구획된 개구부(52) 내를 충전하도록 기능액의 액적을 배치하고, 게이트 배선(40)(도시 생략)과 게이트 전극(41)을 형성한다. 여기서, 기능액을 함유하는 도전성 미립자로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 주석, 납 등을 함유하는 금속 미립자 이외에, 이들의 산화물, 및 도전성 폴리머나 초전도체의 미립자 등을 이용한다. 이들 도전성 미립자는 분산성을 향상시키기 위해 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다.
이 때, 뱅크(51)에는 충분한 발액성이 미리 부여되어 있기 때문에, 개구 부(52)로부터 비어져 나오지 않아 미세한 게이트 배선(40)의 패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 그 후, 예비 건조, 소성(燒成) 공정을 거침으로써, 기판(21) 위에 뱅크(51)와 게이트 배선(40)과 게이트 전극(41)으로 이루어지는 평탄한 상면을 구비한 층이 형성된다. 또한, 개구부(52) 내에서의 양호한 토출 결과를 얻기 위해서는, 도 16의 (a)에 나타낸 바와 같이, 이 개구부(52)의 형상으로서, 토출원(吐出元)을 향하여 열리는 방향의 테이퍼 형상을 채용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 토출된 기능액의 액적을 충분히 깊숙이 들어가게 할 수 있다.
다음으로, 도 16의 (b)에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 층 형성 방법을 적용하여 게이트 절연막(31)을 형성한다. 다만, 상술한 실시예에서의 전면 형상 도전층 대신에, 전면 형상 절연층을 형성한다. 전면 형상 절연층을 형성하기 위해서는, 도전 재료 대신에 절연 재료를 함유하는 기능액을 준비하는 것이 좋다. 여기서, 이러한 기능액은, 바람직하게는, 절연 재료로서 광경화성 절연 수지와 이 절연 수지를 용해시키는 유기 용매를 함유하고 있다. 그리고, 기능액이 이러한 절연 재료를 함유할 경우에는, 상술한 고정 공정과 활성화 공정은 모두 절연 수지가 경화되도록 기능액으로 이루어지는 도트 형상 패턴 또는 전면 형상 패턴에 광을 조사하는 공정, 또는 이들 도트 형상 패턴 또는 전면 형상 패턴을 가열하는 공정이다. 또한, 여기서는 뱅크(51)와, 게이트 배선(40)과, 게이트 전극(41)의 표면이 게이트 절연막(31)에서의 하지 표면이다.
다음으로, 플라스마 CVD법에 의해, 활성층(32)과 컨택트층(33)의 연속 성막을 행한다. 구체적으로는, 활성층(32)으로서 비정질 실리콘막을, 컨택트층(33)으 로서 n+형 실리콘막을 원료 가스나 플라스마 조건을 변화시킴으로써 형성한다. CVD법에 의해 형성할 경우, 300℃ 내지 350℃의 열이력이 필요하게 되지만, 무기계 재료를 뱅크에 사용함으로써, 투명성 및 내열성에 관한 문제를 회피할 수 있다.
다음으로, 도 16의 (c)에 나타낸 바와 같이, 게이트 절연막(31)의 상면에 1화소 피치의 1/20 내지 1/10이며, 또한 개구부(52)와 교차하는 개구부(62)를 설치하기 위한 뱅크(61)를 예를 들어 포토리소그래피법을 이용하여 형성한다. 본 실시예에서는, 뱅크(61)는 형성 후에 광투과성과 발액성을 구비하기 때문에, 그 재료로서, 아크릴, 폴리이미드, 올레핀, 멜라민 등의 고분자 재료가 적합하게 이용된다. 뱅크(61)는 형성 후에 표면의 발액성을 향상시키는 처리를 실시하지만, 그 대신에, 뱅크(61)의 재료 자체에 미리 발액 성분(불소기 등)을 충전하여 둘 수도 있다. 이 경우에는, 표면의 발액성을 향상시키는 처리 등을 생략할 수 있다.
다음으로, 잉크젯 프로세스에 의해, 뱅크(61)에 의해 구획된 개구부(62) 내의 게이트 절연막(31)과 활성층(32)과 컨택트층(33)의 노출면을 덮도록 기능액의 액적을 배치하고, 도 16의 (d)에 나타낸 바와 같이, 게이트 배선(40)에 대하여 교차하는 소스 배선(42)(도시 생략)과 소스 전극(43)과 드레인 전극(44)을 형성한다. 이 때, 기능액을 함유하는 도전성 재료로서는, 금, 은, 구리, 알루미늄 등을 함유하는 금속 미립자 이외에, 이들의 산화물, 및 도전성 폴리머 등이 적합하게 이용된다. 소스 배선(42)과 소스 전극(43)과 드레인 전극(44)은 뱅크(61)에 충분한 발액성이 미리 부여되어 있기 때문에, 개구부(62)로부터 비어져 나오지 않아 미세한 배 선 패턴을 형성할 수 있다.
다음으로, 소스 배선(42)과 소스 전극(43)과 드레인 전극(44)을 배치한 개구부(62)를 충전하도록 절연 재료층(65)을 배치한다. 이것에 의해, 기판(21) 위에 뱅크(61)와 절연 재료층(65)으로 이루어지는 평탄한 상면을 구비한 층이 형성된다. 다음으로, 도 15에 나타낸 바와 같이, 절연 재료층(65)에 컨택트 홀(66)을 형성한다. 이상에 의해, 액티브 매트릭스 기판(20)을 제조할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 뱅크(61)와 절연 재료층(65)과 컨택트 홀(66)의 상면에 본 발명의 층 형성 방법을 적용하여 화소 전극(45)을 형성한다. 화소 전극(45)을 형성하는 방법으로서는, 상술한 실시예에서의 전면 형상 도전층의 형성 방법을 적용할 수 있다. 화소 전극(45)은 투명 전극이기 때문에, 그 재료에 함유되는 도전성 미립자로서, 예를 들어 ITO를 사용한다. 화소 전극(45)은 컨택트 홀(66)을 통하여 드레인 전극(44)에 전기적으로 접속된다. 또한, 여기서는 뱅크(61)와, 절연 재료층(65)과, 컨택트 홀(66)의 표면이 화소 전극(45)에서의 하지 표면이다.
본 실시예에서는 게이트 절연막(31)이 전면 형상 절연층의 형성 방법에 의거하여 형성되고, 화소 전극(45)이 전면 형상 도전층의 형성 방법에 의거하여 형성된다. 이것에 의해, 최종적으로 얻어지는 절연층 및 도전층에 구멍이 생길 가능성이 적다. 또한, 이 액티브 매트릭스 기판(20)을 이용하여 액정 표시 장치를 구성할 경우, 화소 전극(45)의 상면에 액정의 분자를 일정 방향으로 나열하기 위한 배향막(도시 생략)을 형성하지만, 이 배향막을 형성할 때에도 본 발명의 층 형성 방법을 적용할 수 있다. 또한, 액티브 매트릭스 기판(20)을 이용하여 액정 표시 장치 를 구성할 경우, 액티브 매트릭스 기판(20)에 유지 용량선을 설치할 수도 있다.
(5. 다층 배선 기판의 제조 방법)
본 발명은 다층 배선 기판을 제조할 때에도 적용할 수 있다. 우선, 본 발명을 적용한 다층 배선 기판의 일례에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예의 다층 배선 기판은 기판의 편면(片面) 측에 다층 배선이 형성되어 있다.
(5A. 다층 배선 기판의 예)
도 17은 본 실시예의 다층 배선 기판의 구조를 나타낸 모식도이다. 다층 배선 기판(70)은, 도 17에 나타낸 바와 같이, 기판(71)과, 도전 패턴(72)과, 도전 포스트(73)와, 서브 절연층(81, 82)으로 이루어지는 절연층(74)과, 복수의 더미 포스트(75)와, 절연층(76)과, 도전층(77)을 구비하고 있다.
(5B. 다층 배선 기판의 제조 방법의 예)
이어서, 본 발명을 적용한 다층 배선 기판의 제조 방법의 일례에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 18 및 도 19는 본 실시예의 다층 배선 기판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
우선, 도 18의 (a)에 나타낸 바와 같은 기체(70A)를 준비한다. 기체(70A)는 기판(71)과, 기판(71) 위에 위치하고 있는 도전 패턴(72)을 구비하고 있다. 여기서, 기판(71)은 폴리이미드로 이루어지는 플렉시블(flexible) 기판이다. 기판(71)은 테이프 형상의 형상을 갖고 있기 때문에, 기판(71)은 테이프 기판이라고도 불린다. 또한, 본 실시예에 있어서, 「기체(70A)」는 기판(71)과, 기판(71) 위에 설치된 1개 이상의 패턴 또는 층을 하나로 통합한 총칭이다.
다음으로, 도 18의 (b)에 나타낸 바와 같이, 도전 패턴(72) 위의 일부에 잉크젯 프로세스에 의해 도전 포스트(73)를 설치한다. 도전 포스트(73)는 후술하는 도전층(77)에 대하여 밀착성이 양호한 도전 재료를 함유하도록 구성된다. 본 실시예에서는 도전층(77)이 은으로 이루어지기 때문에, 도전 포스트(73)도 은을 함유하도록 구성된다. 이것에 의해, 도전 포스트(73)와 도전층(77)을 밀착시킬 수 있다.
도전 포스트(73)를 형성한 후에, 도 18의 (c) 및 (d)에 나타낸 바와 같이, 절연층(74)을 형성한다. 절연층(74)은 도전 포스트(73)의 측면 하부를 둘러싸는 동시에 도전 패턴(72)을 덮게 된다. 여기서, 절연층(74)은 후술하는 바와 같이 본 발명의 층 형성 방법을 적용하여 형성되고, 서로 적층된 2개의 서브 절연층(81, 82)으로 이루어진다.
우선, 기판(71) 표면 위의 부분 중 도전 패턴(72)이 없는 부분에 서브 절연층(81)을 형성한다(도 18의 (c)). 서브 절연층(81)을 형성하는 방법으로서는, 전면 형상 절연층의 형성 방법을 적용할 수 있다. 여기서, 서브 절연층(81)의 두께는 도전 패턴(72)의 두께와 대략 일치하도록 설정되어 있다. 이 때문에, 서브 절연층(81)이 형성된 후에는, 서브 절연층(81)의 표면과 도전 패턴(72)의 표면은 대략 동일한 레벨에 위치하게 된다. 또한, 본 실시예의 서브 절연층(81)은 아크릴 수지를 함유한다. 또한, 여기서는 기판(71)의 표면이 서브 절연층(81)에서의 하지 표면이다.
다음으로, 도전 패턴(72)과 서브 절연층(81)의 면 위에 서브 절연층(82)을 형성한다(도 18의 (d)). 서브 절연층(82)을 형성하는 방법으로서는, 전면 형상 절 연층의 형성 방법을 적용할 수 있다. 여기서, 서브 절연층(82)은 하지의 도전 패턴(72)과 서브 절연층(81)을 덮는 동시에, 도전 포스트(73)의 측면 하부를 둘러싸도록 형성된다. 또한, 서브 절연층(82)은 아크릴 수지를 함유한다. 또한, 여기서는 도전 패턴(72)과 서브 절연층(81)의 표면이 서브 절연층(82)에서의 하지 표면이다.
다음으로, 도 19의 (a)에 나타낸 바와 같이, 절연층(74) 위에 잉크젯 프로세스에 의해 복수의 더미 포스트(75)를 형성한다. 여기서, 복수의 더미 포스트(75) 각각의 상부와 도전 포스트(73)의 상부가 대략 동일한 레벨에 위치하도록 복수의 더미 포스트(75)가 형성된다. 복수의 더미 포스트(75) 각각은 후술하는 도전층(77)에 대하여 밀착성이 양호한 도전 재료를 함유하도록 구성된다. 본 실시예에서는 도전층(77)이 은으로 이루어지기 때문에, 복수의 더미 포스트(75) 각각도 은을 함유하도록 구성된다. 이 때문에, 복수의 더미 포스트(75) 각각과 도전층(77)을 밀착시킬 수 있다.
다음으로, 도 19의 (b)에 나타낸 바와 같이, 절연층(74) 위에, 복수의 더미 포스트(75) 각각의 측면을 둘러싸는 동시에, 절연층(74) 위에 돌출되어 있는 도전 포스트(73)의 측면을 둘러싸는 절연층(76)을 형성한다. 여기서, 절연층(76)의 두께는 절연층(76)으로부터 복수의 더미 포스트(75) 각각의 상부와 도전 포스트(73)의 상부가 노출되도록 설정되어 있다. 절연층(76)을 형성하는 방법으로서는, 전면 형상 절연층의 형성 방법을 적용할 수 있다. 또한, 여기서는 절연층(74)의 표면, 즉, 서브 절연층(82)의 표면이 절연층(76)에서의 하지 표면이다.
이와 같이 절연층(76)을 설치하면, 복수의 더미 포스트(75)에 Z축 방향의 외력을 가함으로써 복수의 더미 포스트(75)를 절연층(76)으로부터 빼내려고 하여도, 복수의 더미 포스트(75)는 절연층(76)을 빠져나갈 수 없다. 즉, 복수의 더미 포스트(75) 각각은 절연층(76)에 대하여 고정된다.
또한, 절연층(76)은 절연층(74)에 대하여 밀착성이 양호한 절연 재료를 함유 하도록 구성된다. 본 실시예에서는 절연층(74)이 아크릴 수지를 함유하도록 구성되어 있기 때문에, 절연층(76)도 동일하게 아크릴 수지를 함유하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 절연층(76)과 절연층(74)은 서로 밀착된다. 즉, 절연층(76)은 절연층(74)에 대하여 고정된다.
다음으로, 도 19의 (c)에 나타낸 바와 같이, 절연층(76) 위에, 본 발명의 층 형성 방법을 적용하여, 복수의 더미 포스트(75) 각각의 상부에 접속되는 동시에, 도전 포스트(73)의 상부에 접속되는 도전층(77)을 형성한다. 도전층(77)을 형성하는 방법으로서는, 전면 형상 도전층의 형성 방법을 적용할 수 있다. 여기서는, 절연층(76)과 복수의 더미 포스트(75)의 표면이 도전층(77)에서의 하지 표면이다.
본 실시예에서는, 이러한 공정에 의해, 기체(70A)로부터 다층 배선 기판(70)이 얻어진다. 여기서, 도전층(77)은 은을 함유한다. 상술한 바와 같이, 복수의 더미 포스트(75) 각각도 은을 함유하기 때문에, 도전층(77)과 더미 포스트(75) 각각은 서로 밀착된다. 즉, 도전층(77)은 복수의 더미 포스트(75)에 대하여 고정된다.
상술한 바와 같이, 복수의 더미 포스트(75) 각각은 절연층(76)에 대하여 고 정되어 있기 때문에, 도전층(77)도 절연층(76)에 대하여 고정된다. 또한, 절연층(76)은 절연층(74)에 대하여 고정되어 있기 때문에, 결과적으로, 도전층(77)은 보다 하지의 절연층(74)에 대해서도 고정된다.
본 실시예에서는 서브 절연층(81, 82)으로 이루어지는 절연층(74)과 절연층(76)이 전면 형상 절연층의 형성 방법에 의거하여 형성되고, 도전층(77)이 전면 형상 도전층의 형성 방법에 의거하여 형성된다. 이것에 의해, 최종적으로 얻어지는 절연층 및 도전층에 구멍이 생길 가능성이 적다.
또한, 본 실시예에서는, 다층 배선 기판(70)은 그 최하층를 구성하는 기판(71)으로부터 최표층을 구성하는 도전층(77)까지 Z축 방향으로 적층된 5개의 층으로 이루어진다. 그러나, 실제로는 기판(71)과 절연층(74) 사이에 더 많은 층이 존재할 수도 있다. 또한, 다층 배선 기판(70)에 있어서, 복수의 절연층 또는 절연 패턴 사이에 저항기, 커패시터, LSI 베어 칩(bare chip), 또는 LSI 패키지 등의 전자 부품이 매립되어 있을 수도 있다. 또한, 폴리이미드로 이루어지는 기판(71) 대신에, 세라믹 기판, 유리 기판, 에폭시 기판, 유리 에폭시 기판, 또는 실리콘 기판 등이 이용되어도, 상기 실시예에서 설명한 효과와 동일한 효과가 얻어진다.
(변형예 1)
상기 실시예에서는, C11 위의 도트 형상 패턴(4)을 건조시킨 후에, C11에 다시 액적(D)을 배치함으로써 C31의 표면을 친액화했다. 그러나, 본 발명이 이러한 형태에 한정되지는 않는다. 구체적으로는, C11 위의 액적(D)을 건조시킨 후에, 기판(10A)의 표면을 산소 플라스마에 노출시킴으로써 C31을 친액화할 수도 있고, 기 판(10A)의 표면에 자외역(紫外域) 파장을 조사함으로써 C31을 친액화할 수도 있다.
(변형예 2)
상기 실시예에서는, 전면 형상 도전층을 형성하기 위한 기능액에는 은나노 입자가 함유되어 있다. 그러나, 은나노 입자 대신에, 다른 금속의 나노 입자가 이용될 수도 있다. 여기서, 다른 금속으로서, 예를 들어 금, 백금, 구리, 팔라듐, 로듐, 오스뮴, 루테늄, 이리듐, 철, 주석, 아연, 코발트, 니켈, 크롬, 티타늄, 탄탈, 텅스텐, 인듐 중 어느 하나가 이용될 수도 있고, 또는 어느 2개 이상이 조합된 합금이 이용될 수도 있다. 다만, 은이라면 비교적 저온에 의해 환원할 수 있기 때문에, 취급이 용이하다는 점에서 액적 토출 장치를 이용할 경우에는, 은나노 입자를 함유하는 기능액을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 기능액이 금속의 나노 입자 대신에 유기 금속 화합물을 함유하고 있을 수도 있다. 여기서의 유기 금속 화합물은 가열에 따른 분해에 의해 석출(析出)되는 화합물이다. 이러한 유기 금속 화합물로서는, 클로로트리에틸포스핀 금(I), 클로로트리메틸포스핀 금(I), 클로로트리페닐포스핀 금(I), 은(I), 2,4-펜탄디오네이토 착체, 트리메틸포스핀(헥사플루오로아세틸아세토네이토) 은(I) 착체, 구리(I) 헥사플루오로펜탄디오네이토시클로옥타디엔 착체 등이 있다.
이와 같이, 기능액에 함유되는 금속의 형태는 나노 입자로 대표되는 입자의 형태일 수도 있고, 유기 금속 화합물과 같은 화합물의 형태일 수도 있다.
또한, 기능액은, 금속 대신에, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리(3,4 에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 도전성 고분자의 가용성 재료를 함유하 고 있을 수도 있다.
(변형예 3)
상기 실시예에 의하면, 폴리이미드로 이루어지는 기판(10A) 위에 액적이 배치된다. 그러나, 이러한 기판(10A) 대신에, 세라믹 기판, 유리 기판, 에폭시 기판, 유리 에폭시 기판, 또는 실리콘 기판 등이 이용되어도, 상기 실시예에서 설명한 효과와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 액적이 배치되는 하지 표면은 기판의 표면에 한정되지 않는다. 대략 평탄한 절연층의 표면 또는 대략 평탄한 도전층의 표면일 수도 있다.
(변형예 4)
상기 실시예에서의 블록(1)의 크기, 블록 그룹(1G)에 포함되는 블록(1)의 수, 및 액적(D)의 착탄 직경은 본 실시예의 값에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 임의의 C11 위의 도트 형상 패턴(4)이 모두 인접하는 C11 위의 도트 형상 패턴(4)으로부터 고립되도록 블록(1)의 크기, 블록 그룹(1G)에 포함되는 블록(1)의 수, 및 액적(D)의 착탄 직경 중 적어도 하나를 설정하는 것이 좋다.
(변형예 5)
상기 실시예에 의하면, C31에 배치되는 액적(D)의 착탄 직경과, C13에 배치되는 액적(D)의 착탄 직경과, C33에 배치되는 액적의 착탄 직경은 모두 동일하다. 다만, 이러한 구성 대신에, 보다 균일한 두께의 도전층(8)이 얻어지도록 이들 착탄 직경을 상이하게 할 수도 있다. 또한, 액적(D)의 착탄 직경을 상이하게 할 때에는, 토출되는 액적(D)의 부피를 변화시키는 것이 좋다.
(변형예 6)
C11, C31, C13, C33으로의 액적(D) 배치에 앞서, 하지 표면의 발액성 정도가 상승하도록 기판(10A)의 표면에 표면 개질(改質) 처리를 실시할 수도 있다. 이렇게 하면, 전면 형상 패턴(7)의 에지(edge) 형상이 보다 선명해진다. 또한, 표면의 발액성을 향상시키는 처리로서, 기판(10A)의 표면에 플루오로알킬실란(FAS) 막을 형성하는 것이 알려져 있다. 또한, 불소를 함유하는 처리 가스를 이용한 대기압 플라스마법에 따라 처리 가스에 표면을 노출시켜도, 표면의 발액성을 향상시킬 수 있다.
(변형예 7)
본 실시예에서는 전면 형상 패턴(7)을 활성화시켜 목적으로 하는 도전층(8)을 얻는다. 다만, 다른 실시예에서는, 전면 형상 패턴(7)을 구성하는 재료에 따라, 전면 형상 패턴(7)을 활성화하는 대신에, 전면 형상 패턴(7)을 건조시킬 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 하지 표면에 액적을 배치하여 양호한 전면 형상 패턴을 설치하는 방법을 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 하지(下地) 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트(dot) 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과,
    상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과,
    적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함한 층 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 공정은 고정된 상기 2개의 도트 형상 패턴의 각각 위에 제 3 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 공정은 상기 하지 표면에 자외선을 조사(照射)하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출시키는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 4 공정 후에, 연결된 상기 2개의 도트 형상 패턴을 활성화 또는 건조시키는 제 5 공정을 더 포함한 층 형성 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 액적의 1개당 부피와 상기 제 3 액적의 1개당 부피 중 적어도 하나는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이한 층 형성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 액적의 1개당 부피는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이한 층 형성 방법.
  7. 하지 표면 위에서 제 1 방향과 상기 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향에 의해 결정되는 어레이(array) 형상으로 나열된 복수의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 복수의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과,
    상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과,
    상기 제 2 공정 후에, 상기 제 1 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 2 액적을 각각 배치하여, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 제 1 방향으로 연결시키는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 제 2 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 3 액적을 각각 배치하여, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 상기 제 2 방향으로 연결시키는 제 4 공정과,
    상기 제 4 공정 후에, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향의 합성 방향으로 나열된 상기 복수의 도트 형상 패턴 각각의 사이에 제 4 액적을 각각 배치하는 제 5 공정을 포함한 층 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 공정과 상기 제 3 공정 사이에서 상기 하지 표면을 친액화하는 제 6 공정을 더 포함한 층 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 6 공정은 상기 복수의 도트 형상 패턴의 각각 위에 제 5 액적을 각각 배치하는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 6 공정은 상기 하지 표면에 자외선을 조사하는 공정, 또는 상기 표면을 플라스마에 노출시키는 공정을 포함하고 있는 층 형성 방법.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 5 공정 후에, 상기 복수의 도트 형상 패턴을 활성화 또는 건조시키는 제 7 공정을 더 포함한 층 형성 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 액적의 1개당 부피와, 상기 제 3 액적의 1개당 부피와, 상기 제 4 액적의 1개당 부피 중 적어도 하나는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이한 층 형성 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 액적의 1개당 부피와, 상기 제 3 액적의 1개당 부피와, 상기 제 4 액적의 1개당 부피와, 상기 제 5 액적의 1개당 부피 중 적어도 하나는 상기 제 1 액적의 1개당 부피와 상이한 층 형성 방법.
  14. 하지 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과,
    상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과,
    적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함한 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  15. 하지 표면 위에서 서로 고립된 2개의 도트 형상 패턴이 얻어지도록 상기 하지 표면의 2개의 부위 각각에 제 1 액적을 배치하는 제 1 공정과,
    상기 2개의 도트 형상 패턴을 상기 하지 표면에 대하여 고정시키는 제 2 공정과,
    적어도 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면을 제 2 액적에 대하여 친액화하는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 2개의 도트 형상 패턴 사이의 상기 하지 표면에 상기 2개의 도트 형상 패턴을 연결시키는 상기 제 2 액적을 배치하는 제 4 공정을 포함한 다층 배선 기판의 제조 방법.
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