JP2007075676A - 層形成方法 - Google Patents

層形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007075676A
JP2007075676A JP2005263438A JP2005263438A JP2007075676A JP 2007075676 A JP2007075676 A JP 2007075676A JP 2005263438 A JP2005263438 A JP 2005263438A JP 2005263438 A JP2005263438 A JP 2005263438A JP 2007075676 A JP2007075676 A JP 2007075676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
droplet
droplets
axis direction
forming method
layer forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005263438A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4487889B2 (ja
Inventor
Takeshi Niidate
剛 新舘
Koichi Mizugaki
浩一 水垣
Jun Yamada
山田  純
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005263438A priority Critical patent/JP4487889B2/ja
Priority to TW095133301A priority patent/TWI306785B/zh
Priority to US11/530,583 priority patent/US7541063B2/en
Priority to KR1020060087214A priority patent/KR100780856B1/ko
Priority to CNB2006101291512A priority patent/CN100493918C/zh
Publication of JP2007075676A publication Critical patent/JP2007075676A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4487889B2 publication Critical patent/JP4487889B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/14Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14201Structure of print heads with piezoelectric elements
    • B41J2/14233Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H05K3/1291Firing or sintering at relative high temperatures for patterns on inorganic boards, e.g. co-firing of circuits on green ceramic sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

【課題】 液滴吐出装置を用いて良好なべた状パターンを形成すること。
【解決手段】 複数のノズルを備えたヘッドに対して、表面を第1の方向に相対移動させながら前記複数のノズルから液滴を吐出する液滴吐出装置が用いられる場合に、層形成方法は、前記表面上の2つの基準領域のそれぞれに第1の液滴をそれぞれ配置して、前記2つの基準領域に対応して孤立した2つのパターンを設ける第1の工程と、前記2つのパターンを固定する第2の工程と、前記第2の工程の後で、前記表面を親液化する第3の工程と、前記第3の工程の後で、前記2つの基準領域の間に第2の液滴を配置して、前記2つのパターンを繋げる第4の工程と、を包含している。
【選択図】 図7

Description

本発明は、インクジェットプロセスによる層形成方法に関する。
液滴吐出装置を用いて線状パターンを形成することが知られている(特許文献1)。
特開2005−34837号公報
インクジェットプロセスは、液滴吐出装置を用いて機能液と呼ばれる液状材料を物体表面に配置する工程を含んでいる。この液滴吐出装置は、通常、機能液を液滴として吐出するヘッドと、対象となる表面に対してそのヘッドを2次元的に相対移動させる機構と、を備えており、このような構成のおかげで表面の任意の位置に、機能液からなる液滴を配置できる。
このようなインクジェットプロセスを利用して、1つの液滴が濡れ拡がる面積よりも大きい面積を有する表面を機能液で隙間無く覆う場合には、その表面上で、濡れ拡がる範囲が互いに重なるように複数の液滴を配置する。そうすれば、その表面を隙間無く覆うパターンが得られる。ところが、その表面が機能液に対して撥液性を有している場合には、表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力の方が強いので、機能液が局所的に集中し得る。このような集中が生じると、表面が機能液で均一に覆れないし、最悪の場合には、表面の一部が機能液の欠如のために露出してしまう。
また、液滴吐出装置におけるヘッドには、複数のノズルが設けられている。そして、これら複数のノズルから吐出される液滴のそれぞれの飛行経路は、製造誤差によって、ノズル間でばらついていることがある。ここで、液滴吐出装置を用いてべた状パターンを設ける場合には、走査方向に直交する方向での飛行経路のばらつきが、べた状パターンの形成の成否に影響を及ぼすことがある。
本発明は上記課題を鑑みてなされ、その目的の一つは、液滴吐出装置を用いて良好なべた状パターンを形成できる方法を提供することである。
本発明の層形成方法によれば、複数のノズルを備えたヘッドに対して、表面を第1の方向に相対移動させながら前記複数のノズルから液滴を吐出する液滴吐出装置が用いられる。そして、上記層形成方法は、前記表面上の2つの基準領域のそれぞれに第1の液滴をそれぞれ配置して、前記2つの基準領域に対応して孤立した2つのパターンを設ける第1の工程と、前記2つのパターンを固定する第2の工程と、前記第2の工程の後で、前記表面を親液化する第3の工程と、前記第3の工程の後で、前記2つの基準領域の間に第2の液滴を配置して、前記2つのパターンを繋げる第4の工程と、を包含している。なお、ある態様では、前記第3の工程は固定された前記2つのパターンのそれぞれ上に第3の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいてもよい。また、他の態様では、前記第3の工程は、前記表面に紫外線を照射する工程、または前記表面をプラズマに曝す工程を含んでいてもよい。
上記特徴によれば、第1の液滴が表面に対して固定される。このため、たとえ表面が第1の液滴に対して撥液性を有していても、第2の液滴および第3の液滴が第1の液滴に重なる際に第1の液滴が移動しない。
本発明の他の態様では、上記層形成方法は、前記第4の工程の後で、繋げられた前記パターンを活性化させる第5の工程をさらに包含している。
上記特徴によれば、液滴の配置によって生じるパターンから最終的に得られる層に穴の生じる可能性が少ない。
なお、上記層形成方法において、前記第2の液滴の1つあたりの体積と、前記第3の液滴の1つあたりの体積と、の少なくとも1つは、前記第1の液滴の1つあたりの体積と異なっていてもよい。
本発明の層形成方法によれば、複数のノズルを備えたヘッドに対して、表面を第1の方向に相対移動させながら前記複数のノズルから液滴を吐出する液滴吐出装置が用いられる。上記層形成方法は、前記表面上で前記第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向とで決まるアレイ状に並んだ複数の基準領域のそれぞれに第1の液滴を配置して、前記複数の基準領域に対応してそれぞれ孤立した複数のパターンを設ける第1の工程と、前記複数のパターンを固定させる第2の工程と、前記第2の工程の後で前記第2の方向に並んだ複数の前記基準領域のそれぞれの間に第2の液滴を配置して、前記複数のパターンを前記第2の方向に繋げる第3の工程と、前記第3の工程の後で前記第1の方向に並んだ複数の前記基準領域のそれぞれの間に第3の液滴を配置して、前記複数のパターンを前記第1の方向に繋げる第4の工程と、前記第4の工程の後で前記第1の方向と前記第2の方向との合成方向に並んだ前記複数の基準領域のそれぞれの間に第4の液滴を配置する第5の工程と、を包含している。
上記特徴によれば、複数のパターンのそれぞれがそれぞれの基準領域に対して固定される。この結果、たとえ表面が第1の液滴に対して撥液性を有していても、第2の液滴および第3の液滴が第1の液滴に重なる際に第1の液滴が移動しない。
好ましくは、上記層形成方法が、前記第2の工程と前記第3の工程との間で前記表面を親液化する第6の工程をさらに包含している。ここで、前記第6の工程は前記複数のパターンのそれぞれ上に第5の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいてもよい。または、前記第6の工程は、前記表面に紫外線を照射する工程、または前記表面をプラズマに曝す工程を含んでいてもよい。
上記特徴によって得られる効果の一つは、既に形成された複数のパターンに第2の液滴が重なっても、第2の液滴が複数のパターン側に引き寄せられないことである。
本発明の他の態様では、上記層形成方法が、前記第5の工程の後で前記パターンを活性化させる第7の工程をさらに包含している。
上記特徴によれば、液滴の配置によって生じるパターンから最終的に得られる層に穴の生じる可能性が少ない。
なお、上記層形成方法において、前記第2の液滴の1つあたりの体積と、前記第3の液滴の1つあたりの体積と、前記第4の液滴の1つあたりの体積と、前記第5の液滴の1つあたりの体積と、の少なくとも1つは、前記第1の液滴の1つのあたりの体積と異なっていてもよい。
以下では、本実施形態の層形成方法を説明する前に、層形成方法において用いられる液滴吐出装置について、構成と機能とを説明する。
(1.液滴吐出装置の全体構成)
図1に示す液滴吐出装置100は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置100は、機能液111を保持するタンク101と、チューブ110と、グランドステージGSと、吐出ヘッド部103と、ステージ106と、第1位置制御装置104と、第2位置制御装置108と、制御部112と、支持部104aと、を備えている。
吐出ヘッド部103は、ヘッド114(図2)を保持している。このヘッド114は、制御部112からの信号に応じて、機能液111の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部103におけるヘッド114は、チューブ110によってタンク101に連結されており、このため、タンク101からヘッド114に機能液111が供給される。
ステージ106は基板10Aを固定するための平面を有している。さらにステージ106は、吸引力を用いて基板10Aの位置を固定する機能も有する。ここで、後述するように、基板10Aはポリイミドからなるフレキシブル基板であり、その形状はテープ状である。また、基板10Aの両端は、図示しない一対のリールに固定されている。
第1位置制御装置104は、支持部104aによって、グランドステージGSから所定の高さの位置に固定されている。この第1位置制御装置104は、制御部112からの信号に応じて、吐出ヘッド部103をX軸方向と、X軸方向に直交するZ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第1位置制御装置104は、Z軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部103を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Z軸方向は、鉛直方向(つまり重力加速度の方向)に平行な方向である。
第2位置制御装置108は、制御部112からの信号に応じて、ステージ106をグランドステージGS上でY軸方向に移動させる。ここで、Y軸方向は、X軸方向およびZ軸方向の双方と直交する方向である。
上記のような機能を有する第1位置制御装置104の構成と第2位置制御装置108の構成とは、リニアモータやサーボモータを利用した公知のXYロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第1位置制御装置104および第2位置制御装置108を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
さて上述のように、第1位置制御装置104によって、吐出ヘッド部103はX軸方向に移動する。そして、第2位置制御装置108によって、基板10Aはステージ106と共にY軸方向に移動する。これらの結果、基板10Aに対するヘッド114の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部103、ヘッド114、またはノズル118(図2)は、基板10Aに対して、Z軸方向に所定の距離を保ちながら、X軸方向およびY軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、機能液111を吐出する側と、吐出された機能液111が着弾する側の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
ここで、本実施形態では、Y軸方向が「走査方向」である。「走査方向」は、ヘッド114およびステージ106の少なくとも一方が他方に対して相対移動する方向であって、後述の「ノズル列方向ND(図2)」とは異なる方向として定義される。なお、この定義によれば、ノズル列方向NDの向きと上述の走査部の構成とによっては、X軸方向が「走査方向」になり得るし、X軸方向およびY軸方向のそれぞれが「走査方向」になることもある。
制御部112は、機能液111の液滴D(図3)を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部112は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第1位置制御装置104と、第2位置制御装置108と、ヘッド114と、を制御する。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
上記構成を有する液滴吐出装置100は、吐出データに応じて、ヘッド114のノズル118(図2)を基板10Aに対して相対移動させるとともに、基板10Aに向けてノズル118から機能液111を吐出する。なお、液滴吐出装置100によるヘッド114の相対移動と、ヘッド114からの機能液111の吐出と、をまとめて「吐出走査」と表記することもある。
(B.ヘッド)
図2に示すヘッド114は、吐出ヘッド部103が有する複数のヘッド114の一つである。図2は、ステージ106側からヘッド114を眺めた図であり、ヘッド114の底面を示している。ヘッド114は、X軸方向に延びるノズル列116を有している。ノズル列116は、X軸方向にほぼ均等に並んだ複数のノズル118からなる。これら複数のノズル118は、X軸方向のノズルピッチHXPが約70μmとなるように配置されている。ここで、「X軸方向のノズルピッチHXP」は、ヘッド114におけるノズル118のすべてを、X軸方向に直交する方向からX軸上に射像して得られた複数のノズル像間のピッチに相当する。
ここで、ノズル列116が延びる方向を「ノズル列方向ND」と表記する。本実施形態のノズル列方向NDは、X軸方向に平行であり、このためY軸方向に直交する。ただし、他の実施形態では、ノズル列方向NDはX軸方向ともY軸方向とも異なり得る。また、ノズル列116におけるノズル118の数は180個である。ただし、1つのヘッド114におけるノズル118の数は、180個に限定されない。例えば、1つのヘッド114に360個のノズルが設けられていてもよい。
図3(a)および(b)に示すように、それぞれのヘッド114は、インクジェットヘッドである。より具体的には、それぞれのヘッド114は、振動板126と、複数のノズルが設けられたノズルプレート128と、液たまり129と、複数の隔壁122と、複数のキャビティ120と、複数の振動子124と、を備えている。液たまり129は、振動板126と、ノズルプレート128と、の間に位置していて、液たまり129には、タンク101(図1)から孔131を介して供給される機能液111が常に充填される。
また、複数の隔壁122は、振動板126と、ノズルプレート128と、の間に位置している。そして、1対の隔壁122と、振動板126と、ノズルプレート128と、によって囲まれた部分がキャビティ120である。キャビティ120はノズル118に対応して設けられているため、キャビティ120の数とノズル118の数とは同じである。キャビティ120には、1対の隔壁122間に位置する供給口130を介して、液たまり129から機能液111が供給される。
振動子124は、それぞれのキャビティ120に対応するように振動板126上に位置する。図3(b)に示すように、振動子124は、ピエゾ素子124Cと、ピエゾ素子124Cを挟む1対の電極124A,124Bと、を含む。そして、この1対の電極124A,124Bの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル118から機能液111が吐出される。なお、ノズル118からZ軸方向に機能液111が吐出されるように、ノズル118の形状が調整されている。
本明細書では、1つのノズル118と、ノズル118に対応するキャビティ120と、キャビティ120に対応する振動子124と、を含んだ部分を「吐出部127」と表記することもある。この表記によれば、1つのヘッド114は、ノズル118の数と同じ数の吐出部127を有する。吐出部127は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部127は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して機能液111を吐出する構成を有していてもよい。
(C.制御部)
次に、図4を参照しながら、制御部112の構成を説明する。制御部112は、入力バッファメモリ200と、記憶装置202と、処理部204と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208と、を備えている。これら入力バッファメモリ200と、処理部204と、記憶装置202と、走査駆動部206と、ヘッド駆動部208とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。また、走査駆動部206は、第1位置制御装置104および第2位置制御装置108と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部208は、複数のヘッド114のそれぞれと相互に通信可能に接続されている。
入力バッファメモリ200は、液滴吐出装置100の外部に位置するコンピュータ(不図示)から、機能液111の液滴Dを吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ200は、吐出データを処理部204に供給し、処理部204は吐出データを記憶装置202に格納する。図4では、記憶装置202はRAMである。
処理部204は、記憶装置202内の吐出データに基づいて、基板10Aに対するノズル118の相対位置を示すデータを走査駆動部206に与える。走査駆動部206はこのデータと、後述する吐出周期EP(図5(b))と、に応じたステージ駆動信号を第2位置制御装置108に与える。この結果、基板10Aに対してヘッド114が相対走査する。一方、処理部204は、記憶装置202に記憶された吐出データに基づいて、選択信号SC(i)(図5(b))をヘッド駆動部208に与える。そうすると、ヘッド114における対応するノズル118から、機能液111の液滴Dが吐出される。
制御部112は、CPUと、ROMと、RAMと、外部インターフェース部と、それらを相互に通信可能に接続するバスと、を含んだコンピュータである。したがって、制御部112の上記機能は、ROMまたはRAMに格納されたソフトウェアプログラムがCPUによって実行されることで実現される。もちろん、制御部112は、専用の回路(ハードウェア)によって実現されてもよい。
次に、図5(a)および(b)を参照しながら、制御部112におけるヘッド駆動部208の構成と機能を説明する。
図5(a)に示すように、ヘッド駆動部208は、1つの駆動信号生成部203と、複数のアナログスイッチASと、を有する。図5(b)に示すように、駆動信号生成部203は駆動信号DSを生成する。駆動信号DSの電位は、基準電位Lに対して時間的に変化する。具体的には、駆動信号DSは、吐出周期EPで繰り返される複数の吐出波形Pを含む。ここで、吐出波形Pは、ノズル118から1つの液滴Dを吐出するために、対応する振動子124(図3)に印加されるべき駆動電圧の波形に対応する。
駆動信号DSは、アナログスイッチASのそれぞれの入力端子に供給される。ここで、アナログスイッチASのそれぞれは、吐出部127のそれぞれに対応して設けられている。
処理部204(図4)は、ノズル118のオン・オフを表す選択信号SC(i)を、アナログスイッチASのそれぞれに与える。ここで、選択信号SC(i)は、アナログスイッチAS毎に独立にハイレベルおよびローレベルのどちらかの状態を取り得る。一方、アナログスイッチASは、駆動信号DSと選択信号SC(i)とに応じて、振動子124の電極124Aに吐出信号ES(i)を供給する。具体的には、選択信号SC(i)がハイレベルの場合には、アナログスイッチASは電極124Aに吐出信号ES(i)として駆動信号DSを伝播する。一方、選択信号SC(i)がローレベルの場合には、アナログスイッチASが出力する吐出信号ES(i)の電位は基準電位Lとなる。振動子124の電極124Aに駆動信号DSが与えられると、その振動子124に対応するノズル118から機能液111が吐出される。なお、それぞれの振動子124の電極124Bには基準電位Lが与えられている。
図5(b)に示す例では、2つの吐出信号ES(1)、ES(2)のそれぞれにおいて、吐出周期EPの2倍の周期2EPで吐出波形Pが現れるように、2つの選択信号SC(1)、SC(2)のそれぞれにおいてハイレベルの期間とローレベルの期間とが設定されている。これによって、対応する2つのノズル118のそれぞれから、周期2EPで機能液111が吐出される。ここで、これら2つのノズル118に対応する振動子124のそれぞれには、共通の駆動信号生成部203からの共通の駆動信号DSが与えられている。このため、2つのノズル118からほぼ同じタイミングで機能液111が吐出される。なお、図5(b)における吐出信号ES(3)には、なんら駆動波形Pが現れないように、対応する選択信号SC(3)はローレベルに維持されている。
以上の構成によって、液滴吐出装置100は、制御部112に与えられた吐出データに応じて、基板10Aの表面に機能液111からなる液滴Dを配置する。
(D.層形成方法)
本実施形態の層形成方法を具体的に説明する。以下で説明する層形成方法によれば、基板10Aの表面(図6)に液滴Dが配置されて、べた状パターン7(図14)が設けられる。さらに、べた状パターン7が活性化されて最終的にべた状の導電層8(図15)が得られる。ここで、層形成方法において液滴Dを配置する工程は、上述の液滴吐出装置100によって実行される。
(1.ブロック)
まず、図6に示すように、基板10Aの表面のうち、少なくとも導電層8(図15)が形成される範囲に、仮想的な複数のブロック1を対応付ける。これら複数のブロック1は、X軸方向とY軸方向とで決まるアレイ状に並んでいる。ここでは、複数のブロック1のそれぞれのX軸方向に沿った長さはそれぞれ11μmであり、Y軸方向に沿った長さはそれぞれ15μmである。なお、以下では、導電層8が形成されるべき範囲を「層形成範囲」とも表記する。
複数のブロック1のそれぞれは、液滴Dが配置され得る領域である。本実施形態では、ある1つのブロック1に液滴Dが配置される場合には、そのブロック1の中心と、配置される液滴Dの中心とがほぼ一致するように、液滴Dが配置される。ここで、複数のブロック1のX軸方向のピッチは、X軸方向に隣合う2つの液滴Dの最小中心間距離に対応する。同様に、複数のブロック1のY軸方向のピッチは、Y軸方向に隣合う2つの液滴Dの最小中心間距離に対応する。なお、図6では、説明の便宜上、144個(12×12)のブロック1が描かれているが、実際のブロック1の数はこの数に限定されない。
さて、4ブロック×4ブロックで決まる16個のブロック1の集合ごとに、ブロック群1Gが定義されている。そして、1つのブロック群1Gにおける16個のブロック1のそれぞれを識別する目的で、それら16個のブロック1のそれぞれは、文字「C」と2桁のサフィックスとからなる符号(例えばC11)で表記されている。ここで、サフィックスの右側の数値はブロック群1GにおけるY軸方向に沿った位置を表しており、1から4までの整数である。一方、サフィックスの左側の数値はブロック群1GにおけるX軸方向の位置を表しており、1から4までの整数である。
そして、複数のC11に着目すると、基板10Aの表面上では、複数のC11が、X軸方向およびY軸方向で決まるアレイ状に並んでいる。つまり、複数のC11はアレイを構成している。具体的には、複数のC11が、X軸方向にも、Y軸方向にも、それらの合成方向Uにも、周期的に位置している。本実施形態では、X軸方向に隣合う任意の2つのC11の中心間の距離は、いずれも44.0μmである。また、Y軸方向に隣合う任意の2つのC11の中心間の距離は、いずれも60.0μmである。さらに、X軸方向とY軸方向との合成方向Uに隣合う任意の2つのC11の中心間距離は、いずれも74.4μmである。なお、X軸方向とY軸方向との合成方向Uは、ブロック1の対角線の方向である。
複数のC31も、複数のC11と同様に、X軸方向およびY軸方向で決まるアレイ状に並んでいる。他の種類のブロック1(つまりC13,C33)も、C11と同様である。要するに、層形成範囲は、複数のC11からなるアレイと、複数のC31からなるアレイと、複数のC13からなるアレイと、複数のC33からなるアレイと、を含んでいる。
(2.機能液)
ここで、導電層8を設ける工程は、機能液111の液滴Dを配置する工程を含んでいる。「機能液」とは、液滴吐出装置100のノズル118から液滴Dとして吐出され得る粘度を有する液状材料をいう。「機能液」が水性であると油性であるとを問わない。ノズル118から吐出可能な流動性(粘度)を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。「機能液」の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であるのが好ましい。粘度が1mPa・s以上である場合には、「機能液」の液滴Dを吐出する際にノズル118の周辺部が「機能液」で汚染されにくい。一方、粘度が50mPa・s以下である場合は、ノズル118における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Dの吐出を実現できる。
本実施形態の機能液111は、分散媒と、導電材料としての銀と、を含有する。ここで、機能液111における銀は、銀粒子の形態をしており、その銀粒子の平均粒径は10nm程度である。そして、機能液において、銀粒子はコーティング剤で被覆されていて、コーティング剤で被覆された銀粒子は、分散媒中に安定して分散されている。なお、平均粒径が1nm程度から数100nmまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、機能液は銀のナノ粒子を含んでいる。
分散媒(または溶媒)としては、銀粒子などの導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェットプロセスへの適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
また、上述のコーティング剤は、銀原子に配位可能な化合物である。コーティング剤としては、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、コーティング剤として、2−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、2−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールなどがある。コーティング剤で被覆された銀のナノ粒子は、分散媒中でより安定して分散され得る。
(3.液滴の配置順序)
以下では、図7の右上のブロック1を基準にして9ブロック×9ブロックに対応する層形成範囲に、X軸方向にもY軸方向にも合成方向Uにも連続したべた状パターンを設ける。ここでの「べた状パターン」とは、後述する活性化工程を経て、導電層8になる層である。なお、配置された液滴は表面上で若干濡れ拡がるので、9ブロック×9ブロックに対応する層形成範囲の面積は、9ブロック×9ブロックの面積よりもやや大きい。
もちろん、他の実施形態では層形成範囲が、9ブロック×9ブロック以外に対応してもよい。例えば、層形成範囲が、100ブロック×100ブロックに対応する範囲であってもよいし、1ブロック×5ブロックに対応する範囲であってもよい。ただし、層形成範囲は、1)C11を含むロウまたはカラムが層形成範囲の最も外側に対応し、および/または、2)C11が層形成範囲の隅に対応するように、設定される。なお、ここでの「ロウ」とは、X軸方向に一列に並んだブロック1の集合を意味し、「カラム」とは、Y軸方向に一列に並んだブロック1の集合を意味する。
図7を参照しながら、層形成範囲に液滴Dを配置する工程を説明する。ここで、複数のブロック群1G(図6)のいずれにおいても、液滴Dを配置させる順番は同じである。具体的には、図7に示すように、複数のブロック群1Gのそれぞれにおいて、液滴Dを配置する順番は、C11、C31,C13,C33の順番である。
ただし、図7の左上に位置するブロック群1Gと、左中央に位置するブロック群1Gと、において、C11,C13は層形成範囲に対応するが、C31,C33は層形成範囲に対応しない。このため、これらのブロック群1Gでは、C31,C33への液滴の配置はスキップされる。同様に、図7の左下のブロック群1Gにおいて、C11は層形成範囲に対応するが、C31,C13,C33は層形成範囲に対応しない。このため、このブロック群1Gについては、C31,C13,C33への液滴の配置がスキップされる。さらに、図7の中央下に位置するブロック群1Gと、右下に位置するブロック群1Gと、において、C11,C31は層形成範囲に対応するが、C13,C33は層形成範囲に対応しない。このため、これらのブロック群1Gについては、C13,C33への液滴の配置がスキップされる。
(3A.基本ドットの配置工程)
まず、配置された液滴Dが走査方向に直交する方向(X軸方向)に繋がってライン状パターン5(図10)が得られるように、ブロック1の大きさと、ブロック群1Gに含まれるブロック1の数と、液滴Dの着弾径と、の少なくとも1つを調整する。本実施形態ではこの調整の結果、上述のように、ブロック1の大きさが11μm×15μmの大きさに設定されており、1つのブロック群1Gに含まれるブロック1の数が16個に設定されている。
このようなブロック1およびブロック群1Gに対して、液滴Dの着弾径を30μmに設定する。着弾径とは、基板10Aに配置された液滴Dが基板10A上で濡れ拡がる範囲の直径とも言える。ここで、ノズル118から吐出された直後の液滴Dの形状は、吐出方向に関してほぼ軸対称なので、基板10Aに着弾後の液滴Dの範囲の形状はほぼ円形になる。本明細書では、基板10A上に着弾した液滴Dまたは液滴Dの範囲を「ドット」とも表記する。
次に、図8に示すように、層形成範囲内の複数のC11のそれぞれに、1つの液滴Dをそれぞれ配置する。つまり、複数のブロック群1Gのそれぞれにおいて、四隅に対応する4つのブロック1の1つに、液滴Dを配置する。この際に、C11の中心に液滴Dの中心が位置するように、液滴Dを配置する。なお、1つのブロック群1Gに対応する範囲において、最初に配置された液滴Dを「基本ドット」とも表記する。
C11に液滴Dを配置する工程のより詳細は、以下の通りである。
本実施形態では、ノズル列116における複数のノズル118を利用して、層形成範囲内のC11のすべてに液滴Dを配置する。より具体的には、ある1つのノズル118のX座標と、ある1つのカラムにおけるC11のX座標と、が一致するように、ヘッド114をステージ106に対して位置決めする。例えば、再び図6を参照すると、紙面の最も右のノズル118のX座標と、最も右のカラムのC11のX座標と、を一致させる。そして、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動する。そうすると、そのカラムにおける複数のC11のそれぞれに、その1つのノズル118が対面する。そこで、適切なタイミングでノズル118から液滴Dを吐出すると、そのカラムにおける複数のC11に液滴Dが配置される。なお、ここでの「カラム」とは、走査方向(Y軸方向)に一列に並んだブロック1の集合のことである。
次に、他の1つのノズル118のX座標と、他のカラムにおけるC11のX座標と、が一致するように、ヘッド114をX軸方向に相対移動する。例えば、図6の右から2番目のノズル118のX座標と、左から4番目のカラムのC11のX座標と、を一致させる(図6ではそれらはまだ一致していない)。そして、先のカラムと同様に、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動させる。そうすると、そのカラムにおける複数のC11のそれぞれに、その1つのノズル118が対面する。そこで、適切なタイミングでノズル118から液滴Dを吐出すると、そのカラムにおける複数のC11に液滴Dが配置される。
以上の説明から明らかなように、C11に液滴Dを配置する際に、C11からなるアレイにおいて、同じカラムに属する複数のC11のすべてに、同じノズル118が割り当てられる。しかしながら、カラムが変われば、割り当てられるノズル118が変わり得る。
図8に戻ると、上述のように、液滴Dの着弾径が30μmなので、C11に液滴Dが配置されると、C11の中心から15μmの範囲に液滴Dが拡がる。そしてこの結果、ドット状パターン4が得られる。ここで、X軸方向に互いに隣合う2つのC11の中心間の距離は44μmであり、そして、Y軸方向に互いに隣合う2つのC11の中心間の距離は60μmである。さらに、X軸方向とY軸方向との合成方向Uに互いに隣合う2つのC11の中心間の距離は約74.4μmである。したがって、任意のC11上のドット状パターン4はいずれも隣のC11上のドット状パターン4に接することはない。つまり、任意のC11上のドット状パターン4はいずれも隣のC11上のドット状パターン4から孤立している。
以上のような工程の結果、基板10Aの表面上で、複数のドット状パターン4がX軸方向とY軸方向とで決まるアレイ状にかつそれぞれ孤立して並ぶ。なお、複数のC11と複数のドット状パターン4とは対応しているので、C11の数とドット状パターン4の数とは同じである。
なお、C11が本発明の「基準領域」の一例である。
(3B.基本ドットの固定工程)
層形成範囲内のC11のすべてに液滴Dを配置した後で、複数のC11のそれぞれに配置された液滴Dを固定する。つまり、複数のドット状パターン4を対応するC11に固定する。具体的には、ドット状パターン4を構成する機能液111から溶媒(または分散媒)が気化する程度にドット状パターン4を乾燥させる。本実施形態では、ドライヤーから熱風をドット状パターン4に吹き付ける。通常、撥液性を有する表面上で機能液111は移動し易い。しかしながら、本実施形態では、機能液111からなるドット状パターン4を、このように乾燥させるのでドット状パターン4が流動性を失う。そしてそのため、ドット状パターン4がC11に固定される。この結果、C11上のドット状パターン4が、後にC31,C13、およびC33に配置されるそれぞれの液滴Dに接しても、C31,C13、またはC33へ引き寄せられる可能性が低くなる。そしてこのため、最終的に得られる導電層8(図15)に穴が開く可能性が低くなる。
(3C.親液化)
次に、図示はしていないが、基板10Aの表面を親液化する。本実施形態では、固定されたドット状パターン4上に液滴Dを配置する。つまり、複数のC11のそれぞれに再び1つの液滴Dをそれぞれ配置する。そうすると、後にC31に配置される液滴Dに対して、C31が親液性を呈するようになる。この結果、C31に配置された液滴DがC11上のドット状パターン4に接しても、C31に配置された液滴DがC11へ引き寄せられる可能性が低くなる。そしてこのため、最終的に得られる導電層8に穴が開く可能性が低くなる。なお、C11に再び液滴Dを配置することによって基板10Aの表面(C31)が親液性を呈することのメカニズムは十分理解されていない。ただし、現時点で発明者らは、再び配置された液滴Dがもたらす溶媒雰囲気が、基板10AまたはC31での親液性の発現に寄与している、と推測している。
ここで、C11に再び配置される液滴Dの体積は、C11に最初に配置された液滴Dの体積よりも小さくてよい。具体的には、C31が親液性を発現するとともに、C11上のドット状パターン4が隣のC11のドット状パターン4から孤立し続ける程度の体積の液滴DをC11に再び配置してよい。もちろん、C11に再び配置される液滴Dの体積は、C11に最初に配置された液滴Dの体積以上であってもよい。
なお、機能液111に対して基板10Aがある程度、親液性を呈する場合には、上記の親液化の工程は、省略されてもよい。
(3D.第1の接続ドットの配置工程)
次に、液滴吐出装置100から吐出される液滴Dの着弾径を32μmに設定する。つまり、C11に配置された液滴Dの体積よりも大きい体積の液滴Dを吐出するように、液滴吐出装置100の駆動信号DS(図5(b))を変える。なお、駆動信号DSを変える技術(いわゆるバリアブルドットを実現する技術)の詳細は、特開2001−58433号公報の図5〜図8において説明されているので、ここではその説明を省略する。
そして、図9に示すように、層形成範囲内の複数のC31のそれぞれに、1つの液滴Dをそれぞれ配置する。この際に、C31の中心に液滴Dの中心が位置するように、液滴Dを配置する。ここで、C31は、X軸方向に隣合う2つのC11の中間にある。このため、C31とC31に最も近いC11との間の距離は22μmである。そして、C11上のドット状パターン4は、C11の中心から15μmの範囲に拡がっている。一方、C31上では、液滴DがC31の中心から16μmの範囲に拡がるので、C31に配置された液滴Dは、C11上のドット状パターン4に接する。なお、本明細書では、C31,C13,C33に配置される液滴Dを「接続ドット」とも表記する。
C31に液滴Dを配置する工程のより詳細は、以下の通りである。
本実施形態では、ノズル列116における複数のノズル118を利用して、層形成範囲内のC31のすべてに液滴Dを配置する。より具体的には、上述のC11への液滴の配置工程と同様に、ある1つのノズル118のX座標と、あるカラムにおけるC31のX座標と、が一致するように、ヘッド114をステージ106に対して位置決めする。そして、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動する。そうすると、そのカラムにおける複数のC31のそれぞれに、その1つのノズル118が対面する。そこで、適切なタイミングでノズル118から液滴Dを吐出すると、そのカラムにおける複数のC31のそれぞれに液滴Dが配置される。
次に、他の1つのノズル118のX座標と、他のカラムにおけるC31のX座標と、が一致するように、ヘッド114をX軸方向に相対移動する。そして、先のカラムと同様に、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動して、そのカラムの複数のC31のそれぞれにそれぞれの液滴Dを配置する。
以上の説明から明らかなように、C31に液滴Dを配置する際に、C31からなるアレイにおいて、同じカラムに属する複数のC31のすべてに、同じノズル118が割り当てられる。しかしながら、カラムが変われば、割り当てられるノズル118が変わり得る。
このようにこの工程では、C11に対してX軸方向に位置するC31に液滴Dを配置する。そしてこのことで、ドット状パターン4がX軸方向に延びる。さらに、この工程では、X軸方向に並んだ複数のドット状パターン4がX軸方向に繋がる。そして、層形成範囲内のC31のすべてに液滴Dを配置し終えると、図10に示すように、C11に配置された液滴Dと、C31に配置された液滴Dとから構成される複数のライン状パターン5が現れる。これら複数のライン状パターン5のそれぞれは、X軸方向に延びているとともに、互いから孤立している。
(3E.第2の接続ドットの配置工程)
層形成範囲内のC31のすべてに液滴Dを配置した後で、液滴吐出装置100から吐出される液滴Dの着弾径を32μmに設定する。そして、図11に示すように、層形成範囲内の複数のC13のそれぞれに、1つの液滴Dをそれぞれ配置する。この際に、C13の中心に液滴Dの中心が位置するように、液滴Dを配置する。ここで、C13は、Y軸方向に隣合う2つのC11の中間にある。このため、C13とC13に最も近いC11との間の距離は30μmである。そして、C11に配置された液滴Dは、C11の中心から15μmの範囲に拡がっている。一方、C13上では、液滴DがC13の中心から16μmの範囲に拡がるので、C13に配置された液滴Dは、ライン状パターン5に接する。
C13に液滴Dを配置する工程のより詳細は、以下の通りである。
本実施形態では、ノズル列116における複数のノズル118を利用して、層形成範囲内のC13のすべてに液滴Dを配置する。より具体的には、上述のC11への液滴Dの配置工程と同様に、ある1つのノズル118のX座標と、あるカラムにおけるC13のX座標と、が一致するように、ヘッド114をステージ106に対して位置決めする。そして、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動する。そうすると、そのカラムにおける複数のC13のそれぞれに、その1つのノズル118が対面する。そこで、適切なタイミングでノズル118から液滴Dを吐出すると、そのカラムにおける複数のC13のそれぞれに液滴Dが配置される。
次に、他の1つのノズル118のX座標と、他のカラムにおけるC13のX座標と、が一致するように、ヘッド114をX軸方向に相対移動する。そして、先のカラムと同様に、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動して、そのカラムの複数のC13のそれぞれにそれぞれの液滴Dを配置する。
以上の説明から明らかなように、C13に液滴Dを配置する際に、C13からなるアレイにおいて、同じカラムに属する複数のC13のすべてに、同じノズル118が割り当てられる。しかしながら、カラムが変われば、割り当てられるノズル118が変わり得る。
このようにこの工程では、C11に対してY軸方向に位置するC13に液滴Dを配置する。そしてこのことで、複数のライン状パターン5のそれぞれがY軸方向に延びる。さらに、この工程では、これら複数のライン状パターン5がY軸方向に繋がる。そして、図12に示すように、層形成範囲内のC13のすべてに液滴Dを配置し終えると、C11に配置された液滴Dと、C31に配置された液滴Dと、C13に配置された液滴Dと、から構成される格子状パターン6が現れる。
(3F.第3の接続ドットの配置工程)
層形成範囲内のC13のすべてに液滴Dを配置した後で、液滴吐出装置100から吐出される液滴Dの着弾径を32μmに設定する。そして、図13に示すように、層形成範囲内の複数のC33のそれぞれに、1つの液滴Dをそれぞれ配置する。この際に、C33の中心に液滴Dの中心が位置するように、液滴Dを配置する。ここで、C33は、X軸方向とY軸方向との合成方向Uに隣合う2つのC11の中間にある。そして、C33に配置される液滴Dは、すでに配置された液滴Dから構成される格子状パターン6の穴を埋める。そしてこのため、C33への液滴Dの配置によって、すでに配置された液滴Dから構成された格子状パターン6は、合成方向Uに延びる。
C33に液滴Dを配置する工程のより詳細は、以下の通りである。
本実施形態では、ノズル列116における複数のノズル118を利用して、層形成範囲内のC33のすべてに液滴Dを配置する。具体的には、上述のC11への液滴Dの配置工程と同様に、ある1つのノズル118のX座標と、あるカラムにおけるC33のX座標と、が一致するように、ヘッド114をステージ106に対して位置決めする。そして、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動する。そうすると、そのカラムにおける複数のC33のそれぞれに、その1つのノズル118が対面する。そこで、適切なタイミングでノズル118から液滴Dを吐出すると、そのカラムにおける複数のC33のそれぞれに液滴Dが配置される。
次に、他の1つのノズル118のX座標と、他のカラムにおけるC33のX座標と、が一致するように、ヘッド114をX軸方向に相対移動する。そして、先のカラムと同様に、ヘッド114のX座標を維持したまま、ステージ106を走査方向(Y軸方向)に相対移動して、そのカラムの複数のC33のそれぞれにそれぞれの液滴Dを配置する。
以上の説明から明らかなように、C33に液滴Dを配置する際に、C33からなるアレイにおいて、同じカラムに属する複数のC33のすべてに、同じノズル118が割り当てられる。しかしながら、カラムが変われば、割り当てられるノズル118が変わり得る。
層形成範囲内のC33のすべてに液滴Dを配置し終えると、図14に示すように、C11に配置された液滴Dと、C31に配置された液滴Dと、C13に配置された液滴Dと、C33に配置された液滴Dと、から構成されるべた状パターン7が現れる。本実施形態では、基板10Aの表面上の9ブロック×9ブロックに対応する層形成範囲は、隙間無くべた状パターン7に覆われる。なお、上述のように、液滴Dは表面上で拡がるので、べた状パターン7が覆う面積(層形成範囲の面積)は、9ブロック×9ブロックの面積よりも若干大きくなる。
このように、複数のブロック群1Gのそれぞれにおいて、C11,C31,C13,C33にこの順番で、それぞれの液滴Dを配置する。そうすれば、たとえ基板10Aの表面が撥液性を有していても、これら4つのブロック1に配置された液滴Dによって、C11からX軸方向、Y軸方向、および合成方向Uのそれぞれに連続したべた状パターン7が形成できる。つまり、穴のないべた状パターン7が形成される。
(3G.活性化工程)
次に、べた状パターン7を活性化する。具体的には、べた状パターン7における銀粒子が焼結または融着するように、べた状パターン7を加熱する。そうすると、焼結または融着した銀粒子によってべた状パターン7において導電性が発現し、そしてこの結果、図15に示すような、導電層8が得られる。
ここで、得られる導電層8の厚さの均一性が十分ではない場合には、活性化に先立って、図16に示すように、それぞれのブロック群1Gにおいて、さらに12個の液滴Dを配置してもよい。具体的には、C11、C31,C13,C33の4つのブロック1に加えて、C21,C41,C23,C43,C12,C32,C14,C34,C22,C42,C24,C44の12個のブロック1のそれぞれにこの順番で、液滴Dを配置してもよい。つまり、ブロック群1Gにおけるブロック1の全てに液滴Dを配置してもよい。そうすれば、より均一な厚さの導電層8が得られる。なお、追加で配置される12個の液滴Dの体積は、先に配置された4つの液滴Dの体積よりも小さくてもよい。
このように、本実施形態によれば、まず、基板10A上に複数のドット状パターン4が配置される。その後、X軸方向に延びる複数のライン状パターン5が現れる。その次に、複数のライン状パターン5がY軸方向に繋がって、格子状パターン6が現れる。最後に、残ったスペースに液滴Dが配置されて、2次元的に連続なべた状パターン7が形成される。そして、べた状パターン7を活性化することで、穴のない導電層8が得られる。
さて、ブロック群1G内の液滴Dの配置順序が上述の順序である限り、複数のブロック群1G間の順番になんら制限はない。例えば、X軸方向に延びた1つの列を構成する複数のブロック群1Gがほぼ同時に処理されてよい。同様に、Y軸方向に延びた1つの列を構成する複数のブロック群1Gがほぼ同時に処理されてもよい。また、1つのブロック群1Gづつが順番に処理されてもよい。
以上の説明から明らかなように、本実施形態の層形成方法では、最初の2種類のブロック1に液滴Dが配置され終えた時点で、X軸方向に延びる複数の孤立したライン状パターン5が現れる。具体的には、このようなライン状パターン5が得られるように、1)液滴Dの配置の順番と、2)ブロック1の大きさと、3)ブロック群1Gに含まれるブロック1の数と、4)液滴Dの着弾径と、の少なくとも1つが設定されている。発明者らによる実験では、このように、走査方向に直交する方向(X軸方向)に延びる複数の孤立したライン状パターン5が得られれば、良好なべた状パターン7が得られる可能性が高い。なお、本実施形態では、最初の2種類のブロック1は、C11とC31である。
上述のように、1つのカラムにおける複数のブロック1に液滴Dを配置する場合、1つのカラムに対して1つのノズル118が割り当てられる。このため、たとえ複数のノズル118の間で飛行経路のばらつきがあっても、配置された液滴Dの走査方向に沿った間隔は一定になる。なお、この場合、配置された液滴Dの走査方向に沿った間隔は、吐出周期EP(図5(b))と、ステージ106の相対移動速度と、の積の整数倍で決まる。
一方で、1つのロウにおける複数のブロック1に液滴Dを配置する場合、1つのロウにに対して複数のノズル118が割り当てられる。ここでの「ロウ」とは、X軸方向に一列に並んだブロック1の集合のことである。このように複数のノズル118が割り当てられるので、複数のノズル118間に飛行経路のばらつきがあると、配置された液滴DのX軸方向の間隔が、一定にならないことがある。もちろん、X軸方向でのこのような飛行経路のばらつきが許容範囲内に収まるように、ヘッド114は調整されている。ところがそれでも、X軸方向の飛行経路のばらつきは、ノズル118内での機能液111の付着などによって、時間とともに変化し得るし、偶発的な飛行経路の曲がりも生じるかもしれない。X軸方向でのそのような飛行経路のばらつきがあると、配置された液滴Dによって得られるドットがX軸方向に繋がらないことがあるので、ライン状パターン5が得られない可能性がある。
したがって、べた状パターン7を形成する過程では、X軸方向に延びる複数の孤立したライン状パターン5が得られることを確認できたほうがよい。本実施形態の層形成方法によれば、最初の2種類のブロック1へ液滴Dを配置し終えた時点で、X軸方向に延びるライン状パターン5が得られる。もし、最初の2種類のブロック1へ液滴Dを配置し終えた時点で、ライン状パターン5が得られない場合には、その基板10Aは不良品としてラベルされる。しかしながら、ライン状パターン5が得られないため不良品となる場合でも、残りの2種類のブロック1への液滴Dの配置はまだなので、機能液111の無駄な消費が抑えられ得る。
(変形例1)
上記実施形態では、C11上のドット状パターン4を乾燥した後で、C11に再度液滴Dを配置することで、C31の表面を親液化した。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。具体的には、C11上の液滴Dを乾燥した後で、基板10Aの表面を酸素プラズマに曝すことで、C31を親液化してもよいし、基板10Aの表面に紫外域の波長を照射することで、C31を親液化してもよい。
(変形例2)
上記実施形態の機能液には、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか1つが利用されてもよいし、または、いずれか2つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含有する機能液を利用することは好ましい。
また、機能液が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金(I)、クロロトリメチルホスフィン金(I)、クロロトリフェニルフォスフィン金(I)、銀(I)2,4−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン(ヘキサフルオロアセチルアセトナート)銀(I)錯体、銅(I)ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
このように、機能液に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
さらに、機能液は、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリ(3,4エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)などの導電性高分子の可溶性材料を含んでいてもよい。
(変形例3)
上記実施形態では、べた状の導電層8が形成される。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、べた状の絶縁層の形成方法として本発明が適用されてよい。べた状の絶縁層を形成する場合には、絶縁材料を含有する機能液を準備すればよい。ここで、このような機能液は、好適には、絶縁材料として光硬化性の絶縁樹脂と、この絶縁樹脂を溶解する有機溶媒と、を含有している。そして、機能液がこのような絶縁材料を含有する場合には、上述の固定工程と活性化工程とは、どちらも絶縁樹脂が硬化するように、機能液からなるドット状パターンまたはべた状パターンに光を照射する工程、またはこれらドット状パターンまたはべた状パターンを加熱する工程である。
(変形例4)
上記実施形態によれば、ポリイミドからなる基板10A上に液滴Dが配置される。しかしながら、このような基板10Aに代えて、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、またはシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。また、液滴Dが配置される表面は、基板の表面に限定されない。ほぼ平坦な絶縁層の表面またはほぼ平坦な導電層の表面でもよい。
(変形例5)
上記実施形態におけるブロック1の大きさ、ブロック群1Gに含まれるブロック1の数、および液滴Dの着弾径は、本実施形態の値に限定されない。具体的には、任意のC11上のドット状パターン4がいずれも隣のC11上のドット状パターン4から孤立するように、ブロック1の大きさ、ブロック群1Gに含まれるブロック1の数、および液滴Dの着弾径の少なくとも一つを設定すればよい。
(変形例6)
上記実施形態によれば、C31に配置される液滴Dの着弾径と、C13に配置される液滴Dの着弾径と、C33に配置される液滴の着弾径とは、何れも同じである。ただし、このような構成に代えて、より均一な厚さの導電層8が得られるように、これらの着弾径を異ならせてもよい。なお、液滴Dの着弾径を異ならせる際には、吐出される液滴Dの体積を変えればよい。
(変形例7)
C11,C31,C13,C33への液滴の配置に先立って、下地となる表面の撥液性の程度が上昇するように、基板10Aの表面に表面改質処理を施してもよい。そうすれば、べた状パターン7の縁の形状がよりシャープになる。なお、表面の撥液性を向上させる処理として、基板10Aの表面にフルオロアルキルシラン(FAS)膜を形成することが知られている。また、フッ素を含有する処理ガスを用いた大気圧プラズマ法にしたがって処理ガスに表面を曝しても、表面の撥液性を向上させることができる。
本実施形態の液滴吐出装置を示す模式図。 液滴吐出装置のヘッドにおけるノズル列を示す模式図。 ヘッドの構造を示す模式図。 液滴吐出装置の制御部を示す機能図。 (a)は制御部におけるヘッド駆動部を示す模式図であり、(b)は、選択信号と駆動信号と吐出信号を示すタイミングチャートである。 基板の表面に対応付けられたブロックを示す模式図。 ブロックに液滴を配置する順番を示す図。 C11に液滴を配置する工程を説明する図。 C31に液滴を配置する工程を説明する図。 C31に液滴が配置された後に得られるライン状パターンを示す模式図。 C13に液滴を配置する工程を説明する図。 C13に液滴が配置された後に得られる格子状パターンを示す模式図。 C33に液滴を配置する工程を説明する図。 C33に液滴が配置された後に得られるべた状パターンを示す模式図。 図14のべた状パターンを活性して得られる導電層を示す模式図。 ブロックに液滴を配置する他の順番を示す図。
符号の説明
D…液滴、U…合成方向、1…ブロック、1G…ブロック群、4…ドット状パターン、5…ライン状パターン、6…格子状パターン、7…べた状パターン、8…導電層、100…液滴吐出装置、106…ステージ、111…機能液、114…ヘッド、116…ノズル列、118…ノズル。

Claims (13)

  1. 複数のノズルを備えたヘッドに対して、表面を第1の方向に相対移動させながら前記複数のノズルから液滴を吐出する液滴吐出装置が用いられる層形成方法であって、
    前記表面上の2つの基準領域のそれぞれに第1の液滴をそれぞれ配置して、前記2つの基準領域に対応して孤立した2つのパターンを設ける第1の工程と、
    前記2つのパターンを固定する第2の工程と、
    前記第2の工程の後で、前記表面を親液化する第3の工程と、
    前記第3の工程の後で、前記2つの基準領域の間に第2の液滴を配置して、前記2つのパターンを繋げる第4の工程と、
    を包含した層形成方法。
  2. 請求項1記載の層形成方法であって、
    前記第3の工程は固定された前記2つのパターンのそれぞれ上に第3の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいる、
    層形成方法。
  3. 請求項1記載の層形成方法であって、
    前記第3の工程は、前記表面に紫外線を照射する工程、または前記表面をプラズマに曝す工程を含んでいる、
    層形成方法。
  4. 請求項1から3のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
    前記第4の工程の後で、繋げられた前記パターンを活性化させる第5の工程、
    をさらに包含した層形成方法。
  5. 請求項2記載の層形成方法であって、
    前記第2の液滴の1つあたりの体積と、前記第3の液滴の1つあたりの体積と、の少なくとも1つは、前記第1の液滴の1つあたりの体積と異なる、
    層形成方法。
  6. 請求項1から4のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
    前記第2の液滴の1つあたりの体積は前記第1の液滴の1つあたりの体積と異なる、
    層形成方法。
  7. 複数のノズルを備えたヘッドに対して、表面を第1の方向に相対移動させながら前記複数のノズルから液滴を吐出する液滴吐出装置が用いられる層形成方法であって、
    前記表面上で前記第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向とで決まるアレイ状に並んだ複数の基準領域のそれぞれに第1の液滴を配置して、前記複数の基準領域に対応してそれぞれ孤立した複数のパターンを設ける第1の工程と、
    前記複数のパターンを固定させる第2の工程と、
    前記第2の工程の後で前記第2の方向に並んだ複数の前記基準領域のそれぞれの間に第2の液滴を配置して、前記複数のパターンを前記第2の方向に繋げる第3の工程と、
    前記第3の工程の後で前記第1の方向に並んだ複数の前記基準領域のそれぞれの間に第3の液滴を配置して、前記複数のパターンを前記第1の方向に繋げる第4の工程と、
    前記第4の工程の後で前記第1の方向と前記第2の方向との合成方向に並んだ前記複数の基準領域のそれぞれの間に第4の液滴を配置する第5の工程と、
    を包含した層形成方法。
  8. 請求項7記載の層形成方法であって、
    前記第2の工程と前記第3の工程との間で前記表面を親液化する第6の工程、
    をさらに包含した層形成方法。
  9. 請求項8記載の層形成方法であって、
    前記第6の工程は前記複数のパターンのそれぞれ上に第5の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいる、
    層形成方法。
  10. 請求項8記載の層形成方法であって、
    前記第6の工程は、前記表面に紫外線を照射する工程、または前記表面をプラズマに曝す工程を含んでいる、
    層形成方法。
  11. 請求項7から10のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
    前記第5の工程の後で前記パターンを活性化させる第7の工程、
    をさらに包含した層形成方法。
  12. 請求項7から11のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
    前記第2の液滴の1つあたりの体積と、前記第3の液滴の1つあたりの体積と、前記第4の液滴の1つあたりの体積と、の少なくとも1つは、前記第1の液滴の1つあたりの体積と異なる、
    層形成方法。
  13. 請求項9記載の層形成方法であって、
    前記第2の液滴の1つあたりの体積と、前記第3の液滴の1つあたりの体積と、前記第4の液滴の1つあたりの体積と、前記第5の液滴の1つあたりの体積と、の少なくとも1つは、前記第1の液滴の1つのあたりの体積と異なる、
    層形成方法。
JP2005263438A 2005-09-12 2005-09-12 層形成方法 Expired - Fee Related JP4487889B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005263438A JP4487889B2 (ja) 2005-09-12 2005-09-12 層形成方法
TW095133301A TWI306785B (en) 2005-09-12 2006-09-08 Method for forming layer
US11/530,583 US7541063B2 (en) 2005-09-12 2006-09-11 Method for forming layer
KR1020060087214A KR100780856B1 (ko) 2005-09-12 2006-09-11 층 형성 방법
CNB2006101291512A CN100493918C (zh) 2005-09-12 2006-09-11 层形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005263438A JP4487889B2 (ja) 2005-09-12 2005-09-12 層形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007075676A true JP2007075676A (ja) 2007-03-29
JP4487889B2 JP4487889B2 (ja) 2010-06-23

Family

ID=37854616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005263438A Expired - Fee Related JP4487889B2 (ja) 2005-09-12 2005-09-12 層形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7541063B2 (ja)
JP (1) JP4487889B2 (ja)
KR (1) KR100780856B1 (ja)
CN (1) CN100493918C (ja)
TW (1) TWI306785B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008253859A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp 樹脂膜形成方法、樹脂膜形成装置、及び電子回路基板製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4103530B2 (ja) 2001-10-10 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、電子デバイスの形成方法
JP3952729B2 (ja) 2001-10-17 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法
JP2003133691A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US6921148B2 (en) * 2002-01-30 2005-07-26 Seiko Epson Corporation Liquid drop discharge head, discharge method and discharge device; electro optical device, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof; color filter, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof; and device incorporating backing, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof
JP2003260406A (ja) 2002-03-07 2003-09-16 Seiko Epson Corp 成膜方法、並びにその方法を用いて製造したデバイス
JP3966306B2 (ja) 2002-04-16 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2004146796A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008253859A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp 樹脂膜形成方法、樹脂膜形成装置、及び電子回路基板製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070057992A1 (en) 2007-03-15
TWI306785B (en) 2009-03-01
CN100493918C (zh) 2009-06-03
TW200714373A (en) 2007-04-16
CN1931591A (zh) 2007-03-21
KR20070030133A (ko) 2007-03-15
KR100780856B1 (ko) 2007-11-30
US7541063B2 (en) 2009-06-02
JP4487889B2 (ja) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4096962B2 (ja) 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法
JP2006140437A (ja) 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法
JP4100385B2 (ja) 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法
JP4379386B2 (ja) 多層構造形成方法
JP2006287008A (ja) 多層構造基板の製造方法
JP2006032535A (ja) 層形成方法、配線基板、電気光学装置、および電子機器
JP4458075B2 (ja) 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法
US20060127564A1 (en) Electric wire formation method, wiring substrate manufacturing method, electrooptical element manufacturing method, electronic apparatus manufacturing method, wiring substrate, electrooptical element, and electronic apparatus
JP4506809B2 (ja) 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法
JP4487889B2 (ja) 層形成方法
JP2006289226A (ja) 成膜方法および電気回路の製造方法、並びに液滴吐出装置
JP2007335460A (ja) デバイスパターン形成方法、デバイスパターン、およびデバイスパターン形成装置
KR100927363B1 (ko) 패턴 형성 방법, 회로 기판 및 다층 기판
JP2006073561A (ja) 回路基板
KR100927364B1 (ko) 패턴 형성 방법, 액적 토출 장치, 회로 기판 및 다층 기판
JP2005191059A (ja) 電気回路の形成方法、電気回路製造装置
JP2006019567A (ja) シールド線
JP4501792B2 (ja) 成膜方法
JP2006007135A (ja) 層形成方法および配線基板
JP2007111680A (ja) 描画装置
JP4193758B2 (ja) 層形成装置
JP2011044584A (ja) 回路基板の形成方法
JP4826782B2 (ja) パターン形成装置
JP2007036208A (ja) 回路パターンの形成方法、回路パターン形成装置および回路基板
JP2008078182A (ja) パターン形成方法及び回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100322

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees