JP4501792B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
この発明の成膜方法によれば、補完成分が各グループの分割パターンに含まれるようになっているので、特定のグループの分割パターンに補完成分が集中することがなく、好適にドットが分散された分割パターンを生成することができる。
この発明の成膜方法によれば、補完成分の平均的な配列密度が各グループについて実質的に等しくなっているので、特定のグループの分割パターンに補完成分が集中することがなく、好適にドットが分散された分割パターンを生成することができる。
この発明の電気光学装置は、前記機能性膜を備えているので、低コスト且つ高品質である。
この発明の電気光学装置は、前記機能性膜ないし前記電気光学装置を備えているので、低コスト且つ高品質である。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
まずは、図1を参照して、液滴吐出法に用いる液滴吐出装置について説明する。図1は、液滴吐出装置の構成の一例を示す構成図である。
次に、図1〜図6を参照して、本発明に係る成膜方法について、導電配線の形成を例に説明する。図2は、導電配線の形成に係るフローを示すフローチャートである。図3は、導電配線に対応する点描パターンを一部拡大して示す図である。図4は、マスクパターンの一例を示す図である。図5(a)〜(f)は、それぞれ第1〜第6グループの分割パターンを一部拡大して示す図である。図6は、基板上に形成された導電配線を一部拡大して示す平面図である。
図4に示すマスクパターンは、マトリクス平面を6つのグループに分割したものであって、図では、対応するグループの番号をセル内に付して表している。例えば、図中網掛けで表しているのは第1グループに対応するマスクパターンであり、このマスクパターンで点描パターン(図3)をマスク処理したものが第1グループの分割パターン(図5(a))となる。各グループに対応するマスクパターンは、3×3のマトリクス周期で配列された周期マスク(通常の番号で表示)と、周期マスクを補完する補完マスク(下線付きの番号で表示)とを有している。
図7は、上述の実施形態の効果を説明するための参照図であって、従来技術におけるマスクパターンの一例を示す図である。図8は、上述の実施形態の効果を説明するための参照図であって、従来技術における分割パターンを示す図である。
図9は本発明に係る電気光学装置の一例としてのプラズマ型表示装置の分解斜視図である。
次に、図10を参照して、電子機器の具体例を説明する。図10は、電子機器の一例を示す概略斜視図である。
次に、図11、図12を参照して、本発明に係る成膜方法の変形例1について説明する。図11は、変形例1に係るマスクパターンを示す図である。図12は、変形例1に係る第1グループの分割パターンを一部拡大して示す図である。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。
次に、図13を参照して、本発明に係る成膜方法の変形例2について説明する。図13は、変形例2に係るマスクパターンを示す図である。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。
例えば、本発明に係る成膜方法を適用可能な機能性膜の例として、上述の導電配線の他、電気回路素子を構成する抵抗膜や誘電体膜、カラーフィルタの着色膜、有機EL表示装置における発光膜、プラズマディスプレイ装置における蛍光膜、基板の表面に形成するバンク、レジスト膜などを挙げることができる。
また、本発明に係る電気光学装置の例として、上述のプラズマ型表示装置の他、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、電界放出型表示装置(表面電界型を含む)、などを挙げることができる。これらの電気光学装置においては、画素駆動用配線やTFT素子などを上述の成膜方法を用いて形成することができる。
また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
Claims (2)
- ドットマトリクスパターンに基づいて基板上に機能液を配置し、配置した当該機能液を固形化して機能性膜をパターン形成する成膜方法であって、
前記ドットマトリクスパターンを複数に分割して、複数の分割パターンを生成する分割パターン生成工程と、
前記分割パターン毎に、前記機能液の配置および固形化を行う定着工程と、を有し、
_前記分割パターンは、マスクパターンでマスク処理することで生成され、
前記マスクパターンは、m×n(m,nは2以上の自然数)のマトリクス周期で分散された配列となっている周期マスクと、補完マスクとを有し、
_前記補完マスクが前記周期マスクの間に配置されるように、前記マスクパターンが形成されており、
前記各分割パターンは、前記周期マスクによって生成されるドットと、前記補完マスクによって生成されるドットとを有することを特徴とする成膜方法。 - 前記補完マスクによって生成されるドットの配列密度が、前記各分割パターンについて等しいことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
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