JP4059260B2 - 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は液滴吐出装置を利用した多層構造形成方法に関し、特に配線基板の製造や電子機器の製造に好適な多層構造形成方法に関する。

印刷法によるアディティブプロセス（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて配線基板や回路基板を製造する方法が注目されている。薄膜の塗布プロセスとフォトリソグラフィープロセスとを繰り返して、配線基板や回路基板を製造する方法に比べて、アディティブプロセスのコストは低いからである。

このようなアディティブプロセスに利用される技術の一つとして、インクジェット法による導電性パターンの形成技術が知られている（例えば特許文献１）。

特開２００４−６５７８号公報

インクジェット法で配線パターンを形成する場合には、液滴吐出装置によって配置された導電性材料のパターンが焼成されることで、配線パターンが得られる。焼成によって形成された配線パターンの表面は、アクリル樹脂などの液状の絶縁材料に対して撥液性を有している。このため、このような配線パターン上に、ビアホールの外形を規定するような絶縁パターンをインクジェット法で描画することは、困難ではない。

しかしながら、配線パターンを形成する際の焼成によって、配線パターン以外の部分の表面まで撥液性を呈するようになる。具体的には、上記焼成によって、配線パターンがない部分で露出している絶縁層の表面が撥液化する。このため、ビアホールの近傍以外の部分に均一な厚さの絶縁層をインクジェット法で積層することは難しい。

また、ビアホールまたはコンタクトホールを有する絶縁層をインクジェット法で形成する場合には、比較的濃度の高い液状の材料を用いることが求められることもある。比較的濃度が高い液状の材料であれば、吐出された後で溶媒の気化に伴なって流動性を失うまでの時間が比較的に短いので、ビアホールとなる開口部の外形を形取るのが容易だからである。

しかしながら、そのような液状の材料が着弾後に物体表面上で濡れ広がる面積は小さい。このため、そのような液状の材料は、絶縁層のうち、ビアホールを縁取る部分を形成する場合には適しているが、ビアホールから離れた部分を形成する場合には、困難さを生じる。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、インクジェット装置を用いて、ビアホールを備えた多層構造を形成することである。

本発明の多層構造形成方法では、インクジェット装置が用いられる。この多層構造形成方法は、第１導電性材料の液滴を吐出して、物体表面上に第１導電性材料パターンを形成するステップ（Ａ）と、前記第１導電性材料パターンを焼成して配線パターンを形成するステップ（Ｂ）と、第１光硬化性材料を含む第１絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第１絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｃ）と、前記第１絶縁材料パターンを硬化して、前記ビアホールを縁取る第１絶縁パターンを形成するステップ（Ｄ）と、前記物体表面を親液化するステップ（Ｅ）と、第２光硬化性材料を含む第２絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化された前記物体表面とを覆うとともに、前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｆ）と、前記第２絶縁材料パターンを硬化して、前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁パターンを形成するステップ（Ｇ）と、を含んでいる。なお、好ましくは、前記第１導電性材料は銀（Ａｇ）のナノ粒子を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット装置を用いてビアホールを有する多層構造を形成できることである。

好ましくは、上記多層構造形成方法が、前記ビアホールへ第２導電性材料の液滴を吐出して、前記ビアホールを前記第２導電性材料で満たすステップ（Ｈ）と、前記ビアホールを満たす前記第２導電性材料を焼成して導電ポストを形成するステップ（Ｉ）と、をさらに含んでいる。

上記構成によれば、インクジェット装置を用いて、導電ポストを備えた多層構造を形成することができる。

本発明のある態様によれば、配線基板の製造方法が上記多層構造形成方法を包含している。また他の態様によれば、電子機器の製造方法が上記多層構造形成方法を包含している。これらのことによって、インクジェット装置を用いて配線基板や電子機器を製造することができる。

本発明の多層構造形成方法ではインクジェット装置が用いられる。この多層構造形成方法は、物体表面上に位置する配線パターンの表面を撥液化するステップ（Ａ）と、前記撥液化された配線パターンの表面へ第１光硬化性材料を含む第１絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第１絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｂ）と、前記第１絶縁材料パターンを硬化して、前記ビアホールを縁取る第１絶縁パターンを形成するステップ（Ｃ）と、前記物体表面を親液化するステップ（Ｄ）と、第２光硬化性材料を含む第２絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化された前記物体表面とを覆うとともに、前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｅ）と、前記第２絶縁材料パターンを硬化するステップ（Ｆ）と、を含んでいる。

上記特徴によって得られる効果の一つは、液状の材料（上記絶縁材料）の粘度を調整しなくても、物体表面上での濡れ広がりの度合いが変わるので、インクジェット装置を用いて、ビアホールを有する絶縁層（硬化された第１絶縁材料パターンおよび第２絶縁材料パターン）を形成できることである。

好ましくは、上記多層構造形成方法が、液状の導電性材料の液滴を吐出して、前記ビアホールを前記導電性材料で満たすステップ（Ｇ）と、前記ビアホールを満たす前記導電性材料を焼成して導電ポストを形成するステップ（Ｈ）と、をさらに含んでいる。

上記特徴によれば、インクジェット装置を用いて、ビアホールに導電ポストを設けることができる。

さらに好ましくは、前記導電性材料は銀（Ａｇ）を含んでいる。

上記特徴によれば、インクジェット装置を用いた導電ポストの形成が容易になる。

本発明は多層構造形成方法の他にも種々の態様で実現できる。例えば、本発明は配線基板の製造方法として実現できるし、電子機器の製造方法としても実現できる。

（実施形態１）
（Ａ．液滴吐出装置の全体構成）
本実施形態の多層構造形成方法は、図１の液滴吐出装置１〜６を利用する。液滴吐出装置１〜６は、絶縁材料７Ａ（図１）、導電性材料８Ａ、絶縁材料９Ａ、絶縁材料１１Ａ、導電性材料１５Ａ、絶縁材料１７Ａをそれぞれ吐出する装置である。なお、後述するように、これら絶縁材料７Ａ、導電性材料８Ａ、絶縁材料９Ａ、絶縁材料１１Ａ、導電性材料１５Ａ、絶縁材料１７Ａは、いずれも液状の材料の一種である。

図１に示す液滴吐出装置１は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１は、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａと、を備えている。なお、他の５つの液滴吐出装置２〜６の構造および機能は、液滴吐出装置１の構造および機能と基本的に同じであり、このため、これら５つの液滴吐出装置２〜６の構造および機能の説明は省略する。

吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図２）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。

ステージ１０６は基板１０Ａを固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基板１０Ａの位置を固定する機能も有する。ここで、基板１０Ａはポリイミドからなるフレキシブル基板であり、その形状はテープ状である。そして、基板１０Ａの両端は、図示しない一対のリールに固定されている。

第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。

第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。

上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータやサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。

さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基板１０Ａはステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基板１０Ａに対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図２）は、基板１０Ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。

制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基板１０Ａ上に、液状の材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。

上記構成を有する液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図２）を基板１０Ａに対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。なお、液滴吐出装置１によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状の材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。

本明細書では、液状の材料１１１の液滴が着弾する部分を「被吐出部」とも表記する。そして、着弾した液滴が濡れ広がる部分を「被塗布部」とも表記する。「被吐出部」および「被塗布部」のどちらも、液状の材料が所望の接触角を呈するように、下地の物体に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物体の表面が、液状の材料に対して所望の撥液性または親液性を呈する（つまり着弾した液状の材料が下地の物体の表面上で望ましい接触角を呈する）場合には、下地の物体の表面そのものが「被吐出部」または「被塗布部」であってもよい。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。

さて、図１に戻って、光照射装置１４０は、基板１０Ａに付与された液状の材料１１１に紫外光を照射する装置である。光照射装置１４０の紫外光の照射のＯＮ・ＯＦＦも制御部１１２によって制御される。

なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、液滴吐出装置１のような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。

（Ｂ．ヘッド）
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数のキャビティ１２０と、複数の振動子１２４と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１と、を備えている。液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。

また、複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。

さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。

本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。

（Ｃ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図３に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。

光源駆動部２０５は、光照射装置１４０と通信可能に接続されている。さらに、走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。

入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図３では、記憶装置２０２はＲＡＭである。

処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。

また、処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、光照射装置１４０をＯＮ状態およびＯＦＦ状態のどちらかの状態にする。具体的には、光源駆動部２０５が光照射装置１４０の状態を設定できるように、処理部２０４は、ＯＮ状態またはＯＦＦ状態を示すそれぞれの信号を光源駆動部２０５へ供給する。

制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。

（Ｄ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。

後述する導電性材料８Ａ、１５Ａ（図４（ｄ）、図７（ｃ））は、上述の液状の材料１１１の一種である。本実施形態の導電性材料８Ａ、１５Ａは、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散媒と、を含む。そして導電性材料８Ａ、１５Ａにおいて、銀粒子は分散媒中に安定して分散されている。なお、銀粒子はコーティング剤で被覆されていてもよい。
ここで、コーティング剤は、銀原子に配位可能な化合物である。

分散媒（または溶媒）としては、銀粒子などの導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、導電性材料８Ａ，１５Ａは銀のナノ粒子を含んでいる。

さらに、後述する絶縁材料７Ａ，９Ａ，１１Ａ，１７Ａも、それぞれ液状の材料１１１である。そして、絶縁材料７Ａ，９Ａ，１１Ａ，１７Ａは光硬化性材料を含んでいる。具体的には、本実施形態の光硬化性材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含んでいる。本実施形態では、アクリル系の感光性樹脂を、プロセスに応じて、「第１光硬化性材料」、「第２光硬化性材料」、および「第３光硬化性材料」と表記しわける。このように、本実施形態では「第１光硬化性材料」、「第２光硬化性材料」、および「第３光硬化性材料」は、同じである。

一般的には、本発明の「光硬化性材料」は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂と、を含有してよい。ここで、この場合の「光硬化性材料」は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤と、を含有していてもよい。

もちろん、このような形態に代えて、本発明の「光硬化性材料」は、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤と、を含有してもよい。ただしこの場合の「光硬化性材料」は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。

以下では、本実施形態の多層構造形成方法を利用した配線基板の製造方法を説明する。

（Ｅ．製造方法）
まず、基板１０Ａの１つの表面ＳをＵＶ洗浄する。ＵＶ洗浄によって、表面Ｓが洗浄されるだけでなく、後述する液状の絶縁材料７Ａに対して表面Ｓが適切な親液性を呈するようになる。このため、本実施形態では、ＵＶ洗浄後の表面Ｓが、上述の被吐出部および被塗布部になる。

次に、図４（ａ）に示すように、液滴吐出装置１を用いて、表面Ｓの全面に絶縁材料層７Ｂを形成する。具体的には、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置１のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置１は、表面Ｓに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、液滴吐出装置１は、第１吐出データに応じて、表面Ｓに向けて液状の絶縁材料７Ａの液滴Ｄを所定の周期でノズル１１８から吐出する。そうすると、表面Ｓの全域に亘って所定ピッチで複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、表面Ｓを覆う絶縁材料層７Ｂが得られる。なお、吐出される絶縁材料７Ａの液滴Ｄの体積と数とは、後述する硬化工程後に得られる絶縁層７（図４（ｃ））の厚さが約１０μｍになるように、設定されている。

なお、図４は基板１０ＡのＹＸ断面を示している。また、本実施形態では、基板１０Ａと基板１０Ａ上の一つ以上の層とをまとめて「基体１０Ｂ」とも表記する。

次に、図４（ｂ）および（ｃ）に示すように、得られた絶縁材料層７Ｂを硬化して、絶縁層７を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長を有する光を約６０秒間、絶縁材料層７Ｂに照射して、絶縁層７を得る。本実施形態では、絶縁材料層７Ｂに照射する光の波長は３６５ｎｍである。

このように、後述する導電性材料層８Ｂのパターン（図４（ｄ））を形成する前に、その下地となる絶縁材料層７Ｂを硬化するので、導電性材料層８Ｂのパターンにおいて断線が生じない。

次に、図４（ｄ）に示すように、液滴吐出装置２を用いて、絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンを形成する。具体的には、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置２のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置２は、絶縁層７の表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置２は、第２吐出データに応じて、導電性材料層８Ｂのパターンに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面に向けて液状の導電性材料８Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、絶縁層７上に複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンが形成される。なお、吐出される導電性材料８Ａの液滴Ｄの体積と数とは、後述する加熱工程後に得られる導電層８（図５（ｂ））の厚さが約４μｍになるように、設定されている。

ここで、本実施形態の液滴吐出装置２は本発明の「第１の液滴吐出装置」に対応する。また、ここでは、絶縁層７の表面が本発明の「物体表面」の一例である。

次に、図５（ａ）に示すように導電性材料層８Ｂのパターンを活性化して、図５（ｂ）に示す導電層８のパターンを形成する。具体的には、クリーンヒータを用いて、１５０℃の温度で３０分間、導電性材料層８Ｂのパターンを焼成（加熱）する。そうすると、導電性材料層８Ｂにおける銀粒子が燒結または融着して、導電層８のパターンが得られる。本実施形態では、導電層８のパターンを、「配線パターン２５（または導電パターン）」とも表記する。なお、図５（ａ）および（ｂ）は基体１０ＢのＹＺ断面を示している。

このように本実施形態では、絶縁層７と配線パターン２５とを覆う絶縁パターン１１（後述）を設ける前に、予め導電性材料層８Ｂを焼成して導電層８を形成しておく。そうすると、絶縁材料パターン９Ｂの硬化収縮に起因する応力を受けて導電層８が変形する可能性がより低くなる。絶縁層７と導電層８との間の密着力が、絶縁層７と導電性材料層８Ｂ（活性化される前の導電層８）との間の密着力よりも強いからである。

また、配線パターン２５は、アクリル樹脂からなる絶縁層７上に位置する。アクリル樹脂からなる絶縁層７は、ポリイミドからなる基板１０Ａと、銀からなる配線パターン２５とを密着させる機能を果たすので、本実施形態の配線パターン２５は剥がれにくい。

配線パターン２５は、図５（ｃ）に示すように、配線２５Ａと、配線２５Ｂと、配線２５Ｃと、を含む。配線２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃのいずれも、ストライプ状の形状を有している。これら配線２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃのそれぞれの幅は約５０μｍである。より具体的には、これら配線２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃのそれぞれは、いわゆる「べた膜」である絶縁層７の一部分上に位置している。すなわち、これら配線２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃはいずれも、ほぼ同一のレベルにある表面Ｌ１上に位置している。ただし、これら配線２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃのうちのどの２つの配線も、表面Ｌ１上では互いから物理的に分離されている。なお、後述の工程によって、配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５Ｃは、配線２５Ａと配線２５Ｂとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。なお、図５（ｃ）は、基体１０ＢのＸＹ平面を示している。

本実施形態では、配線２５Ａ上にポスト形成領域１８Ａが設定されており、配線２５Ｂ上にポスト形成領域１８Ｂが設定されている。ポスト形成領域１８Ａ，１８Ｂとは、後に導電ポストが設けられる位置である。なお、ポスト形成領域１８Ａを囲むように、下地領域１９Ａが位置し、ポスト形成領域１８Ｂを囲むように下地領域１９Ｂが位置している。

次に、図６（ａ）に示すように、液滴吐出装置３を用いて、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上にそれぞれ絶縁材料パターン９Ｂを設ける。

まず、基板１０Ａを液滴吐出装置３のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置３は、基体１０Ｂの表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置３は、第３吐出データに応じて、下地領域１９Ａ，１９Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、下地領域１９Ａ，１９Ｂに向けて液状の絶縁材料９Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上に複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上にそれぞれ絶縁材料パターン９Ｂが形成される。

なお、本実施形態の液滴吐出装置３は本発明の「第２の液滴吐出装置」に対応する。

ここで、下地領域１９Ａ，１９Ｂは、銀からなる配線パターン２５上の表面であり、下地領域１９Ａ，１９Ｂは絶縁材料９Ａに対して撥液性を呈する。このため、下地領域１９Ａ，１９Ｂに着弾した絶縁材料９Ａの液滴Ｄが濡れ広がりの度合いは小さい。このため、下地領域１９Ａ，１９Ｂは、インクジェット法でビアホールを形取るのに適している。

次に、図６（ｂ）および（ｃ）に示すように、２つの絶縁材料パターン９Ｂを硬化して、２つの絶縁パターン９を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長を有する光を約６０秒間、絶縁材料パターン９Ｂに照射して、絶縁パターン９を得る。本実施形態では、絶縁材料パターン９Ｂに照射する光の波長は３６５ｎｍである。
そして、２つの絶縁パターン９の内側が、それぞれビアホール４０Ａ，４０Ｂとなる。つまり２つの絶縁パターン９のそれぞれは、ビアホール４０Ａ，４０Ｂをそれぞれ縁取っている。

絶縁パターン９を形成した後で、図６（ｄ）に示すように、下地領域２０を親液化する。ここで、下地領域２０とは、下地領域１９Ａ，１９Ｂに接するとともに、下地領域１９Ａ，１９Ｂを囲んでいる領域である。あるいは、下地領域２０は、下地領域１９Ａ，１９Ｂでもポスト形成領域１８Ａ，１８Ｂでもない表面でもある。本実施形態では、下地領域２０は、配線パターン２５の表面の一部と、絶縁層７の表面の一部とからなる。

下地領域２０を親液化する場合、具体的には、上述の第１波長とは異なる第２波長の光を約６０秒、下地領域２０の表面に均一に照射する。そうすると、下地領域２０の一部である絶縁層７の表面は、後述する液状の絶縁材料１１Ａ（図７（ａ））に対して親液性を呈するようになる。なお、本実施形態では、第２波長は１７２ｎｍである。

なお、親液性の程度を表す指標の一つは、「接触角」である。本実施形態では、親液化された絶縁層７の表面に絶縁材料１１Ａの液滴Ｄが接触した場合、液滴Ｄと絶縁層７の表面とがなす接触角は、２０度以下である。

絶縁層７の表面を親液化する理由は次の通りである。絶縁層７を得るための硬化工程、絶縁パターン９を得るための硬化工程、または配線パターン２５を得るための焼成（加熱）工程を経ると、絶縁層７の表面は、液状の絶縁材料１１Ａに対して撥液性を呈するようになる。ここで、物体表面が撥液性を呈する場合には、広い面積に亘って均一な層を形成することが困難になる。これに対して、本実施形態では、焼成工程の後で絶縁層７の表面が親液化されるので、絶縁材料１１Ａの液滴が濡れ広がる程度（親液性の程度）が、絶縁層７の表面に亘って再び大きくなる。このため、絶縁層７上に亘って、表面が平坦な絶縁パターン１１を形成できる。

次に、液滴吐出装置４を用いて、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂを形成する。具体的には、図７（ａ）に示すように、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置４のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置４は、下地領域２０に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置４は、第４吐出データに応じて、絶縁材料パターン１１Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面または配線パターン２５の表面へ液状の絶縁材料１１Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域２０上に複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、絶縁層７上および配線パターン２５上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。つまり、絶縁パターン９を囲む絶縁材料パターン１１Ｂが得られる。

なお、本実施形態の液滴吐出装置４は本発明の「第３の液滴吐出装置」に対応する。

上述したように、絶縁層７の表面は、先の親液化工程によって、液状の絶縁材料１１Ａに対して親液性を呈する。このため、絶縁層７の表面に着弾した絶縁材料１１Ａの液滴Ｄは、これらの表面上で均一に濡れ広がることができる。なお、絶縁層７と絶縁層７上に位置する配線パターン２５とが形成する段差（高さ約４μｍ）を、絶縁材料パターン１１Ｂが吸収できるように、吐出される液滴Ｄの体積と数とは、第４吐出データにおいて設定されている。このため、後述する硬化工程後に得られる絶縁パターン１１の表面は、絶縁パターン１１に亘って平坦になる。

次に、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように、絶縁材料パターン１１Ｂを硬化して、絶縁パターン１１を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長を有する光を約６０秒間、絶縁材料パターン１１Ｂに照射して、絶縁パターン１１を得る。本実施形態では、絶縁材料パターン１１Ｂに照射する光の波長は３６５ｎｍである。

下地領域１９Ａ，１９Ｂと下地領域２０とが接しているので、絶縁パターン１１も先に形成された絶縁パターン９に接している。また、絶縁パターン１１の厚さは、絶縁層７上で約１０μｍであり、配線パターン２５上で約６μｍである。なお、絶縁パターン９の表面と絶縁パターン１１の表面とは、同じレベルの表面Ｌ３を構成するように、液滴吐出装置４による液滴Ｄの吐出走査が設定されている。

絶縁パターン１１を形成した後で、図７（ｃ）に示すように、液滴吐出装置５を用いて、絶縁パターン９に縁取られたビアホール４０Ａ，４０Ｂを導電性材料１５Ａで満たす。

具体的には、まず、液滴吐出装置５は、基体１０Ｂに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、液滴吐出装置５はノズル１１８から導電性材料１５Ａの液滴Ｄを吐出する。吐出された導電性材料１５Ａの液滴Ｄは、ビアホール４０Ａ，４０Ｂによって露出した導電層８のパターン（配線パターン２５）に着弾する。そしてビアホール４０Ａ，４０Ｂ内を満たすのに充分な数の液滴Ｄがビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に着弾することによって、図７（ｃ）に示すように、ビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで満たされる。

なお、本実施形態の液滴吐出装置５は本発明の「第４の液滴吐出装置」に対応する。

次に、再度、液滴吐出装置５を用いて導電性材料１５Ａの液滴Ｄを吐出して、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂを結ぶ導電性材料パターン１５Ｂを、絶縁パターン９，１１上に形成する。

そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内の導電性材料１５Ａと、導電性材料パターン１５Ｂとを活性化する。本実施形態では、図７（ｄ）に示すように、熱量Ｑを与えて加熱して、導電性材料１５Ａにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。具体的には、クリーンオーブンを用いて、１５０度で３０分間、基体１０Ｂを加熱する。このような活性化の結果、図８（ａ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂのそれぞれの内に位置する導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂに連結された配線パターン１５とが得られる。

導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと配線パターン１５とによって、配線パターン２５の一部である配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に連結される。一方、配線パターン２５の一部である配線２５Ｃは、配線２５Ａに対しても配線２５Ｂに対しても電気的絶縁が保たれる。

次に、絶縁パターン９，１１の表面と配線パターン１５の表面とを親液化する。具体的には、上述の第２波長の光を約６０秒間、基体１０Ｂの表面に均一に照射する。そうすると、絶縁パターン９，１１の表面と、配線パターン１５の表面とは、後述する液状の絶縁材料１７Ａに対して親液性を呈するようになる。上述したように、第２波長は１７２ｎｍである。

その後、図示はしてないが、液滴吐出装置６を用いた吐出工程によって、絶縁パターン９，１１と、配線パターン１５とを覆う絶縁材料層を形成する。

そして、得られた絶縁材料層を硬化して、絶縁層１７を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長を有する光を約６０秒間、上述の絶縁材料層に照射して、絶縁層１７を得る。本実施形態では、第１波長は３６５ｎｍである。絶縁層１７は、いわゆるべた膜である。

その後、再度クリーンオーブンで基体１０Ｂを加熱して、絶縁層７、絶縁パターン９，１１、絶縁層１７におけるポリマーの重合反応を完全に進行させる。以上の工程を経て、基体１０Ｂから、図８（ｂ）に示す配線基板１０が得られる。

（実施形態２）
本実施形態の多層構造形成方法は、絶縁パターン１１の形成方法を除いて、実施形態１の多層構造形成方法と同じである。このため、実施形態１における工程や構成と同様なものについては、重複を避ける目的で説明を省略する。

まず、実施形態１で説明したように、配線パターン２５上の下地領域１９Ａ，１９Ｂにそれぞれ絶縁パターン９を設ける（図６（ａ）〜（ｃ））。その後、下地領域２０へ光照射を行って、絶縁層７の表面を親液化する（図６（ｄ））。そして、絶縁パターンを形成するための吐出工程が、常に平坦な表面に対して行われるように、以下の工程を行う。

図９（ａ）に示すように、吐出工程と硬化工程によって、絶縁層７上の部分であって配線パターン２５がない部分に、絶縁パターン５１を設ける。絶縁パターン５１の厚さは、配線パターン２５の厚さと同じに設定されているので、配線パターン２５によって生じた段差がなくなる。すなわち、配線パターン２５と、絶縁パターン５１とは、ほぼ同じレベルの表面Ｌ２を形成する。

次に、図示はしていないが、表面Ｌ２に１７２ｎｍの光を照射して、表面Ｌ２を親液化する。

そして、吐出工程と硬化工程とによって、表面Ｌ２のうち、絶縁パターン９もビアホール４０Ａ，４０Ｂもない部分に、絶縁パターン５２を設ける。このことで、図９（ｂ）に示すように、絶縁パターン９を囲む絶縁パターン５２が得られる。絶縁パターン５２の厚さは、絶縁パターン９の厚さと同じに設定されているので、絶縁パターン５２と絶縁パターン９とは、ほぼ同じレベルの表面Ｌ３を形成する。

以降は、実施形態１と同様な工程を行うことで、配線基板１０を形成できる。

本実施形態の絶縁パターン５１と絶縁パターン５２とは、実施形態１の絶縁パターン１１に対応する。このように、本実施形態では、実施形態１の絶縁パターン１１に相当する部分を、複数回の「吐出形成」を経て形成する。「吐出形成」とは、吐出工程による材料パターンの形成と、硬化工程による材料パターンの硬化とを意味する。

このような工程を行えば、常に平坦な表面上に絶縁パターンが設けられる。このため、配線パターン２５の厚さが厚い場合でも、配線パターン２５の側面を絶縁パターンによって良好に被覆できる。

なお、上述の工程において、絶縁パターン５２を形成するための吐出工程を行う前に、下地の絶縁パターン５１に対して、光照射による親液化工程をおこなってもよい。

（実施形態３）
以下では、本実施形態の多層構造形成方法を利用した配線基板の製造方法を説明する。

まず、図１０（ａ）および（ｂ）に示すような配線パターン２５Ｐが設けられた基板１０Ａを準備する。ここでは、配線パターン２５Ｐは、銅配線の表面に金（Ａｕ）がめっきされた構造を有する。もちろん、配線パターン２５Ｐの全体が金（Ａｕ）からなってもよい。本実施形態では、このような配線パターン２５Ｐが基板１０Ａの表面上に位置している。このように、基板１０Ａの表面が本発明の「物体表面」の一例である。なお、以下では、基板１０Ａと基板１０Ａ上の一つ以上の層とをまとめて「基体１０Ｂ」とも表記する。

配線パターン２５Ｐは、図１０（ｂ）に示すように、配線２５ＰＡと、配線２５ＰＢと、配線２５ＰＣと、を含む。配線２５ＰＡ，２５ＰＢ，２５ＰＣのいずれも、ストライプ状の形状を有している。これら配線２５ＰＡ，２５ＰＢ，２５ＰＣのそれぞれの幅は約５０μｍである。より具体的には、これら配線２５ＰＡ，２５ＰＢ，２５ＰＣのそれぞれは、基板１０Ａの一部分上に位置している。すなわち、これら配線２５ＰＡ，２５ＰＢ，２５ＰＣはいずれも、ほぼ同一のレベルにある表面Ｌ１上に位置している。ただし、これら配線２５ＰＡ，２５ＰＢ，２５ＰＣのうちのどの２つの配線も、表面Ｌ１上では互いから物理的に分離されている。なお、後述の工程によって、配線２５ＰＡと配線２５ＰＢとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５ＰＣは、配線２５ＰＡと配線２５ＰＢとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。なお、図１０（ｂ）は、基体１０ＢのＸＹ平面を示している。ＸＹ平面とは、上述のＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に平行な平面である。

次に、図１０（ｃ）および（ｄ）に示すように、基板１０Ａの表面と配線パターン２５Ｐの表面とを撥液化する。具体的には、基板１０Ａ上にフルオロアルキルシラン（以下ＦＡＳ）膜１６を形成する。より具体的には、原料化合物（つまりＦＡＳ）の溶液と基体１０Ｂとを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置する。そうすると、基板１０Ａの表面上と配線パターン２５Ｐの表面上とに有機分子膜からなる自己組織化膜（つまりＦＡＳ膜１６）が形成される。

本実施形態において、「撥液化された基板１０Ａの表面」という表記、または「撥液化された配線パターン２５Ｐの表面」という表記は、基板１０Ａ上または配線パターン２５Ｐ上に位置するＦＡＳ膜１６の表面を指している。なお、図１０（ｃ）は基板１０ＡのＹＺ断面を示している。ＹＺ断面とは、上述のＹ軸方向およびＺ軸方向に平行な面である。

図１０（ｂ）に戻って、本実施形態では、撥液化された配線２５ＰＡの表面上にポスト形成領域１８Ａが設定されており、撥液化された配線２５ＰＢの表面上にポスト形成領域１８Ｂが設定されている。ポスト形成領域１８Ａ，１８Ｂとは、後に導電ポストが設けられる位置である。なお、ポスト形成領域１８Ａを囲むように、下地領域１９Ａが位置し、ポスト形成領域１８Ｂを囲むように下地領域１９Ｂが位置している。

次に、図１１（ａ）に示すように、液滴吐出装置３を用いて、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上にそれぞれ絶縁材料パターン９Ｂを設ける。

具体的には、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置３のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置３は、基体１０Ｂの表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置３は、下地領域１９Ａ，１９Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、下地領域１９Ａ，１９Ｂに向けて液状の絶縁材料９Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上に複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、下地領域１９Ａ，１９Ｂ上に絶縁材料パターン９Ｂが形成される。

ここで、下地領域１９Ａ，１９Ｂは、撥液化された配線パターン２５Ｐの表面であり、下地領域１９Ａ，１９Ｂは絶縁材料９Ａに対して撥液性を呈する。このため、下地領域１９Ａ，１９Ｂに着弾した絶縁材料９Ａの液滴Ｄの濡れ広がりの度合いは小さい。このため、下地領域１９Ａ，１９Ｂは、インクジェット法でビアホールを形取るのに適している。

次に、図１１（ｂ）および（ｃ）に示すように、２つの絶縁材料パターン９Ｂを硬化して、２つの絶縁パターン９を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長の光を約６０秒間、絶縁材料パターン９Ｂに照射して、絶縁パターン９を得る。本実施形態では、第１波長は３６５ｎｍである。そして、２つの絶縁パターン９の内側が、それぞれビアホール４０Ａ，４０Ｂとなる。つまり２つの絶縁パターン９のそれぞれは、ビアホール４０Ａ，４０Ｂをそれぞれ縁取っている。

絶縁パターン９を形成した後で、図１１（ｄ）に示すように、下地領域２０を親液化する。ここで、下地領域２０とは、下地領域１９Ａ，１９Ｂに接するとともに、下地領域１９Ａ，１９Ｂを囲んでいる領域である。あるいは、下地領域２０は、下地領域１９Ａ，１９Ｂでもポスト形成領域１８Ａ，１８Ｂでもない表面でもある。本実施形態では、下地領域２０は、配線パターン２５Ｐの表面の一部と、基板１０Ａの表面の一部とからなる。

下地領域２０を親液化する場合、具体的には、紫外域に属する第２波長の光を約６０秒、下地領域２０の表面に均一に照射する。そうすると、下地領域２０に対応する部分のＦＡＳ膜が分解する。この結果、下地領域２０の表面（基板１０Ａの表面と配線パターン２５Ｐの表面）が露出する。そして、露出した下地領域２０の表面はこの光照射によって、後述する絶縁材料１１Ａ（図１２（ａ））に対して親液性を呈するようになる。なお、本実施形態では、上記第２波長は１７２ｎｍである。

なお、親液性の程度を表す指標の一つは、「接触角」である。本実施形態では、親液化された基板１０Ａの表面に絶縁材料１１Ａの液滴Ｄが接触した場合、液滴Ｄと基板１０Ａの表面とがなす接触角は、２０度以下である。

次に、図１２（ａ）に示すように、液滴吐出装置４を用いて、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂを形成する。

具体的には、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置４のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置４は、下地領域２０に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置４は、下地領域２０に対応する位置にノズル１１８が達する毎に、下地領域２０（親液化された基板１０Ａの表面または親液化された配線パターン２５Ｐの表面）へ液状の絶縁材料１１Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域２０上に複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がると、基板１０Ａ上および配線パターン２５Ｐ上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。つまり、絶縁パターン９を囲む絶縁材料パターン１１Ｂが得られる。

上述したように、基板１０Ａの表面は、先の親液化工程によって、液状の絶縁材料１１Ａに対して親液性を呈する。このため、基板１０Ａの表面に着弾した絶縁材料１１Ａの液滴Ｄは、これらの表面上で均一に濡れ広がることができる。なお、基板１０Ａと基板１０Ａ上に位置する配線パターン２５Ｐとが形成する段差（高さ約４μｍ）を、絶縁材料パターン１１Ｂが吸収できるように、吐出される液滴Ｄの体積と数とは、吐出データにおいて設定されている。このため、後述する硬化工程後に得られる絶縁パターン１１の表面は、絶縁パターン１１に亘って平坦になる。

次に、図１２（ｂ）および（ｃ）に示すように、絶縁材料パターン１１Ｂを硬化して、絶縁パターン１１を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長の光を約６０秒間、絶縁材料パターン１１Ｂに照射して、絶縁パターン１１を得る。本実施形態では、第１波長は３６５ｎｍである。

下地領域１９Ａ，１９Ｂと下地領域２０とが接しているので、絶縁パターン１１も先に形成された絶縁パターン９に接している。また、絶縁パターン１１の厚さは、基板１０Ａ上で約１０μｍであり、配線パターン２５Ｐ上で約６μｍである。なお、絶縁パターン９の表面と絶縁パターン１１の表面とは、同じレベルの表面Ｌ３を構成するように、液滴吐出装置４による液滴Ｄの吐出走査が設定されている。

絶縁パターン１１を形成した後で、図１２（ｄ）に示すように、液滴吐出装置５を用いて、絶縁パターン９に縁取られたビアホール４０Ａ，４０Ｂを導電性材料１５Ａで満たす。

具体的には、まず、基板１０Ａを液滴吐出装置５のステージ１０６上に位置決めする。そうすると、液滴吐出装置５は、基体１０Ｂに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、液滴吐出装置５はノズル１１８から導電性材料１５Ａの液滴Ｄを吐出する。吐出された導電性材料１５Ａの液滴Ｄは、ビアホール４０Ａ，４０Ｂによって露出した配線パターン２５Ｐに着弾する。そしてビアホール４０Ａ，４０Ｂ内を満たすのに充分な数の液滴Ｄがビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に着弾することによって、図１２（ｄ）に示すように、ビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで満たされる。

次に、再度、液滴吐出装置５を用いて導電性材料１５Ａの液滴Ｄを吐出して、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂを結ぶ導電性材料パターン１５Ｂを、絶縁パターン９，１１上に形成する。

そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内の導電性材料１５Ａと、導電性材料パターン１５Ｂとを活性化する。本実施形態では、図１３（ａ）に示すように、熱量Ｑを与えて加熱して、導電性材料１５Ａにおける銀のナノ粒子を燒結または融着させる。具体的には、クリーンオーブンを用いて、１５０度で３０分間、基体１０Ｂを加熱する。このような活性化の結果、図１３（ｂ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂのそれぞれの内に位置する導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂに連結された配線パターン１５とが得られる。

導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと配線パターン１５とによって、配線パターン２５Ｐの一部である配線２５ＰＡと配線２５ＰＢとは、互いに電気的に連結される。一方、配線パターン２５Ｐの一部である配線２５ＰＣは、配線２５ＰＡに対しても配線２５ＰＢに対しても電気的絶縁が保たれる。

次に、図示はしていないが、絶縁パターン９，１１の表面と配線パターン１５の表面とを親液化する。具体的には、紫外域に属する第２波長の光を約６０秒間、基体１０Ｂの表面に均一に照射する。そうすると、絶縁パターン９，１１の表面と、配線パターン１５の表面とは、後述する液状の絶縁材料１７Ａに対して親液性を呈するようになる。ここでは、上記第２波長は１７２ｎｍである。

その後、図示はしていないが、液滴吐出装置６による液状の絶縁材料１７Ａの吐出工程によって、絶縁パターン９，１１と、配線パターン１５とを覆う絶縁材料層を形成する。

そして、得られた絶縁材料層を硬化して、絶縁層１７を形成する。具体的には、光照射装置１４０から紫外域に属する第１波長の光を約６０秒間、上述の絶縁材料層に照射して、絶縁層１７を得る。本実施形態では、第１波長は３６５ｎｍである。絶縁層１７は、いわゆるべた膜である。

その後、再度クリーンオーブンで基体１０Ｂを加熱して、絶縁パターン９，１１、絶縁層１７におけるポリマーの重合反応を完全に進行させる。以上の工程を経て、基体１０Ｂから、図１３（ｃ）に示す配線基板１０が得られる。

（実施形態４）
本実施形態の多層構造形成方法は、絶縁パターン１１の形成方法を除いて、実施形態３の多層構造形成方法と基本的に同じである。このため、実施形態３における工程や構成と同様なものについては、重複を避ける目的で説明を省略する。

まず、実施形態３で説明したように、撥液化された配線パターン２５Ｐの表面上に位置する下地領域１９Ａ，１９Ｂにそれぞれ絶縁パターン９を設ける（図１１（ａ）〜（ｃ））。その後、下地領域２０へ光照射を行って、基板１０Ａの表面と配線パターン２５Ｐの表面とを親液化する（図１１（ｄ））。そして、絶縁パターンを形成するための吐出工程が常に平坦な表面に対して行われるように、以下の工程を行う。

図１４（ａ）に示すように、吐出工程と硬化工程によって、親液化された基板１０Ａの表面上の部分であって配線パターン２５Ｐがない部分に、絶縁パターン５１を設ける。絶縁パターン５１の厚さは、配線パターン２５Ｐの厚さと同じに設定されているので、配線パターン２５Ｐによって生じた段差がなくなる。すなわち、配線パターン２５Ｐと、絶縁パターン５１とは、ほぼ同じレベルの表面Ｌ２を形成する。

次に、図１４（ｂ）に示すように、基体１０Ｂの表面に、約６０秒間１７２ｎｍの光を照射して、基体１０Ｂの表面を親液化する。

そして、吐出工程と硬化工程とによって、親液化された表面Ｌ２のうち、絶縁パターン９もビアホール４０Ａ，４０Ｂもない部分に、絶縁パターン５２を設ける。このことで、図１４（ｃ）に示すように、絶縁パターン９を囲む絶縁パターン５２が得られる。絶縁パターン５２の厚さは、絶縁パターン９の厚さと同じに設定されているので、絶縁パターン５２と絶縁パターン９とは、ほぼ同じレベルの表面Ｌ３を形成する。

以降は、実施形態３と同様な工程を行うことで、配線基板１０を形成できる。

本実施形態の絶縁パターン５１と絶縁パターン５２とは、実施形態３の絶縁パターン１１に対応する。このように、本実施形態では、実施形態３の絶縁パターン１１に相当する部分を、複数回の「吐出形成」を経て形成する。「吐出形成」とは、吐出工程による材料パターンの形成と硬化工程による材料パターンの硬化との組合せを意味する。

このような工程を行えば、常に平坦な表面上に絶縁パターンが設けられる。このため、配線パターン２５Ｐの厚さが厚い場合でも、配線パターン２５Ｐの側面を絶縁パターンによって良好に被覆できる。

（実施形態５）
次に、図１５に示すように、実施形態１〜４のいずれかの配線基板１０に、液晶パネル３２と半導体素子２６とを実装する。具体的には、配線基板１０の一部に、導電層８のパターンが絶縁パターン９，１１にも絶縁層１７にも覆われていない部分を形成する。そして、露出した導電層８のパターンに、液晶パネル３２の対応するパッド、または半導体素子２６の対応するパッドを適切に接合する。このようにして、液晶表示装置３４が得られる。このように、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置３４の製造に適用され得る。なお、本実施形態では、半導体素子２６は液晶ドライバ回路である。

さらに、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置３４の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用される。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、発光、透過、または反射する装置全般を意味する。

具体的には、電気光学装置とは、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などを含む用語である。

さらに、本実施形態の多層構造形成方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図１６に示すような、電気光学装置５２０を備えた携帯電話機５００の製造方法や、図１７に示すような、電気光学装置６２０を備えたパーソナルコンピュータ６００の製造方法にも、本実施形態の製造方法が適用される。

（変形例１）
上記実施形態によれば、６つの異なる液滴吐出装置１，２，３，４，５，６が、それぞれ絶縁材料７Ａ、導電性材料８Ａ、絶縁材料９Ａ、絶縁材料１１Ａ、導電性材料１５Ａ、絶縁材料１７Ａを吐出する。このような構成に代えて、１つの液滴吐出装置（例えば液滴吐出装置１）が、これらの液状の材料をすべて吐出してもよい。この場合、これら液状の材料は、液滴吐出装置１における別々のノズル１１８から吐出されてもよいし、液滴吐出装置１における１つのノズル１１８から吐出されてもよい。１つのノズル１１８からこれら６つの液状の材料が吐出される場合には、液状の材料を切り換える際に、タンク１０１からノズル１１８までの経路を洗浄する工程を追加すればよい。

ここで、１つのノズルからこれら６つの液状の材料が吐出される場合には、本発明の「第１の液滴吐出装置」と、「第２の液滴吐出装置」と、「第３の液滴吐出装置」と、「第４の液滴吐出装置」は、１つの同じ液滴吐出装置に対応する。

（変形例２）
上記実施形態では、ポリイミドからなる基板１０Ａ上に多層構造が設けられる。しかしながら、このような基板１０Ａに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。

（変形例３）
上記実施形態の導電性材料８Ａ、１５Ａには、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料８Ａ、１５Ａを利用することは好ましい。

また、導電性材料８Ａ、１５Ａが、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。

このように、液状の導電性材料８Ａ、１５Ａに含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。

さらに、導電性材料８Ａ、１５Ａは、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンなどの高分子系の可溶性材料を含んでいてもよい。

（変形例４）
実施形態１において上述したように、導電性材料８Ａ、１５Ａにおける銀のナノ粒子は、有機物などのコーティング剤で被覆されてもよい。このようなコーティング剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、コーティング剤として、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールなどがある。コーティング剤で被覆された銀のナノ粒子は、分散媒中でより安定して分散され得る。

（変形例５）
実施形態１では、絶縁層７と絶縁パターン９，１１とはいずれも同じ材料からなる。ただし、絶縁層７、絶縁パターン９、および絶縁パターン１１が異なる材料からなってもよい。たとえば、絶縁層７と絶縁パターン１１とがアクリル樹脂であり、絶縁パターン９がポリイミド樹脂であってもよい。この場合には、絶縁材料７Ａ，９Ａが、感光性アクリル樹脂のモノマーまたはオリゴマーを含んだ液状の材料であり、絶縁材料１１Ａが、感光性のポリイミド前駆体を含んだ液状の材料であればよい。つまり、この場合には、本発明の「第１光硬化性材料」および「第２光硬化性材料」が互いに異なる。

（変形例６）
上記実施形態によれば、紫外域の波長の光を照射して、絶縁層７の表面および絶縁パターン９，１１の表面を親液化した。しかしながら、このような親液化に代えて、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ₂プラズマ処理を施しても、絶縁層７の表面および絶縁パターン９，１１の表面を親液化できる。Ｏ₂プラズマ処理は、基板１０Ａ（基体１０Ｂ）に対して、図示しないプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する処理である。Ｏ₂プラズマ処理の条件は、プラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体１０Ｂの相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃であればよい。

（変形例７）
上記実施形態によれば、絶縁層７はインクジェット法によって形成される。具体的には、絶縁材料層７Ｂが液滴吐出装置１によって形成される。しかしながら、絶縁層７は、インクジェット法に代えて、他の層形成方法で形成されてもよい。例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などの印刷法によって形成されてもよい。

本実施形態１から４の液滴吐出装置を示す模式図。 （ａ）および（ｂ）は液滴吐出装置におけるヘッドを示す模式図。 液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態１の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｃ）は実施形態１の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態１の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態１の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）および（ｂ）は実施形態１の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）および（ｂ）は実施形態２の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態３の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態３の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態３の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｃ）は実施形態３の配線基板の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｃ）は実施形態４の配線基板の製造方法を説明する図。 実施形態５の液晶表示装置の模式図。 実施形態５の携帯電話機を示す模式図。 実施形態５のパーソナルコンピュータを示す模式図。

符号の説明

１，２，３，４，５，６…液滴吐出装置、７，１７…絶縁層、７Ａ，１７Ａ…絶縁材料、７Ｂ，１７Ｂ…絶縁材料層、９，１１…絶縁パターン、９Ａ，１１Ａ…絶縁材料、９Ｂ，１１Ｂ…絶縁材料パターン、８…導電層、８Ａ，１５Ａ…導電性材料、８Ｂ…導電性材料層、１０…配線基板、１０Ａ…基板、１０Ｂ…基体、１５Ｂ…導電性材料パターン、１５…配線パターン、２５…配線パターン、２６…半導体素子、３２…液晶パネル、３４…液晶表示装置、４０Ａ，４０Ｂ…ビアホール、４１Ａ，４１Ｂ…導電ポスト、１０４…第１位置制御装置、１０６…ステージ、１０８…第２位置制御装置、１１２…制御部、１１４…ヘッド、１１８…ノズル、１４０…光照射装置、５００…携帯電話機、５２０…電気光学装置、６００…パーソナルコンピュータ、６２０…電気光学装置。

Claims (10)

1. インクジェット装置が用いられる多層構造形成方法であって、
   第１導電性材料の液滴を吐出して、物体表面上に第１導電性材料パターンを形成するステップ（Ａ）と、
   前記第１導電性材料パターンを焼成して配線パターンを形成するステップ（Ｂ）と、
   第１光硬化性材料を含む第１絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第１絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｃ）と、
   前記第１絶縁材料パターンを硬化して、前記ビアホールを縁取る第１絶縁パターンを形成するステップ（Ｄ）と、
   前記物体表面を親液化するステップ（Ｅ）と、
   第２光硬化性材料を含む第２絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化された前記物体表面とを覆うとともに、前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｆ）と、
   前記第２絶縁材料パターンを硬化して、前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁パターンを形成するステップ（Ｇ）と、
   を含んだ多層構造形成方法。
2. 請求項１記載の多層構造形成方法であって、
   前記第１導電性材料は銀（Ａｇ）のナノ粒子を含んでいる、
   多層構造形成方法。
3. 請求項１または２に記載の多層構造形成方法であって、
   第２導電性材料の液滴を吐出して、前記ビアホールを前記第２導電性材料で満たすステップ（Ｈ）と、
   前記ビアホールを満たす前記第２導電性材料を焼成して導電ポストを形成するステップ（Ｉ）と、
   をさらに含んだ多層構造形成方法。
4. 請求項１から３のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した配線基板の製造方法。
5. 請求項１から３のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した電子機器の製造方法。
6. インクジェット装置が用いられる多層構造形成方法であって、
   物体表面上に位置する配線パターンの表面を撥液化するステップ（Ａ）と、
   前記撥液化された配線パターンの表面へ第１光硬化性材料を含む第１絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第１絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｂ）と、
   前記第１絶縁材料パターンを硬化して前記ビアホールを縁取る第１絶縁パターンを形成するステップ（Ｃ）と、
   前記物体表面を親液化するステップ（Ｄ）と、
   第２光硬化性材料を含む第２絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化さ
   れた前記物体表面とを覆うとともに前記第１絶縁パターンを囲む第２絶縁材料パターンを形成するステップ（Ｅ）と、
   前記第２絶縁材料パターンを硬化するステップ（Ｆ）と、
   を含んだ多層構造形成方法。
7. 請求項６記載の多層構造形成方法であって、
   液状の導電性材料の液滴を吐出して前記ビアホールを前記導電性材料で満たすステップ（Ｇ）と、
   前記ビアホールを満たす前記導電性材料を焼成して導電ポストを形成するステップ（Ｈ）と、
   をさらに含んだ多層構造形成方法。
8. 請求項７記載の多層構造形成方法であって、
   前記導電性材料は銀（Ａｇ）を含んでいる、
   多層構造形成方法。
9. 請求項６から８のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した配線基板の製造方法。
10. 請求項６から８のいずれか一つに記載の多層構造形成方法を包含した電子機器の製造方法。
    

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