JP2005309400A5 - - Google Patents
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- 基板上に設けられた絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に前記絶縁層と異なる材料からなる膜を形成し、
前記膜及び前記絶縁層に前記薄膜トランジスタへのコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホール、前記膜及び前記絶縁層を覆って導電層を形成し、
前記膜をエッチングストッパーとして、前記導電層をエッチングして、前記薄膜トランジスタに電気的に接続する電極を形成し、
前記電極に電気的に接続する発光素子の電極を形成し、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続する電極及び前記発光素子の電極をマスクとして前記膜を除去し、
前記基板に熱処理を行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 基板上に設けられた絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に前記絶縁層と異なる材料からなる膜を形成し、
前記膜及び前記絶縁層に前記薄膜トランジスタへのコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホール、前記膜及び前記絶縁層を覆って導電層を形成し、
前記膜をエッチングストッパーとして、前記導電層をエッチングして、前記薄膜トランジスタに電気的に接続する電極を形成し、
前記電極をマスクとして前記膜を除去し、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続する電極に電気的に接続する発光素子の電極を形成し、
前記基板に熱処理を行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は2において、
前記熱処理後に、前記発光素子の電極上に発光膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記熱処理は真空中において行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記熱処理によって、前記絶縁層から水分を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記膜は窒化珪素を主成分とする膜でなることを特徴とする発光装置の作製方法。
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