JP2008103653A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 基板と、該基板上に設けられかつ溝を有する絶縁体層と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるように設けられた導電体層と、該導電体層上に設けられた絶縁膜と、該導電体層の少なくとも一部の上方において該絶縁膜上に設けられた半導体層とを有する半導体装置において、前記絶縁膜が絶縁体塗布膜を含むことを特徴とする半導体装置。
- 基板上の絶縁体層に溝を設け、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極を形成し、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体層を配置し、該半導体層にソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に設けた絶縁体塗布膜とその上に形成された絶縁体ＣＶＤ膜とを含んで構成したことを特徴とする半導体装置。
- 溝を有する絶縁体層を基板上に設ける工程と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるように導電体層を形成する工程と、該導電体層上に絶縁体塗布膜を形成する工程と、前記絶縁体塗布膜の少なくとも一部の上に半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に溝を有する絶縁体層を設ける工程と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極上に絶縁体塗布膜を形成する工程と、前記絶縁体塗布膜上にＣＶＤで誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に半導体層を形成する工程と、該半導体層にソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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