TW200832718A - Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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TW200832718A
TW200832718A TW096135728A TW96135728A TW200832718A TW 200832718 A TW200832718 A TW 200832718A TW 096135728 A TW096135728 A TW 096135728A TW 96135728 A TW96135728 A TW 96135728A TW 200832718 A TW200832718 A TW 200832718A
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TW
Taiwan
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film
layer
semiconductor device
insulator
coating film
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TW096135728A
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Tadahiro Ohmi
Koichi Sugitani
Original Assignee
Univ Tohoku Nat Univ Corp
Zeon Corp
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Description

200832718 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置，尤其關於薄膜電晶體(TFT)，以及 其製造方法。 【先前技術】
一般而言，液晶顯示裝置、有機電致發光裝置（〇rganic Electro-luminescent device)，無機電致發光裝置等顯示裝置， 係在具有平坦之一主面的基板上，將配線圖案、電極圖案等之導 ，圖，加以依序成膜且形成圖案，藉此所形成。又，將用以構成 電極膜、顯示裝置之元件所需的各種膜等加以依序成膜且形成圖 案’ It此而製造顯示裝置。 近年來，珂凡徑顯不哀置之大型化要求逐漸提高。而形成大 型之顯示裝置時，必須以高精度將更多顯示元件形成在基板上， 等元件與配線圖案電連接。此時，於基板上不但有配 案二亦有絕緣膜、TFT(薄膜電晶體）元件、發光元件等，呈 狀悲而形成。其結果，於基板上，—般呈階梯狀地形成段落】， 配線圖案則跨越該等段落差而配線。 7 而且，將顯示裝置大型化時，由於配線圖案本身 有必要降低該配線圖案的電阻。而消除配線圖案 低電【化的方法，則如專利文獻,、專利文獻2、專 =專利文獻1〜3揭不，為形成如液晶顯示器之平面 ^在透明基板表面上，將配線以及與此料 ,、、、加壓或化學機械研磨法(CMp，Chemical M 曰^ 以使配線更平坦化的方法。 卯如Pohshmg) 專利文獻2 專利文獻3 專利文獻1:職〇〇4/11 Oil7號公報 曰本特願2005-173050號公報 曰本特開2005-210081號公報 200832718 巧以Γ296谓號公報 本考寸開2001-188343號公報 【發明内容】 專利文獻1揭示，於社 厚膜配線，藉此可提t、：、日目案卿成之溝槽中埋設配線，將 而言，揭示噴墨特性。又’就配線的形成方法 然而實驗可Ϊ7:印=等方式。 在有問題。 。下之方法中，對基板之密接附著性上存 版印刷等形成配可知^χ導電性噴墨或網 的平坦性變差。又、2面較，，配線上所形成之絕緣層等 為閘電極使用時，由於=線33=或„所形成配線作 載體的傳播率變差，高速ϋ不順此=察到通過通道之 性喷墨或網版印刷#，#配線時，男不知，於導電 例如，即使欲以上述方2 ^而不具易f _望的形狀。 專利並不可絲摘敎的圖案。 — 為解決该等問題，提出一種至少包含以下步驟的 提高對基板之密接附著性：修飾絕緣基板上表面； 在疏、、、巴緣基板上形成樹脂膜；藉由將該樹脂膜作形成圖案，以形 成用以收納，極或配線的凹部；施加觸媒到該凹部；將該樹脂膜 ，熱硬化；藉由電鍍法在該凹部形成導電性材料。加上，就⑶擴 散抑制層而言，係藉由選擇性化學氣相沉積(CVD，Chemical Vapoi Deposition)法以形成1層；或者藉由無電解電鍍法以形芦， 作為閘電極。 θ 依此方法，對閘電極之基板的密接附著性獲得改善，甚至即 使係寬20//m而長50/zm之閘電極，仍無關尺寸大小地可形成所 希望的圖案。然而可知，此方法同樣地閘電極表面亦較粗，閘電 200832718 「Hii亦較差。例如，以無電解電鍍法 H 層表面的平坦度Ra係17. 74咖，峰至谷值達 Π /樣地’其上所形成之Ni縣面的平坦度Ra係 8. 58譲’峰至谷值係68. 7nm。由於此種表面的粗度因此以^ 法=閘絕緣膜所形成之氮化料表面；亦即可知，盘半導體層 之通道區域_制也較錄，且表面呈飢之結果，載體^ =度，差。而且’為維持閘絕緣膜及通道區域之的平^ 載體於界面呈Μ，對於閘電極表面之平二^ 要7 Ra係Inm以下，峰至谷值係2〇nm以下。 係提以解決配線表面之粗度問題的方法而言， ί箅ΓΪ之11GGmmxl3_m以上之大小的玻璃基板， 5=成，，且以CMP對大型玻璃基板i行:面ΐ二
研磨係非常困難，會使成本增加。 j正两J 象。i原：層ί二圍I樹j旨膜二者間亦觀察到產生間隙的現 t收縮= 種f處辦的高溫轉脹，且於電鑛形成 且間電極田與通道路電場集中在閘絕緣膜而絕緣被破壞， 細本ΤΓ1 之及目其的種問絕緣膜具良好平坦性之薄㈣ 以及目的係提供一種用以解決閘電極表面之粗度， 之問題的半導體裝置，以及其製造方法。 膜電晶^顯示裝置，含良好之界面平坦性之薄 解決課題之 以下記載本發明之態樣。 200832718 (第1態樣） 、，本發明之第丨雜，提供—種 /刀.基板；絕緣體層，設置於 1置，具有以下之部 其表面與找崎體狀表;導電體層， 膜;，設置於該導電體層上；♦導體=====中·，絕緣 分之上方，設於該絕緣膜上 ^ 體層的至少—部 膜係包含絕緣體塗傾。體裝置的特徵為：上述絕緣 (第2態樣) 該絕緣膜僅由該絕緣體塗 該絕緣膜可更包含另一絕 上述另一絕緣體膜較佳為 上述另一絕緣體膜設置於 依上述第1態樣之半導體裝置中 佈膜所構成。 (第3態樣) 依上述弟1態樣之半導體裝詈φ 緣體膜。 (第4態樣） 依上述第3態樣之半導體裝置中 絕緣體CVD膜。 (第5態樣） 依上述弟3態樣之半導體裝置中 該絕緣體塗佈膜與該半導體層二者間 (第6態樣） Β 依上述弟3悲樣之半導體裝置中，上述 ^^ 置於該絕緣體塗佈膜與該導電體層e緣體膜亦可設 (第7態樣） 依上述弟1恶樣之半導體裝置中，該導 一 ，，該閘電極上之該絕緣膜係閘絕緣膜:且上體= 於該閘絕賴上。 (第8態樣） 第之半導_置中，源極電極與汲極電極二者 的至少其中一個電連接到上述半導體層。 9 200832718 (第9態樣） 緣第9態樣’提供—種半導體裝置，於基板上之絕 ’且於該溝槽中形成閘電極，係該閘電極之表面 i膜而Ϊ署·^之表面約略齊平而形成。該閘電極上，隔著閘絕 置+ ¥體層’且將祕電極姐極電極二者的至少其中 1^=接到該半導體層。該半導體裝置的特徵為：包含一 緣膜於該閘電極上的絕緣體塗佈膜，以及—其上所形 成之絕緣體CVD膜而構成。 所办 (第10態樣） 表面H第〗9祕之轉齡置巾，舰賴塗佈膜之 Ί度a係、1nm以下，峰至谷值係20nm以下。 C第11態樣） 平扭或第9 s樣之轉體裝置巾’關電極之表面的 干讀3咖以上，峰至谷值係30削以上。 (第12態樣） 明之9 g樣之半導體裝置中，該基板係實質上透 匕象體基板’该絕緣體層係實質上透明之樹脂層。 (第13態樣） 脂環半導體裝置中，該樹脂層由含有驗可溶性 成，烯垤糸树知與感放射線成分二者之感光性樹脂組成物所形 (第14態樣） 烯料^上述? i2態樣之半導體裝置中，該樹脂層包含選自於由丙 藉+二曰此魏請脂、氟料樹脂、輯亞胺系樹脂、聚婦煙系 =樹ΐ環族烯煙系樹脂與環氧系樹脂所構成群組之其中二種= (第15態樣） θ山接附者層、導電金屬層與導電金屬擴散抑制層而構成。 200832718 (第16態樣） 拮於ϊίΐ第1或第9態樣之半導體裝置中，抑缝料 層及該絕緣咖 (第Π態樣） 依上述第7或第9態樣之半導體梦罟中 ，質上透明，充填於制電極===之^^塗佈祺係 存在於該絕緣體層的表面上。 θ之間的間隙，且延伸 (第18態樣） 依上述第4或第9態樣之半導體裝置中 實質上透明，延伸存在於該絕緣膜係 佈膜上。 '之表騎延伸的該絕緣體塗 ^ (第19態樣） 依上述第· 1或第9態樣之半導 :-種將液體狀塗佈膜加以乾燥、烘烤而製得的^:二塗佈犋 含金屬有機化合物及金屬無機化合物二者的‘ίΐ， 個 (第20態樣） 該^賴層係實#上透明之樹脂層；上魏緣體塗 2將液體狀塗佈膜加以乾燥，且在3Q(rcT烘烤而製得，?〜 ^狀塗佈膜包含金屬有機化合物及金屬無機化二者、，液 中一個與溶媒。 有的至少其 (第21態樣） 依上述第1或第9態樣之半導體裝置中，該 介電常數雛為2. 6以上。 謂塗佈膜之 (第22態樣） ^上述第4或第9態樣之半導體裝置中，該絕緣 介電常數較佳為4以上。 以VD膜之 (第23態樣) 200832718 依上述第7或第9態樣之半導 以職以二氧化石夕換算 氧摘絕緣膜之厚度 200蘭。 料度）表示較佳為95nffl至 (第24態樣） 依上述第4或第9態樣之半導 厚度以勝(以二氧化石夕換算之等效氧产^邑緣體CVD膜之 至185·。 桃增每度）表示較佳為80測 (第25態樣） 依上述第1或第9態樣之半 厚度以EOT(以二氧化石夕換算之等緣體塗佈膜之 至120·。 手政乳化層居度）表示較佳為15nm (第26態樣）
Ag的二3之’該導電金屬層包含Cu與 I他與Tl中所選抑制層包含任,W、W、 (第27態樣） m 樣之ίϋϊ置S3顯示裝置’係使用依前述第1或第9態 (第28態樣） 或有祕之顯示裝置中，鶴示裝置錄晶顯示裝置 虱有機電致發光顯示裝置。 0 I衣罝 (第29態樣） 牿明之第29祕，提供—種轉體裝置的製造方法，其 、、盖二1匕3、下列步驟：於基板上設置具有溝槽的絕緣體層；於該 ^成導電體層，係該導電體層之表面與該絕緣體層之表面 體含形成；於該導紐層上形成絕緣體塗佈膜；於該絕緣 體塗佈膜的至少一部分之上方形成半導體層。 (第30態樣） 依上述第29態樣之製造方法中，於形成該絕緣體塗佈膜的步 12 200832718 驟前或步驟後，可包括用以形成另一絕綾a (第31態樣） 顯的步驟。 依上述第30態樣之製造方法中，該 CVD所形成。 ^ —絕緣體膜較佳係以 (第32態樣） 依上述第29態樣之製造方法中，以該 閘電極，以該閘電極上的該絕緣體塗佈^炎體層之一部分作為 部分，且可將上述半導體層設置於該閘咆=閘絕緣膜的至少一 (第33態樣） '啄犋上。 •依上述第32態樣之製造方法中，更包人— 半導體層形成源極電極與汲極電極二者 '厂步驟，其用以在該 (第34態樣） 、^其中一個。 依本發明之苐34態樣，提供一種半導轉壯 特徵為包含下列倾：於基板上設置 的製造方法，其 溝槽中形成閘電極’係該閘電極之表面::體層;於該 齊平而形成；於該閘電極上形成絕緣體層之表面約略 膜上以_形成電介質膜；於該電介質體塗饰 極二者_其中,將 叙胁从-ΖΓΓί，驟.將含金屬有機化合物及金屬 Ζρ" _σ 一々至^，、中一個與溶媒的液體狀材料加以塗稀在 _電極上；乾燥經塗佈之膜；烘烤經乾燥之膜 (第36態樣） ^ 雷朽明，第32或第34態樣的製造方法中，用以形成該閘 包括—步驟，將導電金屬層以電鑛法、印刷法、 貫墨法或濺鍍法而形成。 (第37態樣） 依本!X明之第35悲樣的製造方法中，用以形成該絕緣體塗佈 13 200832718 膜之步驟 冰 與該絕緣體， 塗佈。 (第38態樣） 置具有溝槽造綠巾，於職板上設 收納該閘電極的溝日由將_脂膜作形成圖案，以形成用以 (弟39態樣） 境中中H的製造方法中，該供烤處理係於惰性氣 (第40態樣） 34態樣之製造方法而形體依本發明之第29或第 之效果 依本^明，藉由在表面較粗之閘電極^ 、 ^其表面之平坦度Ra係^以下，峰至^ 體塗佈膜， 、-果’可使閘絕緣膜的表面呈平坦化，且^以下。其 平坦而防止載體於界面呈散亂，達到較之界面變得 遍絕緣層表面上而提供平坦的表閉電極上塗 止閘纟巴緣膜受破壞。 【實施方式】 發明之最佳形熊 ' 以下參照圖式，說明本發明之第丨實施 [弟1實施例] 圖i表示適用於液晶顯示裝置且依本發明之薄膜電晶體 14 200832718 (TFT:Thin Film Transistor)之構造的一例的剖面圖。參昭、圖1， 薄膜電晶體具有：透明樹脂膜（絕緣體層，由形成於/玻璃基板 (絕緣基板）1〇上的透明感光性樹脂所構成；以及閘電極（導電體 層）12 ’於透明樹脂膜η通達玻璃基板而形成，且與透明樹脂 膜π形成約略相同之高度。又，薄膜電晶體更具備閘絕緣膜， 由塗遍透明樹脂膜Π及閘電極12上所形成之絕緣體塗佈膜(保 膜）131以及其上之CVD電介質膜（絕緣體CVD膜）132所構成 導體層M，於閘電極I2上，隔著閘絕緣膜ls而形成；以及源極 電極15、汲極電極16 ’連接到半導體層μ。 圖2係將依第1實施例之薄膜電晶體之㈣極部的構造加以 放大顯福剖面圖。所圖示之閘電極12埋設於平坦的透明樹脂 lj所形成之溝槽中，從玻璃基板10刪主半導體層側（亦即，從圖 式下則依序），由底層密接附著層卜觸媒層122、導 声 123、導電金屬擴散抑制層_滅 键】= =之，俾於閉電極12之表面與透明樹：里ιΤ= 形成同-平面。因此，雖可確侧電極12之 但微觀之，其平坦性仍有問題存在。亦即 生 解電鍍時，其導電金屬層123(Cu層）表面之平扭===電 峰至谷值達193. 92nm ;同樣地，其上所形成之^電播螂= ί Lit電解電鑛附層）表面之平坦度如係8. 58nm，‘“ 本發明中’閘電極12與透_賴u上 131 一者之間隙112加以充填，同時提供一平坦 弓 =12表面之凹凸不會反應出來，且Ra係2杨，^ ^ 數值，當㈣極表面之平坦度Ra係-^ Ϊ 至^值係3Gnm以上時，仍可充分滿足絕緣 = 係lnm以下，峰至谷值係20咖以下的數值。，賴乂而之Ra 圖8顯示對於由電娜線所形成之閘電極上形成絕緣體塗佈 15 200832718 膜(保護膜）的結構，躺FIB加工以觀察剖面之狀態的電子 鏡像片。由圖8所示可知，與底層之粗度無關地形成平坦的表面^ 其結果，於絕緣體塗佈膜（保護膜）131上，由CVD法所形成之 厚150〜160nm的氮化矽電介質膜(CVD電介質膜）132的表面 到平坦性Ra係0· 70mn，峰至谷值係7· 54nm(圖2)。此結果下， 於在閘絕緣膜13上卿狀半導體層，不會產生—種起因於 ，的凹凸且能形成薄膜電晶體(TFT)，故載體之移動度可大 南0 又，就絕緣體塗佈膜（保護膜）131而言，可使用旋塗式玻璃 CS0G ’ S^in-OnGlass)。S0G膜係由成為膜之矽氧烷成分與作為溶 劑之乙醇成分等所補而成。將該溶賴由旋轉塗佈法塗佈到基 板十，並且以熱處理使溶劑等蒸發，使膜硬化時，會形成& ，膜。所f胃SQG，係該等溶液，以及所形成之膜的總稱。s〇G 氧烷的構造分類為矽玻璃、烷基矽氧烷聚合物、甲基倍半矽氧烷 聚合物_)、氮料魏棘合物⑽ω、姐基倍半魏烧聚 合物(〃H0SQ)。若以塗佈材分類，矽玻璃屬第丨世代的無機s〇G，烷 基矽氧烷屬第1世代的有機S0G，HSQ屬第2世代的無機s〇G，Ms 與H0SQ屬第2世代的有機S0G。至於塗佈膜，此等係多以5〇〇。〇 烘^，但無論何種塗佈膜，由於在使用透明樹脂層時係不能 設定於高溫，因此烘烤溫度採用3〇(rc以下。又，可採用一種塗佈 膜(尤其烘烤溫度係30(TC以下之塗佈膜），將其他有機金屬=合 斗勿金屬無機化合物之至少一種加以溶解到有機溶劑，以取代上 述的矽有機化合物、矽無機化合物。而就其他金屬而言，可舉 如 Ti、Ta、A卜 Sn、Zr 等。 在此’關於由絕緣體塗佈膜131以及其上之CVD電介質膜132 戶$構成的閘絕緣膜13的厚度，當其太厚時，電晶體之驅動能力會 變差，又因為閘電容增加而導致訊號延遲，故較佳為，於氮化矽 電介質膜時係350〜360nm左右以下，EOT係200nm以下。所謂EOT， 係將二氧化矽的介電常數除以膜之平均介電常數，將所得到商數 16 200832718 氧 =之棋厚。刪細的厚度太 因此，餅較佳係達ΖϊΓ故較佳為，耐壓係服以上。 平括=^^31面2度中，為了與底層之粗度無關地得到 右，則較佳為，令勝為15咖以上。又，最 大膜居較佳為12〇nm左右以下。 時，=圭^= ^厚度中，當考慮到將耐壓主要由該膜承受 ^車^為EOT係80咖以上。其上限則較佳為，令·簡― 在=缘3實施例’CVD電介質膜132可形成 佈膜131之下側而非上侧，且如後述之第2實施例， 也可j略。 另外，絕緣體塗佈膜131的介電常數較佳係2. 6以上，cv]) 電介質膜132的介電常數較佳係4. 〇以上。 圖式對上述第1實施例之義電晶體的形成方法，參照 圖3〜圖7係顯示依第1實施例之薄膜電晶體之製造方法 程順序的示意圖。首先，參關3，準備玻璃基板1Q作為基板, 就該玻璃基板而言，可採用能形成30cm以上之大型晝面般的大型 基板。將此玻璃基板以〇· 5體積％之氟酸水溶液進行處理1〇秒鐘， 且以純水水洗而將表面的污染移除去掉。接著，將玻璃基板1〇以 矽烷偶合劑（Silane Coupling Agents)溶液進行處理，該矽烷偶 合劑溶液係藉由添加氫氧化納到純水，於控制pH值在1〇之^溶 液，以0.1體積％的濃度而溶:解石夕烧偶合劑之胺丙基三乙氧美石夕 烷。亦即，於室溫下，浸潰在該矽烷偶合劑溶液3〇分鐘，且使矽 烧偶合劑吸附到玻璃基板表面。其後’於熱平板上，進行11〇。^之 60分鐘處理，使矽烷偶合劑化學結合到玻璃基板表面，作為底層 17 200832718 密接附著層（厚10_21。於此狀態下，藉由形成底層密接附著層 m ’可於賴基板ig表©實質性地配置胺基，且製造 ^ 錯合物易配位的構造。又，因為魏偶合劑通f呈透明，故即^ 塗遍玻璃基板10整面而形成’仍可得到本發明之效果，而且 到玻璃基板1G以及後面㈣程所用之透明感光性樹 著 性觀之，係屬較佳。 山按卩仃者 接=著層121形成後，使用旋轉器將正型光阻液塗佈 到底層⑨接附著層121之表面，且藉由在⑽。〇下，於敎平板上， =預7烤^理12G _ ’以形成具_厚度之感級的透明樹 2；02-296780 4 ㈣。姊…二2戰有驗可溶性脂環族烯烴系樹脂的 矽氣系材料而言，可使用選自於由丙烯樹脂、 樹脂所構成之群組的二 =而 從使传在後的谷易進彳了之觀點，就透賴而# ' 田 八使用如專利文獻4或專利文獻5(日太Μ π 2001«^ 光機的透明樹脂膜11形成後，藉由光罩對準曝 先枝(Mask Allgner)，經由光罩圖案將g、h、i 人=二 光性的透明樹脂膜n。其後，以〇.3重量;:四3 理，而在_基板獅f沖洗處 化鈀0 t ff將此改、/貝在虱化鈀—鹽酸水溶液（氯 溝::觸媒(觸媒層’厚10〜一選擇性地施加 18 200832718 參照圖5，對於經施加鈀觸媒122之基板，將其浸潰在銅系無 電解電鍍液(PGT ;上村工業公司製，c. Uyemura & co·，Lm)， 且在上述溝槽内選擇性地形成銅層123(導電金屬層，厚 銅層123較佳為，在比感光性的透明樹脂膜11之表面高度較低的 位置即在低於相連之擴散抑制膜（導電金屬擴散抑制層）124 之膜厚量聽束處理。接著，浸齡_無電_鍍液，於銅層 12i上形成鎳所形成之擴散抑制膜124(厚〇·1 vm)。在此，較佳之 形態為，導電金屬層123至少包含⑶及Ag的其中之一，擴 綱（導電金屬概抑侧）124包含任—種由Ni、w、Ta、他與 Τι”出的金屬。又，導電金屬層除電鑛法以外，也可藉由^ 刷法、嘴墨法或濺鑛法而形成。例如，採濺鑛法時，金屬除⑶ 猶；而制A1時，可細綱膜(導電金 η 接著從閘12之表面塗顧紐的透明樹脂膜 2 ϋίίΐί成絕緣體塗佈膜131。絕緣體塗佈膜131係塗 有機化合物之有機魏烧到有機溶媒（丙二醇單甲 下且氣中保持⑽秒鐘而使其乾燥； 二f 180 C下’在大乳中（氮氣中亦可）烘烤1小時而 於被波激發輻射狀狹缝天線式(RLSA，R d +妾者 ，理續s«(_電介‘==m 二閘絕緣膜13。，’以公知的電_助化學氣相 Γ cal Vapor Depositi〇n)連續堆4非曰矽 ，14卜n+型非晶頻142，並且除閘電極12上與其周^=曰曰碎 猎由光微影法及公知的反應性離子餘列⑺ 卜卜 法去掉—部分非晶賴。離子則（Reaetlve lQn 參照圖7 ’為形成源極電極與汲極電極 法等，以Ti、A卜Ti之順序成膜;且以，賤鍍 案，形成源極電極15與_電極16。法進行形成圖 15與祕賴16作為光罩，以公知= 形成之源極電極 的方法蝕刻n+型非晶矽膜 19 200832718 14^藉此分離源極區域與汲極區域。再來，藉公知的電聚輔助化 學氣相沉積法，形成氮化矽膜（未圖示）以作為保護膜， 實施例的薄膜電晶體。 [弟2貫施例] 針對本發明之第2實施例，參照.圖式以說明之。 *圖9係顯示適用於液晶顯示裝置，且依本發明之第2實施例 ，薄膜電晶體(TFT)構造的剖關。薄膜電晶體具有透明樹脂膜 π，由形成於玻璃基板（絕緣基板）1()上之透形感光性樹脂所構 ^ :閘電極12，於透明樹脂膜11通達玻璃基板1〇，且與透明樹 y達_略同—高度而形成；間絕緣膜133 ’由塗遍透明樹 =、1及閘電極12上所形成之絕緣體塗佈膜所構成；半導體声 旺，於閘電極12上隔著閘絕緣膜133所形成；以及連接到丰導^ 層14的源極電極15與汲極電極16。 ’ 圖忉係將依第2實施例之薄膜電晶體之閘電極部的構造加以 辦ί，示的剖關。所圖示之閘電極12從玻璃基板丨。側往半導 =側(亦即，從圖式下側依序），由底層密接附著層m、觸媒^ _ it電金屬層123、導電金屬擴散抑制層124所構成。又^ iLH埋設在平坦之透日卿旨膜11所形成的溝槽。如圖示， 在Ϊ明樹脂膜11之溝槽’俾於閘電極12之表面與 之上it者約略械同—平面。因此，雖可確保閑電極12 進性’但微觀之，其平坦性仍有_存在。亦即， Ι;ί 217.74nra，峰至谷值達193.92-;同上也，其ί戶= ίί 1電1屬擴散抑制層124(無電解電錢層）表面之平括户^ 係8. 58nm，峰至谷值係68 7nm。 —度肋 ㈣^种，導電金屬擴散抑綱124上形成厚咖⑽之解缝 盘(閉絕緣膜）133。藉由此絕緣體塗佈膜133將閘電極ί? :、,明_膜11二者之間隙112加以充填，同時可提供—1 ^ 旦表面之閘絕緣膜’該表面使閘電極12表面之凹凸不會^應: 200832718 ，，且Ra係〇. 30nm ’峰至谷值係3. 55咖。圖17係於此種閘電極 上’對絕賴塗細卿成魏賴之結構_ 其結果，於閘絕緣上所形成之半導體層，便不 閘電極12的凹凸而能形成形成薄膜電晶體(TFT)。目此體的 高。而且，藉由於閘絕緣膜之成膜製程省略用以 ，膜的cvd製程，採簡易的塗佈製程成膜，可實現 照圖ίί明i情如上述第2實施例_膜電晶體之形成方法，參 圖^係顯示依第2實施例之薄膜電晶體之製造方法的 “玻璃:。f先，參照圖11，準備玻璃基板ig作為基板。 ΐί η 可採用能形成3〇cm以上之大型晝面般的大型 i以# W味璃基板以〇.5體積％之氟酸水溶液進行處理ι〇秒鐘， 浐偶二二ί:移ί去掉表面的污染。接著’將玻5^基板1〇以矽 理’該魏偶合齡祕藉祕加氫氧化納 f在10之水溶液’以〇·1體積%的濃度而溶解 石夕ί偶又基二乙氧基魏。亦即，於室溫下，浸潰在該 面鐘’且使石夕烧偶合劑吸附到玻璃基板1◦表 劑化學結合到H板^ iig 聽理，使矽烷偶合 innm\191认，u興基板10表面，作為底層密接附著層（厚 表面實新柹祕Ϊ狀態下，藉由形成底層密接附著層121，可於基板. 二因胺基，且製造—種金屬錯合物易配位的構造。 彤&，二劑通常呈透明，故即使塗遍玻璃基板10整面而 的制t所H1發明之效果，而且從得到玻璃基板10以及後面 透明感光性樹脂的密接附著性觀之，係屬較佳。 订耆層121之表面，且藉由在loot：下，於熱平板上加 21 200832718 理120秒鐘，.以形成具厚度之感光性的透明樹脂 、1。又，上述正型光紅係使用專利文獻4號公報 ▲胺李丹广丙？树脂、魏系樹脂、氟素系樹脂、聚醯 亞胺糸:树月曰、聚烯烴糸樹脂、脂環族烯烴系樹脂與環 構成f群組的透明樹脂。然而，從使得往後的製程容易-行二觀 點’就透明觸言’感光性的透明樹賴韻較適當並 =專利文獻4或專利文獻5所詳述之感光性的透明樹脂組成物 ㈣參光性的透明樹月旨膜11形成後，藉由光罩對準曝 j:經由光罩圖案將g、h、i線之混合光選擇性地照射到 液，、顯^脂^11。其後’以〇.3重量%之四甲基氫氧化銨i溶 美板’以純水進行60秒鐘的沖洗處理，而在玻璃 i t ·5既定圖案的溝槽。之後，於11氣之環境氣體中， 、60为鐘的熱處理，將感光性的透明樹脂膜11硬化。 择者’於室溫將此浸潰在氯化把—鹽酸水溶 01 ^ ^ 0 „ , #,.^#Kre；u5ce^ ，村工業公司製）處理並水洗，將鈀觸媒(觸媒層，厚〇 〜5(hm)122選擇性地施加在所形成之溝槽内。 于 ，，圖13，對於經施加鈀觸媒122之玻璃基板1〇，將1 解電锻液(PGT ;上村工業公司製），且在上述溝i内選 氣=成銅層123(厚1.9_)，作為導電金屬層。銅層123較 二二if比感光性的透明樹脂膜11之表面高度較低的位置，亦即 έ士击』目連之擴散抑制膜（導電金屬擴散抑制層）124之膜厚量則 =^处理。接著，浸潰在鎳系無電解電鍍液，於銅層丨23上形成 錄所形成之擴散抑制膜124(厚〇. 1#·)。 參照圖14,接著從閘電極12之表面塗遍感光性的透明樹脂膜 州^申士存在地塗佈絕緣體膜，形成閘絕緣膜133。該閘絕緣膜 ’、k佈一種溶解矽有機化合物之有機矽氧烷到有機溶媒（丙二 22 200832718 醇單甲基醚)的·，且於12(rcT，在錢巾 乾燥；其次於⑽。c下，在大氣中（氮氣中亦可)烘烤，其 接著，以公知的PECVD法連續堆積非晶石夕膜⑷、奸型非晶石^膜 142 ’並且除閘電極12上與其周邊部以外，藉由鮮及八去、 的反應性離子侧法去掉—部分非晶频。及△知 铲、』照形τ成源極電極與汲極電極’繼續藉由公知的濺 又/等 A、Tl之順序成膜；且藉由以光微影法進行形$ 圖案，形成源極電極15無及極電極16。鮮，將所=== =5 =極16作為光罩，以公知的方法編 142，措此分離源極區域與汲極區域。再來，藉公知的pEcv 、 =氮化賴（未圖示）以作為保護膜，完成第2實施例的薄膜電 [第3實施例] 晶體y6成_概晶_裝置且依第3實_的薄膜電 二第2實施例所明之薄膜電晶體的製造方法中，於銅層⑵上 :=成的擴散抑制膜124(厚0.1㈣，形成閘電極12。豆 敢極12的表面塗遍透明樹脂膜u表面之全部區域，於 雌切電介 m 成*成巴緣膜。其次，於_4膜m整 汾蚀二'、械絕緣體塗佈膜131 ’形成閘絕緣膜13。該絕緣體 ί(丙佈一種溶解石夕有機化合物之有機石夕氧烧到有機溶 二甲基驗〉的液體’且於120。。下，在大氣中保持9〇秒 0=^:她；接著於18G°C下，在大氣巾(氮氣巾亦可)烘烤1小 =也侍。猎由形成此絕緣體塗佈膜131，可降低絕緣膜0^^膜13 其下之表面粗度較大的_極12進行CVD成長所產生表) H面粗度；也可降低通道層之閘絕緣膜及半導體層二者界面 勺粗度。圖16係此時之薄膜電晶體的剖面圖。 又，上述實施例中，僅說明適用於液晶顯示裝置的情況丨但 23 200832718 本發明不但可適用在有機電致發光顯示裝置，也可適用在供作構 成平面顯示器面板的各種基板、其他配線基板。 另外，就用以構成配線之材料而言，不僅銅、銀，也可形成 例如氧化銦錫（ΙΤ0，indium Tin Oxide)等之金屬氧化物的導電 性膜。 复業上 ^發明可適用於液晶顯示裝置、有機電致發光裝置，無機電
致發光^置等顯示裝置，將該等顯示裝置大型化之同時，亦可適 用於顯示裝置以外的配線。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示依本發明第1實施例之薄膜電晶體之構造的一例 的剖面圖。 圖^係將圖1所示薄膜電晶體之閘電極部的構造的一例加以 放大顯示的剖面圖。 ，3係用以說明圖i所示薄膜電晶體之製造方法的一 程順序的剖面圖。 ^ ，4係用以說明圖^所示薄膜電晶體之製方法的一 程順序的剖面圖。 $ 衣 ，5係用以說明圖1所示薄膜電晶體之 方法的一例之 寿壬順序的剖面圖。 衣 店，β係用以說明圖i所示薄膜電晶體之製造方法的一例之 权順序的剖面圖。 衣 程順^^用以說明圖1所示薄膜電晶體之製造方法的一例之製 8係顯示依本發明第1實施例之薄膜電晶體之(保護獏）的 FIB剖面之像片的模仿圖。 圖9係顯示依本發明第2實施例之薄膜電晶體之構造的一例 24 200832718 的剖面圖。 ， 獻面圖圖9所示薄膜電晶體之閉電極部的構造的—例加以 程順^的^明圖9所7F薄膜電晶體之製造方法的-例之製 程順i的剖^^兄簡9所7^薄難晶體之製造方法的-例之製 程順用^說明圖9所示薄膜電晶體之製造方法的—例之製 •程順i的剖7圖'°兒月圖9所不薄膜電晶體之製造方法的—例之製 程順用^說明圖9所示薄膜電晶體之製造方法的—例之製 的剖=御綠依本發日㈣3實酬之_電鱗之構造的—例 圖Π係顯示依本發明第2實施例之薄膜電晶體之保護膜的 FIB剖面之像片的模仿圖。 、 【主要元件符號說明】 瞻 10〜玻璃基板 11〜透明樹脂膜(絕緣體層） 12〜閘電極（導電體層) 13〜閘絕緣膜 14〜半導體層 15〜源極電極 16〜没極電極 ~ 112〜閘電極與透明樹脂膜之間隙 ^ 121〜底層密接附著層 122〜觸媒層 25 200832718 123〜導電金屬層(銅層) 124〜導電金屬擴散抑制層 131〜絕緣體塗佈膜(保護膜） 132〜CVD電介質膜（絕緣體CVD膜) 氮化矽電介質膜(CVD電介質膜） 133〜閘絕緣膜 141〜非晶矽膜 142〜n+型非晶矽膜
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Claims (1)

  1. 200832718 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，包含： 基板， 絕緣體層，設置於該基板上，且具有溝槽； f電體層’設置麟溝槽中，其“絕緣 表面約 略齊平； 絕緣膜，設置於該導電體層上；及， 設於該絕緣 該絕緣膜僅 該絕緣膜更 該另一絕緣 半導體層，於該導電體層的至少一部分之上方 膜上； 其特徵為：
    該絕緣膜係包括絕緣體塗佈膜。 2·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 由該絕緣體塗佈膜所構成。 〃 3·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 包括另一絕緣體膜。 、 4·如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中 體膜係絕緣體CVD膜。 〃 5·如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中，該另一 體膜設置於該絕緣體塗佈膜與該半導體層二者間。 、、' 6·如申請專利範圍帛3項之半導體裝置，其中，該另 體膜設置於该絕緣體塗佈膜與該導電體層二者間。 、'、 7.如申請專利翻第丨項之半導體裝置’其巾，該 之一部分係閘電極’該閘電極上之該絕緣膜係 = 導體層設置於該閘絕緣膜上。 絮胰且该+ 8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中，於 層電連接有源極電極與汲極電極二者之至少其中—個。Λ夺體 9. 一種半導體裝置，於基板上之絕緣體層設置溝槽， 溝槽中形成閘電極以作為導電體層，該閘電極之表面^該緣= 詹之表面約略；=)平，该閘電極上，隔著閘絕緣膜而配置半導許芦_ 27 200832718 ί於該半導體層電連接源極電極歧極電極二者中至少其中一 其，徵係包含以下之部分而構成： 一絕=閑電極上設置該閑絕緣膜而成；及 10如申緣體塗佈膜上。 體塗佈膜之表面的平坦度Ra=項之^導^裝置’其中，該絕緣 lh如申一 係lnm以下，峰至谷值係20歷以下。 極之表面的平 1曰产^係f或9項之半導體裝置，其中，該閘電 12·如以峰至谷值係_以上。 係實質上翻找賴从項之半導體裝置，其巾，該基板 脂層係由含有驗可落性脂魅二置，其中’該透明樹 感光性樹脂組成41==痛、驗糸樹脂與感放射線成分二者之 14·如申請專利範圍第12項之 甘 脂層包含選自於由丙烯樹脂、石夕氧樹1其中，_明樹 成群組之其中-_上咖旨德版_旨與錢_旨所構 15. 如申請專利範圍第7或9項之半 16. 如申請專利範圍第丨或9項之 充填_導電體層與該絕緣體層之間f間，中’該絕緣 在於δ亥絶緣體層的表面上。 ]隱’且延伸存 17·如申請專利範圍第7或9項之 ，塗佈膜為實質上透明，充填於該閘電極與上^其中，該絕緣 隙，且延伸存在於該絕緣體層的表面上。、、、彖體層之間的間 濟r2.，申二專利範圍第4或9項之半導體裝置，:Μά 體CVD膜呈貫質上透明，延伸存在於該絕緣體f J中，該絕緣 曰〈表面上所延伸 28 200832718 的該絕緣體塗佈膜上。 19.如申請專利範圍第}或9項之半導體裝置，其中， 體塗佈膜係將一液體狀塗佈膜加以乾燥、 ^'、、邑緣 體狀塗佈膜包含金屬有機化合物及金屬無機::㈡;， 一者與溶媒。 一百主>其中 2〇·如申請專利範圍第1或9項之半導體装 體層係實質上透明之樹脂層； 在置，、中，该絕緣 該絕緣體塗佈膜係將一液體狀塗佈膜加 22. 如申請專利範圍第4或9 體CVD膜之介電常數係4以上。千等體液置，其中，該絕緣 23. 如申請專利範圍第7或9 緣膜之厚度以_以二氧切換中，該間絕 95nm至20〇nm。 、开之荨效乳化層厚度）表示為 24. 如申請專利範圍第4或 體⑶）膜之厚度以職以二氧裝置’其中，該絕緣 為80nm至185咖。 換#之專效氧化層厚度）表示 25·如申請專利範圍第1或9 體塗佈膜之厚度以EQT(以二氧切，其+ ’該絕緣 為15nm至12〇咖。 夕換#之專效氧化層厚度）表示 屬層包含Cu與Ag的至少其中之士其中’該導電金 由Ni、W、Ta、Nb鱼Ti中撰屮^ 4導電金屬擴散抑制層包含 27·-種顯示出的任―種金屬。 體裝置所製造。、’、用如申請專利範圍第1或9項之半導 28·如申請專利翻第27項之顯示裝置，其為液聽示裝置 29 200832718 或有機電致發光顯示裝置。 29·—種半導體裝置的製造方法，其特徵為包含下列步 於基板上設置具有溝槽的絕緣體層； ’ 於該溝槽中形成導電體層，該導電體層之 之表面約略齊平_成； s、錢層 於該導電體層上形成絕緣體塗佈膜； ^該^體塗佈膜的至少一部分之上方形成半導體層。 川·如申請專利範圍第29項之半導體裝置的製造方法， 於形成該絕賴塗佈賴步取前或後 #、申， 緣體膜的步驟。 《匕洲邮成另1邑 31.如申請專利範圍第3〇項之半導體裝置 该另一絕緣體膜係以CVD法所形成。 I、套其中， 32·如申請專利範圍第29項之半導體裝置 止 更包圍f32項之半導體裝置的製造方法，其中， 導體層域源極電極與_電極二者料1 34. —種半導體裝置的製造方法，i 於基板上設置具有溝槽的絕緣體層、特欲為包各下列步驟： 表面㈣細緣體層之 於該閘電極上形成絕緣體塗佈膜； 於該絕緣體塗佈膜上以⑽_成電介 於該電介質膜上形成半導體層； 、、’ 體層將源極電極與汲極電極二者的至少其中—個電連制該半導 35. 如申請專利範圍第32或34項之半導體裝置的製造方法， 30 200832718 其中，用以形成該絕緣體塗佈膜之步驟包括以 將含金屬有機化合物及金屬無機化合 ς: 與溶媒的液體狀材料加以塗佈在該閘電極上一者的至^其中一個 將塗佈後之膜乾燥； ’ 將乾燥後之膜烘烤。 其中36用34‘員之/導體裝 置的製造方法， 法或雜法形成導電金屬層0$_包括以電鍍法、印刷法、喷墨 37·如申睛專利範圍第％項之本 用以形成該絕緣體塗佈膜之H =體，置的1造方法，其中， 閘電極與該絕緣體層間的間且液體狀材料充填在該 體層之表面上的步驟。 “ ：^、k佈以延伸存在於該絕緣 38.如申請專利範圍第罚或科 其中，於該基板上設置具㈣ 體衣置的製造方法’ 該基板上形成樹脂膜之步驟V 體層的步驟，係包括：於 用以收納該閘電極的溝槽精由將該樹脂膜形成圖案而形成 將乾燥後之膜烘烤體裝置的製造方法，其中， 行。 為胁雜―環财或錢環境中進 40·種液晶顯示梦署沾告、』 專利範圍第29或34 "本法，其特徵為包括採用如申請 置的步驟。 、體農置的製造方法而形成半導體裝 用如申請專利範圍電$欠2 H 7裝置的製造方法，其特徵為包括採 半導體裝置的步驟。5 項之半導體裝置的製造方法而形成 十一、圖式： 31
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11282964B2 (en) 2017-12-07 2022-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807004B (zh) * 2010-03-08 2012-07-11 彩虹集团电子股份有限公司 一种用于彩色显像管网版生产的工作版的制做方法
US9087749B2 (en) * 2010-12-27 2015-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, and display panel
US8987071B2 (en) * 2011-12-21 2015-03-24 National Applied Research Laboratories Thin film transistor and fabricating method
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103681870B (zh) * 2012-09-13 2016-12-21 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
WO2015076358A1 (ja) 2013-11-21 2015-05-28 株式会社ニコン 配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法
JP6926939B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812539B2 (ja) * 1985-01-29 1996-02-07 株式会社東芝 表示装置及びその製造方法
JPH03159174A (ja) * 1989-11-16 1991-07-09 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3173926B2 (ja) * 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
JPH10268343A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2001188343A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Nippon Zeon Co Ltd 感光性樹脂組成物
EP1369928B1 (en) * 2001-02-19 2010-01-27 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a thin-film transistor structure
JP2002296780A (ja) 2001-03-30 2002-10-09 Nippon Zeon Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP2002353167A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Sharp Corp 金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板
US6835503B2 (en) * 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
JP2003318401A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器
CN1799292B (zh) 2003-06-04 2012-02-08 日本瑞翁株式会社 基板制造方法
US6969634B2 (en) * 2003-09-24 2005-11-29 Lucent Technologies Inc. Semiconductor layers with roughness patterning
JP4554344B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4286116B2 (ja) 2003-12-09 2009-06-24 株式会社リコー 画像形成用トナー、現像剤及び画像形成装置
JPWO2005096684A1 (ja) * 2004-03-31 2008-02-21 大見　忠弘 回路基板、回路基板の製造方法及び回路基板を備えた表示装置
US7864398B2 (en) * 2004-06-08 2011-01-04 Gentex Corporation Electro-optical element including metallic films and methods for applying the same
JP4543385B2 (ja) * 2005-03-15 2010-09-15 日本電気株式会社 液晶表示装置の製造方法
US7919825B2 (en) * 2006-06-02 2011-04-05 Air Products And Chemicals, Inc. Thin film transistors with poly(arylene ether) polymers as gate dielectrics and passivation layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11282964B2 (en) 2017-12-07 2022-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11784259B2 (en) 2017-12-07 2023-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device

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