JP2006278534A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成される複数の絶縁層を有するボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層が、ソース・ドレイン電極に近接する部分で表面エネルギーが低く、ゲート電極に近接する部分で表面エネルギーが高く、膜厚方向に組成が異り、かつ前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが前記ゲート絶縁層のゲート電極に近接する部分の表面自由エネルギーより低いことを特徴とする有機トランジスタ。
2. 基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成されるボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層が、表面エネルギーの低い上層と、表面エネルギーの高い下層の二層構造からなり、かつ前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが前記ゲート絶縁層の表面自由エネルギーが高い下層より低いことを特徴とする請求項１記載の有機トランジスタ。
3. 前記ゲート絶縁層が、上層の表面自由エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以下、下層の表面自由エネルギーが４５ｍＮ／ｍ以上、前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが４５ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ。
4. 前記ゲート絶縁層の上層がソース・ドレイン電極の一部または全てと隣接した部分の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上の絶縁層であり、かつ前記基板絶縁層がゲート電極の一部または全てと隣接した部分の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上の絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
5. 前記ゲート絶縁層において、前記上層の絶縁層の表面自由エネルギーの水素結合成分が１．０ｍＮ／ｍ以下、前記下層の絶縁層の表面自由エネルギーの水素結合成分が２．０ｍＮ／ｍ以上であり、かつ前記上層の絶縁層と連続し、前記ソース・ドレイン電極の一部または全てと隣接した絶縁層部分の表面自由エネルギーの水素結合成分が５．０ｍＮ／ｍ以上であり、かつ前記基板絶縁層において、表面自由エネルギーの水素結合成分が１．０ｍＮ／ｍ以下であり、かつ前記基板絶縁層と連続し、前記ゲート電極の一部または全てと隣接した絶縁層部分の表面自由エネルギーの水素結合成分が５．０ｍＮ／ｍ以上あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
6. 前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層と前記上層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有するポリイミドであり、かつ前記下層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有しないポリイミドであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
7. 前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層と前記上層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有するポリイミドであり、かつ前記下層のゲート絶縁層が無機材料絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
8. 前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層の膜厚と前記上層のゲート絶縁層の膜厚が、前記下層のゲート絶縁層の膜厚より薄いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
9. 前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層の膜厚と前記上層のゲート絶縁層の膜厚が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ前記下層のゲート絶縁層の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
10. 基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、二層以上の積層ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成される複数の絶縁層を有する有機トランジスタの製造方法において、前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層に２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長帯の紫外線（ＵＶ光）でマスク露光を行う工程、前記基板絶縁層のマスク露光された部分の一部分又は全てにはゲートとなる電極材料をインクジェット法で吐出し、マスク露光された部分に電極材料が広がりゲート電極を形成する工程、かつ前記ゲート絶縁層のマスク露光された部分にはソース・ドレイン電極となる電極材料をインクジェット法で吐出し、マスク露光された部分と露光されない部分の表面自由エネルギー差で電極材料が分離され、チャネルを形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。