TW201411827A - 具有改進的輔助發光層結構的有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置,其係包含:一基材;一第一電極,位於該基材上;一輔助發光層,位於該第一電極上且具一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣(sub-pattern);一發光層,位於該輔助發光層上;以及一第二電極,位於該發光層上。

Description

具有改進的輔助發光層結構的有機發光顯示裝置及其製造方法
本發明的實施態樣係關於有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置係一自體發光的顯示裝置,其具有一有機發光二極體,發光以顯示影像。由於有機發光顯示裝置並不似液晶顯示器需要獨立的光源,因此可以相對減少裝置厚度及重量,且具有能量消耗低、亮度高、反應速率快等優點。
一般而言,有機發光顯示裝置可包含電洞注入電極、發光層、及電子注入電極。在有機發光顯示裝置中,電洞注入電極所供應的電洞與電子注入電極所供應的電子在發光層中互相偶合形成激子(exciton),而激子落入基態所產生的能量將產生光。
在有機發光顯示裝置中,形成發光層的方法可包含沉積法、印刷法、及相似者。其中,在大尺寸有機發光顯示裝置的製造程序中,印刷法可用作形成發光層的方法。然而,在使用印刷法的情況下,可能未能形成平坦的發光層的表面,而是形成凸拱形或是凹透鏡形。舉例而言,在有機發光顯示裝置中,可依 照畫素各自形成發光層,且由於將發光層配置(或分割)成不同畫素的畫素定義層與如前所述形成發光層的材料之間的表面張力差,發光層可能形成拱形或凹透鏡形。
如此,在發光層形成凸拱形或凹透鏡形的情況下,畫素中不同處的電流密度可能不同,因此元件在長時間驅動下會有穩定性的問題。因此,在製造有機發光顯示裝置時,應該形成平坦的發光層,且特別是在以印刷法形成有機發光顯示裝置中的發光層時,應使用能平坦地形成發光層表面的技術。
本發明的實施態樣之一方面係提供一種有機發光顯示裝置,可改進設置在發光層之下的輔助發光層的結構,以平坦地形成有機發光顯示裝置中的發光層。
本發明的實施態樣之一方面亦提供一種有機發光顯示裝置,其發光層的表面係平坦地形成的。
本發明的實施態樣之一方面更提供一種製造有機發光顯示裝置的方法,以此可平坦地形成發光層。
本發明的實施態樣之一方面更提供一種製造有機發光顯示裝置的方法,使得當以印刷法形成有機發光顯示裝置中的發光層時,可平坦地形成發光層的表面。
本發明之一例示性實施態樣係提供一種有機發光顯示裝置,包含:一基材;一第一電極,位於該基材上;一輔助發光層,位於該第一電極上且具一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣(sub-pattern);一發光層,位於該輔助發光層上;以及一第二電極,位於該發光層上。
一畫素定義層係可位於該第一電極的邊緣側,以配置該第一電極而供一畫素單元以定義一畫素區域,且相對應的次要圖樣係位於一對應於輔助發光層的畫素區域的位置上。
具有該包含複數個彼此互相隔開之次要圖樣的圖樣的輔助發光層可為一電洞傳輸層。
一電洞注入層係可位於該電洞傳輸層及該第一電極之間。
具有該包含複數個彼此互相隔開之次要圖樣的圖樣的輔助發光層可為一電洞注入層。
該電洞傳輸層係可位於該電洞注入層上。
該電洞傳輸層可具有實質上與該電洞注入層相同的圖樣。
各該複數個次要圖樣係可包含狹縫、圓柱、稜柱、交叉柱、圓錐、角錐、凸透鏡、或凹透鏡。
該圖樣的高度可為約5奈米至100奈米。
該等次要圖樣之間的距離可為約3微米至30微米。
各該複數個次要圖樣的底部寬度可為約3微米至30微米。
該圖樣係可包含複數個於一方向上彼此平行的狹縫,且該等狹縫的高度可為約5奈米至100奈米,該等狹縫之間的距離可為約3微米至30微米,且各該狹縫的寬度為約3微米至30微米。
根據本發明之另一實施態樣,一種有機發光顯示裝置的製造方法,其係包含形成一第一電極於一基材上;形成一輔 助發光層於該第一電極上,該輔助發光層具有一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣;形成一發光層於該輔助發光層上;以及形成一第二電極於該發光層上。
該方法可更包含形成一畫素定義層以配置該第一電極而供一畫素單元以定義一畫素區域,於形成該第一電極之後,該畫素定義層係形成於該第一電極的邊緣側。於形成輔助發光層時,該圖樣可形成於對應於畫素區域的一部分處。
該形成該輔助發光層係可包含施用一材料以形成該輔助發光層於該第一電極上;以及圖樣化該用以形成該輔助發光層之材料。
該用以形成輔助發光層的材料可為一可光聚合的材料。
該用以形成輔助發光層的材料係可包含電洞注入材料及電洞傳輸材料之至少一者、光敏劑、及光起始劑。
該光敏劑係可包含透明的光敏性樹脂。
該圖樣化該用以形成輔助發光層之材料係可包含設置一圖樣遮罩以覆蓋設置於該第一電極上之該用以形成輔助發光層之材料;照射光穿過該圖樣遮罩;以及顯影該光照射過的材料以形成該輔助發光層。
在形成該輔助發光層時,係可形成一具有圖樣的電洞注入層。
該方法可更包含形成一電洞傳輸層於電洞注入層上。
在形成該輔助發光層時,係可形成一具有圖樣的電 洞傳輸層。
該方法可更包含在形成該電洞傳輸層之前,形成一電洞注入層於該第一電極上。
在形成該發光層時,可印刷一用以形成該發光層之材料。
該印刷可為噴墨印刷及凹版印刷的任一者。
在根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置中,可藉由在輔助發光層上形成圖樣以平坦地形成設置在輔助發光層上的發光層。根據本發明之一實施態樣,因為藉由在輔助發光層上形成圖樣而增加了輔助發光層與發光層之間的接觸面積,可被順利地注入且傳輸電洞至發光層。
前述的摘要僅用於例示,且並非以任何方式限制。除上述的例示性方面、實施態樣及特徵以外,其他方面、實施態樣及特徵在參考圖式及以下的詳細描述後將是顯而易見的。
10 100‧‧‧基材
20 200‧‧‧第一電極
30 300‧‧‧輔助發光層
40 400‧‧‧發光層
50 500‧‧‧第二電極
60 600‧‧‧畫素定義層
111‧‧‧緩衝層
113‧‧‧閘絕緣層
115‧‧‧介面層絕緣層
117‧‧‧平坦化層
120‧‧‧薄膜電晶體
121‧‧‧閘極
122‧‧‧汲極
123‧‧‧源極
124‧‧‧半導體層
301‧‧‧用以形成輔助發光層之材料
310‧‧‧圖樣
311 321‧‧‧電洞注入層
312 322‧‧‧電洞傳輸層
700‧‧‧電子層
800‧‧‧圖樣遮罩
L‧‧‧光
第1圖係描繪相關技術的有機發光顯示裝置的示意圖,其中發光層以凸拱形形成。
第2圖係描繪根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置的截面示意圖,其具有平坦的發光層。
第3圖係描繪根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置結構的截面示意圖。
第4圖係描繪根據本發明之另一實施態樣的有機發光顯示裝置結構的截面示意圖。
第5圖係單獨描繪具有狹縫形狀圖樣的輔助發光層結構的透視圖。
第6圖係描繪根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置結構的截面示意圖。
第7A至7H圖係描繪根據本發明之一例示性實施態樣的有機發光顯示裝置的製造方法的示意圖。
以下,將參考圖式中描繪的實施態樣詳細描述本發明的各方面。本發明的範圍並非由以下描述的圖式或實施態樣所限制。圖式僅於許多實施態樣中選擇且描繪適合用於描述本發明的實施例。
代表性的零件及其形狀係示意或誇示地繪製於伴隨的圖式中以便於理解,且用於實際產品中的某些零件可能未繪出而於圖式中省略。因此,圖式應被分析為協助理解本發明。同時,類似的符號代表於圖式中扮演相同角色的相似零件。
此外,應理解當一層或一元件描述為在另一層或元件「上」時,其可能直接設置於另一層或元件上,或是可能有中間層或元件存在。
根據一實施態樣,有機發光顯示裝置包括一基材10;第一電極20,形成於該基材上;發光層40,形成於第一電極上;及第二電極50,形成於發光層40上,如第1圖所示。此外,輔助發光層30可設置在第一電極20及發光層40之間,且該輔助發光層可包括電洞注入層及電洞傳輸層。此外,第一電極20可被畫素定義層60配置(或分割)而供一畫素單元,可定義一畫素區 域。
在根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置中,用以形成發光層40的代表性方法包括沉積法及印刷法。舉例而言,為了在大尺寸有機發光顯示裝置中形成發光層,近來已嘗試使用印刷法。然而,在使用印刷法的情況下,如第1圖所描繪,發光層40可能在某些狀況下形成為拱形的。一個可能的原因是將發光層40配置(或分割)而供一畫素單元並定義一畫素區域的畫素定義層60與用以形成發光層的材料之間的表面張力的差異。意即,由於畫素定義層60與用以形成發光層的材料之間的表面張力的差異,用以形成發光層的材料在形成發光層時被分佈呈拱形,因此發光層40被形成拱形。如第1圖所描繪,在發光層40的表面並非平坦而是凸面或凹面的情況下,可能產生發光性質的問題,且可能產生一個畫素中不同處的電流密度不同的問題。
在本發明的實施態樣中,如第2圖所描繪,圖樣310形成在設置於發光層400與第一電極20之間的輔助發光層300上。用以形成發光層的材料係均均勻地(或實質上均勻地)由圖樣所分布,因此發光層的表面具有平坦的表面。如第2圖所描繪,在圖樣形成在設置於發光層400下的輔助發光層300上的情況下,用以形成發光層的材料可以毛細現象均勻地(或實質上均勻地)分布。此外,藉由在輔助發光層上形成圖樣而增加輔助發光層與發光層之間的接觸面積,因此可順利地注入且傳輸電洞至發光層。
舉例而言,如第2圖所描繪,根據本發明之實施態樣的有機發光顯示裝置係包括一基材100;一第一電極200,形成 於基材100上;一輔助發光層300,形成於第一電極200上;一發光層400,形成於輔助發光層300上;以及一第二電極500,形成於發光層400上。圖樣310,其係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣,形成於輔助發光層300上。
如第2圖所描繪,畫素定義層600係設置於第一電極200的邊緣側,且因此配置(或分割)該第一電極而供一畫素單元並定義畫素區域。形成於輔助發光層300上的圖樣310係形成在對應於輔助發光層區中的畫素區域的一部分處。如此,由於在畫素區域中形成圖樣310,用於形成發光層的材料可均勻地(或實質上均勻地)分布在畫素區域中,因此發光層400可以平坦地形成。
在另一實施態樣中,複數個次要圖樣係可形成除畫素區域外的區域中以及畫素區域中。
輔助發光層300可為電洞注入層,亦可為電洞傳輸層。此外,輔助發光層300可為電洞注入層及電洞傳輸層的疊層。
在第3圖中,描繪了輔助發光層300形成為電洞注入層311及電洞傳輸層312的疊層的情況。在第4圖中,描繪了輔助發光層300形成為電洞注入層311及電洞傳輸層312的疊層的情況。
舉例而言,在第3圖中,具有複數個彼此互相隔開的次要圖樣的輔助發光層300係例示作為電洞傳輸層312。意即,在第3圖描繪的有機發光顯示裝置中,該複數個次要圖樣係形成於電洞傳輸層312上。此外,電洞注入層311可設置於電洞傳輸層312及第一電極200之間。此處,電洞傳輸層312及電洞注入 層311係形成輔助發光層300。
在另一實施態樣中,僅第3圖中的電洞傳輸層312可形成輔助發光層,不含電洞注入層311。
在第4圖中,具有圖樣的輔助發光層300係例示作為電洞注入層321,該圖樣具有複數個彼此互相隔開的次要圖樣。意即,在第4圖中描繪的有機發光顯示裝置中,該複數個次要圖樣係形成於電洞注入層321上。此外,電洞傳輸層322可設置於電洞注入層321上。在此實施態樣中,電洞傳輸層322具有實質上與電洞注入層321相同的圖樣(見第4圖)。此處,電洞注入層311及電洞傳輸層312係形成輔助發光層300。
在另一實施態樣中,僅第4圖中的電洞注入層321可形成輔助發光層,不含電洞傳輸層322。
圖樣310的次要圖樣的形狀並沒有特別限制。只要非均勻性可用於輔助發光層300的表面上,可以在圖樣310中使用任何不受限的形狀。
圖樣310的次要圖樣的形狀的例子包括狹縫、圓柱、稜柱、交叉柱、圓錐、角錐、凸透鏡、凹透鏡、及相似形狀。意即,圖樣310可具有狹縫、圓柱、稜柱、交叉柱、圓錐、角錐、凸透鏡、凹透鏡的任一形狀。
根據一實施態樣,圖樣310的高度可為5奈米至100奈米,次要圖樣之間的距離可為3微米至30微米,且次要圖樣的底部寬度可為3微米至30微米。
圖樣的高度、圖樣中次要圖樣間的距離、及圖樣中各次要圖樣的底部寬度可依據發光層所形成的畫素的尺寸而改 變。當畫素的尺寸增加,圖樣的各次要圖樣的高度、距離、及寬度可增加,且當畫素的尺寸減少,圖樣的高度、圖樣中次要圖樣間的距離、及圖樣中各次要圖樣的底部寬度可減少。畫素的尺寸係可依據有機發光顯示裝置的尺寸或用途而定。
根據本發明的一實施態樣,圖樣310可包括複數個形成於一方向上彼此平行的狹縫。
以下,將描述具有複數個形成於一方向上彼此平行的狹縫的圖樣310的實施例。在此情況下,該狹縫可具有與第3圖所描繪的圖樣310實質相同的截面。在第5圖中,單獨描繪了一輔助發光層300,其具有包括狹縫的圖樣310。在此情況下,各狹縫的高度可為5奈米至100奈米,狹縫之間的距離可為3微米至30微米,且各狹縫的寬度可為3微米至30微米。
狹縫的高度、狹縫間的距離、各狹縫的寬度、及狹縫的數量可依據畫素的尺寸而改變。畫素的尺寸係可依據有機發光顯示裝置的尺寸或用途而定。
第6圖更詳細的描繪根據本發明之另一實施態樣的有機發光顯示裝置。第6圖中描繪的有機發光顯示裝置係包括一基材100;一第一電極200,形成於該基材100上;一輔助發光層300,形成於該第一電極200上;一發光層400,形成於該輔助發光層300上;一電子層700,形成於發光層400上;以及一第二電極500,形成於該電子層700上。
在第6圖描繪的實施態樣中,例示了一頂部發光型(top emission type)的有機發光顯示裝置,其中從發光層400產生的光顯示在相對於基材100的第二電極500的方向。以下,將 以第6圖描繪的實施例描述頂部發光型有機發光顯示裝置。
首先,基材100可由任何通常用於有機發光顯示裝置中的玻璃或聚合塑膠製造。基材100可為透明或不為透明的。基材100可根據本領域技術人士的需求而選擇使用。
第一電極200係設置在基材100上,且複數個薄膜電晶體120可在第一電極200設置於基材100上之前形成在基材100上。各薄膜電晶體120包括形成在基材100上的閘極121、汲極122、源極123、及半導體層124。此外,各薄膜電晶體120中亦可提供閘絕緣層113及介面層絕緣層115。各薄膜電晶體120的結構並不限於第6圖中描繪的形式,且可被配置為其他的形式。由氧化矽、氮化矽、或相似物製成的緩衝層111可更被包含於薄膜電晶體120與基材100之間。
第一電極200、輔助發光層300、發光層400、電子層700、及第二電極500係依序形成在薄膜電晶體120上。第一電極200、輔助發光層300、發光層400、電子層700、及第二電極500可總稱為一「有機發光二極體單元」。
在第6圖描繪的實施態樣中,第一電極200對應於陽極作為一畫素電極,電性連接至薄膜電晶體120,且第二電極500對應於陰極作為一共用電極。
第一電極200係與其下方相對應的薄膜電晶體120電性連接。在一實施態樣中,當提供覆蓋薄膜電晶體120的平坦化層117時,第一電極200係設置在平坦化層117上。在此實施態樣中,第一電極200係經由平坦化層117中提供的接觸孔與薄膜電晶體120電性連接。
第一電極200可提供作為透明電極或反射電極。在第一電極200提供作為透明電極的情況下,基材100可由ITO、IZO、ZnO或In2O3所製成;而在第一電極200提供作為反射電極的情況下,基材100可包含一由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、或其化合物所製成的反射層,以及一位於反射層上由ITO、IZO、ZnO或In2O3所製成的層。在第一電極200為陽極的情況下,舉例而言,ITO可作為第一電極200的材料。
在第6圖的實施態樣中,第一電極200係作為陽極,且第二電極500係作為陰極;但第一電極200及第二電極500的極性可為相反的。
在第一電極200之間提供畫素定義層(PDL)600。畫素定義層600可以由具有絕緣性質的材料所製成,且可配置(或分割)該第一電極200而供一畫素單元及定義一畫素區域。例如,畫素定義層600可沉積於第一電極200的邊緣側以配置(或分割)該第一電極而供一畫素單元及定義一畫素區域。畫素定義層600覆蓋第一電極200的邊緣。
根據一實施態樣,輔助發光層300係形成於該第一電極200上。在一實施態樣中,輔助發光層300可形成於全部的第一電極200及畫素定義層600之上。輔助發光層300可為電洞注入層或電洞傳輸層。電洞注入層及電洞傳輸層的疊層可形成輔助發光層300。根據實施態樣的輔助發光層300係如前述。
發光層400係提供於輔助發光層300上。發光層400可形成於一畫素區域中,其為在第一電極200上由畫素定義層600 配置(或分割)的開放區域。
電子層700係形成在發光層400上。電子層700可為電子注入層或可為電子傳輸層。電子注入層及電子傳輸層的疊層可形成電子層700。
輔助發光(或放光)層300、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層合稱為有機層。該有機層可由低分子量有機材料或高分子量有機材料所製成。
該低分子量有機材料可施用於所有的電洞注入層、電洞傳輸層、發光(或放光)層、電子傳輸層及電子注入層。該低分子量有機材料可疊層形成單一或複合結構,且可使用的有機材料可包括銅酞藍(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine,NPB)、參-8-羥喹啉鋁(Alq3)、及相似物。低分子量有機材料可用例如使用遮罩的真空沉積方法形成,也可用例如噴墨的印刷法或凹版印刷形成。
高分子量有機材料可施用於例如電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、及相似者。舉例而言,電洞傳輸層可由聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)製成,而發光層可由以聚對苯撐乙烯(polyphenylenevinylene,PPV)為基質及以聚茀為基質的高分子量有機材料製成。
第二電極500係形成在電子層700上。第二電極500可以本領域中通常使用的材料製成。第二電極500也可提供作為透明電極或反射電極。當第二電極500提供作為透明電極時,第二電極500可包含一鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鈣(Ca)、 氟化鋰(LiF)/鋁(Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、或其化合物所製成的層,以及一位於該層上的由用以形成透明電極的材料如ITO、IZO、ZnO或In2O3所製成的層。當第二電極500提供作為反射電極時,第二電極500可由沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或其化合物提供。在第6圖描繪的頂部發光型有機發光顯示裝置中,第二電極500係製造作為一透明電極。舉例而言,第二電極500可使用氟化鋰/鋁而形成。
可更形成密封材料或封裝層於第二電極500上。
本發明的另一實施態樣係提供一種有機發光顯示裝置的製造方法。舉例而言,製造方法可包括形成一第一電極於基材上;形成一輔助發光層於該第一電極上,該輔助發光層具有一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣;形成一發光層於該輔助發光層上;以及形成一第二電極於該發光層上。
第7A至7F圖依序描繪了根據本發明之一實施態樣的有機發光顯示裝置的製造方法。
在一實施態樣中,為製造有機發光顯示裝置,首先,形成第一電極200於基材100上(見第7A圖)。
畫素定義層600係形成於第一電極200之間(見第7B圖)。意即,在形成第一電極之後,配置(或分割)該第一電極而供一畫素單元(例如,逐一畫素的)並定義畫素區域的畫素定義層600,係形成在第一電極的邊緣側。由畫素定義層600形成的開口成為(或定義)一畫素區域,且在形成輔助發光層的後續程序中,輔助發光層中提供的圖樣係形成在對應於畫素區域的一部分處。
畫素定義層600係由具有絕緣性質的材料所製成,且配置(或分割)第一電極200而供一畫素單元並定義畫素區域。畫素定義層600係形成在第一電極的邊緣側,以定義發光層400的區域及形成圖樣(提供於輔助發光層300上)的區域。
之後,用以形成輔助發光層300的材料301係施用於全部的第一電極200及畫素定義層600之上(見第7C圖)。之後,在設置圖樣遮罩800以覆蓋用以形成輔助發光層300的材料301之後,光線L選擇性的照射在用以形成輔助發光層300的材料301上(見第7D圖),透過顯影以形成圖樣310(見第7E圖)。
意即,根據一實施態樣,形成輔助發光層300包括施用用以形成輔助發光層的材料301於第一電極200上(見第7C圖),及圖樣化該用以形成輔助發光層的材料301(見第7D圖)。
可使用可光聚合的材料作為用以形成輔助發光層的材料301。具有可光聚合性質的用以形成輔助發光層的材料的例子包括包含用於電洞注入的材料及用於電洞傳輸的材料之至少一者、光敏劑及光起始劑的材料。
用於電洞注入的材料可使用本領域中任何用以形成電洞注入層的材料。用於電洞注入的材料可包括,例如,CuPc、MTDATA、TDAPB、1-NaphDATA、TPTE、及相似者。
用於電洞傳輸的材料亦可使用本領域中任何用以形成電洞傳輸層的材料。用於電洞傳輸的材料可包括,例如,TPD、NPB、Spiro-TPD、DNIC、及相似者。
光敏劑的例子包括透明的光敏性樹脂。在一實施態樣中,該透明的光敏性樹脂為一種藉由光照射而聚合的樹脂。
光敏劑可包括,例如,甲基丙烯酸、丙烯酸、丁烯酸、順丁烯二酸、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、乙烯吡咯啶酮、苯乙烯、及相似者。
光起始劑可使用本領域中任何通常用作光起始劑的材料。例如,苯乙酮、醯膦(acylphosphine)、三(triazine)、及相似者可用作光起始劑。
根據一實施態樣,圖樣化該用以形成輔助發光層的材料301(見第7D圖)包括設置圖樣遮罩800以覆蓋設置於該第一電極上之用以形成輔助發光層300之材料301;照射光L穿過該圖樣遮罩;以及顯影該用以形成輔助發光層的材料。
在一實施態樣中,圖樣遮罩800被圖樣化且分隔出光線可通過的光通過區域及光線不通過的不通過區域。當用以形成輔助發光層的材料301藉由照射光L而光聚合,由於圖樣遮罩800使得用以形成輔助發光層的材料301的各部分受到光照射的量不同,故各部分光聚合作用有差異。因此,在顯影過程中,顯影程度有差異以形成具有狹縫的圖樣310。顯影方法可使用本領域中通常使用的顯影方法。顯影之後可以進行蝕刻。蝕刻可以使用濕式蝕刻或乾式蝕刻法。蝕刻亦可使用本領域中通常常用的蝕刻方法。
根據一實施態樣,在形成輔助發光層300時,可形成具有圖樣310的電洞注入層。在此實施態樣中,電洞注入層形成輔助發光層300。電洞注入層可單獨形成輔助發光層300。形成輔助發光層300可更包含形成電洞傳輸層於電洞注入層上。電洞注入層及電洞傳輸層的疊層可形成輔助發光層300(見第4圖)。
根據一實施態樣,在形成輔助發光層300時,可形成具有圖樣310的電洞傳輸層。在此實施態樣中,電洞傳輸層形成輔助發光層300。電洞傳輸層可單獨形成輔助發光層300。形成輔助發光層300可更包含在形成電洞傳輸層之前,形成電洞注入層於第一電極上。電洞注入層及電洞傳輸層的疊層可形成輔助發光層300(見第3圖)。
發光層400可形成在具有圖樣300的輔助發光層上(見第7F圖)。在此情況下,發光層400係形成在第一電極200上由畫素定義層600配置(或分割)而供一畫素單元的開口中。
在形成發光層400時,可使用印刷法。意即,印刷用以形成發光層的材料以形成發光層。印刷可使用噴墨印刷或凹版印刷之任一者。
近來,對大尺寸有機發光顯示裝置的需求增加,已有嘗試使用印刷法以形成發光層400。然而,在使用印刷法的情況下,由於用於形成發光層的材料與畫素定義層600之間的表面張力在某些情況下有差異,發光層400形成為拱形。然而,在本發明的實施態樣中,形成發光層的材料係均勻地(或實質上均勻地)由形成在輔助發光層300上的圖樣所分布,輔助發光層設置於發光層400與第一電極200之間。因此,發光層400的表面會是平坦(或較平坦)的。
電子層700可形成於發光層400上且在輔助發光層300中未設置發光層400的部分處(見第7G圖)。電子層700可為電子注入層或為電子傳輸層。電子注入層及電子傳輸層的疊層可形成電子層700。在第7G圖中,例示電子注入層形成電子層 700。在某些情況下,可不形成電子層700。
如此,根據本發明的實施態樣在形成電子層700時,第二電極500係形成於電子層700上(見第7H圖)。據此,可製造如第7H圖所描繪的有機發光顯示裝置。
根據上述,將可理解描述本發明的實施態樣係為例示目的,且在不背離本發明的範圍及精神之下可作出各種修改。因此,本文所揭露的實施態樣並非用以限制,而實際的範圍及精神係由後附申請專利範圍及其相等敘述所指。
100‧‧‧基材
200‧‧‧第一電極
300‧‧‧輔助發光層
310‧‧‧圖樣
400‧‧‧發光層
500‧‧‧第二電極
600‧‧‧畫素定義層

Claims (25)

  1. 一種有機發光顯示裝置,其係包含:一基材;一第一電極,位於該基材上;一輔助發光層,位於該第一電極上且具一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣(sub-pattern);一發光層,位於該輔助發光層上;以及一第二電極,位於該發光層上。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中一畫素定義層係位於該第一電極的邊緣側,以配置該第一電極而供一畫素單元以定義一畫素區域,且相對應的次要圖樣係位於一對應於輔助發光層的畫素區域的位置上。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該具有該包含複數個彼此互相隔開之次要圖樣的圖樣的輔助發光層係一電洞傳輸層。
  4. 如請求項3所述之有機發光顯示裝置,其中一電洞注入層係位於該電洞傳輸層及該第一電極之間。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該具有該包含複數個彼此互相隔開之次要圖樣的圖樣的輔助發光層係一電洞注入層。
  6. 如請求項5所述之有機發光顯示裝置,其中該電洞傳輸層係位於該電洞注入層上。
  7. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置,其中該電洞傳輸層具有實質上與該電洞注入層相同的圖樣。
  8. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中各該複數個次要圖樣係包含狹縫、圓柱、稜柱、交叉柱、圓錐、角錐、凸透鏡、或凹透鏡。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該圖樣的高度為約5奈米至100奈米。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該等次要圖樣之間的距離為約3微米至30微米。
  11. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中各該複數個次要圖樣的底部寬度為約3微米至30微米。
  12. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該圖樣係包含複數個於一方向上彼此平行的狹縫,且該等狹縫的高度為約5奈米至100奈米,該等狹縫之間的距離為約3微米至30微米,且各該狹縫的寬度為約3微米至30微米。
  13. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,其係包含:形成一第一電極於一基材上;形成一輔助發光層於該第一電極上,該輔助發光層具有一圖樣,該圖樣係包含複數個彼此互相隔開的次要圖樣;形成一發光層於該輔助發光層上;以及形成一第二電極於該發光層上。
  14. 如請求項13所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其更包含:形成一畫素定義層以配置該第一電極而供一畫素單元以定義一畫素區域,於形成該第一電極之後,該畫素定義層係形成於該第一電極的邊緣側,其中於形成輔助發光層時,該圖樣係形成於對應於畫素區域 的一部分處。
  15. 請求項13所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該形成該輔助發光層係包含施用一材料以形成該輔助發光層於該第一電極上;以及圖樣化該用以形成該輔助發光層之材料。
  16. 如請求項15所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該用以形成輔助發光層的材料係一可光聚合的材料。
  17. 如請求項15所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該用以形成輔助發光層的材料係包含電洞注入材料及電洞傳輸材料之至少一者、光敏劑、及光起始劑。
  18. 如請求項17所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該光敏劑係包含透明的光敏性樹脂。
  19. 如請求項15所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該圖樣化該用以形成輔助發光層之材料係包含設置一圖樣遮罩以覆蓋設置於該第一電極上之該用以形成輔助發光層之材料;照射光穿過該圖樣遮罩;以及顯影該光照射過的材料以形成該輔助發光層。
  20. 如請求項13所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中在形成該輔助發光層時,係形成一具有圖樣的電洞注入層。
  21. 如請求項20所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其更包含形成一電洞傳輸層於該電洞注入層上。
  22. 如請求項13所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中在形成該輔助發光層時,係形成一具有圖樣的電洞傳輸層。
  23. 如請求項22所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其更包含在形成該電洞傳輸層之前,形成一電洞注入層於該第一電極 上。
  24. 如請求項13所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中在形成該發光層時,印刷一用以形成該發光層之材料。
  25. 如請求項24所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該印刷係噴墨印刷及凹版印刷的任一者。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615962B (zh) * 2015-09-23 2018-02-21 樂金顯示科技股份有限公司 有機發光二極體顯示裝置及其有機發光二極體

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101955621B1 (ko) 2012-09-21 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
KR101982073B1 (ko) * 2012-10-12 2019-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
TWI607594B (zh) * 2015-05-28 2017-12-01 Photocurable coating layer structure
GB2555844B (en) * 2016-11-11 2020-04-15 The Univ Of Hull An OLED device and a method of manufacture
CN112385314B (zh) * 2018-07-17 2024-07-26 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法及显示设备的制造装置
TWI691109B (zh) * 2019-05-09 2020-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN110265563B (zh) * 2019-06-20 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 用于在其上喷墨打印发光层的基板、发光器件、和用于制备基板的方法
CN111463357B (zh) * 2020-04-23 2022-09-09 视涯科技股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制备方法
KR20220034948A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN114050174B (zh) * 2021-10-26 2023-05-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2429636C3 (de) * 1973-06-28 1986-05-07 Teijin Ltd., Osaka Lichtempfindliche Harzmasse
JP2002008868A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Seiko Epson Corp 面発光装置
JP2002170667A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Hitachi Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び画像表示装置
US7361413B2 (en) * 2002-07-29 2008-04-22 Lumimove, Inc. Electroluminescent device and methods for its production and use
JP4548121B2 (ja) * 2005-01-14 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
US7977866B2 (en) * 2006-11-22 2011-07-12 Toppan Printing Co., Ltd Organic electroluminescence element having partition wall covered by insulating layer
WO2009015361A1 (en) * 2007-07-25 2009-01-29 The Regents Of The University Of California Use of photosensitized epon epoxy resin 1002f for mems and biomems applications
KR100875101B1 (ko) * 2007-08-08 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조방법
EP2564440A2 (en) * 2010-04-28 2013-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic light emitting device
US8969856B2 (en) * 2012-08-29 2015-03-03 General Electric Company OLED devices with internal outcoupling

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615962B (zh) * 2015-09-23 2018-02-21 樂金顯示科技股份有限公司 有機發光二極體顯示裝置及其有機發光二極體

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