TWI511341B - 有機發光二極體的製備方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種有機發光二極體的製備方法。
有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)係一種發光層由有機複合物構成的發光二極體，作為一種高效的發光源，其具有重量輕、厚度薄、多色彩、低製造成本等諸多特點，使得有機發光二極體在大面積面光源的照明應用上逐漸顯露出取代先前發光二極體的趨勢，已經被廣泛的運用於各種領域。
然，先前技術中所述OLED的製備需要在真空系統中進行，並且至少需要更換三次掩模，工藝複雜，成本高；並且在更換掩模的工程中，容易對所述OLED中已沈積的有機材料層造成破壞，從而影響了OLED的發光效果及OLED的壽命。
有鑒於此，提供一種工藝簡單、能夠提高有機發光二極體的發光效果及壽命的有機發光二極體的方法實為必要。
一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述基板表面形成一第一有機材料層覆蓋所述複數第一電極；提供一具有奈米圖形的模板，所述奈米圖形包括複數深度不同的凹部；將模板具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層貼合，並擠壓所述模板及所述第一有
機材料層；將所述模板與所述第一有機材料層進行脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，在所述第一有機材料層遠離基板的表面形成複數高度不同的凸起結構；在每個凸起結構遠離基板的表面形成一有機發光層；形成一第二有機材料層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述設置有複數第一電極的基板表面沈積一第一有機材料層；提供一具有奈米圖形的模板，所述奈米圖形包括複數按行列式排布的圖形單元，每一圖形單元包括相互間隔且不同深度的第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽；將模板具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層貼合，擠壓並脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，形成複數不同高度的第一凸起、第二凸起、第三凸起；在所述第一凸起、第二凸起、第三凸起遠離基板的頂面分別沈積一有機發光層；在所述有機發光層上沈積一第二有機材料層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述設置有複數第一電極的基板表面沈積一第一有機材料層；提供一模板，所述模板包括複數圖形單元，每一圖像單元包括複數不同深度的凹槽；將模板與所述第一有機材料層貼合後脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，在第一有機材料層表面形成複數圖元單元，每一圖元單元包括不同高度的凸起結構；在所述凸起結構遠離基板的頂面分別沈積有機發光層；在所述有機發光層上沈積一第二有機材料
層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
與先前技術相比，本發明提供的有機發光二極體的製備方法，利用模板通過採取奈米壓印的方式直接在所述第一有機材料層表面形成不同高度的凸起，從而無需更換掩模，避免了在更換掩模的過程中對第一有機材料層的破壞，從而提高了所述有機發光二極體的發光效果及壽命。
10‧‧‧有機發光二極體
100‧‧‧基板
112‧‧‧第一電極
114‧‧‧擋牆
120‧‧‧第一有機材料層
130‧‧‧有機發光層
140‧‧‧第二有機材料層
150‧‧‧第二電極
200‧‧‧模板
201‧‧‧第一凹槽
202‧‧‧第二凹槽
203‧‧‧第三凹槽
205‧‧‧凸部
121‧‧‧第一凸起
122‧‧‧第二凸起
123‧‧‧第三凸起
131‧‧‧第一有機發光層
132‧‧‧第二有機發光層
133‧‧‧第三有機發光層
圖1為本發明實施例提供的有機發光二極體製備方法的流程圖。
圖2為圖1所述有機發光二極體製備方法中所述模板的結構示意圖。
圖3為圖1所述有機發光二極體製備方法中圖案化的第一有機材料層的結構示意圖。
請參閱圖1，本發明第一實施例提供一種有機發光二極體10的製備方法，包括如下步驟：步驟S10，提供一基板100，所述基板100表面具有複數第一電極112；步驟S20，在所述設置有複數第一電極112的基板100表面沈積一第一有機材料層120；步驟S30，提供一具有奈米圖形的模板200；步驟S40，將模板200具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層120貼合，並擠壓所述模板200及所述第一有機材料層120；
步驟S50，將所述模板200與所述第一有機材料層120進行脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層120；步驟S60，在所述具有奈米圖形的第一有機材料層120表面沈積一有機發光層130；步驟S70，在所述有機發光層130上沈積一第二有機材料層140；及步驟S80，形成一第二電極150與所述第二有機材料層140電連接。
在步驟S10中，所述基板100起到支撐的作用，可為一透明基板，該基板100的材料可為聚亞醯胺(polyimide)、聚合物(polymer)等複合材料。所述第一電極112與所述第一有機材料層120電連接以提供驅動電流，並控制有機發光二極體10的發光狀態。所述第一電極112可為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)等透明導電材料，可通過濺鍍的方法形成；所述第一電極112也可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們中的任意混合物中的一種，則該第一電極112也可作為反射層。進一步，所述第一電極112也可採用奈米碳管，如奈米碳管線或奈米碳管膜等。所述奈米碳管線或奈米碳管膜可為一透明的自支撐結構，可直接鋪設於所述基板100的表面形成所述第一電極112。
進一步，所述基板100的表面具有複數擋牆114形成一陣列，相鄰的擋牆114之間對應一顯示圖元。所述第一電極112設置於相鄰的擋牆114之間。
在步驟S20中，所述第一有機材料層120可包括一電洞傳輸層(HTL)或一電洞注入層(HIL)。所述電洞傳輸層的材料可為芳香多胺類化合物，如聚苯胺(Polyaniline)或三芳胺衍生物，所述電洞注入層的材料為銅酞菁(Copper Phthalocyanine，CuPc)。本實施例中，所述第一有機材料層120為一電洞傳輸層，所述電洞傳輸層的厚度可根據實際需要進行選擇，可為50奈米~300奈米。
在步驟S30中，請一併參閱圖2，所述模板200的材料可為硬性材料，如鎳、矽或者二氧化矽。該模板200的材料也可為柔性材料，如PET、PMMA、PS、PDMS等。該模板200的一表面形成有奈米圖形，所述奈米圖形可為複數深度不同的凹部間隔形成的陣列。具體的，所述奈米圖形包括複數第一圖形單元形成一陣列。所述複數第一圖形單元可排列形成一一維陣列，也可排列形成一具有多行多列的二維陣列。所述陣列的具體排布可根據所述有機發光二極體10的發光效果進行選擇，且每一第一圖形單元包括一第一凹槽201、一第二凹槽202及一第三凹槽203並排設置。設垂直於所述模板200表面的方向為Z方向，平行於所述模板200表面的且相互垂直的方向分別為X，Y方向。所述複數第一圖形單元可沿X方向呈一維陣列排布，即在X方向上所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203可按a1-a2-a3-a1-a2-a3……的固定順序依次相互間隔交替排列。所述複數第一圖形單元也可分別在X、Y方向上呈二維陣列的方式排布，即在X方向上，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203可按a1-a2-a3-a1-a2-a3……的固定順序依次間隔交替排列。同樣的，在Y方向上，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203也可以a1-a2-a3-a1-a2-a3……的固
定順序依次相互間隔交替排列，從而所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203在所述模板200的表面形成一按照多行多列排布的二維陣列。本實施例中，所述複數第一圖形單元形成具有多行多列的二維陣列，在X方向上的第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203按照a1-a2-a3-a1-a2-a3……的固定順序依次相互間隔交替排列；在Y方向上，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203並排排列，即同一列的第一凹槽201具有相同的X座標，同一列的第二凹槽202具有相同的X座標，同樣的，同一列的第三凹槽203具有相同的X座標。在Z方向上，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203橫截面的形狀可為三角形、圓形、方形、矩形等等幾何圖形，可以根據所述有機發光二極體10的需求進行選擇。可以理解，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203還可以其他方式排列，以得到不同的顯示效果。本實施例中，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203橫截面的形狀均為矩形，長21微米-122微米，寬5微米-98微米。進一步，所述第一凹槽201、第二凹槽202及所述第三凹槽203為從該模板200的表面所在的平面向所述模板200內部延伸形成的空間。所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203相互間隔設置，相鄰的凹槽之間形成凸部205。所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203之間的間隔距離可為10微米~89微米，可根據所述有機發光二極體10所需的解析度進行選擇。本實施例中，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203之間的距離均為15微米。
所述第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203的深度不完全相同，其具體深度可根據所述第一有機材料層120的厚度進行選擇，以確保所述模板200的奈米圖形能夠完整的轉移至所述第一有
機材料層120。具體的，設第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203的深度分別為d1、d2、d3，則在所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203中，各凹槽的深度可各不相同，即d1≠d2≠d3；也可有其中二凹槽的深度相同，而與另外一凹槽的深度不相同，即d1≠d2=d3，或d1=d2≠d3，或d1=d3≠d2。所述第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203中深度最小的凹槽的深度dmin(d1，d2，d3)可等於或小於所述第一有機材料層120的厚度，進一步的，所述深度最大的凹槽的深度dmax(d1，d2，d3)可小於或等於所述第一有機材料層120的厚度，從而確保所述模板200中的奈米圖形能夠精確的轉移至所述第一有機材料層120。可以理解，所述深度最大的凹槽的深度dmax(d1，d2，d3)，也可大於所述第一有機材料層120的厚度，所改變的僅僅係在第一有機材料層120表面形成的各凸起的高度差，而不會影響各凸起的分佈及趨勢。本實施例中，所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203的深度各不相同，均小於所述第一有機材料層120的厚度，且d1>d2>d3，其中，d1小於等於300奈米，d2為大於50奈米小於300奈米，d3為20奈米~250奈米。
在步驟S40中，可將模板200具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層120貼合，並在常溫下擠壓所述模板200與基板100後脫模，將奈米圖形轉移到所述第一有機材料層120，使所述第一有機材料層120遠離基板100的表面圖形化，形成複數第二圖形單元，每一第二圖形單元形成高度不同的凸起結構。具體的，所述第一凹槽201、第二凹槽202、第三凹槽203分別對應所述基板100上的一第一電極112設置，從而使得所述凸起結構的分佈位置對應於所述第一電極112，且位於相鄰的擋牆114之間，從而方便的在後
續過程中對所述有機發光二極體10進行驅動。本實施例中，每一凹槽均與所述第一電極112在Z方向上部份重合，從而使得後續形成的凸起結構與對應的第一電極112接觸設置。可以理解，所述對應方式並不限於以上所舉，可以根據需要進行選擇。在常溫下，可以通過模板200向第一有機材料層120施加壓力，使得所述模板200上的奈米圖形轉移到第一有機材料層120。具體地，使模板200形成有奈米圖形的表面與所述基板100上的第一有機材料層120貼合，並在真空度為1×10-1mbar~1×10-5mbar，施加壓力為2磅/平方英尺~100磅/平方英尺(Psi)的壓印條件下，保持2~30分鐘，最後將模板200與第一有機材料層120分離，從而該模板200表面的奈米圖形複製到所述第一有機材料層120。
在施加壓力的過程中，與所述第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203對應位置處的第一有機材料層120根據所述凹槽深度的不同而發生不同的變化，從而在第一有機材料層120遠離基板100的表面對應形成複數第二圖形單元，每個第二圖形單元包括複數凸起結構，每一凸起結構均與所述一第一電極112電連接。由於第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203的深度滿足d1>d2>d3，因此在施加壓力的初始階段，當第一有機材料層120未填充滿第一凹槽201、第二凹槽202時，對應第一凹槽201、第二凹槽202位置處的第一有機材料層120基本不發生變化，而對應於及第三凹槽203位置處的第一有機材料層120將會逐漸受到模板200的擠壓而逐漸變薄；同樣的，在後續的過程中，對應第二凹槽202位置處的第一有機材料層120也會逐漸受到擠壓而變薄；同時，對應所述模板200凸部205位置處的第一有機材料層120也會受到擠壓而變薄。最終，在基板100上形成複數相互間隔的所述第一凸起121
、第二凸起122、第三凸起123，且高度分別為h1、h2、h3。由於所述模板200中的第一凹槽201、第二凹槽202及第三凹槽203為從同一平面向所述模板200內部延伸形成，因此，所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123為從同一平面向遠離所述第一有機材料層120方向延伸的凸起結構。
在步驟S50中，請一併參閱圖3，脫模後，在所述第一有機材料層120形成的奈米圖形包括複數高度不同的凸起結構，相鄰的凸起結構之間形成一凹槽。所述第一有機材料層120中凹槽的大小及形狀與模板200中的凸部相對應，所述第一有機材料層120中條形凸起結構的大小及形狀與模板200中的凹槽相對應。具體的，由於所述模板200包括複數第一圖形單元形成陣列，且每一單元具有所述第一凹槽201，第二凹槽202及第三凹槽203，則在所述第一有機材料層120遠離基板100的表面形成複數第二圖形單元，每一第二圖形單元包括第一凸起121，第二凸起122及第三凸起123相互間隔設置。在X方向上，所述第一凸起121、第二凸起122及所述第三凸起123可按a1-a2-a3-a1-a2-a3……排列。進一步，每相鄰的第一凸起121、第二凸起122、第三凸起123構成一單元，從而整體上所述第一有機材料層120遠離基板100的表面形成複數單元排布成的陣列。進一步，所述第一凸起121的高度為h1，可與第一凹槽201的深度相同；所述第二凸起122的高度為h2，可與所述第二凹槽202的深度相同；所述第三凸起123的高度為h3，可與所述第三凹槽203的深度相同。本實施例中，所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123的高度滿足：h1>h2>h3。
進一步，在施加壓力的過程中，部份與模板200的凸部205對應位
置處的第一有機材料層120被所述模板200壓縮而變薄，脫模後貼附於所述基板100的表面。因此，可進一步包括一去除位於所述第一凸起121、第二凸起122、第三凸起123之間所述殘餘的第一有機材料層120的步驟。具體的，所述第一凸起121、第二凸起122、第三凸起123之間所述殘餘的第一有機材料層120可以通過電漿蝕刻的方法去除，所述蝕刻氣體可根據所述第一有機材料層120材料進行選擇，以確保其具有較高的蝕刻速率。在去除過程中，所述第一有機材料層120的奈米圖形的完整形態依然保持完整。
在步驟S60中，所述有機發光層(EL)130設置在所述第一有機材料層120的表面，所述有機發光層130可通過旋塗法、噴墨列印或真空蒸鍍等方式形成。具體的，所述有機發光層130沈積在所述第一凸起121、第二凸起122、第三凸起123的頂面，即遠離所述基板100的表面。所述有機發光層130包括設置在所述第一凸起121頂面的第一有機發光層131，設置在所述第二凸起122頂面的第二有機發光層132，及設置在所述第三凸起123頂面的第三有機發光層133。
所述有機發光層130的材料可為高分子量的電致發光有機材料如PF(polyfluorene)等等，或小分子量的電致發光有機材料等，如金屬錯合物Alq3(aluminum tris(8-hydroxyquinoline))。在第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123表面，所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133的厚度均相同。可以理解，所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133的厚度也可不同。
所述各凸起表面的有機發光層130可包括相同的發光材料，使得所述有機發光二極體10能夠顯示相同的顏色；也可包括不同的發光材料，以得到不同的發光效果，也可顯示不同的顏色甚至圖案，所述不同顏色的發光材料沈積的位置可以根據其波長進行選擇，波長較長的發光材料可設置在較高的凸起表面，以獲得均勻的白光等發光效果。本實施例中，所述第一有機發光層131為紅色發光層(R)，所述第二有機發光層132為綠色發光層(G)，而所述第三有機發光層133為藍色發光層(B)，相鄰的RGB作為一個圖元單元。所述相鄰的第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133可作為一圖元單元或一圖元點，從而使得所述有機發光二極體10能夠顯示不同的顏色及畫面。可以理解，所述顏色的順序也可根據需要進行調整。由於所所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123在X方向上按a1-a2-a3-a1-a2-a3……方式排列，則所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133可按照RGB-RGB-RGB…的方式設置在所述第一有機材料層120表面。
由於所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123相對於所述基板100具有不同的高度，因此當設置所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133之後，所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133遠離基板100的表面與所述基板100表面的高度差不同，從而能夠改善所述有機發光二極體10的發光效果。
在步驟S70中，所述第二有機材料層140可為一電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。該電子傳輸層的材料為具較大共扼平
面的芳香族化合物。該電子注入層的材料為具低功函數的鹼金屬或鹼金屬化合物，如氟化鋰(LiF)、鈣(Calcium，Ca)、鎂(Magnesium，Mg)等。本實施例中，所述第二有機材料層140為一電子傳輸層。所述第二有機材料層140可僅設置於所述第一有機發光層131、第二有機發光層132及第三有機發光層133的表面，也可覆蓋所述基板100的整個表面，即覆蓋所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123及各凸起之間的凹槽。同時，由於所述第一凸起121、第二凸起122及第三凸起123具有不同的高度，從而使得所述第二有機材料層140遠離基板100的表面具有不同的高度，而形成圖案化的表面。
在步驟S80中，所述第二電極150可通過沈積、蒸鍍、印刷等方式形成。所述第二電極150可為一具低功函數的透明薄層，其厚度通常為5×10-9米~30×10-9米，因其厚度很薄，所以具有相當的透過率，不影響有機發光二極體的發光效率。所述第二電極150也可採用多種金屬形成的堆疊結構，如鋰/鋁/銀(Li/Al/Ag)堆疊結構、鈣/鋁(Ca/Al)堆疊結構或鎂/銀(Mg/Ag)堆疊結構。所述第二電極150與所述第一電極112配合使用，以提供電壓及電流。進一步，所述第二電極150包括奈米碳管線或奈米碳管膜。本實施例中，所述第一電極112作為所述有機發光二極體10的陽極，而所述第二電極150作為所述有機發光二極體10的陰極。可以理解，當所述第二電極150的材料為金屬時，所述第二電極150可作為一反射層，使得所述有機發光二極體10發出的光從所述基板100的表面出射，形成一底面出射型有機發光二極體。進一步，也可在所述第二電極150的表面單獨設置一反射層以控制光的出射方向。
進一步，所述基板100可進一步包括一薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)陣列(圖未示)，所述薄膜電晶體陣列可設置於所述基板100的表面，並與所述第一電極112電連接，通過所述第一電極112與所述第一有機材料層120電連接以提供驅動電流，並控制有機發光二極體10的發光狀態，使得所述有機發光二極體10為一有源驅動有機發光二極體(AMOLED)。
進一步，在步驟S20之前，包括一在所述基板100表面形成一電洞注入層(圖未示)的步驟，以提高所述有機發光二極體10的發光效率。
進一步，在步驟S70之前，包括一在所述第二有機材料層140表面沈積一電子注入層(圖未示)的步驟，以提高所述有機發光二極體10的發光效率。
本發明提供的有機發光二極體的製備方法，通過奈米壓印的方式直接在所述第一有機材料層表面形成不同高度的凸起，從而無需更換掩模，避免了在更換掩模的過程中對第一有機材料層的破壞，從而提高了所述有機發光二極體的發光效果及壽命，降低了成本。另外，由於所述模板的解析度可以做的很高，因此製備的所述有機發光二極體的解析度可超過500ppi(Pixels per inch)。同時，所述有機發光二極體的製備方法適用於卷對卷制程(roll-to-roll process)，從而具有更高的製備效率。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧有機發光二極體
100‧‧‧基板
112‧‧‧第一電極
114‧‧‧擋牆
120‧‧‧第一有機材料層
130‧‧‧有機發光層
140‧‧‧第二有機材料層
150‧‧‧第二電極
200‧‧‧模板
201‧‧‧第一凹槽
202‧‧‧第二凹槽
203‧‧‧第三凹槽
205‧‧‧凸部
121‧‧‧第一凸起
122‧‧‧第二凸起
123‧‧‧第三凸起
131‧‧‧第一有機發光層
132‧‧‧第二有機發光層
133‧‧‧第三有機發光層
Claims (13)
- 一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述基板表面形成一第一有機材料層覆蓋所述複數第一電極；提供一具有奈米圖形的模板，所述奈米圖形包括複數深度不同的凹部；將模板具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層貼合，並擠壓所述模板及所述第一有機材料層；將所述模板與所述第一有機材料層進行脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，在所述第一有機材料層遠離基板的表面形成複數高度不同的凸起結構；在每個凸起結構遠離基板的表面形成一有機發光層；形成一第二有機材料層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
- 如請求項1所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述模板具有的奈米圖形包括至少一第一圖形單元，該第一圖形單元包括深度不同的一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽相互間隔排列。
- 如請求項2所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述模板包括複數第一圖形單元呈單行的一維陣列排布或呈具有多行多列的二維陣列排布。
- 如請求項3所述的有機發光二極體的製備方法，其中，位於同一行的所述第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽按照固定順序依次相互間隔交替排列。
- 如請求項2所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述第一凹槽的深度d1、第二凹槽的深度d2及第三凹槽的深度d3滿足d1>d2>d3。
- 如請求項5所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，在所述第一有機材料層遠離基板的表面形成一奈米圖形，所述奈米圖形包括複數第二圖形單元，每一第二圖形單元包括一第一凸起、一第二凸起、一第三凸起，分別對應所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽設置。
- 如請求項6所述的有機發光二極體的製備方法，其中，在所述第一凸起的頂面設置一第一有機發光層，在所述第二凸起的頂面設置一第二有機發光材料層，在所述第三凸起的頂面設置一第三有機發光層，所述第一有機發光層、第二有機發光層及第三有機發光層的材料不完全相同。
- 如請求項7所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述第一有機發光層為紅色發光層，所述第二有機發光層為綠色發光層，而所述第三有機發光層為藍色發光層。
- 如請求項7所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述第一有機發光層、第二有機發光層及第三有機發光層的厚度相同。
- 如請求項7所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述第二有機材料層覆蓋所述第一有機發光層、第二有機發光層及第三有機發光層。
- 如請求項1所述的有機發光二極體的製備方法，其中，所述第一電極通過將奈米碳管線或奈米碳管膜直接鋪設在所述基板表面形成。
- 一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述設置有複數第一電極的基板表面沈積一第一有機材料層；提供一具有奈米圖形的模板，所述奈米圖形包括複數按行列式排布的圖形單元，每一圖形單元包括相互間隔且不同深度的第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽；將模板具有奈米圖形的表面與所述第一有機材料層貼合，擠壓並脫模， 使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，形成複數不同高度的第一凸起、第二凸起、第三凸起；在所述第一凸起、第二凸起、第三凸起遠離基板的頂面分別沈積一有機發光層；在所述有機發光層上沈積一第二有機材料層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
- 一種有機發光二極體的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，所述基板表面具有複數第一電極；在所述設置有複數第一電極的基板表面沈積一第一有機材料層；提供一模板，所述模板包括複數圖形單元，每一圖像單元包括複數不同深度的凹槽；將模板與所述第一有機材料層貼合後脫模，使所述奈米圖形轉印到第一有機材料層，在第一有機材料層表面形成複數圖元單元，每一圖元單元包括不同高度的凸起結構；在所述凸起結構遠離基板的頂面分別沈積有機發光層；在所述有機發光層上沈積一第二有機材料層；及形成一第二電極與所述第二有機材料層電連接。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI623121B (zh) * | 2016-06-03 | 2018-05-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 有機發光二極體製備方法和製備裝置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104681743B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-02-15 | 清华大学 | 有机发光二极管的制备方法 |
| GB2526316B (en) * | 2014-05-20 | 2018-10-31 | Flexenable Ltd | Production of transistor arrays |
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| CN109863259A (zh) * | 2016-11-03 | 2019-06-07 | Tgo科技株式会社 | 母板、母板的制造方法、掩模的制造方法及oled像素蒸镀方法 |
| CN108447999B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点层图案化方法及显示装置的制作方法 |
| CN109273619B (zh) * | 2018-08-27 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法 |
| CN109301093B (zh) * | 2018-09-30 | 2024-06-07 | 华南理工大学 | 一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜的制备方法 |
| CN114864759B (zh) * | 2022-07-06 | 2022-09-20 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微发光二极管显示基板及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251525A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Kyoto Univ | 有機発光素子 |
| US20080111474A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Yeun-Joo Sung | Organic light emitting display and fabrication method of the same |
| CN1658718B (zh) * | 2004-02-19 | 2010-05-05 | 三星移动显示器株式会社 | 制备有机发光显示器的方法 |
| TW201129237A (en) * | 2009-11-10 | 2011-08-16 | Sumitomo Chemical Co | Method for producting organic electroluminescent device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004237545A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Komuratekku:Kk | 層形成用凸版 |
| JP2012174921A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 有機薄膜太陽電池の製造方法 |
| TW201324891A (zh) * | 2011-12-05 | 2013-06-16 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板之畫素結構 |
| US8940568B2 (en) * | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
-
2013
- 2013-11-29 CN CN201310619300.3A patent/CN104681742B/zh active Active
- 2013-12-13 TW TW102146255A patent/TWI511341B/zh active
-
2014
- 2014-08-26 US US14/468,348 patent/US9425436B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1658718B (zh) * | 2004-02-19 | 2010-05-05 | 三星移动显示器株式会社 | 制备有机发光显示器的方法 |
| JP2005251525A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Kyoto Univ | 有機発光素子 |
| US20080111474A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Yeun-Joo Sung | Organic light emitting display and fabrication method of the same |
| TW201129237A (en) * | 2009-11-10 | 2011-08-16 | Sumitomo Chemical Co | Method for producting organic electroluminescent device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI623121B (zh) * | 2016-06-03 | 2018-05-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 有機發光二極體製備方法和製備裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9425436B2 (en) | 2016-08-23 |
| CN104681742A (zh) | 2015-06-03 |
| TW201523950A (zh) | 2015-06-16 |
| CN104681742B (zh) | 2017-11-14 |
| US20150155493A1 (en) | 2015-06-04 |
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