TWI545822B - 有機發光二極體陣列的製備方法 - Google Patents

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Description

有機發光二極體陣列的製備方法
本發明涉及一種有機發光二極體(OLED)陣列及其製備方法。
有機發光二極體具有自發光的特性，因此，採用有機發光二極體的顯示屏無需背光源，能夠顯著節省電能。而且，採用有機發光二極體的顯示螢幕可視角度大，因此，有機發光二極體成為研究熱點。
先前技術通常將複數有機發光二極體製備在一基底上形成一陣列。其中，該有機發光二極體陣列的製備方法包括：在一基底上製備一薄膜電晶體(TFT)陣列；在該薄膜電晶體陣列上形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成複數第一電極；在該第一絕緣層上形成一第二絕緣層將每個第一電極的邊緣覆蓋，使每個第一電極的中間部份暴露；在每個第一電極暴露的部份表面形成一有機發光層；及在該有機發光層上形成一第二電極。
然，先前技術中形成有機發光層的方法通常為蒸鍍，其不僅需要掩模，而且需要高溫真空條件。因此，製備工藝複雜，成本較高。
有鑒於此，提供一種工藝簡單，成本低廉的有機發光二極體陣列 的製備方法實為必要。
一種有機發光二極體陣列的製備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成有序排列的複數凸部，每個凸部對應至少一子像素；至少在所述複數凸部的頂面形成複數第一電極，該複數第一電極相互間隔設置；在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層作為有機發光層；形成一圖案化的第二絕緣層，該圖案化的第二絕緣層至少位於相鄰的凸部之間，且使該有機發光層至少頂面暴露；及形成至少一第二電極與該有機發光層電連接。
一種有機發光二極體陣列的製備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成複數間隔設置的凸部；至少在複數凸部的頂面形成複數條形第一電極，該複數條形第一電極沿第一方向延伸且間隔設置的；在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層作為有機發光層；形成一圖案化的第二絕緣層，且該圖案化的第二絕緣層將位於相鄰的凸部之間，且使該有機發光層至少頂面暴露；及形成複數平行且間隔設置的條形第二電極，使所述有機發光層位於該複數第一電極與複數第二電極之間，該複數第二電極與該有機發光層電連接，所述第二電極的延伸方向與第一電極的延伸方向交叉設置，且在每個交叉處定義一子像素。
與先前技術相比較，本發明提供的有機發光二極體陣列的製備方法，通過轉印形成有機發光層，避免了蒸鍍所需要的掩模和高溫真空條件，因此，製備工藝簡單，成本低廉。
10,20,30,40,40A,50,50A,60,70,80,90‧‧‧有機發光二極體陣列
100‧‧‧基板
102‧‧‧基底
104‧‧‧薄膜電晶體
106‧‧‧第一絕緣層
107‧‧‧開孔
108‧‧‧凸部
109‧‧‧平滑頂面
110‧‧‧第一電極
112‧‧‧導電層
120‧‧‧有機發光層
122‧‧‧電洞注入層
1222‧‧‧電洞注入薄膜
124‧‧‧電洞傳輸層
1242‧‧‧電洞傳輸薄膜
125‧‧‧電激發光層
1252‧‧‧有機電激發光薄膜
126‧‧‧電子傳輸層
128‧‧‧電子注入層
130‧‧‧第二電極
140‧‧‧第二絕緣層
142‧‧‧第三絕緣層
150‧‧‧第一印模
1502‧‧‧表面
152‧‧‧第二印模
1522‧‧‧第一表面
1524‧‧‧第二表面
154‧‧‧第三印模
1542‧‧‧第三表面
1544‧‧‧第四表面
156‧‧‧第四印模
1562‧‧‧第五表面
1564‧‧‧第六表面
1566‧‧‧第七表面
158‧‧‧第五印模
1582‧‧‧第八表面
1584‧‧‧第九表面
1586‧‧‧第十表面
圖1為本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖2為本發明第一實施例的複數凸部成二維陣列排布的示意圖。
圖3為本發明第一實施例的複數條形凸部成一維陣列排布的示意圖。
圖4為本發明第一實施例製備第一電極的工藝流程圖。
圖5為本發明第一實施例製備有機發光層的工藝流程圖。
圖6為本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖7為有機發光二極體的有機發光層的結構示意圖。
圖8為本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖9為本發明第二實施例製備紅光有機發光層的工藝流程圖。
圖10為本發明第二實施例製備綠光有機發光層的工藝流程圖。
圖11-12為本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖13為本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖14為本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖15為本發明第四實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖16為本發明第四實施例製備的有機發光二極體陣列的第二電極 的結構示意圖。
圖17為本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖18為本發明第五實施例一次轉印製備不同厚度的電洞傳輸層的工藝流程圖。
圖19-20為本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖21為本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖22為本發明第六實施一次轉印形成電洞注入層和電洞傳輸層的工藝流程圖。
圖23-24為本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖25為本發明第七實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖26為本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖27為本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列的結構示意圖。
圖28為本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列的結構分解圖。
圖29為本發明第九實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法的工藝流程圖。
圖30為本發明第九實施例提供的有機發光二極體陣列的結構分解圖。
本發明提供一種有機發光二極體陣列，包括一具有複數凸部的基板及複數設置於該基板上的有機發光二極體，其中，每個有機發光二極體包括層疊設置的第一電極、有機發光層及第二電極。所述有機發光層包括層疊設置的電洞注入層(HIL，Hole Injection Layer)、電洞傳輸層(HTL，Hole Transport Layer)、電激發光層(EL，Electroluminescent Layer)、電子傳輸層(ETL，Electron Transport Layer)及電子注入層(EIL，Electron Injection Layer)，其中，除電激發光層以外，其他層均為可選擇結構。所述複數有機發光二極體可以共用電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。該有機發光二極體陣列可以為主動矩陣(active matrix)式有機發光二極體陣列或被動矩陣(passive matrix)式有機發光二極體陣列。
本發明還提供一種有機發光二極體陣列的製備方法，包括以下步驟：提供一基板，該基板具有複數凸部；在複數凸部的表面形成複數第一電極；在每個第一電極的表面轉印形成一有機發光層；形成一圖案化的絕緣層將該第一電極覆蓋，且使該有機發光層部份暴露；及形成一第二電極與該有機發光層電連接。所述轉印形成有機發光層指該有機發光層中的至少一層通過轉印法製備。優選地，該有機發光層中的電洞注入層、電洞傳輸層及電激發光層 採用轉印法製備，而電子傳輸層和電子注入層採用先前的方法，如熱沈積或塗敷等方法製備，以避免濕法製程改變電子注入層材料性質。可以理解，本發明實施例的有機發光二極體陣列的製備方法可以用於製備主動矩陣式有機發光二極體陣列或被動矩陣式有機發光二極體陣列。
本發明通過轉印形成有機發光二極體陣列的有機發光層的方法包括：提供一印模，並在該印模的一表面形成一待轉印材料，如電洞傳輸薄膜或有機電激發光薄膜；使位於凸部表面的元件，如第一電極，與該待轉印材料接觸；及使該凸部表面的元件與該印模分離，與凸部表面的元件接觸的部份待轉印材料與印模分離形成在凸部表面的元件表面。該方法中印模的表面為平面，待轉印材料為厚度均勻的薄膜。該方法一次在複數或每個元件位於凸部頂面的表面形成轉印材料。該方法無需對準，工藝簡單。
本發明通過轉印形成有機發光二極體陣列的有機發光層的方法包括：提供一印模，並在該印模的一表面形成一待轉印材料，如有機電激發光薄膜；僅使相鄰的三個元件，如第一電極或電洞傳輸層中的一個元件的表面與該待轉印材料接觸；使該一個元件與該印模分離，並在該一個元件的表面形成一轉印材料；及採用上述方法在所述相鄰的三個元件中的另二個元件的表面形成轉印材料。該方法中，在該印模的表面形成不同高度的第一表面和第二表面；在該印模的表面形成待轉印材料後，位於第一表面的待轉印材料高於位於第二表面的待轉印材料；使該一個元件的表面與位於第一表面的待轉印材料接觸，而另二個元件與該位於第二表面的待轉印材料間隔且懸空設置。該方法一次在部份元件的表面形 成轉印材料，多次重複可以在不同的元件的表面形成不同的轉印材料，如發不同顏色光的電激發光層，從而製備全彩有機發光二極體陣列。
本發明通過轉印形成有機發光二極體陣列的有機發光層的方法包括：提供一印模，並在該印模的表面形成一待轉印材料，如電洞傳輸薄膜或有機電激發光薄膜，且該待轉印材料對應相鄰的三個凸部具有不同的厚度；使該相鄰的三個凸部表面的元件，如第一電極或電洞注入層的表面與該待轉印材料接觸；及使該相鄰的三個凸部表面的元件與該印模分離，在該相鄰的三個凸部頂面的元件的表面形成不同厚度的轉印材料。該方法可以一次轉印形成不同同厚度的轉印材料。該方法中，所述印模具有不同高度且與該相鄰的三個凸部份別對應的三個表面；在該印模的表面形成待轉印材料後，該待轉印材料遠離印模的表面為一平面，從而使得該待轉印材料在三個表面的部份具有不同的厚度。
本發明通過轉印形成有機發光二極體陣列的有機發光層的方法包括：所述複數凸部具有不同高度，如對應同一像素單元的三個相鄰凸部具有不同高度；提供一印模，並在該印模的表面形成一待轉印材料，如電洞傳輸薄膜或有機電激發光薄膜，且該待轉印材料對應相鄰的三個不同高度的凸部具有不同的高度；使該相鄰的三個凸部表面的元件，如第一電極的表面與該待轉印材料接觸，且每個凸部表面的元件均與該待轉印材料接觸；及使該相鄰的三個凸部表面的元件與該印模分離，在該相鄰的三個凸部頂面的元件的表面形成相同厚度且不同高度的轉印材料。該方法中，所述印模具有不同高度且與該相鄰的三個凸部份別對應的三個表面； 在該印模的表面形成待轉印材料後，該待轉印材料厚度均勻，從而使得該待轉印材料在三個表面的部份具有不同的高度。
可以理解，本發明通過轉印形成有機發光二極體陣列的有機發光層的方法可以為上述方法中的一種或多種的組合。本發明中，所謂“厚度”指同一元件，如有機發光層，相對兩個表面之間的距離。而所謂“高度”指同一元件的一表面距離一基準面的距離。 例如，兩個有機發光層的高度相同指該兩個有機發光層遠離基板的表面平齊。
下面將結合附圖及具體實施例，進一步詳細說明本發明提供的有機發光二極體陣列及其製備方法。可以理解，本發明實施例的有機發光二極體陣列中的有機發光二極體的數目不限，而本發明實施例僅以三個有機發光二極體的陣列為例進行說明。該三個有機發光二極體可以分別形成一單色像素單元，也可以共同形成一全彩像素單元。為了便於理解本發明，本發明的實施例先介紹本發明提供的有機發光二極體陣列的製備方法。
請參閱圖1，本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10的製備方法具體包括以下步驟：步驟S10，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108；步驟S11，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接； 步驟S12，在每個第一電極110的表面形成一有機發光層120；步驟S13，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120部份暴露；及步驟S14，形成一第二電極130與該有機發光層120電連接。
在步驟S10中，所述基底102的材料和尺寸可以為先前的材料，如玻璃、陶瓷、氧化矽、氮化矽或聚合物等。所述薄膜電晶體104陣列包括複數薄膜電晶體104。該薄膜電晶體104為先前的薄膜電晶體結構，其可以採用矽、砷化鎵、或奈米碳管等半導體製作。 本實施例中，所述基底102為一矽襯底上的二氧化矽層，所述薄膜電晶體104陣列為採用半導體工藝製備於該矽襯底上的複數薄膜電晶體。
所述第一絕緣層106將所述薄膜電晶體104陣列完全覆蓋。所述第一絕緣層106的作用為：一方面提供一平滑的表面以便於製備有機發光二極體，另一方面使有機發光二極體與薄膜電晶體104陣列絕緣。所述第一絕緣層106的材料可以為有機或無機絕緣材料。所述第一絕緣層106的厚度可以為1微米~50微米，優選為1微米~15微米。所述第一絕緣層106可以通過沈積、轉印或旋塗等方法製備。
所述凸部108為一形成於該第一絕緣層106表面的凸起結構，且複數凸部108成如圖2所示的二維陣列排布。該凸部108的形狀不限，只要其具有一平滑頂面109即可。該凸部108可以為圓臺、長方體、立方體等。即該平滑頂面109可以為圓型、方形或矩形等。可以理解，該平滑頂面109可以為平面或曲面，如凹球面或凸球 面。當該平滑頂面109曲面時，使得有機發光二極體具有較大的面積，而且通過頂面109的曲率可以調節有機發光二極體陣列10光線射的出角度，從而改善面板光學。所述凸部108的尺寸不限，通常為幾十微米到幾百微米，可以根據該有機發光二極體陣列10的像素大小設計。所述凸部108可以通過印刷、光刻、蝕刻或壓印等方式製備。例如，當所述第一絕緣層106採用有機材料時，可以通過壓印製備；當所述第一絕緣層106採用無機材料時，可以通過蝕刻法製備。可以理解，該複數凸部108也可以為如圖3所示的複數平行條狀體，即成一維陣列排布。此時，同一列的複數凸部108連成一體。優選地，本實施例中，所述凸部108為複數二維陣列排布的長方體，且每個凸部108對應一薄膜電晶體104設置，且同行或同列的凸部108平行設置。
在步驟S11中，所述複數第一電極110彼此間隔且電絕緣。所述第一電極110為一導電層，其材料可以為導電氧化物，如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)或氧化鋅(ZnO)等，也可以為金屬，如金、鋁、銀、鎂或其合金等。所述第一電極110至少設置於對應凸部108的平滑頂面109。優選地，本實施例中，所述第一電極110將對應凸部108的平滑頂面109及側面全部覆蓋。所述第一電極110可以通過掩模沈積的方式直接形成於對應的凸部108表面，也可以先在所述第一絕緣層106上沈積一導電層將該複數凸部108覆蓋，再通過蝕刻進行圖案化，從而對應每個薄膜電晶體104形成第一電極110。每個第一電極110至少部份位於對應的凸部108的頂面，使每個第一電極110形成一凸出的表面，以便後續轉印有機發光層120。
進一步參見圖4，本實施例在每個凸部108的表面形成一第一電極110的方法具體包括以下步驟：步驟S110，從所述第一絕緣層106一側蝕刻所述基板100使每個薄膜電晶體104部份暴露；步驟S111，在所述第一絕緣層106上沈積一導電層112，該導電層112將該複數凸部108覆蓋，且與每個薄膜電晶體104電連接；步驟S112，圖案化該導電層112形成複數間隔設置的第一電極110，每個第一電極110對應一薄膜電晶體104設置，且與對應的薄膜電晶體104電連接；及步驟S113，在上述複數第一電極110之間形成一圖案化的第三絕緣層142，該第三絕緣層142使相鄰的第一電極110絕緣，並使位於平滑頂面109的第一電極110暴露。
所述步驟S110中，蝕刻的方法不限，可以根據第一絕緣層106的材料及製備薄膜電晶體104陣列的襯底材料選擇。通過蝕刻在所述基板100上形成複數開孔107與薄膜電晶體104陣列對應，從而使每個薄膜電晶體104部份暴露。
所述步驟S111中，沈積導電層112的方法不限，可以為鍍膜、濺射、化學氣相沈積或熱沈積等。由於導電層112沈積的過程中會進入開孔107中，從而使該導電層112與每個薄膜電晶體104電連接。具體地，本實施例中，沈積導電層112的方法包括：先沈積一第一銦錫氧化物層；然後在該銦錫氧化物層表面沈積一銀層；最後再在該銀層表面沈積一第二銦錫氧化物層，從而形成一ITO/Ag/ITO複合導電層112。可以理解，當第一電極110採用中間 為金屬的三明治結構時，如ITO/Ag/ITO複合結構，可以防止第一電極110中的金屬被氧化。
所述步驟S112中，通過掩模蝕刻的方法圖案化該導電層112。可以理解，通過圖案化該導電層112形成的複數間隔設置的第一電極110的具體圖案可以根據需要設計。
所述步驟S113中，所述第三絕緣層142可以通過掩模沈積的方式直接形成於複數第一電極110之間，也可以先形成一連續的絕緣層將該複數第一電極110覆蓋，再通過掩模蝕刻使位於平滑頂面109的第一電極110暴露。可以理解，當第一電極110採用中間為金屬的三明治結構時，如ITO/Ag/ITO複合結構，該第三絕緣層142可以將第一電極110的邊緣覆蓋，從而防止第一電極110中的金屬被氧化。而且，該第三絕緣層142可以防止後續工藝中造成第一電極110斷線或彼此電連接。所述步驟S113為可選步驟。
在步驟S12中，通過轉印方式在每個第一電極110的表面形成有機發光層120。本發明圖5以所述有機發光層120僅包括單層電激發光層125為例進行說明有機發光層120的製備方法。
進一步參見圖5，本實施例在每個第一電極110的表面形成有機發光層120的方法具體包括以下步驟：步驟S120，提供一第一印模150，並在該第一印模150的一表面1502形成一有機電激發光薄膜1252；步驟S121，使第一電極110的表面與該有機電激發光薄膜1252接觸；及步驟S122，使第一電極110與該第一印模150分離，在每個第一電 極110的表面形成一電激發光層125作為有機發光層120。
在步驟S120中，所述第一印模150的材料、尺寸和形狀可以根據需要選擇或設計。所述有機電激發光薄膜1252的材料可以為任何可以配置成溶液的有機電激發光高分子或有機電激發光低分子材料，如PF(polyfluorene)。所述有機電激發光薄膜1252的厚度可以根據需要選擇，通常為幾十奈米到幾百奈米，如50奈米~300奈米。該有機電激發光薄膜1252可以通過噴塗、旋塗或浸漬等方法製備。本實施例中，所述第一印模150為一具有低表面自由能的平面型聚二甲基矽氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)基底，且該有機電激發光薄膜1252旋塗於第一印模150的整個平面上。
進一步，所述在該第一印模150的表面1502形成有機電激發光薄膜1252之前，可以先在該第一印模150的表面1502形成一潤濕層，以利於後續有機電激發光薄膜1252的製備和轉印。該潤濕層可以為塗敷於第一印模150的表面1502的高揮發性溶劑，如甲苯(toluene)，或對第一印模150的表面1502進行處理而形成的高反應功能團(highly reactive functional groups)，如對PDMS第一印模150的表面1502進行氧氣等離子處理產生的羧基(-COOH)或羥基(-OH)。
在步驟S121中，所述第一電極110的表面與該有機電激發光薄膜1252接觸的過程中，可以施加一壓力使第一電極110與有機電激發光薄膜1252的結合力更牢固。
可以理解，由於第一電極110設置於複數凸部108上，而有機電激發光薄膜1252旋塗於第一印模150的整個平面上，因此，所述該 轉印的過程無需精確對準，工藝簡單。
在步驟S122中，使第一電極110與該第一印模150分離之前或分離的過程中，可以對第一印模150進行熱處理，使第一電極110與該第一印模150之間具有不同溫度，從而改變有機電激發光薄膜1252與第一印模150之間的結合力，以便達到更好的轉引效果。
可以理解，由於每個第一電極110上轉印的電激發光層125材料相同，本實施例製備的有機發光二極體陣列10為單色有機發光二極體陣列，即該有機發光二極體陣列10僅可以發白色光或單色彩光。所述有機發光層120的材料可以為單層發紅光、綠光、藍光或白光等任何顏色光的有機電激發光材料，也可以為複數層發不同顏色光的有機電激發光材料。可以理解，當所述有機發光層120為複數層結構時，可以多次重複圖5的轉印製備。
可以理解，所述在每個第一電極110的表面轉印形成電激發光層125之前還可以在每個第一電極110的表面製備電洞注入層122和電洞傳輸層124。所述在每個第一電極110的表面轉印形成電激發光層125之後還可以在每個電激發光層125表面製備電子傳輸層126和電子注入層128。所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126及電子注入層128可以通過圖5的轉印方法製備，也可以通過先前的熱沈積等方法製備。所述適合轉印的電洞注入層122的材料可以為PEDOT：PSS，所述適合轉印的電洞傳輸層124的材料可以為聚苯胺(PAN,polyaniline)。其中，PEDOT：PSS為一種高分子聚合物的水溶液，由PEDOT和PSS兩種物質構成，PEDOT為EDOT(3，4-乙撐二氧噻吩單體)的聚合物，PSS為聚苯乙烯磺酸鹽。
可以理解，當採用先前的熱沈積或塗敷等方法製備所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126和電子注入層128時，所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126和電子注入層128可以為一連續的整體結構，即整個有機發光二極體陣列20共用電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126和電子注入層128。當採用圖5的轉印方法製備，所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126和電子注入層128為不連續的結構，且每個有機發光層120具有一電洞注入層122、一電洞傳輸層124、一電子傳輸層126和一電子注入層128。
在步驟S13中，所述圖案化的第二絕緣層140可以通過掩模沈積的方式直接形成於第一電極110表面，也可以先沈積一絕緣層將所述第一電極110和有機發光層120全部覆蓋，然後通過蝕刻或光刻等方式使該有機發光層120暴露。所述第二絕緣層140的材料與所述第一絕緣層106的材料可以相同或不同。所述第二絕緣層140使相鄰第一電極110電絕緣，同時可以避免後續製備的第二電極130與第一電極110短路。由於凸部108的平滑頂面上的第一電極110被有機發光層120覆蓋，所述第二絕緣層140至少將相鄰凸部108之間和凸部108側面的第一電極110全部覆蓋即可。優選地，所述第二絕緣層140遠離薄膜電晶體104陣列的表面與所述有機發光層120遠離薄膜電晶體104陣列的表面平齊，以便於製備第二電極130。
在步驟S14中，所述第二電極130為一導電層，其材料可以為導電氧化物，如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅鋁氧化物或氧化鋅等，也可以為金屬，如金、鋁、銀、鎂或其合金等。所述第二電極 130可以為一連續的導電層，即整個有機發光二極體陣列10共用一第二電極130，也可以為不連續的導電層，即對應每個有機發光層120設置一第二電極130，或每行有機發光層120設置一第二電極130。所述第二電極130可以通過濺射、熱沈積、轉印或塗敷等方式製備於整個第二絕緣層140與有機發光層120的表面，或通過絲網印刷或掩模沈積的方式直接形成於對應的有機發光層120的表面。本實施例中，所述第二電極130為一厚度100微米的連續ITO層。
可以理解，在步驟S14後，進一步還可以包括一在第二電極130表面形成一絕緣保護層對該有機發光二極體陣列10進行封裝的步驟。
請參閱圖6，本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一第二電極130。
所述基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108。所述複數第一電極110與該薄膜電晶體104一一對應設置且電連接。所述第一電極110設置於凸部108的頂面和側面，且部份第一電極110延伸至相鄰凸部108之間的第一絕緣層106表面。所述複數有機發光層120設置於複數第一電極110表面且與該複數第一電極110一一對應設置。所述圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120暴露。所述第二電極130將所述圖案化的第二絕緣層140及複數有機發光層 120覆蓋，並且與複數有機發光層120電連接。
進一步參見圖7，所述有機發光層120可以包括層疊設置的電洞注入層122、電洞傳輸層124、電激發光層125、電子傳輸層126及電子注入層128。所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電激發光層125、電子傳輸層126及電子注入層128可以按照該順序沿著從第一電極110向第二電極130的方向堆疊設置，也可以沿著從第二電極130向第一電極110的方向堆疊設置。所述電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126及電子注入層128中的每一層可以分別對應第一電極110間隔設置、也可以為連續的一整層，即整個有機發光二極體陣列10可以共用電洞注入層122、電洞傳輸層124、電子傳輸層126及電子注入層128。
可以理解，本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10為白色或單彩有機發光二極體陣列，結下來將介紹本發明提供的可以實現全彩的有機發光二極體陣列。本發明僅給出一個像素單元進行說明，每個像素單元包括一個紅光有機發光二極體、一個綠光有機發光二極體和一個藍光有機發光二極體作為三個子像素。
請參閱圖8，本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20的製備方法具體包括以下步驟：步驟S20，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108；步驟S21，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個 第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S22，在每個第一電極110的表面形成一有機發光層120，且相鄰的三個第一電極110上分別轉印發不同顏色光的有機發光層120；步驟S23，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120暴露；及步驟S24，形成一第二電極130與該有機發光層120電連接。
本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20的製備方法與本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10的製備方法基本相同，其區別在於，本發明第二實施例的步驟S22中，在相鄰的三個第一電極110上分別轉印發不同顏色光的有機發光層120。所謂發不同顏色光的有機發光層120指該有機發光層120中的電激發光層125的材料不同，可以發不同顏色的光。具體地，本實施例中，在相鄰的三個第一電極110上分別轉印紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120，從而實現有機發光二極體陣列20的全彩顯示。
可以理解，每個像素單元的紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120可以具有不同的厚度，從而實現紅光、綠光和藍光的均勻混合。所謂不同厚度可以為三個有機發光層120的厚度均不同，或只有其中兩個有機發光層120的的厚度不同。由於紅光、綠光和藍光對有機發光層、電極層及封裝層的穿透率不同，因此通過調節紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120的厚度，可以達到紅光、綠光和藍光的均 勻混合。
以下介紹本實施例在相鄰的三個第一電極110上分別轉印發不同顏色光的有機發光層120的方法。本發明第二實施例以所述有機發光層120僅包括單層電激發光層125為例進行說明有機發光層120的製備方法。為了便於說明，此處定義與紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120對應的三個第一電極110分別為第一第一電極110、第二第一電極110及第三第一電極110。
進一步參見圖9-10，本實施例步驟S22中在相鄰的三個第一電極110上分別轉印發不同顏色光的有機發光層120的方法具體包括以下步驟：步驟S220，提供一第二印模152，並在該第二印模152的表面形成一紅光有機電激發光薄膜1252；步驟S221，僅使第一第一電極110的表面與該紅光有機電激發光薄膜1252接觸；步驟S222，使第一第一電極110與該第二印模152分離，在第一第一電極110的表面形成一紅光電激發光層作為紅光有機發光層120；步驟S223，提供一第三印模154，並在該第三印模154的表面形成一綠光有機電激發光薄膜1252；步驟S224，僅使第二第一電極110的表面與該綠光有機電激發光薄膜1252接觸； 步驟S225，使第二第一電極110與該第三印模154分離，在第二第一電極110的表面形成一綠光電激發光層125作為綠光有機發光層120；及步驟S226，採用上述方法在第三第一電極110的表面形成一藍光電激發光層125作為藍光有機發光層120。
所述步驟S221中，只要該第二第一電極110和第三第一電極110不與該紅光有機電激發光薄膜1252接觸即可。實現步驟S221的方法可以為：僅在第二印模152與第一第一電極110對應的表面形成紅光有機電激發光薄膜1252、將與第二第一電極110和第三第一電極110對應的紅光有機電激發光薄膜1252覆蓋、或在第二印模152的表面形成具有不同高度的紅光有機電激發光薄膜1252。本實施例中，所述第二印模152具有不同高度的第一表面1522和第二表面1524，在該第二印模152的表面形成厚度均勻的紅光有機電激發光薄膜1252後，位於第一表面1522的紅光有機電激發光薄膜1252高於位於第二表面1524的紅光有機電激發光薄膜1252。因此，當第一第一電極110的表面與位於第一表面1522的紅光有機電激發光薄膜1252接觸時，該第二第一電極110和第三第一電極110與該位於第二表面1524的紅光有機電激發光薄膜1252間隔且懸空設置。
所述步驟S224中，只要該紅光有機發光層120和第三第一電極110不與該綠光有機電激發光薄膜1252接觸即可。本實施例中，所述第三印模154具有不同高度的第三表面1542和第四表面1544，在該第三印模154的表面形成厚度均勻的綠光有機電激發光薄膜1252後，位於第三表面1542的綠光有機電激發光薄膜1252高於位 於第四表面1544的綠光有機電激發光薄膜1252。因此，當第二第一電極110的表面與位於第三表面1542的綠光有機電激發光薄膜1252接觸時，該紅光有機發光層120和第三第一電極110與該位於第二表面1524的綠光有機電激發光薄膜1252間隔且懸空設置。可以理解，所述的第三表面1542和第四表面1544的高度差需要大於第一表面1522和第二表面1524的高度差。
請參閱圖11，本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一第二電極130。
本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20與本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10基本相同，其區別在於，在相鄰的三個第一電極110上分別轉印紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120，使每三個相鄰的有機發光層120組成一個像素單元，從而實現有機發光二極體陣列20的全彩顯示。
可以理解，每個像素單元的紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120可以具有不同的厚度。由於第一電極110的表面具有相同的高度，則每個像素單元的紅光有機發光層120、綠光有機發光層120及藍光有機發光層120遠離第一電極110的表面具有不同的高度。所述第二絕緣層140遠離第一電極110的表面可以與每個像素單元的任何一個有機發光層120遠離第一電極110的表面平齊。本實施例中，所述第二絕緣層140遠離第一電極110的表面與每個像素單元中最低的有機發光層120遠離第一電極110的表面平齊，而其他兩個有機發光層120則延伸出所述第二 絕緣層140進入所述第二電極130中。
進一步，請參閱圖12，所述有機發光二極體陣列20A的有機發光層120可以包括層疊設置的電洞注入層122、電洞傳輸層124、電激發光層125、電子傳輸層126及電子注入層128。所述電洞注入層122和電洞傳輸層124設置於該第一電極110與電激發光層125之間，且具有相同的厚度和高度。所述電激發光層125具有不同厚度和高度。所述電子傳輸層126和電子注入層128設置於該電激發光層125與第二電極130之間，且具有相同的厚度和不同的高度。 所述第二絕緣層140遠離第一電極110的表面與每個像素單元中最高的電子注入層128遠離第一電極110的表面平齊。所述第二電極130部份延伸進入所述第二絕緣層140內部與其他兩個較低的電子注入層128接觸並電連接。
可以理解，製備圖11所示的有機發光層120時，可以先採用圖5所示的方法或先前的熱沈積等方法製備所述電洞注入層122和電洞傳輸層124；然後再採用圖9-10所示的方法製備所述電激發光層125；最後，通過圖9-10所示的方法或先前的熱沈積等方法製備電子傳輸層126和電子注入層128。
請參閱圖13，本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列30的製備方法具體包括以下步驟：步驟S30，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108； 步驟S31，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S32，形成一圖案化的第二絕緣層140將相鄰凸部108之間的第一電極110覆蓋，且使每個第一電極110至少位於凸部108頂面的部份從該第二絕緣層140暴露並突出；步驟S33，在相鄰的三個第一電極110暴露並突出的表面分別轉印形成發不同顏色光的有機發光層120；及步驟S34，形成一第二電極130與該有機發光層120電連接。
本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列30的製備方法與本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20的製備方法基本相同，其區別在於，本實施例先製備圖案化的第二絕緣層140，後製備有機發光層120，且同一像素單元的發不同顏色光的有機發光層120的厚度相同。
所述步驟S32中，使每個第一電極110至少位於凸部108頂面的部份從該第二絕緣層140暴露並突出係為了後續步驟轉印有機發光層120的需要。可以理解，先製備該第二絕緣層140可以避免製備第二絕緣層140過程中採用的光刻工藝對有機發光層120造成破壞和污染。然，如果該第二絕緣層140為通過掩模沈積，則不會有該問題。
所述步驟S33中，可以採用圖9-10所示的方法分別轉印形成發不同顏色光的有機發光層120。
所述步驟S34中，形成第二電極130與該有機發光層120電連接的方法為先在一具有自支撐特性的支撐板1302的一表面形成一導電 層1304，然後將該導電層1304蓋在有機發光層120上與有機發光層120接觸。可以理解，由於本實施例的第一電極110靠近有機發光層120的側面部份暴露，如果直接沈積第二電極130，會導致第二電極130與第一電極110接觸並短路，因此先將導電層1304製備於具有自支撐特性的支撐板1302的表面，可以使得第二電極130位於相鄰凸部108之間部份懸空設置，從而避免短路。所述支撐板1302可以為玻璃或樹脂等。
請參閱圖14，本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列30包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一第二電極130。
本發明第三實施例提供的有機發光二極體陣列30與本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20基本相同，其區別在於，所述第二絕緣層140遠離基板100的表面低於位於凸部108頂面的第一電極110的表面。所述第二電極130包括一支撐板1302及設置於該支撐板1302表面的導電層1304。所述導電層1304與有機發光層120接觸。所述導電層1304為一連續的導電膜，如ITO導電膜。
請參閱圖15，本發明第四實施例提供的有機發光二極體陣列40的製備方法具體包括以下步驟：步驟S40，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108；步驟S41，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個 第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S42，在每個第一電極110的表面形成一有機發光層120，且相鄰的三個第一電極110上分別轉印發不同顏色光的有機發光層120；步驟S43，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120暴露；及步驟S44，形成一第二電極130與該有機發光層120電連接。
本發明第四實施例提供的有機發光二極體陣列40的製備方法與本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20的製備方法基本相同，其區別在於，本實施例的複數凸部108為如圖3所示的複數條形凸部108，每個條形凸部108對應一列薄膜電晶體104設置。
所述步驟S41中，在每個條形凸部108的表面形成複數間隔設置的第一電極110。所述步驟S42中，對應每個條形凸部108轉印一條形有機發光層120，且每個有機發光層120設置於對應條形凸部108的整個表面並將對應條形凸部108表面的複數第一電極110全部覆蓋。所述步驟S44中，所述第二電極130為如圖16所示的梳狀結構。該第二電極130包括複數平行間隔的條狀導電體，且每個條狀導電體對應設置於一條形有機發光層120表面。該複數條狀導電體彼此電連接。可以理解，本實施例的有機發光二極體陣列40中，對應同一個條形凸部108的複數有機發光二極體具有發相同顏色光的有機發光層120，且公用一連續的有機發光層120。
請參閱圖17，本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50的製備方法具體包括以下步驟： 步驟S50，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108；步驟S51，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S52，在每個第一電極110的表面形成一電洞注入層122；步驟S53，在每個電洞注入層122的表面轉印一電洞傳輸層124，且該電洞傳輸層124具有不同的厚度；步驟S54，在相鄰的三個不同厚度的電洞傳輸層124上分別形成發不同顏色光的電激發光層125；步驟S55，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該電激發光層125暴露；及步驟S56，形成一第二電極130與該電激發光層125電連接。
本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50的製備方法與本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20的製備方法基本相同，其區別在於，在形成發不同顏色光的電激發光層125之前，先對應不同的子像素形成不同厚度的電洞傳輸層124。所謂不同厚度的電洞傳輸層124可以為三個電洞傳輸層124厚度均不相同或只有其中兩個相同。
本發明第五實施例以所述有機發光層120僅包括電洞注入層122、電洞傳輸層124及電激發光層125為例進行說明有機發光層120的 製備方法。其中，所述電洞注入層122可以通過圖5的方法製備，也可以通過熱沈積等先前的方法製備。所述電激發光層125可以通過圖9-10的方法製備，也可以通過熱沈積等先前的方法製備。
進一步參見圖18，本實施例步驟S53中一次轉印形成不同厚度的電洞傳輸層124，具體包括以下步驟：步驟S530，提供一第四印模156，並在該第四印模156的表面形成一電洞傳輸薄膜1242，且該電洞傳輸薄膜1242對應該複數電洞注入層122具有不同的厚度；步驟S531，使該複數電洞注入層122的表面與該電洞傳輸薄膜1242接觸；及步驟S532，使該複數電洞注入層122與該第四印模156分離，在複數電洞注入層122的表面形成不同厚度的電洞傳輸層124。
所述步驟S530中，所述第四印模156具有不同高度且與該複數電洞注入層122分別對應的第五表面1562、第六表面1564和第七表面1566。本實施例中，所述第五表面1562高於所述第六表面1564，且所述第六表面1564高於所述第七表面1566。在該第四印模156的表面形成電洞傳輸薄膜1242後，該電洞傳輸薄膜1242遠離第四印模156的表面為一平面，從而使得該電洞傳輸薄膜1242在第五表面1562、第六表面1564和第七表面1566的部份具有不同的厚度。
可以理解，圖18的方法也可以用於製備電洞注入層122、電激發光層125、電子傳輸層126及電子注入層128。
請參閱圖19，本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50包 括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一第二電極130。
本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50與本發明第二實施例提供的有機發光二極體陣列20基本相同，其區別在於，所述有機發光層120包括一層疊設置的電洞注入層122、電洞傳輸層124及電激發光層125，相鄰子像素的電洞注入層122和電激發光層125厚度相同，而相鄰子像素的電洞傳輸層124具有不同厚度。
可以理解，由於電洞傳輸層124具有不同厚度，因此，電洞傳輸層124遠離第一電極110的表面具有不同的高度。所述電激發光層125具有相同的厚度且設置於電洞傳輸層124表面，因此，所述電激發光層125遠離第一電極110的表面具有不同的高度。該結構有利於有機發光二極體陣列30出射的紅光、綠光和藍光均勻混合。
進一步，請參閱圖20，所述有機發光二極體陣列50A的電洞注入層122可以為一連續的整體結構，即整個有機發光二極體陣列30共用一個電洞注入層122。該連續的電洞注入層122可以通過先前的熱沈積或塗敷等方法製備。可以理解，所述有機發光二極體陣列30的有機發光層120還可以包括設置於電激發光層125表面的電子傳輸層126和電子注入層128。
請參閱圖21，本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列60的製備方法具體包括以下步驟：步驟S60，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該 薄膜電晶體104陣列的表面具有複數不同高度的凸部108；步驟S61，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S62，在每個第一電極110的表面形成一電洞注入層122和一電洞傳輸層124；步驟S63，在每個電洞傳輸層124的表面形成發不同顏色光的電激發光層125；步驟S64，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該電激發光層125暴露；及步驟S65，形成一第二電極130與該電激發光層125電連接。
本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列60的製備方法與本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50的製備方法基本相同，其區別在於，該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數不同高度的凸部108，且所述不同子像素的電洞注入層122的厚度相同，所述不同子像素的電洞傳輸層124的厚度也相同。
所述電洞注入層122和電洞傳輸層124可以通過熱沈積等先前的方法製備，也可以通過轉印形成於第一電極110表面。
進一步參見圖22，本實施例步驟S62中，在不同高度的第一電極110表面一次轉印形成所述電洞注入層122和電洞傳輸層124的方法具體包括以下步驟：步驟S620，提供一第五印模158，在該第五印模158的表面形成一 電洞傳輸薄膜1242；步驟S621，在該電洞傳輸薄膜1242表面形成一電洞注入薄膜1222，且該電洞注入薄膜1222對應該複數第一電極110具有不同的高度；步驟S622，使複數第一電極110的表面與該電洞注入薄膜1222接觸；及步驟S623，使第一電極110與該第五印模158分離，在每個第一電極110的表面形成一層疊設置的電洞注入層122和電洞傳輸層124。
所述步驟S620中，所述第五印模158具有不同高度的第八表面1582、第九表面1584和第十表面1586。可以理解，所述第八表面1582、第九表面1584和第十表面1586的高度差需要根據複數凸部108的高度差設置，且凸部108的高度越大，對應的第五印模158的表面越低，從而使得複數凸部108表面的第一電極110高近第五印模158的過程中，每個第一電極110的表面均可以與該電洞注入薄膜1222接觸。
可以理解，所述電洞傳輸薄膜1242和電洞注入薄膜1222均為厚度均勻的薄膜，從而使得位於所述第八表面1582、第九表面1584和第十表面1586的電洞注入薄膜1222具有不同高度。優選地，所述電洞傳輸薄膜1242和電洞注入薄膜1222選擇結合力較強的材料，以便將電洞注入層122和電洞傳輸層124同時從第五印模158轉印至第一電極110的表面。所述電洞傳輸薄膜1242和第五印模158之間可以形成一潤濕層，而所述電洞傳輸薄膜1242和電洞注入薄膜 1222之間無需潤濕層。優選地，製備電洞注入薄膜1222之前先將該電洞傳輸薄膜1242烘乾，以便製備電洞注入薄膜1222時不會破壞該電洞傳輸薄膜1242。而該電洞注入薄膜1222採用濕膜工藝，且在製備電洞注入薄膜1222時將該烘乾的電洞傳輸薄膜1242潤濕。
可以理解，該電洞注入層122和電洞傳輸層124也可以採用圖22的方法分兩次轉印。圖22的方法也可以用於製備電激發光層125、電子傳輸層126及電子注入層128。
請參閱圖23，本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列60包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一第二電極130。
本發明第六實施例提供的有機發光二極體陣列60與本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50基本相同，其區別在於，不同凸部108具有不同厚度，而所述有機發光層120中的電洞注入層122、電洞傳輸層124及電激發光層125具有相同厚度。
進一步，請參閱圖24，所述有機發光二極體陣列60A還可以包括設置於電激發光層125表面的電子傳輸層126和電子注入層128，且該電子傳輸層126和電子注入層128為一連續的整體結構，即整個有機發光二極體陣列30共用一個電子傳輸層126和電子注入層128。該連續的電子傳輸層126和電子注入層128可以通過先前的熱沈積或塗敷等方法製備。
請參閱圖25，本發明第七實施例提供的有機發光二極體陣列70的製備方法具體包括以下步驟： 步驟S70，提供一基板100，該基板100包括一基底102，一薄膜電晶體104陣列設置於該基底102的一表面，及一第一絕緣層106設置於該薄膜電晶體104陣列的一表面，且該第一絕緣層106遠離該薄膜電晶體104陣列的表面具有複數凸部108；步驟S71，在複數凸部108的表面形成複數第一電極110，且每個第一電極110與一薄膜電晶體104對應設置且電連接；步驟S72，在每個第一電極110的表面轉印一第一電激發光層125，且該第一電激發光層125具有不同的厚度；步驟S73，在每個象素單元中厚度較小的第一電激發光層125上分別形成第二和第三電激發光層125，且該三個電激發光層125分別為藍光、紅光和綠光電激發光層125；步驟S74，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該電激發光層125暴露；及步驟S75，形成一第二電極130與該電激發光層125電連接。
本發明第七實施例提供的有機發光二極體陣列70的製備方法與本發明第五實施例提供的有機發光二極體陣列50的製備方法基本相同，其區別在於，本發明第七實施例直接採用圖14的方法在複數第一電極110的表面轉印形成不同厚度的第一電激發光層125，然後再在厚度較小的第一電激發光層125上分別形成發不同顏色光的第二和第三電激發光層125。可以理解，在厚度較小的第一電激發光層125上分別形成第二和第三電激發光層125可以通過先前技術的方法，也可以採用圖9-10的方法。該第二和第三電激發光層125的高度可以與厚度最大的第一電激發光層125的高度相同。 可以理解，本實施例的有機發光二極體陣列50中，第一電激發光層125可以同時起到電洞注入和電洞傳輸的作用。
可以理解，本發明第一至第七實施例製備的有機發光二極體陣列均為主動矩陣式有機發光二極體陣列。本發明第一至第七實施例的方法均可以用於製備被動矩陣式有機發光二極體陣列。只要採用如下第八或九實施例的基板100和凸部108結構及第一電極110和第二電極130的結構即可。以下，本發明第八和九實施例將介紹如何採用前面實施例的方法製備被動矩陣式有機發光二極體陣列80，90及該被動矩陣式有機發光二極體陣列80，90的具體結構。
請參閱圖26，本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列80的製備方法具體包括以下步驟：步驟S80，提供一基板100，該基板100包括複數平行且間隔設置的凸部108；步驟S81，在複數凸部108的表面形成複數平行且間隔設置的第一電極110，且每個第一電極110設置於一個凸部108的表面；步驟S82，在每個第一電極110的表面形成一有機發光層120；步驟S83，形成一圖案化的第二絕緣層140將該第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120部份暴露；及步驟S84，形成複數平行且間隔設置的第二電極130與該有機發光層120電連接，且該第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向交叉設置。
本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列80的製備方法與本發明第一實施例提供的有機發光二極體陣列10的製備方法基本相同，其區別在於，本發明第八實施例的有機發光二極體陣列80為一被動矩陣式有機發光二極體陣列，即第一電極110和第二電極130的設置方式不同。所述基板100可以為一玻璃基板、陶瓷基板、氧化矽基板或聚合物基板等絕緣基板。所述基板100的表面直接形成複數如圖3所示的平行且間隔設置的條形凸部108。所述複數第二電極130平行且間隔設置。
請參閱圖27-28，本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列80包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140，及一複數第二電極130。
所述基板100的表面具有複數平行且間隔設置的條形凸部108。所述複數第一電極110平行間隔設置，且與該複數凸部108一一對應設置。所述第一電極110設置於凸部108的頂面和側面，且部份第一電極110延伸至相鄰凸部108之間的基板100表面。所述複數有機發光層120平行間隔設置於複數第一電極110表面且與該複數第一電極110一一對應設置。所述圖案化的第二絕緣層140將位於相鄰凸部108之間的第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120暴露。所述複數第二電極130平行且間隔設置，且所述第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向交叉設置。優選地，所述第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向垂直。
可以理解，該交叉設置的第二電極130和第一電極110在交叉處定義複數子像素單元。該有機發光二極體陣列60工作時通過第二電極130和第一電極110形成尋址電路，以控制每個子像素單元工作 。
請參閱圖29，本發明第九實施例提供的有機發光二極體陣列90的製備方法具體包括以下步驟：步驟S90，提供一基板100，該基板100包括複數平行且間隔設置的凸部108；步驟S91，在複數凸部108的表面形成複數平行且間隔設置的第一電極110，且每個第一電極110對應設置於同一行凸部108的表面及相鄰凸部108之間的基板100表面；步驟S92，對應每個凸部108一有機發光層120，且每個有機發光層120形成於對應凸部108頂面的第一電極110表面；步驟S93，形成一圖案化的第二絕緣層140將位於相鄰凸部108之間的第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120部份暴露；及步驟S94，形成複數平行且間隔設置的第二電極130與該有機發光層120電連接，且該第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向交叉設置。
本發明第九實施例提供的有機發光二極體陣列90的製備方法與本發明第八實施例提供的有機發光二極體陣列80的製備方法基本相同，其區別在於，本發明第九實施例中的，所述基板100的表面形成複數如圖2所示的呈二維陣列排列的凸部108，每個第一電極110對應一行凸部108設置，且每個有機發光層120對應一個凸部108設置。
進一步參閱圖30，本發明第九實施例提供的有機發光二極體陣列 90包括：一基板100，複數第一電極110，複數有機發光層120，一第二絕緣層140(圖30未示)，及一複數第二電極130。
所述基板100的表面具有複數呈二維陣列排列的凸部108。所述複數第一電極110平行間隔設置，且每個第一電極110對應設置於同一行凸部108的表面及相鄰凸部108之間的基板100表面。所述複數有機發光層120與該複數凸部108一一對應設置，且設置於對應凸部108頂面的第一電極110表面。所述圖案化的第二絕緣層140將位於相鄰凸部108之間的第一電極110覆蓋，且使該有機發光層120暴露。所述複數第二電極130平行且間隔設置，且所述第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向交叉設置。優選地，所述第二電極130的延伸方向與第一電極110的延伸方向垂直。
可以理解，該交叉設置的第二電極130和第一電極110在交叉處定義複數子像素單元。每個有機發光層120對應一子像素單元。同一列的有機發光層120為發相同顏色光的有機發光層120。
本發明實施例提供的有機發光二極體陣列的製備方法具有以下有益效果：第一，通過轉印形成有機發光層，避免了蒸鍍所需要的掩模和高溫真空條件，因此，製備工藝簡單，成本低廉；第二，採用轉印形成有機發光層，使得有機發光二極體的大小不受掩模製備工藝的限制，可以提高有機發光二極體陣列的像素；第三，由於第一電極設置於複數凸部上，因此，所述轉印過程無需精確對準，工藝簡單。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精 神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧有機發光二極體陣列
100‧‧‧基板
102‧‧‧基底
104‧‧‧薄膜電晶體
106‧‧‧第一絕緣層
108‧‧‧凸部
109‧‧‧平滑頂面
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧有機發光層
130‧‧‧第二電極
140‧‧‧第二絕緣層

Claims (14)

  1. 一種有機發光二極體陣列的製備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成有序排列的複數凸部，每個凸部對應至少一子像素；至少在所述複數凸部的頂面形成複數第一電極，該複數第一電極相互間隔設置；在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層作為有機發光層；所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的方法包括：提供一印模，在該印模的表面形成一潤濕層，並在該潤濕層的一表面形成一有機電激發光薄膜；使位於凸部頂面的第一電極與該有機電激發光薄膜接觸；及使該第一電極與該印模分離，與第一電極接觸的部份有機電激發光薄膜與印模分離形成在第一電極表面；形成一圖案化的第二絕緣層，該圖案化的第二絕緣層至少位於相鄰的凸部之間，且使該有機發光層至少頂面暴露；及形成至少一第二電極與該有機發光層電連接。
  2. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述基板包括一薄膜電晶體陣列，該薄膜電晶體陣列包括複數薄膜電晶體，每個薄膜電晶體對應一子像素，且所述在基板的表面形成有序排列的複數凸部具體包括：形成一連續的第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體陣列；及在該第一絕緣層遠離該薄膜電晶體陣列的表面形成該複數凸部，且每個凸部對應至少一薄膜電晶體。
  3. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述基板包括一薄膜電晶體陣列，該薄膜電晶體陣列包括複數薄膜電晶體，每個薄膜電晶體對應一子像素；所述形成有序排列的複數凸部的步驟為形成複數呈陣列設置的凸部，每個凸部對應一薄膜電晶體設置，在每個凸部的表面形成一第一電極，每個第一電極對應一個薄膜電晶體且與該對應的薄膜電晶體電連接。
  4. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述基板包括一薄膜電晶體陣列，該薄膜電晶體陣列包括複數薄膜電晶體，每個薄膜電晶體對應一子像素；所述形成有序排列的複數凸部的步驟為形成複數平行且間隔設置的條形凸部，每個凸部對應一列薄膜電晶體設置，且在每個凸部的表面形成複數相互間隔的第一電極，每個第一電極對應一個薄膜電晶體且與該對應的薄膜電晶體電連接。
  5. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述至少在所述複數凸部的頂面形成複數第一電極的方法包括：形成一連續的導電層將該複數凸部覆蓋；圖案化該連續的導電層形成複數相互間隔設置的第一電極，且每個第一電極至少設置於對應凸部的頂面和側面。
  6. 如請求項第5項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，進一步包括形成一第三絕緣層位於相鄰的第一電極之間，使相鄰的第一電極電絕緣。
  7. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述使第一電極與該印模分離之前或分離的過程中對印模進行熱處理。
  8. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的方法包括以下步驟：在複數第一電極的表面轉印製備一電洞注入層，且所述電洞注入層為不 連續結構，僅形成於凸部頂面的第一電極的表面；在所述電洞注入層的表面轉印製備一電洞傳輸層，且所述電洞傳輸層為不連續結構，僅形成於該電洞注入層表面；在所述電洞傳輸層的表面轉印形成至少一電激發光層；及在所述電激發光層的表面製備一電子傳輸層和一電子注入層。
  9. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的方法包括以下步驟：沈積一連續的電洞注入層將該複數第一電極覆蓋；沈積一連續的電洞傳輸層將該電洞注入層覆蓋；在每個凸部頂面的電洞傳輸層表面轉印形成至少一電激發光層；沈積一連續的電子傳輸層將該電激發光層覆蓋；及沈積一連續的電子注入層將該電子傳輸層覆蓋。
  10. 如請求項第1項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的方法為通過一次轉印同時在每個第一電極上形成有機發光層。
  11. 一種有機發光二極體陣列的製備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成複數間隔設置的凸部；至少在複數凸部的頂面形成複數條形第一電極，該複數條形第一電極沿第一方向延伸且間隔設置的；在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層作為有機發光層；所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的方法包括：提供一印模，在該印模的表面形成一潤濕層，並在該潤濕層的一表面形成一有機電激發光薄膜；使位於凸部頂面的第一電極與該有機電激發光薄膜接觸；及使該第一電極與該印模分離，與第一電極接觸的部份有機電 激發光薄膜與印模分離形成在第一電極表面；形成一圖案化的第二絕緣層，且該圖案化的第二絕緣層將位於相鄰的凸部之間，且使該有機發光層至少頂面暴露；及形成複數平行且間隔設置的條形第二電極，使所述有機發光層位於該複數第一電極與複數第二電極之間，該複數第二電極與該有機發光層電連接，所述第二電極的延伸方向與第一電極的延伸方向交叉設置，且在每個交叉處定義一子像素。
  12. 如請求項第11項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述形成複數間隔設置的凸部的步驟為形成複數平行設置的條形凸部；所述形成複數平行且間隔設置的條形第一電極的步驟為在每個條形凸部表面形成一條形第一電極；所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的步驟為在每個條形凸部的頂面的第一電極表面形成一連續的電激發光層。
  13. 如請求項第11項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述形成複數間隔設置的凸部的步驟為形成複數呈二維陣列排列的凸部，所述形成複數平行且間隔設置的條形第一電極的步驟為對應每行或每列凸部形成一條形第一電極；所述在每個第一電極的表面轉印形成至少一電激發光層的步驟為在每個凸部的頂面的第一電極表面形成一電激發光層。
  14. 如請求項第11項所述的有機發光二極體陣列的製備方法，其中，所述在每個第一電極的表面轉印形成電激發光層的方法包括：提供一印模，並在該印模的一表面形成一有機電激發光薄膜；使位於凸部頂面的第一電極與該有機電激發光薄膜接觸；及使該第一電極與該印模分離，與第一電極接觸的部份有機電激發光薄膜與印模分離形成在第一電極表面。
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